JP4970267B2 - 珪素およびゲルマニウムの核原子付き水素化合物、および同化合物の合成法 - Google Patents
珪素およびゲルマニウムの核原子付き水素化合物、および同化合物の合成法 Download PDFInfo
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ダブリュ・ダットン(W. Dutton)およびエム・オニズチャック(M. Onyszchuk)、Inorganic Chemistry、第7巻、第9号(1968年)。 エル・ロブレイヤー(L. Lobreyer)およびサンダーメイヤー(Sundermeyer)、Chem. Ber.、第124巻、第11号、2405〜2410ページ(1991年) ダブリュ・ウーリッヒ(W. Uhlig)、Chem. Ber.、第129巻、733ページ(1996年) ジェイ・アーバン(J. Urban)、ピー・アール・シュライナー(P. R. Schreiner)、ジー・ヴァチェック(G. Vacek)、ピー・ヴィ・アール・シュライアー(P. v. R. Schleyer)、ジェイ・キュー・ファン(J. Q. Huang)、ジェイ・レスチンスキー(J. Leszczynski)、Chem. Phys. Lett、第264巻、441〜448ページ(1997年) ケイ・エム・マッケイ(K. M. Mackay)、エス・ティ・ホスフィールド(S. T. Hosfield)およびエス・アール・ストバート(S. R. Stobart)、J. Chem Soc. (A)、2938ページ(1969年)
本発明のさらに別の目的は、商業的に利用可能な開始材料と絡めて高収率の単一ステップ置換反応を利用するトリシラン合成法を提供することである。
)4−xまたはHxSi(OSO2C4F9)4−xであってx=1または2である物質を含む。
本発明の1つの側面に従って、本発明者らは、化合物、ジゲルミルシラン(H3Ge)2SiH2、トリゲルミルシラン(H3Ge)3SiHおよびテトラゲルミルシラン(H3Ge)4Siの合成法を提供する。望ましい方法は、次式により示される通り、対応するシラン−トリフレートと適切な濃度のゲルミル・カリウムとを適切な溶媒内で反応させることにより実行される。
HxSi(OSO2C4F9)4-x + 4-xKGeH3 → (H3Ge)4-xSiHx + 4-xKOSO2 C4F9 (x=0-3)
本発明者らは、その研究で利用されたトリフレート基板のほとんどを初めて合成し完全に特徴付けた。関連する有用なシリル−トリフレートの化学論評が、非特許文献3において最近報告され、同文献は、本参照により全体として本願に組み込まれる。
本発明者らは、上記の方法を用いて対称のジゲルミルシラン(H3Ge)2SiH2を合成した。本発明者らは、下記(1)の式により示される通り、H2Si(OSO2CF3)2とゲルミル・カリウムKGeH3との反応によりこの合成を行った。
反応(1)は、n−デカンのような高沸点溶媒内で0℃で実行される。デカンの低い蒸気圧は、溶媒からの化合物の簡便かつ効率的な分離および精製を可能にする。生成物は、空気に敏感で揮発性の無色の液体として20%〜25%の収率で得られ、その蒸気圧は22℃で30トル、0℃で17トルである。H3Ge−SiH2−GeH3は22℃で熱的に安定し、H3GeGeH3類似物よりも空気に対する反応性が低く安全性で大いに優る。H3Ge−SiH2−GeH3のかなりの蒸気圧および十分な熱安定性は、同分子が、珪素- ゲルマニウム半導体合金の極めて好適な単一ソースCVD前駆物質であり得ることを示唆する。とりわけ、この化合物は、トリシラン(H3Si)2SiH2およびジゲルマンH3GeGeH3のような、高移動度歪みSiチャネルを含めたSiベース・デバイスの低温蒸着に最適なガス・ソースと見なされ目下商業的に利用可能な良く知られた等核類似物よりも、高い安定性を有するように見える。H3Ge−SiH2−GeH3は、高Geリッチ濃度でSi−Ge合金を調製する際、これらの化合物のより安全で効率的な代替物になる可能性を提供する。これらの合金は、デバイス品質の形態で成長することがさらに一層難しく、珪素技術と完全に一体化したIR光検出器およびIRセンサーを含め、現代的光学デバイスでの重要な適用向けに大いに求められる。
H3GeSiH2(OSO2CF3) + KGeH3 → (H3Ge)2SiH2 + KOSO2CF3 (3)
