TWI791542B - 1,1,1-三氯二矽烷之合成 - Google Patents
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Abstract
一種製造三鹵二矽烷之方法，該方法包含：將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，以及還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，其包含三鹵二矽烷及烷基鹵化鋁。
Description
本發明涉及一種三氯二矽烷的合成方法，其包含將烷基氫化鋁、鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，以及還原該鹵二矽烷以形成三鹵二矽烷。
矽烷和氯矽烷可以在諸如化學氣相沉積、原子層沈積、及電漿增強化學氣相與原子層沈積之多個製程中用於將含矽膜沈積在基材上。在這些膜沈積製程中，三氯二矽烷用於沈積含矽膜是具有前景的矽烷前驅物。
三氯二矽烷已經藉由許多方法製造。三氯二矽烷已經藉由經三(正丁基)氫化錫部分還原六氯二矽烷(HCDS)而製造。三氯二矽烷也已經藉由在化學氣相沈積反應器中偶合矽烷(SiH4
)和四氯化矽而製造。
這些已知的生成三氯二矽烷的方法具有缺點，使它們在用於工業規模的生產上不具有競爭性，此些缺點包括缺乏選擇性、產率不足、產生非預期的副產物、難以將副產物從產物中分離、以及採用昂貴或危險性起始材料。
因此，需要新的三氯二矽烷的生成方法，其具有良好的選擇性與產率、最小量的非預期副產物、輕易分離產物與副產物、以及採用符合成本效益的起始材料。
本發明係有關於一種製造三鹵二矽烷之方法，該方法包含：將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，且還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷、烷基鹵化鋁、及溶劑。
此方法符合成本效益地生成三鹵二矽烷，具有良好的選擇性與產率，具有少量的副產物，並且有效地將三鹵二矽烷產物從副產物分離。
一種製造三鹵二矽烷之方法，此方法包含： 將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，且還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷、烷基鹵化鋁、及該溶劑。
此烷基氫化鋁包含1至2個烷基，替代地包含1個烷基，替代地包含2個烷基。烷基具有3或更多個碳原子，替代地具有4至20個碳原子，替代地具有4至10個碳原子。烷基氫化鋁的烷基的實例包括但不限於丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、壬基、癸基、及上述的異構物。在一實施例中，烷基係異丁基。
烷基氫化鋁的實例包括但不限於二異丁基氫化鋁。烷基氫化鋁，諸如二異丁基氫化鋁，係商購可得的。
鹵二矽烷包含至少4個鹵原子，替代地包含4至6個鹵原子，替代地包含5個鹵原子，替代地包含6個鹵原子。鹵二矽烷的鹵原子係氟、氯、溴、或碘，替代地係氟、溴、或氯，替代地係氯。
鹵二矽烷的實例包括但不限於六氯二矽烷、五氯二矽烷、與四氯二矽烷。包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷係商購可得的或者可以經由已知的製程製造。舉例而言，可以在直接製程中製造六氯二矽烷，其中係以矽金屬直接與氯化氫反應。
溶劑係任何可以溶解具有至少4個鹵原子的鹵二矽烷，且不與包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、烷基氫化鋁、或三鹵二矽烷反應的溶劑。在一實例中，此溶劑具有大於三鹵二矽烷的沸點，替代地係大於90℃，替代地係大於120℃，替代地係大於200℃，替代地係自150至350℃，替代地係自200至300℃，上述係指在標準溫度及壓力的條件下，替代地係在0℃及1 atm (101.33 kPa)的條件下。溶劑不同於包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷或烷基氫化鋁。
