JPH01203214A - ハロジシランの選択的還元方法 - Google Patents
ハロジシランの選択的還元方法Info
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- JPH01203214A JPH01203214A JP63326385A JP32638588A JPH01203214A JP H01203214 A JPH01203214 A JP H01203214A JP 63326385 A JP63326385 A JP 63326385A JP 32638588 A JP32638588 A JP 32638588A JP H01203214 A JPH01203214 A JP H01203214A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水素化トリアルキルスズ及び二水素化ジアル
キルスズは（ａ）穏やかな条件下で混合ハロジシラン中
の−のハロゲンをケイ素−ケイ素結合を保存しながら別
のハロゲンを除外して選択的に還元すること、及び（ｂ
）同じハロゲン原子を２個又は３個以上有するハロジシ
ランのハロゲン原子を引き続き還元することの両方に関
して選択的に能力を発揮する、という発見に関連する。
キルスズは（ａ）穏やかな条件下で混合ハロジシラン中
の−のハロゲンをケイ素−ケイ素結合を保存しながら別
のハロゲンを除外して選択的に還元すること、及び（ｂ
）同じハロゲン原子を２個又は３個以上有するハロジシ
ランのハロゲン原子を引き続き還元することの両方に関
して選択的に能力を発揮する、という発見に関連する。
このやり方でもってハロジシランを還元して作られた生
成物は、半導体及び保護コーティングとして用いるため
の無定形ケイ素フィルムを調製するための前駆物質とし
て適当である。
成物は、半導体及び保護コーティングとして用いるため
の無定形ケイ素フィルムを調製するための前駆物質とし
て適当である。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕（ＣＨ
ｚ）ＳｉＣｌ ｉのようなりコロシラン中の塩素を水素
で置換することは公知であり、触媒する量の塩化アルミ
ニウムの存在下でトリアルキルシランと反応させること
によって果たすことができる。
ｚ）ＳｉＣｌ ｉのようなりコロシラン中の塩素を水素
で置換することは公知であり、触媒する量の塩化アルミ
ニウムの存在下でトリアルキルシランと反応させること
によって果たすことができる。
ところが、この触媒は、骨格転移（ｓｋｅｌｅｔａｌｒ
ｅａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ） （すなわち５ｉ−Ｃ及
び／又は５ｉ−Ｓｉ結合に影響する再分配）を促進する
ことで有名である。後者の挙動は、骨格転移を回避した
い場合にこの反応をハロジシランの還元には通さないも
のにする。
ｅａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ） （すなわち５ｉ−Ｃ及
び／又は５ｉ−Ｓｉ結合に影響する再分配）を促進する
ことで有名である。後者の挙動は、骨格転移を回避した
い場合にこの反応をハロジシランの還元には通さないも
のにする。
有機スズ水素化物は、有機化学における有効な還元剤と
して知られており、それらの反応の様式は十分に文書化
されている。有機スズ水素化物の普通の用途は、有機ハ
ロゲン化物の還元である。
して知られており、それらの反応の様式は十分に文書化
されている。有機スズ水素化物の普通の用途は、有機ハ
ロゲン化物の還元である。
（４−ｎ）ＲＸ＋Ｒ，ＳｎＨ４、（４−ｎ）ＲＨ＋ Ｒ
ＪｎＸ４−＋ａ上記の反応は、Ｒがアルキル基、アリー
ル基、アシル基、プロパルギル基等でよいのでその範囲
が広い。反応条件及び効率は、Ｒ基によって変り（例え
ば、ハロゲン化アリールはハロゲン化アルキルよりも還
元するのが困難である）、またハロゲンによって変る（
ハロゲン化アルキルについては、反応性の順序はＲ１＞
ＲＢｒ＞ＲＣｌ＞＞ＲＦである）。
ＪｎＸ４−＋ａ上記の反応は、Ｒがアルキル基、アリー
ル基、アシル基、プロパルギル基等でよいのでその範囲
が広い。反応条件及び効率は、Ｒ基によって変り（例え
ば、ハロゲン化アリールはハロゲン化アルキルよりも還
元するのが困難である）、またハロゲンによって変る（
ハロゲン化アルキルについては、反応性の順序はＲ１＞
ＲＢｒ＞ＲＣｌ＞＞ＲＦである）。
しかしながら、これらの反応は遊離基機構によって進行
することが知られており、遊離基開始剤の添加を必要と
する。
することが知られており、遊離基開始剤の添加を必要と
する。
このように、例えばＳｉＦ＋５ｉＨＢｒ、のようなハロ
ジシラン中の一つのハロゲン種をもう一つの種を除いて
選択的に還元して、半導体及び保護コーティングとして
使用するための無定形ケイ素を調製するための前駆物質
として適しているフルオロジシランを調製するのを可能
にする公知の方法は、存在しない。更に、この選択的還
元方法は、Ｓｉ −Ｓｉ結合を攻撃することが知られて
いる酸性もしくは塩基性触媒又は遊Ｍ基を含むべきでな
い。
ジシラン中の一つのハロゲン種をもう一つの種を除いて
選択的に還元して、半導体及び保護コーティングとして
使用するための無定形ケイ素を調製するための前駆物質
として適しているフルオロジシランを調製するのを可能
にする公知の方法は、存在しない。更に、この選択的還
元方法は、Ｓｉ −Ｓｉ結合を攻撃することが知られて
いる酸性もしくは塩基性触媒又は遊Ｍ基を含むべきでな
い。
〔課題を解決するための手段及び作用効果〕本発明は、
ハロジシランを室温又はそれより低い温度で遊離基開始
剤を用いずに水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジア
ルキルスズと反応させることによるハロジシランの選択
