RU99106418A

RU99106418A - Монокристалл sic и способ его получения

Info

Publication number: RU99106418A
Application number: RU99106418/15A
Authority: RU
Inventors: Китийя ТАНИНО
Original assignee: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1998-06-23
Publication date: 2004-11-20

Claims

1. Монокристалл SiC, отличающийся тем, что комплекс, в котором монокристаллический SiC базовый материал и поликристаллическая пластина, состоящая из атомов Si и С уложены в стопку, контактируя гладкой поверхностью, подвергнут тепловой обработке, благодаря чему поликристаллы поликристаллической пластины трансформированы в монокристалл.

2. Монокристалл SiC по п.1, в котором монокристаллический SiC базовый материал, состоящий из указанного комплекса является монокристаллом α-SiC.

3. Монокристалл SiC по п.1, в котором поликристаллическая пластина, состоящая из указанного комплекса, является аморфной пластиной или поликристаллической β-SiC пластиной.

4. Монокристалл SiC, отличающийся тем, что комплекс, в котором множество монокристаллических SiC базовых материалов, регулярно установленных с контактом смежных боковых поверхностей между собой, и поликристаллическая пластина, состоящая из атомов Si и С, уложены в стопку, подвергнуты тепловой обработке благодаря чему поликристаллы поликристаллической пластины трансформированы в монокристалл.

5. Монокристалл SiC по п.4, в котором монокристаллические SiC базовых материалов, составляющие указанный комплекс, и поликристаллическая пластина уложены в стопку, контактируя гладкой поверхностью.

6. Монокристалл SiC no п.4, в котором каждый из множества монокристаллических SiC базовых материалов, составляющих указанный комплекс, является монокристаллом α-SiC.

7. Монокристалл SiC по п.4, в котором поликристаллическая пластина, составляющая указанный комплекс, является аморфной пластиной или поликристаллической β-SiC пластиной, которая выращена на поверхностях множества монокристаллических SiC базовых материалов посредством термохимического парового осаждения.

8. Способ получения монокристалла SiC, отличающийся тем, что монокристаллический SiC базовый материал и поликристаллическую пластину, состоящую из атомов Si и С, выглаживают по, по меньшей мере, одной поверхности, монокристаллический SiC базовый материал и поликристаллическую пластину укладывают в стопку с контактом по гладкой поверхности, и весь комплекс затем подвергают тепловой обработке для трансформирования поликристаллов указанной поликристаллической пластины в монокристалл и выращивания монокристалла.

9. Способ получения монокристалла SiC по п.8, в котором монокристалл α-SiC используют в качестве монокристаллического SiC базового материала, составляющего указанный комплекс.

10. Способ получения монокристалла SiC по п.8, в котором аморфную пластину или поликристаллическую β-SiC пластину используют в качестве поликристаллической пластины, составляющей указанный комплекс.

11. Способ получения монокристалла SiC по п.8, в котором тепловую обработку осуществляют при температуре от 1850°С или выше и под давлением насыщенного SiC пара или в газовой среде вокруг него.

12. Способ получения монокристалла SiC по п.8, в котором тепловую обработку осуществляют при температуре в диапазоне от 2200 до 2400°С и под давлением насыщенного SiC пара или в газовой среде вокруг него.

13. Способ получения монокристалла SiC, отличающийся тем, что множество монокристаллических Sic базовых материалов, которые регулярно установлены с контактом смежных боковых поверхностей между собой, и поликристаллическую пластину, состоящую из атомов Si и С, укладывают в стопку и указанный комплекс затем подвергают тепловой обработке, чтобы трансформировать поликристаллы поликристаллической пластины в монокристалл и вырастить монокристалл.

14. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором SiC монокристаллические базовые материалы, составляющие указанный комплекс, и поликристаллическую пластину выглаживают, по меньшей мере, по одной поверхности, и монокристаллические SiC базовые материалы и поликристаллическую пластину укладывают в стопку с контактом по выглаженной поверхности.

15. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором монокристалл α-SiC используют в качестве монокристаллических SiC базовых материалов, составляющих указанный комплекс.

16. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором монокристалл SiC, полученный тепловой обработкой указанного комплекса, используют в качестве монокристаллических базовых материалов, которые регулярно установлены с контактом смежных боковых поверхностей между собой.

17. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором аморфную пластину или поликристаллическую β-SiC пластину, которые выращены на поверхностях монокристаллических SiC базовых материалов способом термохимического парового осаждения, используют в качестве поликристаллической пластины, составляющей комплекс.

18. Способ получения монокристалла SiC по п.17, в котором аморфную пластину или поликристаллическую β-SiC пластину выращивают на поверхностях монокристаллических SiC базовых материалов способом термохимического парового осаждения при температуре в диапазоне от 1300 до 1900°С.

19. Способ получения монокристалла SiC по п.17, в котором тепловую обработку указанного комплекса осуществляют при температуре выше, чем температура термохимического парового осаждения при выращивании аморфной пластины или поликристаллической β-SiC пластины, и под давлением насыщенного SiC пара.

20. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором тепловую обработку, указанного комплекса осуществляют при температуре от 1850°С или выше и под давлением насыщенного SiC пара или в газовой среде вокруг него.

21. Способ получения монокристалла SiC по п.13, в котором тепловую обработку указанного комплекса осуществляют при температуре в диапазоне от 2200 до 2400°С и под давлением насыщенного SiC пара или в газовой среде вокруг него.