JP2002506235A - アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ - Google Patents

アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ

Info

Publication number
JP2002506235A
JP2002506235A JP2000534920A JP2000534920A JP2002506235A JP 2002506235 A JP2002506235 A JP 2002506235A JP 2000534920 A JP2000534920 A JP 2000534920A JP 2000534920 A JP2000534920 A JP 2000534920A JP 2002506235 A JP2002506235 A JP 2002506235A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slm
pattern
pixel
workpiece
pixels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000534920A
Other languages
English (en)
Inventor
サンドストロム、トルブヨルン
Original Assignee
マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット filed Critical マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
Publication of JP2002506235A publication Critical patent/JP2002506235A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0037—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
    • G02B27/0043—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/346—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on modulation of the reflection angle, e.g. micromirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
    • H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
    • H04N1/195—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a two-dimensional array or a combination of two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/74—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor
    • H04N5/7416—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor involving the use of a spatial light modulator, e.g. a light valve, controlled by a video signal
    • H04N5/7458—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor involving the use of a spatial light modulator, e.g. a light valve, controlled by a video signal the modulator being an array of deformable mirrors, e.g. digital micromirror device [DMD]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
    • H04N2201/04—Scanning arrangements
    • H04N2201/0402—Arrangements not specific to a particular one of the scanning methods covered by groups H04N1/04 - H04N1/207
    • H04N2201/0414—Scanning an image in a series of overlapping zones

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Permanent Magnet Type Synchronous Machine (AREA)
  • Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
  • Control Of Eletrric Generators (AREA)
  • Control Of Electric Motors In General (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Details Of Garments (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
  • Eye Examination Apparatus (AREA)
  • Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、フォトマスク、表示パネル、または、マイクロオプティカル装置などの放射に対して感度の高い加工品にパターンを生成する装置に関する。本装置は、放射源と、多数の変調素子（画素）を有する空間光変調装置（ＳＬＭ）と、投射系と、該変調装置を制御する電子データ処理及び伝送システムと、前記加工品を移動するための高精度機械システムとから成る。詳しくは、画素は３つ以上の状態に設定可能であり、前記電子処理システムが、ある種類の画素マップをパターン・フィーチャーの内部に、別の種類の画素マップをフィーチャーの外部に、中間画素マップを境界線上に作成するように作られている。前記中間画素マップは、該加工品に投影されるＳＬＭの画素に比べて微細なグリッドで前記境界線上への配置によって作成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、半導体装置および表示装置用フォトマスクなどの感光面の極めて高
精度なパターン印刷に関するものである。さらに、本発明は、半導体装置パター
ン、表示パネル、一体型光学装置、および電子配線構造体の直接書込み動作に関
するものである。さらに、セキュリティ・プリンティング（証券印刷）などの、
他の種類の高精度印刷に利用することも可能である。用語の「印刷（プリンティ
ング）」は、広い意味で理解すべきものであり、フォトレジストや写真用感光乳
剤の露光を意味するだけでなく、光または熱によって活性化する融蝕または化学
処理による、乾式処理紙などの他の感光媒体上での光作用も意味するものとする
。光は、平均的な可視光線に限定されず、赤外線（ＩＲ）から超紫外線までの広
い範囲の波長を含んでいる。特に重要なのは、３７０ｎｍ（ＵＶ）から、深紫外
線（ＤＵＶ）、真空紫外線（ＶＵＶ）、および超紫外線（ＥＵＶ）を通過して、
数ナノメートルの波長に至る紫外線範囲である。ＥＵＶは、本願において、１０
０ｎｍからその放射を光として扱うことが可能な下限までの範囲として定義され
る。ＥＵＶの通常の波長は１３ｎｍである。ＩＲは、７８０ｎｍ〜約２０μｍと
して定義される。
【０００２】 別の意味において、本発明は、空間光変調装置と、そのような変調装置を用い
るプロジェクション・ディスプレイおよびプロジェクション・プリンタの技術な
らびに方法に関するものである。特に、本発明は、グレースケール特性、焦点や
画像の均一化による画像の安定性、およびアナログ変調技術を利用したこのよう
な変調装置のためのデータ処理を改善している。アナログ変調の最も重要な用途
は、アドレス・グリッド（例えば、パターンのエッジ位置を特定するような、す
なわち、空間光変調装置の画素によって生成されるグリッドよりもはるかに微細
な増分）を備えたフォトレジストのようなコントラストの強い素材への画像の生
成である。
【０００３】 （背景技術） 最新の技術では、マイクロミラー型のマイクロミラー空間光変調装置（ＳＬＭ
）の投射を用いた高精度パターン・ジェネレータの構成が周知である（ネルソン
１９８８年、クック １９９０年）。パターン・ジェネレータにおけるＳＬＭ
の使用は、走査レーザ・スポットを使用する、より広く知られた方法に比べて多
くの利点がある。ＳＬＭは、大規模並列処理装置であり、１秒当たりに書き込め
る画素数は極めて多い。この光学システムは、ＳＬＭの照射が非限界的であると
いう点でより簡素化されているのに対し、レーザ・スキャナでは、ビーム路全体
を高精度で構築しなければならない。数種類のスキャナ（特に電気光学および音
響光学スキャナ）と比較して、マイクロミラーＳＬＭが完全に反射装置であるこ
とから、マイクロミラーＳＬＭをより短い波長で使用することができる。
【０００４】 前記２つの引用文献において、空間光変調装置は、各画素ごとにオン／オフ変
調だけを使用している。入力データは、１ビットの深度、例えば、各画素ごとに
０および１の値を有する画素マップに変換される。この変換は、図形プロセッサ
や、エリア・フィル命令を有するカスタム論理を使用して、効果的に行なうこと
が可能である。
【０００５】 同じ発明者のサンドストロン（サンドストロン他、１９９０）による先の出願
では、パターン素子の境界に中間露光指数を使用して、レーザ・スキャナで作成
された画像の該素子のエッジ位置を微調整できることが記載されている。
【０００６】 時間を変化させながらＳＬＭにより画素をオンにしたり、あるいは、同じ画素
を数回印刷することにより、画素を様々な回数オンにすることによって、好まし
くはビデオ画像の映像および印刷用にグレースケール画像を生成することも技術
上周知である。本発明は、特に、超高精度パターンの生成を目的とする、空間光
変調装置を備えた直接グレースケール・ジェネレータ用のシステムである。好適
な実施例の重要な面は、画素単位の画像の均一性と、焦点変化時（意図的あるい
は不慮のいずれかを問わず）のＳＬＭの画素に対するフィーチャーの正確な配置
に関する独立性と安定性である。 特に、周知の装置を使用して、微細でより精密なアドレス・レゾリューション
を達成する場合に問題がある。
【０００７】 （発明の開示） したがって、本発明は、アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・
ジェネレータを提供することを目的とする。 この目的は、より微細なアドレス・レゾリューションを提供する添付クレーム
に示された装置によって達成される。
【０００８】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明は、ＳＬＭを有する標準型プロジェクション・プリンタを示す図１の一
般的配置に基づき理解できる。反射に基づく空間光変調装置は、偏向型（ネルソ
ン）と位相型（クック）の２種類に分類される。マイクロミラーを備えた一定の
例において両者の違いは小さいように見えるが、位相型ＳＬＭは、破壊的干渉に
よって特定の方向にビームを放射するのに対して、偏向型ＳＬＭでは、画素によ
って、正反射ビームが幾何学的に片側に偏向され、図１に示すように、結像レン
ズの開口部を逸脱する。最新の発明により実行される超高精度印刷の場合、クッ
クによって１９９０年に開示された位相変調システムは、偏向型よりも優れてい
る。第一に、表面の全部品（ヒンジおよび支柱も含む）が破壊的干渉に関与し、
全体的な吸光が実現可能なことから、良好なコントラストが得られる。第二に、
光を片側に偏向させることによって機能するシステムは、中間偏角地点で光軸に
対して対称性を得ることが困難であり、焦点が変化したときに、フィーチャーが
不安定になるリスクが生じる。好適な実施例では、位相型が使用されているが、
非対称の偏向型を囲むように収容あるいは設計すれば、使用することも可能であ
る。図４ａ〜ｇにこの状態が概略的に示されている。最初の図４ａでは、非偏向
マイクロミラー４０１が照射されており、反射光は、開口４０２の方向に向けら
れず、したがって、光は、基板４０３に到達していない。一方、図４ｂでは、ミ
ラーが完全に偏向され、全反射光が、開口部方向に向けられる。中間の位置では
、反射光の一部だけが、図４ｃに示されている基板に達する。ただし、この場合
、光は、レンズ４０４の光軸に対して対称にならず、基板に斜めに入射する。こ
れにより、レンズと基板面との間の距離が極めて重要なものとなり、領域の破線
位置で示されるような若干の変更によって、基板上のフィーチャーが大幅にずれ
ることになる。この問題を解決する方法は、図４ｄ〜ｆによって示されている。
ここでは、最初の露光がマイクロミラーの第１偏角で行なわれ、その後、好まし
くは同じ光線量で、第２の露光が第２の偏角に対して行なわれ、第１の角度を補
足する。これにより、第１の露光と第２の露光を組み合わせたものが、レンズの
光軸に対して対称となる。この課題を解決する別の方法として、図４ｇに示すよ
うな変形ミラー４０１′を使用して、反射光を開口部全面に均一に分布させる方
法がある。この最後の図では、概ね（後述する）位相型ＳＬＭまたは偏向型ＳＬ
Ｍの２つの例を示すことができるが、その場合、光はミラーの異なる部分から反
射する。
【０００９】 位相型ＳＬＭは、ミクロ機械加工ミラー、いわゆるマイクロミラー、あるいは