的及び逐次的還元に関する。反応は、反応物のための溶
剤を用いて行ってもよく、あるいはそれを用いずに行っ
てもよい。水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジアル
キルスズは、５ｉ−Ｆ結合及び５ｔ−５ｉ結合はそのま
まにしながら、ＳＬ −ｌ５Ｓｔ−Ｂｒ又は５ｔ−ｃｌ
結合を選択的及び逐次的に還元する。本発明は、式ｓｉ
ｇＦＸＨ６−Ｘのフルオロジシラン、殊にＸが３．４、
又は５であるフルオロジシランの合成のために用いるこ
とができる。フルオロジシランは、半導体及び保護コー
ティングとして用いるための無定形ケイ素フィルムを調
製するための前駆物質として通している。
ハロジシランを室温又はそれより低い温度で遊離基開始
剤を用いずに水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジア
ルキルスズと反応させることによるハロジシランの選択
的及び逐次的還元に関する。反応は、反応物のための溶
剤を用いて行ってもよく、あるいはそれを用いずに行っ
てもよい。水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジアル
キルスズは、５ｉ−Ｆ結合及び５ｔ−５ｉ結合はそのま
まにしながら、ＳＬ −ｌ５Ｓｔ−Ｂｒ又は５ｔ−ｃｌ
結合を選択的及び逐次的に還元する。本発明は、式ｓｉ
ｇＦＸＨ６−Ｘのフルオロジシラン、殊にＸが３．４、
又は５であるフルオロジシランの合成のために用いるこ
とができる。フルオロジシランは、半導体及び保護コー
ティングとして用いるための無定形ケイ素フィルムを調
製するための前駆物質として通している。
本発明の方法には、ハロジシランを式Ｒ３Ｓ ｎ Ｈの
水素化トリアルキルスズ又は式Ｒｚ Ｓ ｎ Ｈｔの二
水素化ジアルキルスズ（これらの式において、Ｒは炭素
原子数１〜１０個のアルキル基である）と接触させる工
程、それによりハロジシランの少なくとも−のケイ素−
塩素結合、ケイ素−臭素結合又はケイ素−ヨウ素結合を
還元してケイ素−水素結合にする工程が含まれている。
水素化トリアルキルスズ又は式Ｒｚ Ｓ ｎ Ｈｔの二
水素化ジアルキルスズ（これらの式において、Ｒは炭素
原子数１〜１０個のアルキル基である）と接触させる工
程、それによりハロジシランの少なくとも−のケイ素−
塩素結合、ケイ素−臭素結合又はケイ素−ヨウ素結合を
還元してケイ素−水素結合にする工程が含まれている。
本発明は、ハロジシランの少なくとも−のケイ素−塩素
結合、ケイ素−臭素結合又はケイ素−ヨウ素結合を選択
的又は逐次的に還元してケイ素−水素結合にする方法に
関する。この方法には、ハロジシランを式Ｒ３Ｓ ｎ
Ｈの水素化トリアルキルスズ又は式Ｒ３ＳｎＨｚの二水
素化ジアルキルスズ（これらの式中、Ｒは炭素原子数１
〜１０個のアルキル基である）と接触させ、それにより
ハロジシー水素結合にし、且つ、ハロジシランのケイ素
−ケイ素結合及びケイ素−フッ素結合はそのまま残すこ
とが含まれている。
結合、ケイ素−臭素結合又はケイ素−ヨウ素結合を選択
的又は逐次的に還元してケイ素−水素結合にする方法に
関する。この方法には、ハロジシランを式Ｒ３Ｓ ｎ
Ｈの水素化トリアルキルスズ又は式Ｒ３ＳｎＨｚの二水
素化ジアルキルスズ（これらの式中、Ｒは炭素原子数１
〜１０個のアルキル基である）と接触させ、それにより
ハロジシー水素結合にし、且つ、ハロジシランのケイ素
−ケイ素結合及びケイ素−フッ素結合はそのまま残すこ
とが含まれている。
この発明の方法では、水素化トリアルキルスズあるいは
二水素化ジアルキルスズのどちらを還元剤として使用し
てもよい。これらの水素化スズのアルキル置換基は、炭
素原子数１〜１０個のものでよく、そのため有用な水素
化スズには、例えば、水素化トリメチルスズ、二水素化
ジメチルスズ、水素化トリブチルスズ、二水素化ジオク
チルスズ、二水素化ジイソブチルスズ、及び水素化トリ
デシルスズが含まれる。一般には、水素化トリメチルス
ズが好ましい還元剤である。
二水素化ジアルキルスズのどちらを還元剤として使用し
てもよい。これらの水素化スズのアルキル置換基は、炭
素原子数１〜１０個のものでよく、そのため有用な水素
化スズには、例えば、水素化トリメチルスズ、二水素化
ジメチルスズ、水素化トリブチルスズ、二水素化ジオク
チルスズ、二水素化ジイソブチルスズ、及び水素化トリ
デシルスズが含まれる。一般には、水素化トリメチルス
ズが好ましい還元剤である。
本発明の方法によって還元された化合物は、ハロジシラ
ンとして一船的に説明される。ハロジシランは、−緒に
結合した２個のケイ素原子を含有し、各ケイ素原子は３
個の他の置換基を有する。
ンとして一船的に説明される。ハロジシランは、−緒に
結合した２個のケイ素原子を含有し、各ケイ素原子は３
個の他の置換基を有する。
一般には、置換基は全てハロゲン原子でもよく、あるい
はハロゲン原子と水素原子とが混じったものでもよい。
はハロゲン原子と水素原子とが混じったものでもよい。
本発明において使用する「フルオロハロジシラン」なる
用語は、式Ｘ −Ｓ ｉ ２ Ｈ−Ｆ ｙの分子を指示
し、この式中、ｍは１〜５の整数であり、ｎは０〜４の
整数であり、ｙは０〜５の整数であって、ｍ＋ｎ＋ｙの
合計は６に等しい。各Ｘは、ＣＩ、Ｂｒ又は１からなる
群より独立に選択したハロゲンを表わす。この発明の方
法でもって還元しうるフルオロハロジシランには、例を
挙げれば、完全にハロゲン化されたジシラン、例えばＳ
ｉＦ：＋５ｉＢｒ＋、５ｉＦＢｒｚＳｉＢｒ３、ＳｉＦ
、Ｃｌ５ｉＣ１３，５ｉｈＳｉｌｉ、ＳｉＦ、Ｂｒ５ｉ
Ｆ、Ｂｒ５ＳｉＦｔＢｒＳｉＦｚ（Ｊ！及び５ＩＦＪｒ
ＳｉＰ＋のようなものや、１〜４個の水素置換基を有す
る部分的にハロゲン化されたジシラン、例えば５ｉＦＨ
ＢｒＳｉＢｒ２．５ｉＦｚＨ５ｉ（Ｊ ３．５ｉＦ３Ｓ
ｉＨＩｔ、５ｉｈＨＳｉＦｚＢｒ 、 ５ｉＦＨＢｒＳ