溶劑的實例包括芳族或非芳族環狀或非環狀烴，其包括甲苯、二甲苯、三甲基苯、異丙基苯、二異丙基苯、庚烷、烷類、及極性非質子性溶劑，極性非質子性溶劑包括諸如乙二醇二甲醚之非環狀醚、替代地芳族烴、直鏈或支鏈脂肪族烴、及非環狀醚。
溶劑可以係與具有至少4個鹵原子的鹵二矽烷、烷基氫化鋁、和產物混合物相容（例如係可互溶且彼此不反應）的多種不同溶劑的混合物；替代地，溶劑可以係與具有至少4個鹵原子的鹵二矽烷、烷基氫化鋁、和產物混合物相容的多種溶劑的混合物，並且此溶劑混合物具有部分如前所述之溶劑所具有的沸點。溶劑的混合物的實例包括礦油精。許多此等溶劑係商購可得的。
烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑可以藉由所屬技術領域中已知的方法組合。在一實施例中，係藉由將溶劑與包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷組合以形成鹵二矽烷-溶劑混合物、然後將該鹵二矽烷-溶劑混合物和烷基氫化鋁組合，而將烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑組合；替代地，係藉由將溶劑和鹵二矽烷組合以形成鹵二矽烷-溶劑混合物、然後將烷基氫化鋁和第二溶劑組合以形成烷基氫化鋁-溶劑混合物、然後將鹵二矽烷-溶劑混合物和烷基氫化鋁-溶劑混合物組合，而將烷基氫化鋁、鹵二矽烷、及溶劑組合。
在一實施例中，將烷基氫化鋁或烷基氫化鋁-溶劑混合物加入至鹵二矽烷-溶劑混合物中。舉例而言，可以通過添加漏斗將烷基氫化鋁-第二溶劑混合物加入至包含鹵二矽烷-溶劑混合物的圓底瓶或反應器中。所屬技術領域中具有通常知識者應知道如何將烷基氫化鋁或烷基氫化鋁-第二溶劑混合物加入至鹵二矽烷-溶劑混合物中。
第二溶劑和與前述包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷組合的溶劑可以係相同或不同；替代地，第二溶劑和與前述具有至少4個鹵原子的鹵二矽烷組合的溶劑係相同。第二溶劑具有如前所述之溶劑所具有的沸點。第二溶劑的實例係如前所述與包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷組合的溶劑。可以用作第二溶劑使用的許多溶劑係商購可得的。
鹵二矽烷係藉由將烷基氫化鋁還原以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷、烷基鹵化鋁、及溶劑。
三鹵二矽烷係1,1,1-三鹵二矽烷，替代地係1,1,1-三氯二矽烷。
烷基鹵化鋁的烷基係如上烷基金屬氫化物所述。鹵化物是與前述之包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷所包含的相同鹵原子。烷基鹵化鋁的的實例包括但不限於二異丁基氯化鋁。
溶劑與包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷的重量比係自20:1至1:20、替代地係自10:1至1:10、替代地係自6:1至1:6、替代地係自2:1至1:2、替代地係自1.5:1至1:1.5、替代地係自1.25:1至1:1.25、替代地係約1:1。
第二溶劑與烷基氫化物的重量比係自50:1至1:50，替代地係自10:1至1:10，替代地係自5:1至1:5，替代地係自2:1至1:2，替代地係自1.5:1至1:1.5，替代地係自1.25:1至1:1.25，替代地係約1:1。