、電子信号を使用して変形が可能な支持体上の連続するミラー面により形成可能
である。クックにより１９９０年に開示された発明では、静電界によって制御さ
れる粘弾性層が使用されているが、特に、数ナノメートルほどの変形で充分な極
めて短い波長に対して、電界または、別の、電気的、電磁的、または熱的に制御
される反射面によって変形される圧電固体ディスクを使用することも同様に可能
である。本書の残りの部分では、静電気により制御可能なマイクロミラー・マト
リクス（１次元または２次元）が想定されているが、前記の通り、変調機構とし
てのＬＣＤクリスタル素材または電気光学素材に依存した透過または反射型ＳＬ
Ｍや、圧電または電気歪動作を利用したミクロ機械加工型ＳＬＭなど、他の構成
も可能である。
【００１０】 本発明では、位相変調が可変であることにより、投光用レンズのひとみに達す
る光の量が可変になることを特徴とするマイクロミラーを使用することが好まし
い。図２ａ〜ｈでは、複数の素子から成るミラーをいくつか示しているが、各ミ
ラーの多様な部分の傾斜は重要ではない。実際に、ある素子によって光がレンズ
方向に向けられる一方で、別の素子により、光がレンズのひとみの外部に向けら
れている。この機能を正しく理解する方法として、ミラーの各極小領域素子から
レンズのひとみの中心に達する複素振幅を調べ、ミラー全体の振幅を積分する方
法がある。ミラーを適正な形状にして、複素振幅の合計がゼロに近くなるように
変形することが可能であり、これによって、レンズのひとみに達する光は全くな
くなる。これがマイクロミラーのオフ状態であり、ミラー面が平坦であって複素
振幅が位相を含むような緩和された状態がオン状態である。オン状態とオフ状態
の間では、反射方向の光量が、変形に関する連続的ではあるが非線形的な関数と
なる。
【００１１】 書き込まれるパターンは、通常、ガラス基板上にクロムで書かれたフォトマス
ク・パターンなどの２値パターンである。この場合、２値とは、中間領域が全く
ないことを意味しており、フォトマスク面のある一定の点は、黒（クロムで覆わ
れている）か白（クロムなし）である。このパターンは、ＳＬＭからの投影画像
によりフォトレジストで露光され、このフォトレジストが現像される。現代のレ
ジストは、コントラストが強く、このことは、露光にわずかな比率の変化が生じ
た場合に、現像剤でレジストを完全に除去したときと、ほとんど除去したときと
では、差が生じることを意味している。したがって、空中の画像が白から黒へ徐
々に推移しても、フォトレジストは、通常、支持体表面に対してほとんど垂直な
エッジを有している。クロム・エッチングを行なった場合、さらに、コントラス
トが強くなり、その結果得られる画像は完全に２値的であり、中間領域が全くな
い黒または白のいずれかに分けられる。
【００１２】 入力データは、デジタル形式で、表面に書き込まれるパターンの幾何図形を表
している。入力データは、極小アドレス単位、例えば、１ナノメートルで与えら
れることが多いが、ＳＬＭの画素をオンまたはオフのいずれかに設定した場合、
はるかにきめの粗いパターンができる。ＳＬＭの画素を画像の０．１μｍの画素
に投影する場合、１本の線は、整数個の画素分の幅（ｎ＊０．１μｍ。ただし、
ｎは整数とする）しか有することができない。最近まで０．１μｍのアドレス・
グリッドで充分ではあったが、いわゆる光学近似補正（ＯＰＣ）の出現により、
１〜５ナノメートルのグリッドが望まれている。ＯＰＣでは、マスクの使用時に
、マスクのフィーチャーのサイズをわずかに修正して、予想される光画像誤差を
補償する。一例として、４本の平行線による０．８μｍ幅のマスクが最新の４Ｘ
リダクション・ステッパ（半導体ウェハ用プロジェクション・プリンタ）に印刷
される場合、通常、同じ幅に印刷しようとしても、０．１８７、０．２００、０
．２００、０．１８７μｍ幅の線として印刷される。このことは、画像形成のシ
ミュレーションによって予想することができ、マスクのユーザは、ＯＰＣを用い
て、マスクを補償する。したがって、０．８００μｍにする代わりに、マスクの
最初と最後の線を、４＊０．２１３＝０．８５２μｍにしたいと考える。０．１
μｍのアドレス・グリッドでは、訂正不可能であるが、５ｎｍまたはそれよりも
細いアドレス・グリッドの場合、訂正が可能である。
【００１３】 図５では、ＳＬＭのデータを提供する方法が、フローチャートで示されている
。第１ステップのＳ１では、個別のパターン・フィールドに書き込まれるパター
ンのパターン・データを分割する。このパターン・データは、デジタル形式で受
信されることが好ましい。その後、ステップＳ２において、各フィールドがラス
タライズされることにより、異なる露光指数が割り当てられる。次に、ステップ
Ｓ３において、これらの値を非線形的反応が得られるように修正し、ステップＳ
４で、画素単位の変形が行なわれる。最後に、画素値が駆動信号に変換され、Ｓ
ＬＭに送信される。
【００１４】 本発明は、オフ状態とオン状態との間の中間値を使用して、きめの細かいアド
レス・グリッド（例えば、画素サイズの１／１５、１／２５、１／５０）を生成
することが好ましい。印刷されたフィーチャーは、オン状態の画素から成るが、
エッジに沿って、中間値に設定された画素が形成される。これは、オンおよびオ
フ電圧以外の電圧により画素を駆動することにより行なわれる。カスケード式非
線形効果がいくつか存在することから（エッジ位置と境界線上の画素の露光、露
光と変形、変形と電界）、入力データから電界への非線形的な変換が必要である
。さらに、この変換は、実証的に等時間間隔で校正される。
【００１５】 図３は、ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の
配列を示している。この図では、画素をどのように制御して、このインセット（
差込板）で反射率を生成するのか示している。明るい領域は、位相０の画素を有
しているのに対し、暗い領域は、＋９０度と−９０度の位相が交互にくる画素に
よって生成されている。明るい領域と暗い領域の間にある斜めの境界線は、中間
値の位相によって生成されている。これは、位相型ＳＬＭによってうまく配置さ
れたエッジの状態を示している。ただし、中間値を有する他の種類のＳＬＭも同
様に使用できる。中間値の位相ＳＬＭによる結像特性は複雑であり、図３でエッ
ジが移動する明確さからはほど遠い。しかしながら、本発明者による膨大な理論
に基づく計算および実験によって、記載された効果が実際にあることが証明され
ている。
【００１６】 さらに微細なアドレス・グリッドを生成するためには、図３に示すように、パ
ターン・フィーチャーの中に１種類の画素マップを、また、フィーチャーの外に
別の種類の画素マップを、さらに、境界線上に中間画素マップを生成するように
、電子処理システムを作製し直す。ただし、境界線上の中間画素マップは、この
加工品上に投影されるＳＬＭの画素よりも微細なグリッド内の境界線の配置にし
たがって生成される。ＳＬＭおよび投射系は、フィーチャー内部の１露光レベル
、フィーチャー間の別の露光レベル、境界線上の中間露光レベルを生成する。中
間露光レベルは、ＳＬＭの機能によって生成され、複数の状態に変調する。駆動
信号による反応から境界線の実際の配置までの特徴づけがなされた後、補正が施
される。測定は実証的に行なわれ、校正関数がコンピュータ計算された後、デー
タ処理および搬送システムに記憶される。
【００１７】 アドレス・レゾリューションをさらに改善するためには、露光フィールドを、
ＳＬＭの座標系に対して平行でない方向（通常４５度）につなぎ合わせるように
、ステージとＳＬＭを作製し直す。特に、ステージまたは光学システムの連続し
た動きは、ＳＬＭに平行でない方向（通常、ＳＬＭの座標系から４５度）に発生
する。非直角な軸を持つＳＬＭを有することも可能であるが、その場合、動作方
向に対して平行な軸を一切持たない方が有利である。さらに、マトリクス自体の
ライン誤差というＳＬＭの列および行ドライバの不完全性によって生じるライン
誤差を少なくするためには、行および列のラインをステッチング方向に対して一
定の角度（例えば、つなぎ合わされたフィールドの各中心間のベクトル）にした
方が効果的である。
【００１８】 また、組み合わされた露光に単一の露光では得られない中間値ができるように
、修正データを有する少なくとも２つの露光を重ね合わせることにより、さらに
精緻なアドレス・グリッドが作成される。
【００１９】 （位相型ＳＬＭの設計） 従来技術で使用されているような図２ｃに示すクローバー型ミラーは、オン状
態とオフ状態の間の中間状態にすることが可能である。しかし、積分複素振幅が
偏向関数として作図された場合、完全に０になることは決してなく、０の周りに
複数の円を描くことから、位相角が変化する非ゼロの最低反射率を有することが
理解される。この状態は、図７の線７０１によって概略的に示されている。ただ
し、７０３は、一定の変形値に対する位置を示し、jは、関連する位相角を
示すものとする。中間状態に設定された数個の画素を有する画像を綿密に分析す
ると、エッジ画素の積分位相角がゼロでない場合、最終的な画像のエッジ位置が
、焦点に到るまで安定していないことが明らかである。これは、図４ａ〜ｇに示
される反射効果に類似した回折効果によるものである。本発明の好適な実施例で
は、旋回素子を有する新型の画素を使用している。このような素子に関する複数
の例が、図２ｅ〜ｈに示されている。各素子が旋回すると、片方の端部が光源方
向に移動し、もう片方の端部が別の方向を向くことから、ゼロに近い平均的位相
が維持される。この状態は、図７の破線７０２によって概略的に示されている。
さらに、このクローバー型設計には、製造中に残留内部応力が発生するという問
題がある。この応力は、電気フィールドを利用しなくても、部分的な変形を発生
させる傾向がある。この内部変形は、製造中の不完全性によることから、すべて
の画素で全く同様に発生するとは限らない。クローバー型設計では、この画素ご
との相違によって、反射率の一次的偏差が生じる。旋回素子により形成された画
素セルによっても同様の結果が得られるが、さらに、二次的な効果が発生する。
したがって、映像において均一性が向上する。
【００２０】 パターンの異なる位置および／または異なる向きのエッジに対し、投射系の開
口絞りにおいて対称性が得られるように、変調素子の設計と露光方法を作製し直
す。画素グリッドに対して異なる位置に配置されたエッジ間に特有の非対称性は
、パターンに対する画素グリッドの異なる位置に配置された少なくとも２つの画
像を重ね合わせることにより、緩和することができる。
【００２１】 偏向型ＳＬＭの場合、対称性は、開口絞りの輝度分布と関連性がある。開口絞
りの中心に対して対称的に光を偏向させる変調素子を有していることが最も好ま
しいが、もしくは、偏向が補充された露光を重ね合わせて対称にすることも可能
である。可変偏向変調素子により、エッジの画素における偏向と該エッジとの間
に一定の幾何学的な関係を作り出すことができる。例えば、画素をエッジに対し
て垂直な方向に、かつフィーチャーの内部方向に向けることができる。
【００２２】 回折型ＳＬＭを使用して、対向する位相マップを有する露光を重ね合わせるこ
とにより、対称性が得られる。複素振幅がＳＬＭのどの部分でも実数であれば、
対称性を維持することができ、−１〜１の範囲内の値で必ず実数となる積分複素
振幅で画素を設計することが可能である。多くの場合、−０．５〜１の範囲内の
振幅で充分である。以上は、図２ｅ、ｆ、ｇ、ｈの四角形の旋回マイクロミラー
素子による例である。
【００２３】 小さい負の振幅を使用して背景領域の印刷を行なう方法により、解像度を上げ
ることができる。さらに複雑な方式により、隣接する画素の各グループを画像内
で組み合わせ、結像システムによってフィルタがかけられた後、所望の実際の振
幅を実現することが可能である。
【００２４】 対称性を保持するためには、少なくとも２面の対称性、好ましくは、４面の対
称性を有している方が有利である。対称性は、複数の重ね合わされた露光によっ
て固有の回転対称性を持たない画素に対して実現可能である。さらに、画素設計
または露光により、実際の振幅を制御するシーケンスにより、解像度を高めるこ
とができる。黒い線は、対向する位相を有する領域間に配置された場合、特にコ
ントラストが強くなり、フィーチャーのエッジは、フィーチャー内の隣接する画
素をさらに高い正の振幅にするか、外部の隣接する画素を負の振幅にすることに
より、改善することができる。
【００２５】 （画像の高画質化） 旋回設計には第３の利点がある。クローバー型は、完全な吸光には至らないが
、旋回型セルは、より簡単に、完全な吸光を実現するジオメトリが得られ、ある
いは、ゼロを通過して、非ゼロのわずかな反射に戻ることもあり、その場合は逆
相になる。吸光が良好に行なわれることによって、重なり合った露光を印刷する
自由度が大きくなり、低い負の値７０２を設計することにより、吸光に近いさら
に良好な線形性が実現できる。暗い領域において約５％の弱い露光で逆相にした
印刷では、１５〜３０％の高いエッジ鋭さが得られ、一定のレンズを使用して、
より小型のフィーチャーを印刷することができる。これは、半導体業界で利用さ
れている、いわゆる、減衰移相マスクによく似ている。エッジ鋭さを高める関連
方法として、フィーチャー内部の画素に低い値を設定し、エッジ付近の画素に高
い値を設定する方法がある。これにより、現在のマスクからのパターン投影や、
ネルソンおよびクックによる投影使用法では不可能な新型の画像高画質化が実現
できる。背景に非ゼロの負の振幅を使用しエッジに沿って露光を強くすることは
、エッジ画素を中間値にして微細なアドレス・グリッドを生成することと矛盾し
ない。これは、それぞれの効果が付加的、あるいは、少なくとも計算可能なこと
によるものである。また、画素が印刷されるフィーチャーよりも実質的に小さい
場合、すべての効果が同時に得られるような画素値の組み合わせがある。これら
の画素を検出するためには、微細なアドレス・グリッドを作成するだけでなく、
さらに、コンピュータ計算が必要になるが、本発明の一部の利用法においては、