ｉＰｚＣｊ！及び５ｉｌｌｌＳｉＨＦＢｒのようなもの
が含まれる。
用語は、式Ｘ −Ｓ ｉ ２ Ｈ−Ｆ ｙの分子を指示
し、この式中、ｍは１〜５の整数であり、ｎは０〜４の
整数であり、ｙは０〜５の整数であって、ｍ＋ｎ＋ｙの
合計は６に等しい。各Ｘは、ＣＩ、Ｂｒ又は１からなる
群より独立に選択したハロゲンを表わす。この発明の方
法でもって還元しうるフルオロハロジシランには、例を
挙げれば、完全にハロゲン化されたジシラン、例えばＳ
ｉＦ：＋５ｉＢｒ＋、５ｉＦＢｒｚＳｉＢｒ３、ＳｉＦ
、Ｃｌ５ｉＣ１３，５ｉｈＳｉｌｉ、ＳｉＦ、Ｂｒ５ｉ
Ｆ、Ｂｒ５ＳｉＦｔＢｒＳｉＦｚ（Ｊ！及び５ＩＦＪｒ
ＳｉＰ＋のようなものや、１〜４個の水素置換基を有す
る部分的にハロゲン化されたジシラン、例えば５ｉＦＨ
ＢｒＳｉＢｒ２．５ｉＦｚＨ５ｉ（Ｊ ３．５ｉＦ３Ｓ
ｉＨＩｔ、５ｉｈＨＳｉＦｚＢｒ 、 ５ｉＦＨＢｒＳ
ｉＰｚＣｊ！及び５ｉｌｌｌＳｉＨＦＢｒのようなもの
が含まれる。
本発明の目的上、選択的な還元は、一つのハロゲンが同
一分子中のほかのハロゲンを除外して選択的に還元され
る反応である。一般に、選択的還元は例えば、５ｉｚＸ
’、Ｘ”、 〕５ｉｚＸ’ （ｍ−１）ＨＸ”ｂ ヘ（
Ｄ転化により説明され、Ｘ”の原子量はＸ′″のそれよ
りも大きい。５ｉｈＳｉＦＪｒの５ｉｈＳｉＦＪへの転
化は、選択的還元の特定の例である。
一分子中のほかのハロゲンを除外して選択的に還元され
る反応である。一般に、選択的還元は例えば、５ｉｚＸ
’、Ｘ”、 〕５ｉｚＸ’ （ｍ−１）ＨＸ”ｂ ヘ（
Ｄ転化により説明され、Ｘ”の原子量はＸ′″のそれよ
りも大きい。５ｉｈＳｉＦＪｒの５ｉｈＳｉＦＪへの転
化は、選択的還元の特定の例である。
それに反して、逐次的な還元は、２個又は３個以上の同
じハロゲン原子を有する分子中のハロゲンを一度に一つ
ずつ段階的に還元すること、例えば、５ｉｚＸ−Ｈｈ−
をＳｉｚＸｍ−ｒＨｂ−ｍ。１へ転化させ、次いで第二
段階で任意にＳｉＪｓ−ｚＨｈ−ｍ＊＊へ転化させるこ
とに関連する。逐次的還元では、単離された生成物は還
元反応で除去されたハロゲンと同しである少なくとも１
個のハロゲン置換基をなお保有している。５ｉＨｔＳｉ
Ｂｒ３のＳｉＨ，５ｉＨＢｒ。
じハロゲン原子を有する分子中のハロゲンを一度に一つ
ずつ段階的に還元すること、例えば、５ｉｚＸ−Ｈｈ−
をＳｉｚＸｍ−ｒＨｂ−ｍ。１へ転化させ、次いで第二
段階で任意にＳｉＪｓ−ｚＨｈ−ｍ＊＊へ転化させるこ
とに関連する。逐次的還元では、単離された生成物は還
元反応で除去されたハロゲンと同しである少なくとも１
個のハロゲン置換基をなお保有している。５ｉＨｔＳｉ
Ｂｒ３のＳｉＨ，５ｉＨＢｒ。
への転化は、逐次的還元の特定の例である。本発明は選
択的及び逐次的の両方の転化、例えばＳｉＦ、５ｉＢｒ
、の５ｉＦ３ＳｉＨＢｒ、への転化を包含しても差支え
ない、ということは明白であろう。
択的及び逐次的の両方の転化、例えばＳｉＦ、５ｉＢｒ
、の５ｉＦ３ＳｉＨＢｒ、への転化を包含しても差支え
ない、ということは明白であろう。
有機スズ水素化物は、転換がこれを用いて又は選択的も
しくは逐次的でないやり方でもって行われるジシラン中
のケイ素−ハロゲン結合のケイ素−水素結合への転換を
行うために使用してもよい。
しくは逐次的でないやり方でもって行われるジシラン中
のケイ素−ハロゲン結合のケイ素−水素結合への転換を
行うために使用してもよい。
例えば、５ｉＢｒ３ＳｉＢｒ３の５ｉＨ３ＳｉＨｓへの
直接的な転化は、選択的でも逐次的でもない。しかしな
がら、ハロゲン置換基の水素への選択的又は逐次的転換
が所望の場合には、ハロジシランを有機スズ水素化物で
還元することがことに殊に有用であり且つ好ましい。
直接的な転化は、選択的でも逐次的でもない。しかしな
がら、ハロゲン置換基の水素への選択的又は逐次的転換
が所望の場合には、ハロジシランを有機スズ水素化物で
還元することがことに殊に有用であり且つ好ましい。
本発明の方法は、種々のハロジシラン、特にフルオロハ
ロジシランに通用可能である。還元は、溶剤を存在させ
であるいはこれを存在させずに、液相又は蒸気（ガス）
相で行うことができる。還元化学に適合する溶剤には、
芳香族炭化水素、アルカン、エーテル及びクロロフルオ
ロカーボンが含まれる。アルコールのようなプロトン性
溶媒又はアミンのような非常に塩基性である溶剤は、適
合性がない。
ロジシランに通用可能である。還元は、溶剤を存在させ
であるいはこれを存在させずに、液相又は蒸気（ガス）
相で行うことができる。還元化学に適合する溶剤には、
芳香族炭化水素、アルカン、エーテル及びクロロフルオ
ロカーボンが含まれる。アルコールのようなプロトン性
溶媒又はアミンのような非常に塩基性である溶剤は、適
合性がない。
反応は、−８０°Ｃから１００°Ｃまでの温度範囲にわ
たって行うことができるが、選択性を増加させ、また所
望の逐次的還元の範囲にわたって制御するためには一８
０°Ｃから２５°Ｃまでの温度を使用するのが好ましい
。
たって行うことができるが、選択性を増加させ、また所
望の逐次的還元の範囲にわたって制御するためには一８
０°Ｃから２５°Ｃまでの温度を使用するのが好ましい
。
この発明の方法による選択的還元ののための好ましい物
質であるフルオロハロジシランは、例えば、ジフルオロ
シリレンとハロゲン化水素との反応から得ることができ
、その反応をＨＢｒとの反応について特定して示せば次
のとおりである。
質であるフルオロハロジシランは、例えば、ジフルオロ
シリレンとハロゲン化水素との反応から得ることができ
、その反応をＨＢｒとの反応について特定して示せば次
のとおりである。
反応（３）は、反応の主要な生成物すなわちＳ ｉ Ｆ
２ Ｉｆ Ｓ ｉ Ｆ２０ｒの再配分に相当する。
２ Ｉｆ Ｓ ｉ Ｆ２０ｒの再配分に相当する。
更に、好ましいフルオロハロジシランの還元を例示すれ
ば、水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジアルキルス
