JPH03185817A - 半導体膜の形成方法 - Google Patents
半導体膜の形成方法Info
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- JPH03185817A JPH03185817A JP32503489A JP32503489A JPH03185817A JP H03185817 A JPH03185817 A JP H03185817A JP 32503489 A JP32503489 A JP 32503489A JP 32503489 A JP32503489 A JP 32503489A JP H03185817 A JPH03185817 A JP H03185817A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は８１半導体膜の形成方法に関し、わけ、その原
材料に関する。
材料に関する。
と
り
［従来の技術］
従来、８１半導体膜は、モーシラン（ＳＬＨ，）又はジ
シラン（Ｓｉ＊Ｈａ）を原材料に用いた熱分解法あるい
は、光分解法あるいはプラズマＯＶＤ法により形成され
るのが通例であった。
シラン（Ｓｉ＊Ｈａ）を原材料に用いた熱分解法あるい
は、光分解法あるいはプラズマＯＶＤ法により形成され
るのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、絶縁基板上に多結晶Ｓ
ｉ膜を形成するのには、６００′ｏ以上の基板加熱を要
したり、Ｓｉ単結晶基板上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシ
ャル成長させるのには基板温度は５００℃以上を要する
と云う課題があった。
ｉ膜を形成するのには、６００′ｏ以上の基板加熱を要
したり、Ｓｉ単結晶基板上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシ
ャル成長させるのには基板温度は５００℃以上を要する
と云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、絶縁基板上
には４００’Ｃ程度以下１００℃程度でも多結Ａｓｔ膜
が形成できたり、Ｓｉ単結晶基板上にＳｉ単結晶膜な２
００℃程度以下１００℃程度でもエピタキシャル成長す
ることができる原材料を提供する事を目的とする。
には４００’Ｃ程度以下１００℃程度でも多結Ａｓｔ膜
が形成できたり、Ｓｉ単結晶基板上にＳｉ単結晶膜な２
００℃程度以下１００℃程度でもエピタキシャル成長す
ることができる原材料を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、半導体膜の形成
方法に関し、基板上に、トリシラン（Ｓｉ、ｌ（、）テ
トラシラン（Ｓｉ□Ｈ＋ｏ）等のシラ＞ （Ｓ ｉ ｎ
Ｈ２ｎ＋２ ） のｎ３以上の原材料を熱分解ある
いは光分解等によりＳｉ膜を形成する手段をとる。
方法に関し、基板上に、トリシラン（Ｓｉ、ｌ（、）テ
トラシラン（Ｓｉ□Ｈ＋ｏ）等のシラ＞ （Ｓ ｉ ｎ
Ｈ２ｎ＋２ ） のｎ３以上の原材料を熱分解ある
いは光分解等によりＳｉ膜を形成する手段をとる。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、パイレックス・ガラス基板上に多結晶Ｓｉ膜を形
成するに際し、原料をＳｉ、Ｈ，又はＳｉ、Ｈ，０とな
し、ＯＶＤ法により形成するとすると、基板温度は、４
００℃にて粒径が５μ扉径程度の多結晶ＳｉＪ１ｇを形
成することができ、該Ｓｉ［を用いたＴｉＰ’！’では
電荷移動度が大となり高速動作が可能となる。尚、基板
温度を１００’０として紫外線を基板表面に照射しても
同様な多結晶を得ることができる。
成するに際し、原料をＳｉ、Ｈ，又はＳｉ、Ｈ，０とな
し、ＯＶＤ法により形成するとすると、基板温度は、４
００℃にて粒径が５μ扉径程度の多結晶ＳｉＪ１ｇを形
成することができ、該Ｓｉ［を用いたＴｉＰ’！’では
電荷移動度が大となり高速動作が可能となる。尚、基板
温度を１００’０として紫外線を基板表面に照射しても
同様な多結晶を得ることができる。
次に、単結晶８１基板上に単結晶Ｓｉ膜をＳｉ。
Ｈ８又はＳ ｌ、Ｈ，。を原材料としてエピタキシャル
成長させるに際し、基板温度ｙ１ｏｏ’ｏとして、紫外
線を照射するか、あるいはプラズマ化することによって
行なうことができる。
成長させるに際し、基板温度ｙ１ｏｏ’ｏとして、紫外
線を照射するか、あるいはプラズマ化することによって
行なうことができる。
尚、基板上にアモルファスＳｉ膜をＳｉ、Ｈ。
又は、Ｓｉ、Ｈ，ｏ等を原材料として用いてＣＩＶＤ法
により４００．、’Ｃ程度以下のｔｏＯ’ｏ程度以下で
も容易に形成することができる事は云うまでもない。
により４００．、’Ｃ程度以下のｔｏＯ’ｏ程度以下で
も容易に形成することができる事は云うまでもない。
［発明の効果］
本発明により低温で移動度の大なる多結晶Ｓｉ膜戊長や
エピタキシャル成長が可能となる効果がある。
エピタキシャル成長が可能となる効果がある。
以
上
Claims (1)
- 基板上にはトリシラン（Ｓｉ＿３Ｈ＿８）、テトラシ
ラン（Ｓｉ＿４Ｈ＿１＿０）等のシラン（ＳｉｎＨ＿２
＿ｎ＿＋＿２）のｎ＝３以上の原材料の熱分解あるいは
光分解等によるＳｉ膜を形成する事を特徴とする半導体
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503489A JPH03185817A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503489A JPH03185817A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185817A true JPH03185817A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18172412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32503489A Pending JPH03185817A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185817A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-12-15 JP JP32503489A patent/JPH03185817A/ja active Pending
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