より小さいフィーチャーの印刷ができれば、多大な努力に見合うだけの高い値が
得られる。
【００２６】 粘弾性層上の連続したミラーの場合、ゼロに対する平均的位相の固有平衡が存
在する。シミュレーションにより、フィーチャー・エッジの微細な位置決めに中
間値を当てはめることにより、連続したミラーが形成されることが示されている
。ただし、非線形性は、マイクロミラーを使用したときよりも低い。充分に機能
する方法がないとすると、最小のフィーチャーは、マイクロミラーを使用したと
きよりも大きくなくてはならず、例えば、分解された１フィーチャー素子当たり
のアドレス指定された画素の数がより多くなくてはならない。その結果、ＳＬＭ
装置は大型となり、一定のパターンに対するデータ量が大きくなる。したがって
、第１および第２実施例において、マイクロミラーを選択している。
【００２７】 本発明では、投光用レンズのひとみに対称的な照射が得られることと、画像が
回転に対して反応しないという２つの理由から、回転対称性変形（少なくとも、
２面の対称性であり、好適な実施例では、４面の対称性）が施された画素が使用
されている。後者の理由は、半導体ウェハ上のランダムな論理パターンを印刷す
るうえで重要である。ｘ‐ｙ軸に対して非対称性が存在すれば、ｘ軸に沿って配
置された各トランジスタは、ｙ軸に沿って配置されたものと異なった遅延を伴う
。そのような回路は誤作動することがあり、または、より遅いクロック速度でし
か使用できなくなる。ｘおよびｙ間の焦点および対称性による画像の不変性に関
するこの２つの要件により、光学システムで対称性を生成および維持することが
極めて重要になる。対称性は、もともと備えていてもよく、あるいは、相補的非
対称性を有する複数の露光を使用するなど、非対称性を意図的に均衡化すること
によって生成されてもよい。ただし、複数の露光は、スループットの低下につな
がることから、初めから対称的なレイアウトを有していることが極めて好ましい
。
【００２８】 （好適な実施例） 第１の好適な実施例は、２０４８×５１２マイクロミラーから成るＳＬＭを使
用したフォトマスクの深紫外線パターン・ジェネレータである。光源は、２４８
ナノメートルのパルス出力と、約１０ｎｓのパルス長と、５００Ｈｚの反復度を
有するＫｒＦエキシマ・レーザである。また、ＳＬＭは、９０％を上回る光を反
射するアルミニウム面を有している。ＳＬＭは、ビーム・スクランブリング・イ
ルミネータを通じてレーザにより照射され、反射光は、投光用レンズ方向に向け
られるとともに、さらに、感光面に向けられる。イルミネータからの入射ビーム
とレンズへの既存ビームは、半透明のビーム・スプリッタ・ミラーによって分離
される。好ましくは、このミラーは偏光選択型であり、イルミネータは偏光を使
用し、その偏光方向は、ＳＬＭの正面にある１／４波長板によって切り換えられ
る。高い開口数（ＮＡ）でｘおよびｙに対して対称性を有するためには、画像は
、対称的に偏光されなければならず、ビーム・スプリッタと投光用レンズの間に
ある第２の１／４波長板によって、円形に偏光された画像が生成される。レーザ
・パルスのエネルギーによって可能な場合のさらに簡単な構成は、非偏光ビーム
・スプリッタを使用することによって実現できる。ビーム・スプリッタの第２の
通過後も、１／４波長板は、なお利点を有しているが、それは、該プレートによ
って、ビーム・スプリット・コーティングの設計が影響を受けにくくなるためで
ある。全体の最も簡単な構成は、ＳＬＭにおける斜めの入射を利用して、イルミ
ネータからのビームと投光用レンズに達するビームが、図１に示されるように、
幾何学的に離れた状態にしたものである。
【００２９】 マイクロミラーの画素は２０×２０μｍであり、投光用レンズは２００Ｘの縮
小変倍率を有することにより、ＳＬＭの画素を画像の０．１μｍに対応させる。
レンズは、０．８の開口数（ＮＡ）を有するモノクロームのＤＵＶレンズであり
、ポイント・スプレッド関数が、０．１７μｍＦＷＨＭ（半値全幅）となる。良
質で書き込み可能な最小ラインは、０．２５μｍである。
【００３０】 加工品、例えば、フォトマスクが、レンズ下の干渉計制御ステージと、フラッ
シュを生成するレーザへの干渉計論理信号によって移動される。フラッシュがわ
ずか１０ｎｓであることから、ステージの移動は、露光の間は行なわれず、ＳＬ
Ｍの画像は、２０４．８×５１．２μｍの大きさに印刷される。２ミリ秒後に、
ステージは、５１．２μｍだけ移動し、新たなフラッシュが放射され、ＳＬＭの
新規画像が、エッジから最初の画像のエッジまで印刷される。露光と露光の間に
、データ入力システムは、新規画像をＳＬＭにロードして、より大きいパターン
が、つなぎ合わされたフラッシュによって形成されるようにする。１列が完全に
書き込まれると、ステージは、垂直方向に進み、新規の行が開始する。どのよう
なサイズのパターンも書き込めるが、第１の好適な実施例では、通常、１２５×
１２５ｍｍのパターンを書き込んでいる。このサイズのパターンを書き込むには
、５０分に加え、連続した列の間の移動時間がかかることになる。
【００３１】 各画素は、２５レベル（＋ゼロ）に制御できることから、０．１μｍの画素を
補間して、それぞれ４ナノメートルを２５増分する。データ変換は、パターンを
図形的に指定し、オン、オフ、または中間値に設定された画素を使用して、デー
タをマップに変換する。データ経路は、１秒当たり２０４８＊５１２＊５００語
のデータ、実際には、１秒当たり５２４メガバイトの画素データをＳＬＭに供給
しなければならない。好適な実施例では、書き込み可能領域は、最大２３０×２
３０ｍｍであり、１列に最大２３０／０．０５１２＝４５００フラッシュまで可
能であり、この列は、４５０／５００＝９秒で書き込まれる。１列に必要な画素
データ量は、９×５２４＝４８００Ｍｂである。転送されバッファに収められる
データの量を少なくするために、圧縮形式が用いられる。この形式は、１９９０
年のサンドストロン他による発明とよく似ているが、一定の長さと値を有するセ
グメントの代わりに、画素マップが圧縮される点が異なっている。実行可能な代
替例として、画素マップを直接生成し、圧縮および解凍用の市販のハードウェア
・プロセッサを使用して、転送ならびにバッファに収められるデータ量を減少さ
せる方法がある。
【００３２】 しかし、マスク全体のデータ量は、たとえ圧縮しても、ディスク上に予め分割
されたデータを記憶しておくには、かなり無理な量となっており、画素データを
使用時に生成しなければならない。１アレイのプロセッサは、圧縮形式への変換
と並行して画像をラスタライズするとともに、この圧縮データを、ＳＬＭに画素
データを供給するエクスパンダ回路に転送する。好適な実施例において、前記プ
ロセッサは、画像の異なる部分もラスタライズし、その結果をバッファリングし
た後に、エクスパンダ回路の入力バッファに送信する。
【００３３】 （第２の好適な実施例） 第２の好適な実施例において、レーザは、１９３ｎｍの波長と５００Ｈｚパル
スの周波数を有するＡｒＦエキシマ・レーザである。ＳＬＭは、２０＊２０μｍ
の３０７２×１０２４画素を有しており、レンズは、０．０６μｍの投影画素が
得られる３３３Ｘの縮小変倍率を有している。また、６０個の中間値があり、ア
ドレス・グリッドは、１ナノメートルである。ポイント・スプレッド関数は、０
．１３μｍであり、最小ラインは０．２μｍである。データ・フローは、１５７
２メガバイト／秒であり、２３０ｍｍ長さの１列のデータは、１１．８Ｇｂであ
る。
【００３４】 第３の好適な実施例は、画素マトリクスが４５度回転し、画素グリッドが８４
μｍであることにより、投影された画素がｘおよびｙに沿って０．０６μｍの間
隔が開けられる点を除いては、第２の好適な実施例と同じである。レーザは、Ａ
ｒＦエキシマ・レーザであり、レンズは、２４０の縮小変倍率である。マトリク
スが回転されていることから、マトリクスの画素密度は、減少し、データ量は、
前記実施例の半分となるが、アドレス・レゾリューションは同じである。
【００３５】 （レーザのフラッシュ対フラッシュ偏差） エキシマ・レーザには２つの不利な特性、つまり、フラッシュ対フラッシュの
５％のエネルギー偏差と、フラッシュ対フラッシュの１００ｎｓの時間的変動が
ある。好適な実施例では、いずれも同じ方法によって補償されている。最初の露
光部は、９０％の倍率で全体のパターンにより形成されている。実際のフラッシ
ュのエネルギーと各フラッシュの時間位置が記録される。第２の露光部は、公称
１０％の露光によって形成され、アナログ変調により、第１露光の実際の値しだ
いでは、第２の露光を５〜１５％にする。同様に、第２の露光において意図的に
時間を相殺することにより、第１の露光の時間的変動が補正される。第２の露光
は、第１の露光で生じた誤差を完全に補償できるが、それ自体が同じ種類の新た
な誤差を発生する。露光全体の平均がわずか１０％であることから、両者の誤差
は、１０だけ事実上減少する。実際に、レーザは、１００ｎｓよりもはるかに大
きい時間的な不確定性を有している。この不確定性は、光のパルスが、トリガ・
パルスからの遅延にしたがって発生し、この遅延が、時折、数マイクロ秒分、変
化することによるものである。短時間の間に、遅延はより安定することから、継
続的に遅延を測定し、好ましくはフィルタリングした最終遅延値を使用して、次
のパルス遅延を予測するとともに、トリガ・パルスの位置付けを行なう。
【００３６】 同様に、ステージ誤差が記録され、ステージが第２の露光における補償動作に
より駆動された場合、ステージの不完全性を補正することも可能である。測定可
能な配置誤差があれば、原則として、部分的または完全に上記のように補正する
ことができる。第２の露光中に計算されたポイントにステージを移動させる高速
サーボを備えていることが必要である。従来技術では、ＳＬＭ自体をストローク
が小さく反応時間の短いステージに搭載し、画像の精密な位置付けに使用する方
法が周知である。別の同様に有効な方式は、ＳＬＭと画像面との間の光学システ
ムにおいて圧電制御を備えたミラーを使用する方法があり、両者のいずれを選択
するかは、実際の状況を考慮して行なう。さらに、また、露光フィールドのデー
タに相殺位置を付け加えて、画像を横に移動させることも可能である。
【００３７】 第２の露光は、レーザおよびＳＬＭ間の減衰フィルタを使用して実行し、公称
露光の０〜１５％以内で、ＳＬＭのダイナミック・レンジを完全に使用できるよ
うにすることが好ましい。２５個の中間レベルにより、１５％＊１／２５＝０．
６％の段階で露光を調整することができる。
【００３８】 反応は、製造上の不完全性によって画素ごとに若干異なり、また、経時変化が
原因となってこのような違いが生じることもある。その結果、画像が不均質にな
るという不都合が生じる。画像に求められている条件が極めて高いことから、ル
ックアップ・メモリーに記憶されている画素の逆反応性による増大によって、全
画素を補正しなければならないこともある。また、各画素ごとに、２、３、また
はそれ以上の項を有する多項式を使用することがさらに好ましい。これは、ＳＬ
Ｍを駆動する論理に基づくハードウェアで実行可能である。
【００３９】 さらに複雑で好適な実施例では、補正をいくつか組み合わせることにより、第
２の補正露光を行なう。フラッシュ対フラッシュの偏差、フラッシュの時間的変
動、さらに、周知の画素間の反応の違いなどもその対象となる。補正が小さい限
り、例えば、各補正ごとに数パーセントである限り、ほぼ線形的に追加されてい
くことから、補正がそのまま加えられ、ＳＬＭに適用される。その合計は、該当
する画素において、所望の照射線量の値により乗算される。
【００４０】 （代替光源） エキシマ・レーザは、レーザの波長と種類に依存した５００〜１０００Ｈｚの
限定的なパルス繰返し周波数（ｐｒｆ）を有している。そのため、ｘおよびｙの
両方において、エッジをステッチングした大型のフィールドが使用されている。
他の２つの好適な実施例では、ＳＬＭがｐｒｆがはるかに高いパルス・レーザ、
例えば、Ｑスイッチ・アップコンバート固体レーザや、ＳＬＭの表面上で走査さ
れた連続レーザ源から照射されることにより、ＳＬＭのある部分が新規データで
書き換えられる一方で、別の部分が印刷される。どちらの場合も、レーザのコヒ
ーレンス特性がエキシマ・レーザとは異なっており、例えば、異なる光路長を有
する複数の平行な光路などの、より大規模なビーム・スクランブリングおよびコ
ヒーレンス制御が必要である。本発明の一部の実施例では、フラッシュ・ランプ
からの光の出力が充分であり、光源として使用可能である。その利点として、低
コストであり、コヒーレンス特性が優れていることがあげられる。
【００４１】 走査により照射を行なう好適な実施例では、２つの問題点が解決できる。一つ
は、時間およびエネルギー面でのパルス対パルス偏差の問題であり、これは、好
ましくは音響光学または電気光学などの電気光学スキャナーによる完全な制御の
もとで走査が行なわれることによるものであり、多くの連続したレーザを使用し
た方が、パルス・レーザを使用したときよりも電力の変動が少ないためである。
さらに、連続型レーザを使用すると、波長の異なった選択が可能であり、連続型
レーザは、パルス・レーザに比べて目に対する危険性が少ない。しかし、最も重
要な点は、走査が非限界的であり、１００ｋＨｚ以上の反復度で実行可能なこと
から、わずか数行のマトリクスで、はるかに高いデータ速度に達することが可能
な点である。照射ビームの走査は、極めて均一な照射を生成する方法でもあり、
他のやり方では困難である。 一部の実施例では、光源としてのフラッシュ・ランプを使用することができ、
便利な方法である。
【００４２】 （ＥＵＶ） ＥＵＶの光源は、粒子加速装置、磁気プラズマ・ピンチ・マシンからの放射、
または、高電力レーザ・パルスを伴う極端な温度に若干重要な加熱によるもので
ある。いずれの場合も、放射はパルス振動している。ＥＵＶ放射は、真空のみで
伝搬し、反射レンズでしか焦点を合わせることができない。ＳＬＭを使用する代
表的なパターン・ジェネレータは、光パワーのさほど高くない要件である、小さ
い露光フィールドを有している。したがって、光学システムの設計は、ＥＵＶス