ズを液相で例えばＳｉＦ：ｌ５ｉｌｌ［ｌｒ２と反応さ
せ、式５ｉ２ＦｘＨｂ−ｘのフルオロジシラン、例えば
Ｘが３であるものを生成する。
ば、水素化トリアルキルスズ又は二水素化ジアルキルス
ズを液相で例えばＳｉＦ：ｌ５ｉｌｌ［ｌｒ２と反応さ
せ、式５ｉ２ＦｘＨｂ−ｘのフルオロジシラン、例えば
Ｘが３であるものを生成する。
このように、本発明によれば、水素化トリアルキルスズ
又は二水素化ジアルキルスズは、ＳｉＦ、５ｉｌｌＢｒ
ｚの５ｉ−Ｓｉ結合又は５ｉ−Ｆ結合には影響を及ぼさ
ずに還元して本質的に５ｉＦ３Ｓｉｌ１３を生成する。
又は二水素化ジアルキルスズは、ＳｉＦ、５ｉｌｌＢｒ
ｚの５ｉ−Ｓｉ結合又は５ｉ−Ｆ結合には影響を及ぼさ
ずに還元して本質的に５ｉＦ３Ｓｉｌ１３を生成する。
更に、反応を低温で行う場合には、第一の還元段階の生
成物すなわち５ｉＦ２ＳｉｌｌｚＬｌｒはたやす（検出
することができる。
成物すなわち５ｉＦ２ＳｉｌｌｚＬｌｒはたやす（検出
することができる。
通常用いられている還元剤Ｖｉｔｒｉｄｅ （商標）（
ＮａＡｌＨ４（ＱＣ）１２Ｃ１１２０ＣＨｆｆ） ２）
を使って同様の条件下で比較の反応を行ったところでは
、結果としてＳｉ −Ｂｒ結合及び５ｉ−Ｆ結合の両方
が還元され、５ｉｌ１４．５ｉＦＪ及びＳｉＦ４が生成
された。生成物の混合物中にジシランは観察されなかっ
たので、ケイ素−ケイ素結合は破壊された。同様に、Ｄ
ＩＢＡＬ（商標）（ｉ−ＢｕＪＩＩＩ）還元剤を使用す
る比較の還元においても、結果として５ｉ−Ｂｒ結合及
び５ｉ−Ｆ結合の両方が還元され、ＳｉＦ、及びＳｉＦ
、Ｈが生成された。やはり、生成物混合物中にジシラン
は観察されなかった。
ＮａＡｌＨ４（ＱＣ）１２Ｃ１１２０ＣＨｆｆ） ２）
を使って同様の条件下で比較の反応を行ったところでは
、結果としてＳｉ −Ｂｒ結合及び５ｉ−Ｆ結合の両方
が還元され、５ｉｌ１４．５ｉＦＪ及びＳｉＦ４が生成
された。生成物の混合物中にジシランは観察されなかっ
たので、ケイ素−ケイ素結合は破壊された。同様に、Ｄ
ＩＢＡＬ（商標）（ｉ−ＢｕＪＩＩＩ）還元剤を使用す
る比較の還元においても、結果として５ｉ−Ｂｒ結合及
び５ｉ−Ｆ結合の両方が還元され、ＳｉＦ、及びＳｉＦ
、Ｈが生成された。やはり、生成物混合物中にジシラン
は観察されなかった。
この例は、フッ素とそのほかの、塩素、臭素及びヨウ素
からなる群より選択したハロゲンとを含有しているケイ
素及びハロゲン含を物質のアルキルスズ水素化物による
還元の穏やかさ、選択性及び逐次性を例示する。
からなる群より選択したハロゲンとを含有しているケイ
素及びハロゲン含を物質のアルキルスズ水素化物による
還元の穏やかさ、選択性及び逐次性を例示する。
本発明の方法は、当業者が、静的又は動的条件下で、溶
剤を存在させあるいはそれを存在させずに気相又は液相
の反応物を使用し、上界させ又は冷却した反応温度にお
いて行うことができよう。
剤を存在させあるいはそれを存在させずに気相又は液相
の反応物を使用し、上界させ又は冷却した反応温度にお
いて行うことができよう。
本発明の方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）法及びプラズ
マ増強（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ） ＣＶ Ｄ
法により無定形ケイ素の半導体膜又は表面を保護するた
めのフィルムを生じさせるのに有用な、部分的に還元さ
れたハロジシランを調製するのに有用である。
マ増強（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ） ＣＶ Ｄ
法により無定形ケイ素の半導体膜又は表面を保護するた
めのフィルムを生じさせるのに有用な、部分的に還元さ
れたハロジシランを調製するのに有用である。
下記の例のうちの大部分は、室温で高真空ラインに接続
して行った。各反応物は、特定の圧力、典型的には１０
〜２０Ｔｏｒｒになるまで一定の容積内へ膨張させた。
して行った。各反応物は、特定の圧力、典型的には１０
〜２０Ｔｏｒｒになるまで一定の容積内へ膨張させた。
反応の進行は、赤外スペクトルの５ｔ−Ｈ伸１１ ＬＴ
域（２４００〜２０００ｃｍ−’ ）にバンドが現れる
ことにより、そしてまた５ｎ−Ｈ伸縮（１９００〜１７
５０ｃｍ−’）が消失することにより監視した。これら
の領域の両方とも、連合（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）バ
ンドやオーバートーンバンドのような妨害にあわない。
域（２４００〜２０００ｃｍ−’ ）にバンドが現れる
ことにより、そしてまた５ｎ−Ｈ伸縮（１９００〜１７
５０ｃｍ−’）が消失することにより監視した。これら
の領域の両方とも、連合（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）バ
ンドやオーバートーンバンドのような妨害にあわない。
これらの例において特記する周波数は、５ｉ−Ｈ伸縮周
波数に当てはまる。これらの反応の主なスズ含有副生物
は、 ’ＨＮＭＲ及び赤外スペクトルにより（ＣＨｚ）
ｚｓｎＢｒ及び（ＣＨｚ） ｚｓｎｃｌであることが
示された。
波数に当てはまる。これらの反応の主なスズ含有副生物
は、 ’ＨＮＭＲ及び赤外スペクトルにより（ＣＨｚ）
ｚｓｎＢｒ及び（ＣＨｚ） ｚｓｎｃｌであることが
示された。
廿ロー −（ＣＨ：ｌ） ｚｓｎＨによる５ｉＦ３Ｓｉ
ｌｌＢｒｚの還元１当量（典型的には０．２ ｍｍｏｌ
）の５ｉＦＩＳｉＨＢｒｚを２当量の（Ｃ１１３）３ｓ
ｎＨと共にトラップで凝縮させた。この混合物を３０分
間室温まで温めた。赤外スペクトルによると、５ｉｈＳ
ｉＨＢｒｚは全て消費されているけれども、少量の（Ｃ
Ｈ３） １ｓｎＨが未反応のままであることが示された
。ＳｉＢｒ４を加えて過剰の（ＣＨｓ） １ＳｎＨと反