本発明者らは、中間生成物のH3GeSiH2OSO2CF3種を初めて低揮発性の無色の液体(蒸気圧=22℃で8.0トル、0℃で3トル)として72%の収率で単離した。この純生成物は22℃では、やがてSiH3GeH3および未確認残渣を産するべくゆっくりと分解するが、−25℃で貯蔵された場合には安定したままである。この化合物は、気相IR、NMR(1H、13C、19F)および質量分析により特徴付けられ、それらのデータは総体として、提案されたH3GeSiH2OSO2CF3分子構造と一致する(詳細については実験の項を参照)。
本発明者らのデータは、プロパン様の対称の分子構造を有するSi−Ge水素化物H3Ge−SiH2−GeH3を本発明者らが初めて単離したことを示す。SiH4およびGeH4の無音電気放電に基づく先行研究は、もっぱら、非対称の類似物H3Ge−GeH2−SiH3を生成した(非特許文献5を参照)。これは、本発明者らの発明に従った対称の種が、無音放電プロセスの高エネルギー条件下では安定しない恐れがあることを示す。
次の例は、本発明をさらに説明するために役立つ。しかしながら、この例が本発明の例示であって本発明がこの例だけに限定されないことが理解される。
蒸気圧: 30トル(22℃)、17トル(0℃)。
EIMS(m/e): 同位体エンベロープは174(M+−nH)、148(Ge2Hx +)、106(H3SiGeH3 +)、75(GeH4 +)、31(SiH4 +)に集中した。
蒸気圧: 8.0トル(22℃)、3トル(0℃)。
13C−NMR(CDCl 3): δ122〜114(四重線、CF3)。19F−NMR(CDCl 3、δ): −76.34(s、CF3)。
本発明者らは、上記の(H3Ge)2SiH3類似物に用いられた手順と同様の手順を用いてトリゲルミルシラン(H3Ge)3SiHも合成した。この調製は、次式により示される通り、HSi(OSO2CF3)3とわずかに過剰のKGeH3との反応により行われた。
この生成物は、空気に敏感な揮発性の無色の液体として〜30%収率で得られて蒸気圧(22℃で6〜7トル)を有し、22℃で安定する。広範なNMR特徴付け、質量分析特徴付けおよびIR(第一原理シミュレーションを含む)特徴付けは、その分子構造がイソブタンとほぼ同じ、3個のGeH3基および1個のH基に結合した中心Si原子を含むことを示した。1HのNMRスペクトルは、Si−H陽子信号およびGe−H陽子信号に関して各々、3.429ppmでの十重線および3.317ppmでの二重線を示した。Si−H陽子およびGe−H陽子の分裂パターン並びにそれらの対応する積分ピーク比1:9は、イソブタン様の(H3Ge)3SiH構造と一致する。さらに、29SiのHMQCスペクトルは、−112.73ppmの化学シフトを明らかにし、また、3.429ppmでの1HのNMR信号がトリゲルミルシラン内の珪素に結びつくものであることを明らかにした。1HのCOSY実験は、Si- HおよびGe−Hの化学シフトが期待された通りに互いに結びつくものであることを確認した。質量スペクトルは、SiGe3Hxに対応する最高質量ピークとして255〜238amuでの同位体エンベロープを示す。この分子は、質量分析計内では容易にHを失うように見えるが、SiGe3核は気相では保持される。この化合物のIRスペクトルは、各々、2071cm−1および2132cm−1での特徴的なSi−HおよびGe- Hの伸縮モードを示し、881cm−1、788cm−1および680cm−1での一揃いの吸収は、同分子の突出した曲げモードに対応する。(H3Ge)3SiHのIRスペクトルも、B3LYP汎関数および6−311++G(2d、2p)基底系を用いて計算された。図6は、計算IRスペクトルと実験IRスペクトルとを比較するものであり、表3は、主要振動帯域の周波数およびそれらの対応する割り当てを要約して、観測値と計算値とを比較するものである。実験と理論との緊密な一致が達成される。
跡)、196℃(GeH4のエーテルおよび痕跡)に保たれた一続きのトラップを通して再蒸留された。同生成物(−40℃トラップ)は、−25℃トラップおよび−78℃トラップを通して無排気で繰り返し蒸留することにより得られた。気相IRは、−25℃トラップがトリゲルミルシランを含み、−78℃トラップが少量の(H3Ge)2SiH2を含むことを明らかにした。
蒸気圧: 6トル(22℃)。
29Si−NMR(CDCl 3、5℃で): δ−112.73。