包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、溶劑、與烷基氫化物的組合係在自-30至150℃的溫度進行，替代地係自-30至50℃，替代地係自-30至25℃，替代地係自-30至20℃，替代地係自-10至10℃。在先包括將包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷與溶劑組合、及將烷基鹵化鋁與第二溶劑組合之實施例中，鹵二矽烷與溶劑以及烷基氫化鋁與第二溶劑組合的溫度係可以改變，然而此等混合物彼此的組合係在自-30至150℃的溫度進行，替代地係自-30至50℃，替代地係自-30至25℃，替代地係自-30至20℃，替代地係自-10至10℃。
包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、溶劑、及烷基氫化物的組合係在自低大氣壓力(sub-atmospheric)至超大氣壓力(super-atmospheric)的壓力下進行，替代地係大氣壓力，替代地係90 kPa至110 kPa。
包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、溶劑、及烷基氫化物係經組合直到包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷被還原成三鹵二矽烷，替代地係自3分鐘至8小時，替代地係自30分鐘至5小時，替代地係自45分鐘至2小時，或直到三鹵二矽烷已經停止生成。替代地，此反應可以持續進行直到藉由此製程製造出一定量的三鹵二矽烷或消耗掉一定量的包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷。三鹵二矽烷的生成或包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷的消耗可以經由例如具有熱導偵測器的氣相層析術來判定。所屬技術領域中具有通常知識者會知道監測三鹵二矽烷之生成的合適的氣相層析管柱及條件。舉例而言，氣相層析術-熱導偵測器(GC-TCD)儀器及條件如下：具有30公尺之長度、0.32 mm之內徑的毛細管柱，且在該毛細管柱的內表面上含有呈塗層形式之0.25 μm厚的固定相，其中該固定相係由苯基甲基矽氧烷所組成。載氣係以每分鐘105 mm的流速使用的氦氣。GC儀器可以是Agilent型號7890A氣相層析儀。入口溫度係200℃。GC實驗溫度曲線係由以下所組成：在50℃持溫（保持）2分鐘、以15℃/分鐘的速率升溫到250℃、然後在250℃持溫（保持）10分鐘。
用於組合和還原的反應器可以是任何一般用於此類反應的反應器。反應器的實例包括圓底瓶、巴氏(Parr)反應器、及壓力管。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何選擇用於本發明之方法的合適的反應器。
烷基氫化鋁與包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷之莫耳比係自10:1至1:10，替代地係自5:1至2:1，替代地係自3:1至3.5:1。莫耳比涉及烷基氫化鋁與鹵二矽烷的量，而並不包括溶劑或任何其他材料。
此方法可進一步包含回收三鹵二矽烷。三鹵二矽烷可藉由所屬技術領域中已知的方法來回收。在一實施例中，三鹵二矽烷係藉由真空蒸餾來回收。舉例而言，可以將反應產物的溫度調至大約80℃，而在真空下將產物三鹵二矽烷從產物混合物中汽提至冷卻收集容器。三鹵二矽烷可以經由一或多次的額外蒸餾，以進一步純化三鹵二矽烷。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何藉由蒸餾回收三鹵二矽烷。採用其沸點高於三鹵二矽烷之沸點的溶劑，可以達到三鹵二矽烷的有效率的回收、及具有高純度之三鹵二矽烷組成物的生成。