応させた（室温で１時間）。次に、この混合物を、−９
５°Ｃに冷却したトラップ（トルエン）を通して一１９
６°Ｃに冷却したトラップへ進ませた。−１９６°Ｃで
トラップにかかった物質は、純粋な５ｉｈＳｉＨｔであ
った（収率９０χ）。この化合物は、その赤外スペクト
ル、’ＨＮＭＲスペクトル及び”Ｆ ＮＭＲスペクトル
によって同定された。この例は、本発明の方法を用いる
選択的還元を例示する。
ｌｌＢｒｚの還元１当量（典型的には０．２ ｍｍｏｌ
）の５ｉＦＩＳｉＨＢｒｚを２当量の（Ｃ１１３）３ｓ
ｎＨと共にトラップで凝縮させた。この混合物を３０分
間室温まで温めた。赤外スペクトルによると、５ｉｈＳ
ｉＨＢｒｚは全て消費されているけれども、少量の（Ｃ
Ｈ３） １ｓｎＨが未反応のままであることが示された
。ＳｉＢｒ４を加えて過剰の（ＣＨｓ） １ＳｎＨと反
応させた（室温で１時間）。次に、この混合物を、−９
５°Ｃに冷却したトラップ（トルエン）を通して一１９
６°Ｃに冷却したトラップへ進ませた。−１９６°Ｃで
トラップにかかった物質は、純粋な５ｉｈＳｉＨｔであ
った（収率９０χ）。この化合物は、その赤外スペクト
ル、’ＨＮＭＲスペクトル及び”Ｆ ＮＭＲスペクトル
によって同定された。この例は、本発明の方法を用いる
選択的還元を例示する。
拠主−（ＣＨ＋） ５ｓｎＨによる５ｉＦ３ＳｉＦＨＢ
ｒの還元等モル量の５ｉｈＳｉＦＨＢｒ （この中に
は少量のＳｉＦ、ＳｉＦ、ｌＩが存在していた）と（Ｃ
Ｈ３） ：＋５ｎ）ｌとを、室温で１０分間反応させた
。混合物の赤外スペクトルによって、ＳｔＦ、、５ｉＦ
）ＩＢｒの全てが消費されたことが示された。生成物は
、ＳｉｈＳｉＦｚｌｌ（Ｓｉ−８１２２３０ｃｍ −’
、）及び５ｉｈＳｉｔｌ：＋ （Ｓｉ−Ｈ，２１８９
ｃｍ−’、２１７８ｃｍ−’）のおおよそｌ：１モル比
の混合物からなっていた。
ｒの還元等モル量の５ｉｈＳｉＦＨＢｒ （この中に
は少量のＳｉＦ、ＳｉＦ、ｌＩが存在していた）と（Ｃ
Ｈ３） ：＋５ｎ）ｌとを、室温で１０分間反応させた
。混合物の赤外スペクトルによって、ＳｔＦ、、５ｉＦ
）ＩＢｒの全てが消費されたことが示された。生成物は
、ＳｉｈＳｉＦｚｌｌ（Ｓｉ−８１２２３０ｃｍ −’
、）及び５ｉｈＳｉｔｌ：＋ （Ｓｉ−Ｈ，２１８９
ｃｍ−’、２１７８ｃｍ−’）のおおよそｌ：１モル比
の混合物からなっていた。
等モル量のＳｉＦ＋５ｉＰＨＢｒ と（Ｃ８３） ａｓ
ｎＨとを、トルエン−ｄ８を入れた５ｍｍの中程度の壁
のＮＭＲ管中に凝縮させた。 ＮＭＲ管をフレームシ
ールし、−１９６°Ｃで保管した。この管を徐々に温め
ながら、反応混合物の１９Ｆ ＮＭＲスペクトルを記録
した。不純物として少量の５ｉＦＪＳｉＦｚＢｒが存在
していた。温度は、−８０°Ｃで３時間、−６０’Ｃで
１時間、−３０°Ｃで４５分間、そして１０°Ｃで１０
分間維持した。混合物を一８０″Ｃで３０分間保持した
後には、ＮＭＲスペクトルには５ｉｈＳｉＦＨＢｒ（主
成分） 、３ｉＦ３ＳｉＨ３，５ｉＦ３ＳｉＦＪ 、
ＳｉＦ＋５ｉｌｌＢｒｚ、及び少量の新しい化合物５ｉ
ｈＳｉＨＪｒに由来するピークが含まれていた。
ｎＨとを、トルエン−ｄ８を入れた５ｍｍの中程度の壁
のＮＭＲ管中に凝縮させた。 ＮＭＲ管をフレームシ
ールし、−１９６°Ｃで保管した。この管を徐々に温め
ながら、反応混合物の１９Ｆ ＮＭＲスペクトルを記録
した。不純物として少量の５ｉＦＪＳｉＦｚＢｒが存在
していた。温度は、−８０°Ｃで３時間、−６０’Ｃで
１時間、−３０°Ｃで４５分間、そして１０°Ｃで１０
分間維持した。混合物を一８０″Ｃで３０分間保持した
後には、ＮＭＲスペクトルには５ｉｈＳｉＦＨＢｒ（主
成分） 、３ｉＦ３ＳｉＨ３，５ｉＦ３ＳｉＦＪ 、
ＳｉＦ＋５ｉｌｌＢｒｚ、及び少量の新しい化合物５ｉ
ｈＳｉＨＪｒに由来するピークが含まれていた。
−８０’Ｃで２時間維持した後には、５ｉｈＳｉＦＨＢ
ｒははるかに少量になっており、その一方５ｉＦＩＳｉ
ｆｈ、ＳｉＦ、ＳｉＦ、ｌｌ及びＳｉＦ＋５ｉｌｌＢｒ
ｚが増加した。
ｒははるかに少量になっており、その一方５ｉＦＩＳｉ
ｆｈ、ＳｉＦ、ＳｉＦ、ｌｌ及びＳｉＦ＋５ｉｌｌＢｒ
ｚが増加した。
ＳｉＦ、ＳｉＨｇ８ｒによるピークはなお認められた。
この同じスペクトル様式は、混合物を一６０°Ｃで２５
分間保持した後に続くことが分かった。最後に、混合物
をｌＯｏＣで１０分間保持した後には、主生成物はＳｉ
Ｆ、ＳｉＨ３及び５ｉＦ３ＳｉＦ２Ｈであり、少量の５
ｉｎ３ＳｉＦＨＢｒ及び５ｉＦ３ＳｉＨＢｒｚが残った
。この例は、還元生成物の再分配を伴う選択的還元を例
示する。
分間保持した後に続くことが分かった。最後に、混合物
をｌＯｏＣで１０分間保持した後には、主生成物はＳｉ
Ｆ、ＳｉＨ３及び５ｉＦ３ＳｉＦ２Ｈであり、少量の５
ｉｎ３ＳｉＦＨＢｒ及び５ｉＦ３ＳｉＨＢｒｚが残った
。この例は、還元生成物の再分配を伴う選択的還元を例
示する。
炎１− （ＣＨ３） ｚｓｎＨによる５ｉＦ２ＨＳｉ
Ｐ２Ｂｒの還元等モル量の５ｉＰｔＨ５ｉｈＢｒと（Ｃ
Ｈ３） ５ｓｎＨとを室温で１０分間反応させた。混合
物の赤外スペクトル２２３０ｃｍ−’ ）及び５ｉＦ３
ＳｉＨ３（Ｓｉ−Ｈ％ ２１８９ｃｍ−’、２１７８ｃ
ｎ＋−’）であった 等モル量の５ｉＰＪＳｉＦＪｒと（ＣＨ，） ３ＳｎＨ
とを、トルエン−ｄ８を入れた５ｍｍの中程度の壁のＮ
ＭＩ？管中に凝縮させた。ＮＰＩＲ管をフレームシール
し、−１９６°Ｃで保管した。この管を徐々に温めなが
ら、反応混合物の”Ｆ ＮＭＩ？スペクトルを記録した
。管を一６０°Ｃまで温めた後では、観測されたピーク
は５ｉＦｚＨＳｉＦｚＢｒ及び少量のＳｉＦ、５ｉＦ２
Ｈによるものだけであった。次いで、試料を２０分間−
４０゛Ｃに温めた。 ＳｉＦ、１ＩＳｉＦ、Ｂｒによる
ピークは減少し、その一方で５ｉＦ３ＳｉＦＪによるも
のが増加した。混合物中には、少量のＳｉＦ、ｔｌＳｉ
Ｆ２Ｈ、，５ｉｈＳｉＦＨＢｒ。