テトラゲルミルシラン(H3Ge)4Siの調製は、次式により示される通り、Cl2Si(OSO2CF3)2、ClSi(OSO2CF3)3またはSi(OSO2CF3)4とKGeH3との反応により行われた。
ClSi(OSO2CF3)3 + 4KGeH3 → (H3Ge)3Si + 3KOSO2CF3 +KCl (6)
Si(OSO2CF3)4 + 4KGeH3 → (H3Ge)4Si + 4KOSO2CF3 (7)
(H3Ge)4Si化合物は、22℃で〜1〜2トルの蒸気圧を有する無色の液体であり、FTIR、NMRおよびGCMSにより特徴付けられた。同分子の高い対称性は、極めて単純なIRスペクトルをもたらし、かかるIRスペクトルは、各々、対称および非対称のGe−H伸縮に対応する2072cm−1および2062cm−1での吸収を示す。FTIRのピーク位置および相対強度は、計算スペクトルと緊密に合致する(論理IRスペクトルおよび実験IRスペクトル並びに対応するピーク割り当てについては図7および表4を参照)。いかなるSi−H振動モードもFTIRにより検出されない。1HのNMRスペクトルは、3.40ppmでの一重線を示して、分子内における単一−環境GeH3配位子の存在を確認する。GCMSスペクトル内の最高質量ピークは、328〜318amuの範囲で観察される。ピーク位置および同位体分布は、分子のSi(GeH3)4四面体構造と一致するSiGe4Hx型の種を表す。分光データは総体として、Si(GeH3)4の合成および単離の成功に関する強力な証拠を提供する。さらに、この化合物の〜1〜2トルの蒸気圧は、期待値の範囲内であり、C(GeH3)4に関して報告された蒸気圧(1〜2トル)とほぼ同じである。
蒸気圧: 1〜2トル(22℃)。
GCMS: m/z328〜318(SiGe4Hx)、302〜292(Ge4Hx)、255〜238(SiGe3Hx)、230〜213(Ge3Hx)、185〜170(SiGe2Hx)、154〜140(Ge2Hx)、109〜100(SiGeHx)、77〜71(GeHx)。
シリル−ゲルマンを調製するためのトリフレート・ベースの前述の方法は、次式により説明される通りに同族トリシラン(H3Si)2SiH2を合成するためにも用いられた。
当業者には明らかである通り、イソ−テトラシラン(H3Si)3SiH類似物を、次式により説明される通りに得ることができる。
トリシランは、目下、高電子移動度および高正孔移動度のような高強化電子特性を有する歪みSiチャネル・デバイスの商業的CVD成長用の望ましいガス・ソースである。歪み薄膜は、歪み緩和および欠陥形成を防ぐために低温成長条件を用いてSi−Geのグレーデッド緩衝層を介してSi基板上で形成される。SiH4およびSi2H6のような従来のSi水素化物と比べたトリシランの、歪みSi適用での大きな利点は、その優れた反応性であって、必要とされる低温範囲での脱水素化を容易なものにする。
次の例は、本発明をさらに説明するために役立つ。しかしながら、この例が本発明の例示であって本発明がこの例だけに限定されないことが理解される。
プからの揮発物質は一緒にされ、無排気で−125℃および−196℃のU字トラップを通して再蒸留された。各トラップの内容物は、気相FTIR分光法により点検され、トリシラン(−125℃)、およびシランとジシランとの混合物(−196℃)の存在が明らかとなった。
IR(ガス、cm−1): 2210(vw、sh)、2161(vs)、1003(vw、br)、941(m)、880(vs)、802(vw)、748(vw)、716(s)、705(s)、673(vw)、589(vw、br)、472(vw)、442(vw)。
上記発明は、本願で説明された通りの多数の利点を有する。より幅広い諸側面における本発明は、示され説明された特定の詳細、代表的デバイスおよび例示的な例に限定されない。従って、一般的な発明コンセプトの精神または適用範囲から逸れることなく、かかる詳細からの変更を行うことができる。
Claims (3)
- 化学式(H3Ge)4−xSiHxを有し、xが1または2であり単一の珪素中心原子に水素原子とGeH3基が四面体構造に結合している、珪素−ゲルマニウム水素化物からなる化合物。
- x=1である、請求項1に記載の化合物。
- x=2である、請求項1に記載の化合物。
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