三鹵二矽烷組成物包含：小於2% (w/w)、替代地係小於1% (w/w)、替代地係小於0.5% (w/w)、替代地係自0.01至0.5% (w/w)的烷基矽烷，以及大於98% (w/w)、替代地係大於99% (w/w)、替代地係大於99.5% (w/w)、替代地係99.99% (w/w)的三鹵二矽烷。烷基矽烷的烷基與烷基氫化鋁的烷基相同。三鹵二矽烷組成物可包含少量的其他不純物，例如單氯矽烷、三氯矽烷、及二氯二矽烷。
三鹵二矽烷係如上本發明之方法所述。在一實施例中，烷基矽烷是本發明之方法的副產物，且其包含如前烷基氫化鋁所述之具有烷基的矽烷。烷基矽烷的實例包括具有一或多個鍵結至矽原子之異丁基的矽烷或二矽烷，替代地係異丁基矽烷，替代地係異丁基二矽烷。
三鹵二矽烷組成物可進一步包含烷基鹵化鋁。烷基鹵化鋁係如上本發明之方法所述。三鹵二矽烷組成物包含小於2% (w/w)、替代地係小於1% (w/w)、替代地係小於0.5% (w/w)的烷基鹵化鋁。
本發明之方法可以達到生成具有高純度的1,1,1-三氯二矽烷。
一種沈積含矽膜在基材上的方法，此方法包含：在沈積充分條件下，將三鹵二矽烷導入具有基材及可選地額外反應物的反應器中，以形成含矽膜在基材上，該三鹵二矽烷係經由以下方式生成：將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及其沸點高於三鹵二矽烷的沸點之溶劑在小於150℃的溫度下組合，並還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷及烷基鹵化鋁。
三鹵二矽烷及製造三鹵二矽烷的方法、烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、溶劑、三鹵二矽烷、及烷基鹵化鋁係如前文所述。烷基氫化鋁在如前所述與鹵二矽烷-溶劑混合物組合之前，烷基氫化鋁也可以與如前所述第二溶劑組合。
反應器可以係任何所屬技術領域中已知的用於沈積含矽膜於基材上的反應器。所屬技術領域中具有通常知識者會知道使用用於沈積含矽膜之反應器。反應器的實例包括但不限於：用於原子層沈積法(ALD)、電漿增強原子層沈積法(PEALD)、循環化學氣相沈積法(cyclic CVD)、化學氣相沈積法(CVD)、及電漿增強化學氣相沈積法(PECVD)的反應器。
可以經由已知用於沈積含矽膜的方法來沈積含矽膜，此等方法包括但不限於：原子層沈積法、電漿增強原子層沈積法、循環化學氣相沈積法、化學氣相沈積法、及電漿增強化學氣相沈積法。
可包括在反應器中用於沈積含矽膜的額外反應物包括但不限於：氧、例如臭氧之含氧化合物、氮、及例如氨和電漿之含氮化合物。 實例
包括以下實例來說明本發明較佳的實施例。本技術領域中具有通常知識者將理解的是，以下實例中公開的技術表示發明人發明的技術可在實施本發明時發揮良好的功能，因此可被視為構成其較佳實施模式。然而，鑒於本公開，本技術領域中具有通常知識者應理解的是，在未偏離本發明之精神和範圍下，可以在公開的具體實施例中進行許多變化，而且仍獲得相同或類似的結果。除非另有註明，本文的所有比例係wt. %。室溫係25℃。 表1.在實例中所使用之縮寫清單。 
氣相層析術-熱導偵測器(GC-TCD)測試方法/條件
氣相層析術-熱導偵測器(GC-TCD)儀器及條件：具有30公尺之長度、0.32 mm之內徑的毛細管柱，且在該毛細管柱的內表面上含有呈塗層形式之0.25 μm厚的固定相，其中該固定相係由苯基甲基矽氧烷所組成。載氣為以每分鐘105 mm的流速使用的氦氣。GC儀是Agilent型號7890A氣體層析儀。入口溫度係200℃。GC實驗溫度曲線係由以下所組成：在50℃持溫（保持）2分鐘、以15℃/分鐘的速率升溫到250℃、然後在250℃持溫（保持）10分鐘。 實例1：