Ｐ２Ｂｒの還元等モル量の５ｉＰｔＨ５ｉｈＢｒと（Ｃ
Ｈ３） ５ｓｎＨとを室温で１０分間反応させた。混合
物の赤外スペクトル２２３０ｃｍ−’ ）及び５ｉＦ３
ＳｉＨ３（Ｓｉ−Ｈ％ ２１８９ｃｍ−’、２１７８ｃ
ｎ＋−’）であった 等モル量の５ｉＰＪＳｉＦＪｒと（ＣＨ，） ３ＳｎＨ
とを、トルエン−ｄ８を入れた５ｍｍの中程度の壁のＮ
ＭＩ？管中に凝縮させた。ＮＰＩＲ管をフレームシール
し、−１９６°Ｃで保管した。この管を徐々に温めなが
ら、反応混合物の”Ｆ ＮＭＩ？スペクトルを記録した
。管を一６０°Ｃまで温めた後では、観測されたピーク
は５ｉＦｚＨＳｉＦｚＢｒ及び少量のＳｉＦ、５ｉＦ２
Ｈによるものだけであった。次いで、試料を２０分間−
４０゛Ｃに温めた。 ＳｉＦ、１ＩＳｉＦ、Ｂｒによる
ピークは減少し、その一方で５ｉＦ３ＳｉＦＪによるも
のが増加した。混合物中には、少量のＳｉＦ、ｔｌＳｉ
Ｆ２Ｈ、，５ｉｈＳｉＦＨＢｒ。
５ｉＦ３ＳｉＨＢｒｚ及びＳｉＦ、Ｂｒ５ｉＦＨＢｒ
も観測された。
も観測された。
Ｊ ｒｓｔｓ＝Ｈ＝ ６．９ Ｈｚで−１１４，７ｐｐ
ｍ （外部ＣＦｆＪ ３に関し）を中心とする四重線が
あった。化学シフトも結合定数も、新しい化合物５ｉＰ
２ＢｒＳｉＨ，に−致した。混合物を一２５°Ｃで３５
分間保持した後には、５ｉＦｚＨＳｉＦＪｒによるピー
クは減少し続け、その一方５ｉＦｉＳｉＦＪによるもの
は増加した。この時には、混合物中にはかなりの量のＳ
ｉｐ、５ｉＦＨＢｒ及び５ｉＦ２ＢｒＳｉＰＨＢｒが存
在しており、同時にＳｉＦ、ＢｒＳｉＨ３、ＳｉＦ、１
ＩＳｉＦＪ及び５ｉＦ３ＳｉＨＢｒ、も増加していた。
ｍ （外部ＣＦｆＪ ３に関し）を中心とする四重線が
あった。化学シフトも結合定数も、新しい化合物５ｉＰ
２ＢｒＳｉＨ，に−致した。混合物を一２５°Ｃで３５
分間保持した後には、５ｉＦｚＨＳｉＦＪｒによるピー
クは減少し続け、その一方５ｉＦｉＳｉＦＪによるもの
は増加した。この時には、混合物中にはかなりの量のＳ
ｉｐ、５ｉＦＨＢｒ及び５ｉＦ２ＢｒＳｉＰＨＢｒが存
在しており、同時にＳｉＦ、ＢｒＳｉＨ３、ＳｉＦ、１
ＩＳｉＦＪ及び５ｉＦ３ＳｉＨＢｒ、も増加していた。
この時点では、新しい化合物（Ｊ Ｆｓｔｓ＝Ｈ＝ ７
．７ Ｈｚで−１２２，９ｐｐｍを中心とする三重線）
も現れた。この化学シフト及び結合定数は、５ｉＦ３Ｓ
ｉＨｚＴｌｒ分子に一致した。
．７ Ｈｚで−１２２，９ｐｐｍを中心とする三重線）
も現れた。この化学シフト及び結合定数は、５ｉＦ３Ｓ
ｉＨｚＴｌｒ分子に一致した。
５ｉＦＪＳｉＦｚＢｒの大部分は、混合物を１０°Ｃで
２０分間保持した後にな（なった。この時点での主成分
は、ＳｉＦ、５ｉＦＪ及びＳｉＦ、５ｉＦＨＢｒであっ
た。
２０分間保持した後にな（なった。この時点での主成分
は、ＳｉＦ、５ｉＦＪ及びＳｉＦ、５ｉＦＨＢｒであっ
た。
５ｉＦＪＳｉＦ２Ｈ及び５ｉＦＪｒＳｉＦＩＩＢｒの量
が減少する一方、５ｉＦ２ＢｒＳｉＨｚ、５ｉＦ３Ｓｉ
ＨＢｒ２及び５ｉＰ３ＳｉＨＪｒが増加した。２０°Ｃ
で１０分間保持した後には、反応の主生成物は５ｉｈＳ
ｉＦｚ）Ｉ及び５ｉｈＳｉＨ３であった。出発物質は完
全に消費されたけれども、混合物中にはなお少量の５ｉ
Ｆ３ＳｉＨＢｒｚ 、ＳｉＦ、５ｉＨ２Ｂｒ。
が減少する一方、５ｉＦ２ＢｒＳｉＨｚ、５ｉＦ３Ｓｉ
ＨＢｒ２及び５ｉＰ３ＳｉＨＪｒが増加した。２０°Ｃ
で１０分間保持した後には、反応の主生成物は５ｉｈＳ
ｉＦｚ）Ｉ及び５ｉｈＳｉＨ３であった。出発物質は完
全に消費されたけれども、混合物中にはなお少量の５ｉ
Ｆ３ＳｉＨＢｒｚ 、ＳｉＦ、５ｉＨ２Ｂｒ。
ＳｉＰ！５ｉＦＨＢｒ及び３ｉｐ２１ｓｉＦ２１１が存
在していた。この例は、還元生成物の再分配を伴う選択
的還元を例示する。
在していた。この例は、還元生成物の再分配を伴う選択
的還元を例示する。
■土−（ＣＨ３）３ＳＩＩＨによる５ｉＦｓＳｉ）ＩＣ
１ｚの還元１当量の５ｉＦ３ＳｉＨ（Ｊ 、（約０．１
ｍｍｏｌ）を２当量の（ＣＨＩ） ｚｓｎＨと共にト
ラップで凝縮させた。この混合物を１時間室温で温めた
。赤外スペクトルにより、５ｉｈＳｉＨｘ （９０χ）
が少量のＳｉＦ、Ｈと一緒に存在することが示された。
１ｚの還元１当量の５ｉＦ３ＳｉＨ（Ｊ 、（約０．１
ｍｍｏｌ）を２当量の（ＣＨＩ） ｚｓｎＨと共にト
ラップで凝縮させた。この混合物を１時間室温で温めた
。赤外スペクトルにより、５ｉｈＳｉＨｘ （９０χ）
が少量のＳｉＦ、Ｈと一緒に存在することが示された。
去ニー （ＣＩ（３） ｔｓｎＨによる５ｉＦＪＳｉＦ
ｚＣ１の還元当モル量（それぞれ約０，１ｍｍｏｌ）の
ＳｉＦＪＳｉｈＣＪと（ＣＨｉ） ：＋ＳｎＨとをトラ
ップ中へ凝縮させ、そして室温まで温めた。室温で１０
分後に得られた混合物の赤外スペクトルによると、反応
物の全てが消費されていることが示された。生成物は、
５ｉＦ３ＳｉＦ２Ｈ及び５ｉＦ３ＳｉＨ＋（はぼ１；１
モル比）と、少量のＳｉＦ、とからなっていた。この例
は、本発明の方法を使用する選択的還元を例示する。
ｚＣ１の還元当モル量（それぞれ約０，１ｍｍｏｌ）の
ＳｉＦＪＳｉｈＣＪと（ＣＨｉ） ：＋ＳｎＨとをトラ
ップ中へ凝縮させ、そして室温まで温めた。室温で１０
分後に得られた混合物の赤外スペクトルによると、反応
物の全てが消費されていることが示された。生成物は、
５ｉＦ３ＳｉＦ２Ｈ及び５ｉＦ３ＳｉＨ＋（はぼ１；１
モル比）と、少量のＳｉＦ、とからなっていた。この例
は、本発明の方法を使用する選択的還元を例示する。
ｐ Ｖｉｔｒｉｄｅ（商標）を使用する３ｉＦ３Ｓｉ
ＨＢｒｚの還元５ｉＦ３Ｓｉ）ＩＢｒｚ （０，１５ｍ
ｍｏｌ）を−１９６°Ｃでフラスコ中へ凝縮させ、次い
で一８０°Ｃまで温めた。１５ｄのトルエンにＮａＡＩ
Ｈｚ（ＯＣＨｚＣＨｚＯＣＨ：＋）ｚ （０，１５ｍｍ
ｏｌ。
ＨＢｒｚの還元５ｉＦ３Ｓｉ）ＩＢｒｚ （０，１５ｍ
ｍｏｌ）を−１９６°Ｃでフラスコ中へ凝縮させ、次い
で一８０°Ｃまで温めた。１５ｄのトルエンにＮａＡＩ