テッパに比べて緩やかであることから、より多くのミラーを使用でき、ステッパ
よりも高い開口数（ＮＡ）を実現できる。開口数（ＮＡ）が高いレンズは、リン
グ形露光フィールドを有することが予想され、ＳＬＭの形状をそのようなフィー
ルドに合わせて作製することが充分に可能である。１３ｎｍの波長と０．２５の
開口数（ＮＡ）により、わずか２５ｎｍ幅のラインを露光することが可能であり
、さらに、前記の通り、画像の高画質化を利用すれば、２０ｎｍを下回ることも
可能である。このような解像度を実現できる周知の書込み技術は他にはなく、同
時に、ＳＬＭの同様の特徴によって可能な書込み速度を実現できる技術も他には
ない。
【００４３】 （エッジ・オーバラップ） 各フラッシュごとに、２次元フィールドが印刷されるとともに、各フィールド
のエッジとエッジをつなぎ合わせることから、ステッチングは極めて重要である
。わずか数ナノメートルの１フィールドを置き換えることにより、エッジに沿っ
て目に見えるパターン誤差が発生し、マスクによって生成される電子回路の機能
に悪影響を及ぼす可能性がある。このような不必要なステッチングの影響を減少
させる効果的な方法として、数本の経路に同じパターンを印刷し、このような経
路間にあるステッチング境界を置き換える方法があげられる。パターンが４回印
刷された場合、ステッチング誤差が４箇所で発生することが予想されるが、その
規模のわずか四分の一にすぎない。本発明の好適な実施例では、フィールド間の
オーバラップ・バンドとともに、中間露光を発生する機能が使用される。ラスタ
ライゼーションを実行している間、上記の値がコンピュータ計算されるが、圧縮
データを解凍している間でもこの計算は実行できる。エッジ・オーバラップによ
り、ステッチング誤差が減少し、マルチパス印刷に比べてスループットのマイナ
ス点がはるかに減少する。
【００４４】 （修正照射） 第１の好適な実施例において、ＳＬＭの照射は、エキシマ・レーザや、フライ
アイ・レンズなどの光スクランブラーによって行なわれ、イルミネータのひとみ
面の円形自発光面からの照射とよく似た照射が生成される。ある特定の投射系に
よる印刷時に解像度を高める場合、修正照射法を利用することができる。最も簡
単な例では、イルミネータのひとみ面に、例えば、四重極形または環状の透過領
域を有するひとみフィルタを導入する方法がある。さらに複雑な例では、同じフ
ィールドを数回印刷する方法がある。露光と露光の間で複数のパラメタを変化さ
せることが可能であり、例えば、画像面の焦点、照射パターン、ＳＬＭに使用す
るデータ、投影レンズのひとみ面のひとみフィルタなどが使用できる。特に、照
射の同期をとった変化やひとみフィルタによって、解像度を高めることができ、
このことは、ひとみが扇形透過領域を有しているとともに、非回折光が該扇形の
先端付近の吸収パッチをさえぎるように照射が一直線に並んでいる場合に、特に
顕著である。
【００４５】 （反応の線形化） データからエッジまでの伝達関数の線形化を図るうえで、本書で行なう配置に
は、基本的に次の３つの方法がある。 ‐データ変換装置において非線形性を考慮し、データ変換装置に８ビット（例）
の画素値を生成し、同じ解像度を有するＤＡＣを使用してＳＬＭを駆動する。こ
の状態は、図８ａに概略的に示されている。ただし、Ｒは、リレー信号であり、
Ｃは、ＳＬＭの各マトリクスに設けられているコンデンサである。また、ＳＬＭ
は、破線で示されている。 ‐より少ない値（例えば、５ビット、すなわち、最高３２個の値）でデジタル値
を生成し、ルックアップ・テーブル（ＬＵＴ）の８ビット値に変換した後に、こ
の８ビット値をＤＡＣに供給する。 ‐５ビット値と半導体スイッチを使用して、１台または数台の高解像度ＤＡＣに
より生成されたＤＣ電圧を選択する。この状態は、図８ｂに概略的に示されてい
る。
【００４６】 いずれの場合も、実証的校正関数がデータ変換装置のＬＵＴで使用されるか、
または、ＤＣ電圧で使用される場合に、プレート上の反応が線形化されるような
実証的校正関数を測定することが可能である。
【００４７】 どの線形化方式を用いるかは、データ速度、精度要件、および、時代とともに
変化する利用可能な回路技術によって異なる。現時点では、データ変換装置は行
き詰まった状態にあることから、データ変換装置による線形化は、好適なソリュ
ーションとはいえず、８ビット画素値を生成することも好ましくない。また、高
速ＤＡＣは、高価であり消費電力が高い。最も適正なソリューションは、ＤＣ電
圧を生成し、スイッチを使用する方法である。この方法では、８ビットよりもさ
らに高い解像度の使用が可能である。
【００４８】 （好適なパターン・ジェネレータの説明） 図６について説明する。パターン・ジェネレータは、単数および複数の値を持
つ画素アドレス指定方式によるＳＬＭ６０１と、光源６０２と、照射ビーム・ス
クランブル装置６０３と、結像光学システム６０４と、干渉計位置制御システム
６０６を備えた微細位置付け基板ステージ６０５と、ＳＬＭ用ハードウェアおよ
びソフトウェア・データ処理システム６０７とから構成されている。また、さら
に、適正な機能を提供し操作を簡易化するために、前記パターン・ジェネレータ
は、温度制御を備えた周囲環境チャンバ、基板荷重システム、最適なパターン配
置確度を実現するためのステージ移動および露光レーザ・トリガーのタイミング
をとるためのソフトウェア、およびソフトウェア・ユーザ・インタフェースも具
備している。
【００４９】 パターン・ジェネレータの照射は、ＫｒＦエキシマ・レーザによって行なわれ
、エキシマ・レーザの自然線幅に相当する帯域を有し、２４８ナノメートルの波
長でＵＶ領域において１０〜２０ナノ秒の長いフラッシュ光を放出する。基板上
のパターンの歪みを防止するために、エキシマ・レーザからの光を、ＳＬＭ面に
均一に割り当てて、光のコヒーレンス長を充分に短くすることにより、基板上に
レーザ・スペックルが発生しないようにする。ビーム・スクランブラーを使用し
て、この２つの目的を達成する。ビーム・スクランブラーは、エキシマ・レーザ
からのビームを異なる光路長を持つ数本のビーム路に分割した後に、空間コヒー
レンス長を短くするために各ビーム路をまとめて一つにする。さらに、ビーム・
スクランブラーは、１組のフライアイ・レンズを有するレンズ系から成るビーム
・ホモジナイザーを有し、このビーム・ホモジナイザーは、エキシマ・レーザか
らのレーザ・ビームの各ポイントからの光を、ＳＬＭ面全体に均一に分配し、「
最上層の」光分布を行なう。上記のビーム・スクランブリングと、光の均一化と
、コヒーレンスの低下は、あらゆるＳＬＭプリンタにおいて有利である。実際の
環境しだいでは、ビーム・スプリッターや光合波器、回折素子、光ファイバー、
カレイドスコープ、レンズレット・アレイ、プリズムまたはプリズム・アレイ、
または、積分球を使用して実現することができるだけでなく、他の類似装置を組
み合わせて、ビームのスプリットや合波を行なうことにより、ＳＬＭに入射する
多数の相互に非コヒーレントな光フィールドを生成することも可能である。
【００５０】 ＳＬＭからの光は、中継され基板ステージ上の基板に結像される。これは、ク
ックにより開示されているシュリーレン光学システムを用いて行なわれる。焦点
幅ｆ1のレンズｌ1が、ＳＬＭから距離ｆ1の位置に配置される。焦点長さｆ2のも
う一つのレンズｌ2は、ＳＬＭから距離２×ｆ1＋ｆ2の位置に配置される。次に 、基板が、ＳＬＭから距離２×ｆ1＋２×ｆ2の位置に配置される。ＳＬＭから距
離２×ｆ1の位置には、サイズによってシステムの開口数（ＮＡ）、したがって 、基板上に書き込める最小パターン・フィーチャーのサイズが決まる開口６０８
がある。また、光学システムや基板の平面度の不完全性を補正するために、レン
ズｌ2をｚ方向に動的に位置付けする合焦システムもあり、５０マイクロメート ルの位置スパンにより、最適な焦点特性が得られる。さらに、このレンズ系は、
照射光の波長が２４８ナノメートルになるように波長補正されており、照射光の
帯域幅許容誤差が少なくとも±１ナノメートルである。レンズｌ1の真上に位置 するビーム・スプリッター６０９により、照射光が結像光学システムに反射する
。縮小率２５０および開口数（ＮＡ）０．６２の場合、サイズを０．２マイクロ
メートルまで縮小したパターン・フィーチャーを露光して高品質なパターンを得
ることができる。各ＳＬＭ画素から３２レベルで、最小グリッド・サイズが２ナ
ノメートルになる。
【００５１】 パターン・ジェネレータは、干渉計位置制御システムを備えた微細位置付け基
板ステージを有しており、最小熱膨張用にＺｅｒｏｄｕｒで作製された可動エア
ベアリングｘｙテーブル６０５から成る。干渉計位置フィードバック測定システ
ム６０６を備えたサーボ・システムは、各方向のステージ位置付けを制御する。
１方向のｙにおいて、サーボ・システムは、ステージを固定位置に維持し、もう
片方の方向ｘにおいて、ステージは、連続的な速度で移動する。干渉計位置測定
システムは、ｘ方向に使用されることにより、露光レーザをトリガーし、基板上
のＳＬＭの各画像間の位置を均一にする。ＳＬＭ画像の１行全体が基板上で露光
されると、ステージは、ｘ方向の元の位置に戻り、ｙ方向にＳＬＭ画像の１増分
だけ移動して、基板上のもう１行のＳＬＭ画像を露光する。この手順は、基板全
体が露光されるまで繰返し行なわれる。
【００５２】 ＳＬＭ画像は、ｘおよびｙの両方向に多数の画素とオーバラップしており、露
光データ・パターンは、オーバラップしている画素で局部的に修正され、このよ
うなオーバラップ領域となる多くの露光を補償している。
【００５３】 エキシマ・レーザからのパルス対パルス強度の偏差は、パターンの２パス露光
により補償され、ここでは、第１パスが正しい強度である公称９０％の強度によ
って実行される。第１パスでは、各レーザ・フラッシュの実際の強度が測定なら
びに記憶される。第２パスでは、第１パスからの測定済み強度の値に基づいて、
各ＳＬＭ画像露光用の正しい強度が用いられる。このように、エキシマ・レーザ
からのパルス対パルス強度の偏差による影響の規模を抑制することができる。
【００５４】 ＳＬＭの機能性については、本書の別の箇所でさらに詳しく述べる。ＳＬＭは
、画素サイズが１６マイクロメートルの画素を２０４８×２５６個有しており、
１ミリ秒以内に全画素をアドレス指定することが可能である。ＳＬＭは、精巧な
ステージに固定して装填されている。この精巧なステージは、フラッシュ露光と
フラッシュ露光の間において１００ナノメートルよりも高い確度で、ｘおよびｙ
方向に、１００ミクロン移動可能である。ＳＬＭの微細な位置付けを行なうこと
により、基板位置付けステージの位置の不正確さを補正し、パターン・ステッチ
ング誤差をさらに少なくする。ｘ‐ｙ方向の位置付けに加え、基板ステージの座
標系で指定されたもの以外の角度で基板上のパターンを露光するために、ＳＬＭ
ステージを回転させることも可能である。このような回転を行なう目的は、補足
的フィーチャーが追加される既存のパターンを有する基板に対して、基板の調節
可能性を組み入れられるようにすることである。オフ軸光チャネルおよび／また
はＣＣＤカメラを使用して、ローディング後に、ステージ上の基板の正確な位置
を測定し、レンズを通して見ることにより、基板上にある多数の整列マークのシ
ステム座標を判断することができる。露光中は、整列マークの測定位置に基づい
て、ｘおよびｙ方向に、ステージ位置が訂正される。回転座標系に追従するステ
ージ・サーボ・システムを使用するとともに、前記の通りＳＬＭの精巧なステー
ジを回転させて、回転的な調節が行なえる。ＳＬＭを回転できることにより、歪
んだ座標系への書込みを行なって、その後生じるパターンの歪みを補償するよう
なことも可能である。
【００５５】 パターン・ラスタライザー６１０において、任意の形式を有する任意のデータ
・パターンが、１画素につき３２（５ビット）グレー・レベルの圧縮ラスタライ
ズ済み画素マップに変換される。画素電極に印加される電圧に対して、露光され
た画素のグレースケールの段階が線形的ではないことから、３２のグレー・レベ
ルがそれぞれ次のレベルの照射線量の均一な増加分に対応するように、入力デー
タが画素リニアライザー６１１で線形化される。この動作は、８ビットのデジタ
ルからアナログへの変換器（ＤＡＣ）６１２を使用して行なわれ、予め実証的に
校正された線形化関数にしたがって、画素マップからの各グレー・レベルによっ
て、ＤＡＣからの電圧を選択する。ＤＡＣからのアナログ・レベルの選択におい
て、各値がＳＬＭ画素に対応し、そのような各値により、対応する画素の変則性
を補正するルックアップ・テーブルを使用して、追加的な補正が行なわれる。ル
ックアップ・テーブルの校正値は、実証的校正手順によって作成され、この手順
では、連続したテスト・パターンがＳＬＭに送信され、得られた露光パターンを
測定し、測定されたパターンが個々の画素補正に使用される。以上は、画素マッ
プの各グレー・レベルによってアナログ電圧が選択され、対応する全ＳＬＭ画素
に対して画素の変形を施すことにより、正しい照射線量を供給することを意味し
ている。
【００５６】 （引用文献） ネルソン １９８８年： 米国特許第５、１４８、１５７号 クック １９９０年： 欧州特許第０ ６１０ １８３号 サンドストロン他 １９９０年： 欧州特許第０ ４６７ ０７６号
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術によるプリンタを示す図である。ＳＬＭは、レンズのひとみからの光
を偏向させるマイクロミラーから成る。
【図２】 ａ〜ｈは、４つの上部画素をオフ状態に、残りの５つの画素をオン状態にした
画素設計をいくつか示した図である。
【図３】 ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の配列を示
す図である。これにより、位相型ＳＬＭによってエッジ位置をどのように微調整
できるか示されている。
【図４】 ａ〜ｇは、偏向ミラーの付いたＳＬＭと変形ミラーの付いたＳＬＭとの概略的
な比較を示す図である。
【図５】 データを翻訳しＳＬＭに供給する方法を示すフローチャートである。