在手套箱中，將六氯二矽烷(HCDS, 10.06 g)和1,3-二異丙基苯(DiPB, 10.00 g)裝入250 mL的三頸圓底瓶中，該三頸圓底瓶配備有添加漏斗、玻璃溫度計套管、及蒸餾管，該蒸餾管附接至蒸餾橋和100 mL的夾套圓底收集瓶。將二異丁基氫化鋁(DIBAH, 17.47 g, 3.3 eq)和DiPB(17.44 g)之混合物裝入添加漏斗。將鍋加熱至80℃，並將電源關閉。DIBAH/DiPB的添加速率係經控制在使鍋的溫度維持在介於75至80℃之間，且經10分鐘後完成添加。在添加之後，將鍋加熱至80℃並經過額外10分鐘，接著在完全主動真空環境下於80℃進行汽提蒸餾至冷卻收集瓶中。分離出來的材料係1.77 g，且樣本係經由GC進行分析。汽提出來的材料含有50.0% (w/w)的1,1,1-三氯二矽烷(3CDS)、35.9 %的所有其他二矽烷的組合、及2.0%的異丁基二矽烷（相對於1,1,1-三氯二矽烷係4.0%）。 實例2
在手套箱中，將六氯二矽烷(HCDS, 10.02 g)裝入250 mL的半夾套三頸圓底瓶中，該半夾套三頸圓底瓶配備有添加漏斗、玻璃溫度計套管、及蒸餾管，蒸餾管附接至蒸餾橋和100 mL的夾套圓底收集瓶。將二異丁基氫化鋁(DIBAH, 17.45 g, 3.3 eq)裝入添加漏斗。將鍋冷卻至3.2℃，並經55分鐘將DIBAH逐滴添加至HCDS，使鍋的最大溫度係5.5℃。在添加之後，此鍋經過15分鐘的攪拌，然後以10℃的增加量加溫至室溫(25℃)。一旦在室溫下，便將此混合物轉移到250 mL的三頸圓底瓶、加熱至80℃、並在-26英吋汞柱的靜態真空下於80℃的鍋溫度進行汽提蒸餾至冷卻收集瓶中。分離出來的材料係3.64 g，且樣本係經由GC進行分析。汽提出來的材料含有74.9%的1,1,1-三氯二矽烷、22.4%的所有其他二矽烷的組合、及0.8%的異丁基二矽烷（相對於1,1,1-三氯二矽烷係1.1重量%）。 實例3
在手套箱中，將六氯二矽烷(HCDS, 9.23 g)和1,3-二異丙基苯(DiPB, 9.24 g)裝入250 mL的半夾套三頸圓底瓶中，該半夾套三頸圓底瓶配備有添加漏斗、玻璃溫度計套管、及蒸餾管，該蒸餾管附接至蒸餾橋和100 mL的夾套圓底收集瓶。將二異丁基氫化鋁(DIBAH, 16.12 g, 3.3 eq)和DiPB(16.12 g)裝入添加漏斗。將鍋冷卻至-9.3℃，並經55分鐘的時間將DIBAH/DiPB混合物逐滴添加至HCDS，使鍋的最大溫度係-6.6℃。在添加之後，此鍋經過20分鐘的攪拌，然後以10℃的增加量加溫至室溫。一旦在室溫下，便將此混合物轉移到250 mL的三頸圓底瓶、加熱至80℃、並在完全主動真空下於80℃的鍋溫度進行汽提蒸餾至冷卻收集瓶中。分離出來的材料係2.16 g，且樣本係經由GC進行分析。汽提出來的材料含有90.5%的1,1,1-三氯二矽烷、8.4%的所有其他二矽烷的組合、及0.07%的異丁基二矽烷（相對於1,1,1-三氯二矽烷係0.08%）。 實例4
在手套箱中，將六氯二矽烷(HCDS, 10.01 g)和1,3-二異丙基苯(DiPB, 10.00 g)裝入250 mL的半夾套三頸圓底瓶中，該半夾套三頸圓底瓶配備有添加漏斗、玻璃溫度計套管、及蒸餾管，該蒸餾管附接至蒸餾橋和100 mL的夾套圓底收集瓶。將二異丁基氫化鋁(DIBAH, 17.45 g, 3.3 eq)裝入添加漏斗。將鍋冷卻至-9.3℃，並經55分鐘的時間將DIBAH逐滴添加至HCDS，使鍋的最大溫度係-6.4℃。在添加之後，此鍋經過25分鐘的攪拌，然後以10℃的增加量加溫至室溫。一旦在室溫下，便將此混合物轉移到250 mL的三頸圓底瓶、加熱至80℃、並在完全主動真空下於80℃的鍋溫度進行汽提蒸餾。分離出來的材料係3.72 g，且樣本係經由GC進行分析。汽提出來的材料含有90.7%的1,1,1-三氯二矽烷、8.1%的所有其他二矽烷的組合、及0.05%的異丁基二矽烷（相對於1,1,1-三氯二矽烷係0.06%）。 實例5