Ｈｚ（ＯＣＨｚＣＨｚＯＣＨ：＋）ｚ （０，１５ｍｍ
ｏｌ。
Ｖｉｔｒｉｄｅ）を溶解させた溶液を、３０分かけて一
部分ずつ加えた。この時点で、生成された可能性のある
あらゆる揮発性化合物を取り除（ためポンプの動力を入
れて混合物を吸引した。ところが、何も観察されなかっ
た。反応フラスコをシールし、そして混合物をおよそ１
５分間室温まで温めた。
部分ずつ加えた。この時点で、生成された可能性のある
あらゆる揮発性化合物を取り除（ためポンプの動力を入
れて混合物を吸引した。ところが、何も観察されなかっ
た。反応フラスコをシールし、そして混合物をおよそ１
５分間室温まで温めた。
混合物を再び一８０°Ｃに冷却し、そして揮発性化合物
をポンプで除去した。揮発性物質の赤外スペクトルによ
って、５ｉｆｔ、、５ｉＦＪ及び５ｉＦａの存在が示さ
れた。ジシランは混合物中に少しも認められなかった。
をポンプで除去した。揮発性物質の赤外スペクトルによ
って、５ｉｆｔ、、５ｉＦＪ及び５ｉＦａの存在が示さ
れた。ジシランは混合物中に少しも認められなかった。
１）＋ｌ ７−ＤＩＢＡＬ（商標）を使用するＳｉＦ、
５ｉＨＢｒ、の還元おおよそＱ、２ｍｍｏ１の５ｉｈＳ
ｉｌｌＢｒｚを一１９６°Ｃでフラスコ中へ凝縮させた
。次にこの混合物を一８０°Ｃまで温め、そしてこの時
点で、トルエンに溶解させた０、２１１１１１１０１の
ジイソブチルアルミニウムヒドリド（ＤＩＢＡＬ）を一
部分ずつ３０分かけて加えた。
５ｉＨＢｒ、の還元おおよそＱ、２ｍｍｏ１の５ｉｈＳ
ｉｌｌＢｒｚを一１９６°Ｃでフラスコ中へ凝縮させた
。次にこの混合物を一８０°Ｃまで温め、そしてこの時
点で、トルエンに溶解させた０、２１１１１１１０１の
ジイソブチルアルミニウムヒドリド（ＤＩＢＡＬ）を一
部分ずつ３０分かけて加えた。
添加完了後、いずれの揮発性種をも取り除（ために混合
物をポンプで吸引したが、何も観察されなかった。混合
物を１５分間室温まで温め、次いで一８０°Ｃに冷却し
た。得られた揮発性物質は、ＳｉＦ４及びＳｉＦ、Ｈか
らなるもののみであった。混合物中にジシランは少しも
認められなかった。
物をポンプで吸引したが、何も観察されなかった。混合
物を１５分間室温まで温め、次いで一８０°Ｃに冷却し
た。得られた揮発性物質は、ＳｉＦ４及びＳｉＦ、Ｈか
らなるもののみであった。混合物中にジシランは少しも
認められなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハロジシランのケイ素−ハロゲン結合を還元してケ
イ素−水素結合にする方法であって、ハロジシランの各
ハロゲンはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群よ
り独立に選択され、また、２種又は３種以上の異なるハ
ロゲンが存在する場合には、当該ハロジシランを式Ｒ＿
３ＳｎＨの水素化トリアルキルスズ又は式Ｒ＿２ＳｎＨ
＿２の二水素化ジアルキルスズ（これらの式において、
Ｒは炭素原子数１〜１０個のアルキル基である）と接触
させることにより最大原子量のハロゲンが選択的に還元
される、上記の方法。 ２、式Ｘ＿ｍＳｉ＿２Ｈ＿ｎＦ＿ｙ（この式中、ｍは１
から５までの整数であり、ｎは０から４までの整数であ
り、ｙは１から５までの整数であり、ｍ＋ｎ＋ｙの合計
は６に等しく、そして各Ｘは塩素、臭素及びヨウ素から
なる群より独立に選択される）のフルオロハロジシラン
のケイ素−Ｘ結合のうちの少なくとも一つを還元してケ
イ素−水素結合にする方法であって、フルオロハロジシ
ランを式Ｒ＿３ＳｎＨの水素化トリアルキルスズ又は式
Ｒ＿２ＳｎＨ＿２の二水素化ジアルキルスズ（これらの
式において、Ｒは炭素原子数１〜１０個のアルキル基で
ある）と接触させ、それによってフルオロハロジシラン
の少なくとも一つのケイ素−Ｘ結合を還元してケイ素−
水素結合にすることを包含している上記の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US138620 | 1987-12-28 | ||
| US07/138,620 US4798713A (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Method of selective reduction of halodisilanes with alkyltin hydrides |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01203214A true JPH01203214A (ja) | 1989-08-16 |
| JPH0474287B2 JPH0474287B2 (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=22482852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326385A Granted JPH01203214A (ja) | 1987-12-28 | 1988-12-26 | ハロジシランの選択的還元方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798713A (ja) |
| EP (1) | EP0323104B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01203214A (ja) |
| CA (1) | CA1310469C (ja) |
| DE (1) | DE3871111D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200036890A (ko) * | 2017-07-31 | 2020-04-07 | 디디피 스페셜티 일렉트로닉 머티리얼즈 유에스 9 엘엘씨 | 펜타클로로디실란 및 이를 포함하는 정제 반응 생성물의 제조 방법 |
