RU98121013A

RU98121013A - Монокристаллический sic и способ его получения

Info

Publication number: RU98121013A
Application number: RU98121013/12A
Authority: RU
Inventors: Кисия Танино; Масанобу Хирамото
Original assignee: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.
Priority date: 1997-11-17
Filing date: 1998-11-16
Publication date: 2000-09-10

Claims

1. Монокристаллический SiC, отличающийся тем, что два комплекса, в каждом из которых поликристаллическая пленка β-SiC или α-SiC, выращивается на поверхности монокристаллической α-SiC подложки при помощи термохимического осаждения, подвергается термообработке в состоянии, в котором комплексы складываются поверхностями поликристаллических пленок таким образом, что кристаллические ориентации монокристаллических α-SiC подложек комплексов направлены в одном и том же направлении, посредством чего поликристаллические пленки комплексов перекристаллизовываются для интегрального роста монокристалла на монокристаллических α-SiC подложках комплексов.

2. Монокристаллический SiC по п. 1, отличающийся тем, что поверхности поликристаллических пленок двух комплексов шлифуются так, что гладкость имеет поверхностную шероховатость со среднеквадратическим отклонением 200 ангстрем или менее, и два комплекса термообрабатываются в состоянии, где гладкие поверхности тесно скреплены одна с другой.

3. Монокристаллический SiC по п. 2, отличающийся тем, что поверхности поликристаллических пленок двух комплексов шлифуются так, что гладкость имеет поверхностную шероховатость со среднеквадратическим отклонением от 100 до 50 ангстрем или менее, и два комплекса термообрабатываются состоянии, при этом гладкие поверхности тесно скреплены одна с другой.

4. Способ получения монокристаллического SiC, отличающийся тем, что два комплекса получают соответственно ростом поликристаллической пленки β-SiC или α-SiC на поверхности монокристаллической α-SiC подложки термохимическим осаждением, два комплекса складывают поверхностями поликристаллических пленок так, что кристаллические ориентации монокристаллических α-SiC подложек комплексов направлены в одном направлении, и два сложенных комплекса затем термообрабатывают, посредством чего поликристаллические пленки комплексов перекристаллизовывают для роста монокристалла, который объединяется с монокристаллическими α-SiC подложками комплексов.

5. Монокристаллический SiC по п. 4, отличающийся тем, что поверхности поликристаллических пленок двух комплексов шлифуются так, что гладкость имеет поверхностную шероховатость со среднеквадратическим отклонением 200 ангстрем или менее, и два комплекса термообрабатываются в состоянии, где гладкие поверхности тесно скреплены одна с другой.

6. Монокристаллический SiС по п. 5, отличающийся тем, что поверхности поликристаллических пленок двух комплексов шлифуются так, что гладкость имеет поверхностную шероховатость со среднеквадратическим отклонением от 100 до 50 ангстрем или менее, и два комплекса термообрабатываются и в состоянии, где гладкие поверхности тесно скреплены одна с другой.

7. Способ получения монокристаллического SiС по п. 4, отличающийся тем, что термообработка комплексов проводится при высокой температуре 2000°С или выше и в атмосфере с давлением насыщенных или близких к насыщенным паров SiC.

8. Способ получения монокристаллического SiC по п. 5, отличающийся тем, что термообработка комплексов проводится при высокой температуре 2000°С или выше и в атмосфере с давлением насыщенных или близких к насыщенным паров SiC.

9. Способ получения монокристаллического SiC по п. 6, отличающийся тем, что термообработка комплексов проводится при высокой температуре 2000°С или выше и в атмосфере с давлением насыщенных или близких к насыщенным паров SiC.

10. Способ получения монокристаллического SiC по п. 4, отличающийся тем, что температура термообработки комплексов устанавливается в диапазоне 2200 - 2400°С.