【図６】 本発明によるパターン・ジェネレータの好適な実施例を示す図である。
【図７】 異なる種類のＳＬＭに対して概ね予想される複素振幅を示す図である。
【図８】 ａ、ｂは、概略的に異なる種類のＳＬＭミラー制御を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＳＬＭの投影画素に比べて微細なアドレス・グリッドを有す
    るとともに、フォトマスク、表示パネル、またはマイクロオプティカル装置など
    の光の放射に対して感度の高い加工品にパターンを作成する装置において、 該装置が、 超紫外線（ＥＵＶ）から赤外線（ＩＲ）までの波長範囲内にある光を発光する
    光源と、 前記放射によって照射されるように作製された、多重の変調素子（画素）を有
    する空間光変調装置（ＳＬＭ）と、 前記加工品に前記変調装置の画像を生成する投射系と、 書き込まれるべき前記パターンのデジタル表現を受信して、該パターンを変調
    装置用信号に変換し、前記信号を該変調装置に送信する電子データ処理及び伝送
    システムと、 前記加工品および／または前記投射系の相互に対する位置付けを行なう高精度
    機械システムと、 前記加工品の位置と、前記信号の前記変調装置への送信と、前記放射の強度を
    制御して、前記パターンを前記加工品に印刷できるようにする電子制御システム
    とを有し、 前記駆動信号および前記変調素子が、２よりも多く、好ましくは３よりも多い
    多数の変調状態を生成するようにされ、前記電子データ処理システムが、ある種
    類の画素マップをパターン・フィーチャーの内部に、別の種類の画素マップを該
    フィーチャーの外部に、中間画素マップを境界線上に作成するようにされている
    とともに、境界線上の前記中間画素マップが、前記加工品に投影されるＳＬＭの
    画素に比べて微細なグリッドで前記境界線上の配置によって作成されることを特
    徴とする装置。
  2. 【請求項２】 前記ＳＬＭおよび前記投射系が、ある露光レベルをフィーチ
    ャー内に作成し、別の露光レベルをフィーチャー間に作成し、中間露光レベルを
    前記境界線上に作成することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記中間露光レベルを前記ＳＬＭの能力を用いて作成し、複
    数の状態に変調することを特徴とする、請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 駆動信号からの前記境界線の実際の配置までの応答関数が特
    徴づけられた後、補正が施されることを特徴とする、請求項１から請求項３まで
    のいずれか１項に記載の装置。
  5. 【請求項５】 駆動信号から前記境界線の実際の配置までの前記応答が実証
    的に測定されるとともに、校正関数がコンピュータで計算され、かつ前記データ
    処理及び伝送システムに記憶されることを特徴とする、請求項１から請求項４ま
    でのいずれか１項に記載の装置。
  6. 【請求項６】 露光フィールドを前記ＳＬＭの座標系に対して平行でない方
    向に沿って繋ぎ合わせるように、ステージと該ＳＬＭが作製されていることを特
    徴とする、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 露光フィールドを前記ＳＬＭの前記座標系に対して４５度の
    方向に沿って繋ぎ合わせるように、前記ステージと該ＳＬＭが作製されているこ
    とを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記ステージが、前記ＳＬＭの前記座標系に対して４５度の
    方向に連続した動きを形成することを特徴とする、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 少なくとも２回の露光を重ね合わせることにより、前記アド
    レス・グリッドをさらに精緻にすることを特徴とする、請求項１から請求項８ま
    でのいずれか１項に記載の装置。
JP2000534920A 1998-03-02 1999-03-02 アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ Pending JP2002506235A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9800665A SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Improved method for projection printing using a micromirror SLM
SE9800665-3 1998-03-02
PCT/SE1999/000311 WO1999045440A1 (en) 1998-03-02 1999-03-02 Pattern generator with improved address resolution

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009235389A Division JP2010015176A (ja) 1998-03-02 2009-10-09 アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002506235A true JP2002506235A (ja) 2002-02-26

Family

ID=20410382

Family Applications (12)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534917A Pending JP2002506232A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 Ｅｕｖを使用するパターン・ジェネレータ
JP2000534916A Pending JP2002506231A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534915A Pending JP2002506230A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 精度改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534919A Withdrawn JP2002506234A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534921A Pending JP2002506236A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 変調装置の設計を改良したパターン・ジェネレータ
JP2000534920A Pending JP2002506235A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ
JP2000534918A Pending JP2002506233A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 高画質パターン作成方法
JP2005269967A Pending JP2006080539A (ja) 1998-03-02 2005-09-16 改良型パターン・ジェネレータ
JP2008237405A Pending JP2009033190A (ja) 1998-03-02 2008-09-17 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2009235389A Pending JP2010015176A (ja) 1998-03-02 2009-10-09 アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ
JP2009235543A Pending JP2010016404A (ja) 1998-03-02 2009-10-09 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2010137427A Pending JP2010267978A (ja) 1998-03-02 2010-06-16 改良型パターン・ジェネレータ

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534917A Pending JP2002506232A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 Ｅｕｖを使用するパターン・ジェネレータ
JP2000534916A Pending JP2002506231A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534915A Pending JP2002506230A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 精度改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534919A Withdrawn JP2002506234A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 改良型パターン・ジェネレータ
JP2000534921A Pending JP2002506236A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 変調装置の設計を改良したパターン・ジェネレータ

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534918A Pending JP2002506233A (ja) 1998-03-02 1999-03-02 高画質パターン作成方法
JP2005269967A Pending JP2006080539A (ja) 1998-03-02 2005-09-16 改良型パターン・ジェネレータ
JP2008237405A Pending JP2009033190A (ja) 1998-03-02 2008-09-17 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2009235389A Pending JP2010015176A (ja) 1998-03-02 2009-10-09 アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ
JP2009235543A Pending JP2010016404A (ja) 1998-03-02 2009-10-09 ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2010137427A Pending JP2010267978A (ja) 1998-03-02 2010-06-16 改良型パターン・ジェネレータ

Country Status (12)

Country Link
US (16) US6687041B1 (ja)
EP (6) EP1600817B1 (ja)
JP (12) JP2002506232A (ja)
KR (2) KR100451026B1 (ja)
CN (3) CN1550902A (ja)
AT (5) ATE309557T1 (ja)
AU (7) AU3284299A (ja)
DE (6) DE69938895D1 (ja)
ES (1) ES2357473T3 (ja)
RU (2) RU2232411C2 (ja)
SE (1) SE9800665D0 (ja)
WO (7) WO1999045435A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007503723A (ja) * 2003-08-22 2007-02-22 プレックス・エルエルシー 光学アドレス式極紫外線モジュレータ及びこのモジュレータを含むリソグラフィー装置
US7321417B2 (en) 2003-06-30 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008098666A (ja) * 2003-05-16 2008-04-24 Asml Holding Nv リソグラフィックマスクレイアウトを形成するための方法及びリソグラフィックマスクレイアウトを形成するための装置及びリソグラフィックマスクレイアウトを形成する方法を実行する１つ以上のプロセッサによる実行のための１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを収容するコンピュータリーダブル媒体
US7385677B2 (en) 2003-06-20 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that limits a portion of a patterning device used to pattern a beam
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法

Families Citing this family (510)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2335452T3 (es) * 1997-04-14 2010-03-26 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Unidad de ilumunacion y procedimiento para la iluminacion puntual de un medio.