在手套箱中，將六氯二矽烷(HCDS, 9.99 g)和1,3-二異丙基苯(DiPB, 10.00 g)裝入250 mL的半夾套三頸圓底瓶中，該半夾套三頸圓底瓶配備有添加漏斗、玻璃溫度計套管、及蒸餾管，該蒸餾管附接至蒸餾橋和100 mL的夾套圓底收集瓶。將二異丁基氫化鋁(DIBAH, 15.87 g, 3.0 eq)裝入添加漏斗。將鍋冷卻至-1.6℃，並經50分鐘的時間將DIBAH逐滴添加至HCDS，使鍋的最大溫度係1.8℃。在添加之後，此鍋經過20分鐘的攪拌，然後以10℃的增加量加溫至室溫。一旦在室溫下，便將此混合物轉移到250 mL的三頸圓底瓶、加熱至80℃、並在-26英吋汞柱的靜態真空下於80℃的鍋溫度進行汽提蒸餾。分離出來的材料係4.03 g，且樣本係經由GC進行分析。剝離出來的材料含有86.2%的1,1,1-三氯二矽烷、13.0%的所有其他二矽烷的組合、及0.05%的異丁基二矽烷（相對於1,1,1-三氯二矽烷係0.06%）。 表2.實例與比較例的結果。 
實例6
將1,440 g的HCDS (純度99%)與1,680 g的DIPB加入12 L的反應器中，然後將反應器與內容物攪拌並冷卻整夜至-8℃。以約135 g/hr的速率及250 rpm的攪動將DIPAH汞抽至反應器中，並仍進行冷卻以維持反應器內容物處於-2℃ ± 1℃。添加之後，將澄清的反應物混合物加熱至90℃、並在降至14托的真空下經由5層塔盤管柱及冷凝器進行汽提。將汽提出的粗產物(421 g)收集至冷卻的接收器，並經GC-TCD判定含有82%的3CDS。基於HCDS，3CDS的產率估計為39%。經由環境壓力蒸餾裝置中的20層塔盤管柱，將含有99.5%的3CDS的物從粗產物中蒸餾出來。
此等結果表示包括溶劑及在低溫進行組合與還原的改良結果。
Claims (12)
- 一種製造三鹵二矽烷之方法，該方法包含：將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，且還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷及該溶劑。
- 如請求項1之方法，其中該溶劑具有的沸點大於該三鹵二矽烷的沸點，且該組合係在小於25℃的溫度下進行。
- 如請求項1之方法，其中該烷基氫化鋁係二異丁基氫化鋁，且該鹵二矽烷係六氯二矽烷。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中該烷基氫化鋁與該鹵二矽烷之莫耳比係自3：1至3.5：1。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含：將該溶劑與該鹵二矽烷組合以形成鹵二矽烷-溶劑混合物，且將形成的該鹵二矽烷-溶劑混合物與該烷基氫化鋁組合。
- 如請求項5之方法，其進一步包含：將該烷基氫化鋁與第二溶劑組合以形成烷基氫化鋁-溶劑混合物，且經由將該烷基氫化鋁-溶劑混合物加入該鹵二矽烷-溶劑混合物以將該鹵二矽烷-溶劑混合物與該烷基氫化鋁組合。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含回收該三鹵二矽烷。
- 如請求項7之方法，其中該三鹵二矽烷係經由蒸餾回收。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中該三鹵二矽烷係1,1,1-三氯二矽烷。
- 一種沈積含矽膜在基材上的方法，該方法包含：將還原性有效量的烷基氫化鋁、包含至少4個鹵原子的鹵二矽烷、及溶劑在小於150℃的溫度下組合，且還原該鹵二矽烷以形成反應產物混合物，該反應產物混合物包含三鹵二矽烷及該溶劑；及在沈積充分條件下，將該三鹵二矽烷導入具有基材及可選地額外反應物的反應器中，以形成含矽膜在該基材上。
- 如請求項10之方法，其中該額外反應物係氧或氮。
- 如請求項10或11之方法，其中該含矽膜係經由ALD、PEALD、循環CVD、CVD或PECVD所沈積。
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