| JP2020525433A (ja) * | 2017-06-29 | 2020-08-27 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | １，１，１−トリクロロジシランの合成 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015624A (en) * | 1990-04-30 | 1991-05-14 | Dow Corning Corporation | Process for reduction of organohalosilanes |
| WO2019067139A1 (en) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | Dow Silicones Corporation | SELECTIVE REDUCTION OF CHLORODISILANES WITH TRI-N-BUTYL HYDRIDE TIN |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3043857A (en) * | 1956-11-03 | 1962-07-10 | Kali Chemie Ag | Preparation of hydrides of the fourth and fifth group elements |
| DE1187614B (de) * | 1963-07-02 | 1965-02-25 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von vorzugsweise organisch substituierten Wasserstoffverbindungen der Elemente Bor und Silicium |
| US3439008A (en) * | 1966-03-31 | 1969-04-15 | Gen Electric | Method for making organometallic hydrides |
| JPS5395922A (en) * | 1977-02-02 | 1978-08-22 | Kawaken Fine Chem Co Ltd | Preparation of dialkylchlorosilane |
| JPS60176915A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-11 | Central Glass Co Ltd | ジシランの製造法 |
| US4617357A (en) * | 1984-09-24 | 1986-10-14 | Ciba-Geigy Corporation | Process for reducing the content of chlorine in glycidyl compounds |
-
1987
- 1987-12-28 US US07/138,620 patent/US4798713A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-10 CA CA000582749A patent/CA1310469C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-19 EP EP88312028A patent/EP0323104B1/en not_active Expired
- 1988-12-19 DE DE8888312028T patent/DE3871111D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-26 JP JP63326385A patent/JPH01203214A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020525433A (ja) * | 2017-06-29 | 2020-08-27 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | １，１，１−トリクロロジシランの合成 |
| JP2021121578A (ja) * | 2017-06-29 | 2021-08-26 | ナタ セミコンダクター マテリアルズ カンパニー リミテッド | １，１，１−トリクロロジシランの合成 |
| KR20200036890A (ko) * | 2017-07-31 | 2020-04-07 | 디디피 스페셜티 일렉트로닉 머티리얼즈 유에스 9 엘엘씨 | 펜타클로로디실란 및 이를 포함하는 정제 반응 생성물의 제조 방법 |
| JP2020529957A (ja) * | 2017-07-31 | 2020-10-15 | ディーディーピー スペシャリティ エレクトロニック マテリアルズ ユーエス ナイン，エルエルシー | ペンタクロロジシランの調製方法及びそれを含む精製された反応生成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4798713A (en) | 1989-01-17 |
| EP0323104B1 (en) | 1992-05-13 |
| JPH0474287B2 (ja) | 1992-11-25 |
| CA1310469C (en) | 1992-11-24 |
| EP0323104A3 (en) | 1990-01-24 |
| DE3871111D1 (de) | 1992-06-17 |
| EP0323104A2 (en) | 1989-07-05 |
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