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6816302B2 (en) * 1998-03-02 2004-11-09 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
US6181210B1 (en) * 1998-09-21 2001-01-30 Broadcom Corporation Low offset and low glitch energy charge pump for PLL-based timing recovery systems
US7328425B2 (en) * 1999-05-20 2008-02-05 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
GB2344899B (en) * 1999-05-29 2000-11-22 Bookham Technology Ltd Production of an integrated optical device
SE516914C2 (sv) * 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
EP1152263A4 (en) * 1999-09-30 2003-08-20 Nikon Corp OPTICAL DEVICE WITH THIN MULTI-LAYER SYSTEM AND THEIR USE FOR ALIGNMENT
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
TW508653B (en) * 2000-03-24 2002-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method
SE517550C2 (sv) * 2000-04-17 2002-06-18 Micronic Laser Systems Ab Mönstergenereringssystem användande en spatialljusmodulator
US6552740B1 (en) * 2000-08-01 2003-04-22 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing monochromatic imaging using a spatial light modulator
US6645677B1 (en) 2000-09-18 2003-11-11 Micronic Laser Systems Ab Dual layer reticle blank and manufacturing process
US6580490B1 (en) * 2000-10-30 2003-06-17 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing images in multiple formats using a spatial light modulator
US6690499B1 (en) * 2000-11-22 2004-02-10 Displaytech, Inc. Multi-state light modulator with non-zero response time and linear gray scale
USRE43841E1 (en) * 2000-12-14 2012-12-04 F. Poszat Hu, Llc Printing by active tiling
US6653026B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US20020122237A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-05 Torbjorn Sandstrom Method and apparatus for spatial light modulation
JP4495898B2 (ja) * 2001-04-04 2010-07-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 改良型パターン・ジェネレータ
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US6753947B2 (en) * 2001-05-10 2004-06-22 Ultratech Stepper, Inc. Lithography system and method for device manufacture
GB0114862D0 (en) 2001-06-19 2001-08-08 Secr Defence Image replication system
US7095484B1 (en) * 2001-06-27 2006-08-22 University Of South Florida Method and apparatus for maskless photolithography
JP5144863B2 (ja) * 2001-06-29 2013-02-13 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
JP4273291B2 (ja) * 2001-08-17 2009-06-03 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP4324645B2 (ja) * 2001-08-21 2009-09-02 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2003066366A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系及びこれを用いた画像表示装置、画像露光装置
US6784975B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
US6794100B2 (en) 2001-08-30 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US6819490B2 (en) 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
US7302111B2 (en) * 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
KR20040047816A (ko) * 2001-09-12 2004-06-05 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 공간광변조기를 이용한 개선된 방법 및 장치
JP3881865B2 (ja) 2001-10-19 2007-02-14 株式会社 液晶先端技術開発センター 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法
CN101446773A (zh) 2001-11-07 2009-06-03 应用材料有限公司 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机
KR20050044371A (ko) * 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
US6618185B2 (en) * 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
US6903859B2 (en) 2001-12-07 2005-06-07 Micronic Laser Systems Ab Homogenizer
US6950194B2 (en) * 2001-12-07 2005-09-27 Micronic Laser Systems Ab Alignment sensor
GB2383140A (en) * 2001-12-13 2003-06-18 Zarlink Semiconductor Ltd Exposure positioning in photolithography
WO2004095110A1 (en) * 2003-04-24 2004-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Exposure control
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
US20030233630A1 (en) * 2001-12-14 2003-12-18 Torbjorn Sandstrom Methods and systems for process control of corner feature embellishment
US6665110B2 (en) * 2001-12-31 2003-12-16 Texas Instruments Incorporated Diagonal to rectangular pixel mapping for spatial light modulator
US7159197B2 (en) * 2001-12-31 2007-01-02 Synopsys, Inc. Shape-based geometry engine to perform smoothing and other layout beautification operations
US6873401B2 (en) * 2002-01-24 2005-03-29 Intel Corporation Reflective liquid crystal display lithography system
SG106121A1 (en) * 2002-02-06 2004-09-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SE0200547D0 (sv) * 2002-02-25 2002-02-25 Micronic Laser Systems Ab An image forming method and apparatus
US6590695B1 (en) * 2002-02-26 2003-07-08 Eastman Kodak Company Micro-mechanical polarization-based modulator
SE0200864D0 (sv) * 2002-03-21 2002-03-21 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for printing large data flows
US7167185B1 (en) 2002-03-22 2007-01-23 Kla- Tencor Technologies Corporation Visualization of photomask databases
US6976426B2 (en) * 2002-04-09 2005-12-20 Day International, Inc. Image replication element and method and system for producing the same
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
US6728023B1 (en) * 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US7023528B2 (en) * 2002-06-10 2006-04-04 International Business Machines Corporation Hybrid electronic mask
AUPS328402A0 (en) * 2002-06-28 2002-07-18 Australian Photonics Pty Limited Writing of photo-induced structures
JP2005533283A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定のマスク書込のための方法及びシステム
JP2006502422A (ja) * 2002-07-12 2006-01-19 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定型のマスク検査のための方法及びシステム
US7302672B2 (en) * 2002-07-12 2007-11-27 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
WO2004017069A1 (ja) * 2002-08-16 2004-02-26 Kabushiki Kaisha Hayashi Soken バイオチップ分析装置およびオンライン分析システム
US6818910B2 (en) * 2002-08-23 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Writing methodology to reduce write time, and system for performing same
KR101087862B1 (ko) * 2002-08-24 2011-11-30 매스크리스 리소그래피 인코퍼레이티드 연속적인 직접-기록 광 리쏘그래피 장치 및 방법
EP2302457B1 (en) 2002-10-25 2016-03-30 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system
US7098468B2 (en) * 2002-11-07 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Raster frame beam system for electron beam lithography
JP2004200221A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Toray Eng Co Ltd レーザマーキング方法及び装置
US7171068B2 (en) * 2002-12-20 2007-01-30 Texas Instruments Incorporated Method to improve an extinction ratio of an optical device
EP1583946B1 (en) * 2003-01-15 2006-11-08 Micronic Laser Systems Ab A method to detect a defective pixel
SE0300138D0 (sv) * 2003-01-22 2003-01-22 Micronic Laser Systems Ab Electromagnetic radiation pulse timing control
US6906848B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-14 Exajoule, Llc Micromirror systems with concealed multi-piece hinge structures
SE0300516D0 (sv) * 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
US20060104413A1 (en) * 2003-03-05 2006-05-18 Tadahiro Ohmi Mask repeater and mask manufacturing method
EP1662552A1 (en) * 2003-04-11 2006-05-31 Ball Semiconductor Inc. Pattern plotting device and pattern plotting method
JP4314054B2 (ja) * 2003-04-15 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US6956692B2 (en) * 2003-04-24 2005-10-18 Micronic Laser Systems, Ab Method and apparatus for controlling exposure of a surface of a substrate
JP2004341160A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Seiko Epson Corp 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム
TWI304522B (en) * 2003-05-28 2008-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method
US6989920B2 (en) 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
US20040239901A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4486323B2 (ja) * 2003-06-10 2010-06-23 富士フイルム株式会社 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
WO2004111701A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Micronic Laser Systems Ab Method for high precision printing of patterns
US6833854B1 (en) * 2003-06-12 2004-12-21 Micronic Laser Systems Ab Method for high precision printing of patterns
EP1489449A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Spatial light modulator
SG110099A1 (en) * 2003-06-24 2005-04-28 Asml Holding Nv Projection optical system for maskless lithography
US7110082B2 (en) * 2003-06-24 2006-09-19 Asml Holding N.V. Optical system for maskless lithography
EP1491966A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic apparatus
SG119224A1 (en) * 2003-06-26 2006-02-28 Asml Netherlands Bv Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158215B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-02 Asml Holding N.V. Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays
US7024638B2 (en) * 2003-07-14 2006-04-04 Cadence Design Systems, Inc. Method for creating patterns for producing integrated circuits
US7224504B2 (en) 2003-07-30 2007-05-29 Asml Holding N. V. Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use
US6831768B1 (en) 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
US7186486B2 (en) * 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
KR101080545B1 (ko) * 2003-08-04 2011-11-04 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 공간 광 변조기 정렬 방법
US7315294B2 (en) * 2003-08-25 2008-01-01 Texas Instruments Incorporated Deinterleaving transpose circuits in digital display systems
US6972843B2 (en) * 2003-08-25 2005-12-06 Intel Corporation Lithography alignment
WO2005022263A2 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Control circuit and method for forming optical images
US7714983B2 (en) * 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2007506136A (ja) * 2003-09-22 2007-03-15 オーボテック リミテッド カラーフィルタの直接描画システム及び直接描画方法
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7023526B2 (en) 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US6876440B1 (en) 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
CN101419411B (zh) * 2003-10-07 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于平板印刷仿真的系统和方法
US7109498B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US6894765B2 (en) * 2003-10-14 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
US8157389B2 (en) * 2003-11-01 2012-04-17 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Synchronous control system for light source and spatial light modulator employed in projection apparatus
DE10352040A1 (de) * 2003-11-07 2005-07-21 Carl Zeiss Sms Gmbh In Lage, Form und/oder den optischen Eigenschaften veränderbare Blenden-und/oder Filteranordnung für optische Geräte, insbesondere Mikroskope
US7196772B2 (en) * 2003-11-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116398B2 (en) * 2003-11-07 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7842926B2 (en) 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
JP2007517239A (ja) 2003-11-12 2007-06-28 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット Ｓｌｍスタンプ像の欠陥を修正する方法及び装置
US7001232B2 (en) * 2003-12-11 2006-02-21 Montgomery Robert E Personal watercraft air intake assembly
KR100797433B1 (ko) * 2003-12-11 2008-01-23 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 워크피스를 패터닝하기 위한 방법과 장치 및 그 제조 방법
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7184184B2 (en) * 2003-12-31 2007-02-27 Reliant Technologies, Inc. High speed, high efficiency optical pattern generator using rotating optical elements
US7012674B2 (en) * 2004-01-13 2006-03-14 Asml Holding N.V. Maskless optical writer
US6847461B1 (en) * 2004-01-29 2005-01-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4083751B2 (ja) * 2004-01-29 2008-04-30 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法
TWI412067B (zh) * 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US8537204B2 (en) * 2004-07-08 2013-09-17 Gyoung Il Cho 3D television broadcasting system
US7474454B2 (en) * 2004-06-18 2009-01-06 Angstrom, Inc. Programmable micromirror motion control system
US7580178B2 (en) * 2004-02-13 2009-08-25 Angstrom, Inc. Image-guided microsurgery system and method
US7382516B2 (en) * 2004-06-18 2008-06-03 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror with multi-level positions
US7330297B2 (en) * 2005-03-04 2008-02-12 Angstrom, Inc Fine control of rotation and translation of discretely controlled micromirror
US7898144B2 (en) * 2006-02-04 2011-03-01 Angstrom, Inc. Multi-step microactuator providing multi-step displacement to a controlled object
US7751694B2 (en) * 2004-02-13 2010-07-06 Angstrom, Inc. Three-dimensional endoscope imaging and display system
US7350922B2 (en) * 2004-02-13 2008-04-01 Angstrom, Inc. Three-dimensional display using variable focal length micromirror array lens
US7333260B2 (en) * 2004-08-09 2008-02-19 Stereo Display, Inc. Two-dimensional image projection system
US7190434B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133118B2 (en) * 2004-02-18 2006-11-07 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522671A (ja) * 2004-02-25 2007-08-09 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法
US7081947B2 (en) * 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016014B2 (en) * 2004-02-27 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7094506B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-22 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43515E1 (en) 2004-03-09 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6999224B2 (en) * 2004-03-10 2006-02-14 Reflectivity, Inc Micromirror modulation method and digital apparatus with improved grayscale
US7768571B2 (en) * 2004-03-22 2010-08-03 Angstrom, Inc. Optical tracking system using variable focal length lens
US7410266B2 (en) * 2004-03-22 2008-08-12 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system for robot vision
US7339746B2 (en) * 2004-03-22 2008-03-04 Angstrom, Inc. Small and fast zoom system using micromirror array lens
EP1739482A4 (en) * 2004-03-24 2009-03-25 Fujifilm Corp PICTURE GENERATION PROCESS, LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE AND LITHOGRAPHIC PROCESS
JP4541010B2 (ja) * 2004-03-25 2010-09-08 財団法人国際科学振興財団 パターン露光装置および二次元光像発生装置
US7561251B2 (en) 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8064040B2 (en) * 2004-03-30 2011-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography
US7053981B2 (en) * 2004-03-31 2006-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
US8049776B2 (en) * 2004-04-12 2011-11-01 Angstrom, Inc. Three-dimensional camcorder
US7619614B2 (en) * 2004-04-12 2009-11-17 Angstrom, Inc. Three-dimensional optical mouse system
US20070115261A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Stereo Display, Inc. Virtual Keyboard input system using three-dimensional motion detection by variable focal length lens
US7742232B2 (en) * 2004-04-12 2010-06-22 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system
US20070040924A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Stereo Display, Inc. Cellular phone camera with three-dimensional imaging function
US8057963B2 (en) * 2004-06-10 2011-11-15 Lsi Corporation Maskless vortex phase shift optical direct write lithography
US7002666B2 (en) * 2004-04-16 2006-02-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005311145A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、パターン形成装置および位置合わせ方法
US7372547B2 (en) * 2004-04-27 2008-05-13 Lsi Corporation Process and apparatus for achieving single exposure pattern transfer using maskless optical direct write lithography
US6963434B1 (en) * 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US20050243295A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
WO2005111920A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Silverbrook Research Pty Ltd Authentication of an object using a signature encoded in a number of data portions
EP2246741A1 (en) * 2004-05-19 2010-11-03 Fujifilm Corporation Image recording method
US20050259269A1 (en) 2004-05-19 2005-11-24 Asml Holding N.V. Shearing interferometer with dynamic pupil fill
US7242456B2 (en) 2004-05-26 2007-07-10 Asml Holdings N.V. System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions
US7354167B2 (en) 2004-05-27 2008-04-08 Angstrom, Inc. Beam focusing and scanning system using micromirror array lens
US7777959B2 (en) * 2004-05-27 2010-08-17 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with fixed focal length
US7667896B2 (en) 2004-05-27 2010-02-23 Angstrom, Inc. DVD recording and reproducing system
US7477403B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US6989886B2 (en) * 2004-06-08 2006-01-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7345806B2 (en) * 2004-06-23 2008-03-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for characterizing microelectromechanical devices on wafers
CA2578203C (en) 2004-06-23 2014-03-11 Quin Media Arts And Sciences Inc. Sculptural imaging with optical tiles
US7016016B2 (en) * 2004-06-25 2006-03-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
US7573574B2 (en) * 2004-07-13 2009-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060012779A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7335398B2 (en) * 2004-07-26 2008-02-26 Asml Holding N.V. Method to modify the spatial response of a pattern generator
US7227613B2 (en) * 2004-07-26 2007-06-05 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus having double telecentric illumination
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7142286B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7538855B2 (en) * 2004-08-10 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102733B2 (en) 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7500218B2 (en) * 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7304718B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006021406A2 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Micronic Laser Systems Ab Pupil improvement of incoherent imaging systems for enhanced cd linearity
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4750396B2 (ja) * 2004-09-27 2011-08-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7588868B2 (en) * 2004-10-06 2009-09-15 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements
US7177012B2 (en) * 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7136210B2 (en) * 2004-10-21 2006-11-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator
JP2006128194A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7388663B2 (en) 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7423732B2 (en) * 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7457547B2 (en) * 2004-11-08 2008-11-25 Optium Australia Pty Limited Optical calibration system and method
US7489434B2 (en) 2007-05-02 2009-02-10 Angstrom, Inc. Hybrid micromirror array lens for reducing chromatic aberration
US7619807B2 (en) * 2004-11-08 2009-11-17 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with optical surface profiles
US7609362B2 (en) * 2004-11-08 2009-10-27 Asml Netherlands B.V. Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170584B2 (en) * 2004-11-17 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7061581B1 (en) * 2004-11-22 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7643192B2 (en) * 2004-11-24 2010-01-05 Asml Holding N.V. Pattern generator using a dual phase step element and method of using same
US7713667B2 (en) * 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365848B2 (en) * 2004-12-01 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers
US7391499B2 (en) * 2004-12-02 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7362415B2 (en) * 2004-12-07 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355677B2 (en) * 2004-12-09 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus
US7349068B2 (en) * 2004-12-17 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7202939B2 (en) * 2004-12-22 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7391676B2 (en) 2004-12-22 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Ultrasonic distance sensors
US7274502B2 (en) * 2004-12-22 2007-09-25 Asml Holding N.V. System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks
US7230677B2 (en) * 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US7375795B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7256867B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7538857B2 (en) * 2004-12-23 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7656506B2 (en) * 2004-12-23 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7426076B2 (en) * 2004-12-23 2008-09-16 Asml Holding N.V. Projection system for a lithographic apparatus
US7242458B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317510B2 (en) * 2004-12-27 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7279110B2 (en) * 2004-12-27 2007-10-09 Asml Holding N.V. Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
US7459247B2 (en) * 2004-12-27 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US7274029B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7756660B2 (en) * 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145636B2 (en) * 2004-12-28 2006-12-05 Asml Netherlands Bv System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications
US7253881B2 (en) * 2004-12-29 2007-08-07 Asml Netherlands Bv Methods and systems for lithographic gray scaling
US7342644B2 (en) * 2004-12-29 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for lithographic beam generation
US7453645B2 (en) * 2004-12-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7567368B2 (en) * 2005-01-06 2009-07-28 Asml Holding N.V. Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography
JP4758443B2 (ja) * 2005-01-28 2011-08-31 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 大域的最適化に基づくマスクレスリソグラフィ・ラスタライゼーション技術の方法、装置およびコンピュータ読取可能媒体
US7542013B2 (en) * 2005-01-31 2009-06-02 Asml Holding N.V. System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode
US7460208B2 (en) * 2005-02-18 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7286137B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-23 Asml Holding N.V. Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization
US20060198011A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 Stereo Display, Inc. Volumetric three-dimensional device using two-dimensional scanning device
US20060204859A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 International Business Machines Corporation An extra dose trim mask, method of manufacture, and lithographic process using the same
US20060203117A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Stereo Display, Inc. Video monitoring system using variable focal length lens
US7499146B2 (en) * 2005-03-14 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping
US7812930B2 (en) * 2005-03-21 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume
US7209216B2 (en) * 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
US7403265B2 (en) 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
US7728956B2 (en) * 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
US7456935B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table
TWI427440B (zh) * 2005-04-06 2014-02-21 Kodak Graphic Comm Canada Co 用於校正影像化規則圖案的條帶之方法與裝置
JP4691653B2 (ja) * 2005-04-07 2011-06-01 国立大学法人東北大学 データ生成方法、データ生成装置、及びプログラム
US7209217B2 (en) 2005-04-08 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices
US7330239B2 (en) 2005-04-08 2008-02-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device
JP2008536331A (ja) * 2005-04-15 2008-09-04 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 複数の露光ビームによるリソグラフィ・ツールのための方法
CN101203808A (zh) * 2005-04-15 2008-06-18 麦克罗尼克激光系统公司 图像增强技术
US7221514B2 (en) * 2005-04-15 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Variable lens and exposure system
US20060244805A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Ming-Hsiang Yeh Multicolor pen
US7400382B2 (en) 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
US7738081B2 (en) * 2005-05-06 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler
JP4570151B2 (ja) * 2005-05-06 2010-10-27 株式会社ナノシステムソリューションズ マスク製造方法
KR100815352B1 (ko) * 2005-05-12 2008-03-19 삼성전기주식회사 후단 렌즈계의 개구수가 개선된 광변조기를 이용한디스플레이 장치
US7197828B2 (en) * 2005-05-31 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7292317B2 (en) * 2005-06-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating
US7742148B2 (en) * 2005-06-08 2010-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image
JP4828870B2 (ja) * 2005-06-09 2011-11-30 株式会社東芝 評価パタンの作成方法およびプログラム
US7233384B2 (en) * 2005-06-13 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor
US7321416B2 (en) * 2005-06-15 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion
US7408617B2 (en) * 2005-06-24 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
US7965373B2 (en) * 2005-06-28 2011-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load
US7307694B2 (en) * 2005-06-29 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method
US7522258B2 (en) * 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US7209275B2 (en) 2005-06-30 2007-04-24 Asml Holding N.V. Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation
US20070013889A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
US7251019B2 (en) * 2005-07-20 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging
US7446855B2 (en) * 2005-07-25 2008-11-04 Micron Technology, Inc Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure
US7283289B2 (en) * 2005-07-30 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projection system modulator reducing distortion and field curvature effects of projection system lens
US20070041077A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Stereo Display, Inc. Pocket-sized two-dimensional image projection system
US7606430B2 (en) * 2005-08-30 2009-10-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
JP2007114750A (ja) * 2005-09-09 2007-05-10 Asml Netherlands Bv 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法
US7650588B2 (en) * 2005-09-26 2010-01-19 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for pattern generation based on multiple forms of design data
JP5025157B2 (ja) * 2005-09-29 2012-09-12 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置および画像記録方法
JP2007101687A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 描画装置、描画方法、データ構造及び記録媒体、並びに、データ処理装置及び処理方法
JP2007101730A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 画像露光装置
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US7391503B2 (en) * 2005-10-04 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
US7492450B2 (en) * 2005-10-24 2009-02-17 General Electric Company Methods and apparatus for inspecting an object
CN100362387C (zh) * 2005-11-18 2008-01-16 重庆大学 静电简支梁式干涉光调制器
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070133007A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device
US7440078B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7528932B2 (en) * 2005-12-21 2009-05-05 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
US7466394B2 (en) * 2005-12-21 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
JP4495104B2 (ja) * 2006-03-28 2010-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 可変式照明源
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
US7508491B2 (en) * 2006-04-12 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity
US7948606B2 (en) * 2006-04-13 2011-05-24 Asml Netherlands B.V. Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
US7839487B2 (en) * 2006-04-13 2010-11-23 Asml Holding N.V. Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device
JP2007286311A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波面変換装置、および光学装置
DE102006019963B4 (de) * 2006-04-28 2023-12-07 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung
US8264667B2 (en) * 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
US9736346B2 (en) 2006-05-09 2017-08-15 Stereo Display, Inc Imaging system improving image resolution of the system with low resolution image sensor
US8934084B2 (en) * 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7728954B2 (en) * 2006-06-06 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Reflective loop system producing incoherent radiation
US8052289B2 (en) * 2006-06-07 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Mirror array for lithography
US7649676B2 (en) * 2006-06-14 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method to form unpolarized light
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US8896808B2 (en) * 2006-06-21 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
US7593094B2 (en) * 2006-06-26 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Patterning device
US20080002174A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Asml Netherlands B.V. Control system for pattern generator in maskless lithography
US7630136B2 (en) 2006-07-18 2009-12-08 Asml Holding N.V. Optical integrators for lithography systems and methods
JP5180446B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-10 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置及び露光方法
US7548315B2 (en) 2006-07-27 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system
US7738077B2 (en) * 2006-07-31 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same
US7365899B2 (en) * 2006-08-10 2008-04-29 Angstrom, Inc. Micromirror with multi-axis rotation and translation
US7626182B2 (en) * 2006-09-05 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI345748B (en) * 2006-09-05 2011-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor liquid crystal display
US7628875B2 (en) * 2006-09-12 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. MEMS device and assembly method
US8049865B2 (en) * 2006-09-18 2011-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method
US7589884B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with encapsulation of reflective metal layer and method of making the same
US7589885B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array device comprising encapsulated reflective metal layer and method of making the same
KR100816494B1 (ko) * 2006-10-09 2008-03-24 엘지전자 주식회사 마스크리스 노광기 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법
US7683300B2 (en) * 2006-10-17 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Using an interferometer as a high speed variable attenuator
US20080121939A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-29 Michael Murray Methods of automatically generating dummy fill having reduced storage size
US7453551B2 (en) * 2006-11-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity
JP4937705B2 (ja) * 2006-11-14 2012-05-23 株式会社オーク製作所 多重露光装置
US20080111977A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Asml Holding N.V. Compensation techniques for fluid and magnetic bearings
US7738079B2 (en) * 2006-11-14 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Radiation beam pulse trimming
US8054449B2 (en) * 2006-11-22 2011-11-08 Asml Holding N.V. Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool
US7488082B2 (en) 2006-12-12 2009-02-10 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror array device with segmented electrodes
US8259285B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-04 Asml Holding N.V. Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data
US7990339B2 (en) * 2006-12-27 2011-08-02 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Deformable micromirror device
US8749463B2 (en) 2007-01-19 2014-06-10 Hamamatsu Photonics K.K. Phase-modulating apparatus
CN100456141C (zh) * 2007-01-23 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 批量硅片曝光的方法
JP5211487B2 (ja) * 2007-01-25 2013-06-12 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
US7965378B2 (en) * 2007-02-20 2011-06-21 Asml Holding N.V Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography
US7705309B1 (en) * 2007-02-27 2010-04-27 Agiltron Corporation Radiation detector with extended dynamic range
US7535618B2 (en) * 2007-03-12 2009-05-19 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror device having multiple motions
US8009269B2 (en) 2007-03-14 2011-08-30 Asml Holding N.V. Optimal rasterization for maskless lithography
US8009270B2 (en) * 2007-03-22 2011-08-30 Asml Netherlands B.V. Uniform background radiation in maskless lithography
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN101669071B (zh) * 2007-04-25 2012-03-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统
CN101682958A (zh) * 2007-04-30 2010-03-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 模块化固态照明系统
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080278698A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7714986B2 (en) * 2007-05-24 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control
US20080304034A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Asml Netherlands B.V. Dose control for optical maskless lithography
KR20080109409A (ko) * 2007-06-13 2008-12-17 삼성전자주식회사 투사형 디스플레이장치 및 그에 적용된 디스플레이방법
US9505606B2 (en) * 2007-06-13 2016-11-29 Angstrom, Inc. MEMS actuator with discretely controlled multiple motions
US8189172B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system
US8692974B2 (en) * 2007-06-14 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control
TWI443472B (zh) * 2007-07-13 2014-07-01 尼康股份有限公司 Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method and element
US7605988B2 (en) * 2007-07-23 2009-10-20 Angstrom, Inc. Compact image taking lens system with a lens-surfaced prism
US7589916B2 (en) * 2007-08-10 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array with iris function
US7838178B2 (en) * 2007-08-13 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Masks for microlithography and methods of making and using such masks
DE102007038999A1 (de) * 2007-08-17 2009-02-19 Punch Graphix Prepress Germany Gmbh Verfahren zur Steigerung des Durchsatzes und zur Reduzierung der Bewegungsunschärfe
US7755121B2 (en) * 2007-08-23 2010-07-13 Aptina Imaging Corp. Imagers, apparatuses and systems utilizing pixels with improved optical resolution and methods of operating the same
CN101796460B (zh) * 2007-08-30 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
US8245162B2 (en) * 2007-09-14 2012-08-14 Abrams Daniel S Write-pattern determination for maskless lithography
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2009050976A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101644660B1 (ko) * 2007-11-06 2016-08-01 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치 및 노광 장치
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5270142B2 (ja) 2007-12-05 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 反射型空間光変調素子
JP5063320B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
WO2009078223A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2388650B1 (en) 2007-12-21 2013-11-20 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
WO2009080310A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US20090185067A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-23 Stereo Display, Inc. Compact automatic focusing camera
US8247999B2 (en) 2008-01-22 2012-08-21 Alcatel Lucent Time division multiplexing a DC-to-DC voltage converter
US8129669B2 (en) 2008-01-22 2012-03-06 Alcatel Lucent System and method generating multi-color light for image display having a controller for temporally interleaving the first and second time intervals of directed first and second light beams
US8109638B2 (en) * 2008-01-22 2012-02-07 Alcatel Lucent Diffuser configuration for an image projector
GB0802944D0 (en) * 2008-02-19 2008-03-26 Rumsby Philip T Apparatus for laser processing the opposite sides of thin panels
US8810908B2 (en) * 2008-03-18 2014-08-19 Stereo Display, Inc. Binoculars with micromirror array lenses
KR101657053B1 (ko) * 2008-04-24 2016-09-13 마이크로닉 마이데이타 에이비 구조화된 거울 표면을 가진 공간적 광 조절기
US20090303569A1 (en) * 2008-05-20 2009-12-10 Stereo Didplay, Inc. Self-tilted micromirror device
US8622557B2 (en) * 2008-05-20 2014-01-07 Stereo Display, Inc. Micromirror array lens with self-tilted micromirrors
US8300263B2 (en) * 2008-06-06 2012-10-30 Eastman Kodak Company Forming images with minimum feature sizes
US7971961B2 (en) * 2008-06-06 2011-07-05 Eastman Kodak Company Forming images with stitched swaths
US20100020331A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Micronic Laser Systems Ab Laser interferometer systems and methods with suppressed error and pattern generators having the same
JP5253037B2 (ja) * 2008-08-18 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US8867113B2 (en) * 2008-08-26 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device and laser processing method
JPWO2010024106A1 (ja) 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101560617B1 (ko) * 2008-09-10 2015-10-16 삼성전자주식회사 광 발생 장치 및 그 제어 방법
DE102008048660B4 (de) * 2008-09-22 2015-06-18 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Strukturen auf Photolithographiemasken
US8390786B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8395752B2 (en) 2008-09-23 2013-03-12 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8253923B1 (en) 2008-09-23 2012-08-28 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8670106B2 (en) * 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US8390781B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
NL2003364A (en) * 2008-09-26 2010-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
US8048359B2 (en) * 2008-10-20 2011-11-01 3D Systems, Inc. Compensation of actinic radiation intensity profiles for three-dimensional modelers
NL2003449A (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Asml Netherlands Bv Fly's eye integrator, illuminator, lithographic apparatus and method.
DE102009020320A1 (de) * 2008-11-19 2010-05-20 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Steigerung der Auflösung und/oder der Geschwindigkeit von Belichtungssystemen
DE102008054844B4 (de) * 2008-12-17 2010-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren
EP2202580B1 (en) * 2008-12-23 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US8531755B2 (en) * 2009-02-16 2013-09-10 Micronic Laser Systems Ab SLM device and method combining multiple mirrors for high-power delivery
JP5209544B2 (ja) * 2009-03-04 2013-06-12 大日本スクリーン製造株式会社 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
RU2473936C2 (ru) * 2009-04-02 2013-01-27 Аслан Хаджимуратович Абдуев Экран и оптический коммутатор
US8610986B2 (en) * 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
US8226241B2 (en) 2009-05-15 2012-07-24 Alcatel Lucent Image projector employing a speckle-reducing laser source
EP3144955A1 (en) * 2009-05-20 2017-03-22 Mapper Lithography IP B.V. Method for exposing a wafer
US8434887B2 (en) 2009-08-27 2013-05-07 Dolby Laboratories Licensing Corporation Optical mixing and shaping system for display backlights and displays incorporating the same
CN102598310A (zh) * 2009-09-18 2012-07-18 应用材料公司 背接触太阳能电池中的通孔的激光钻孔
JP5393406B2 (ja) * 2009-11-06 2014-01-22 オリンパス株式会社 パターン投影装置、走査型共焦点顕微鏡、及びパターン照射方法
US9511448B2 (en) * 2009-12-30 2016-12-06 Resonetics, LLC Laser machining system and method for machining three-dimensional objects from a plurality of directions
JP5481400B2 (ja) * 2010-01-15 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ マイクロミラーデバイスの選別方法、マイクロミラーデバイス選別装置およびマスクレス露光装置
JP5446930B2 (ja) 2010-01-27 2014-03-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 インクジェットインキ受容層形成用コート剤、それを用いた記録媒体及び印刷物
KR101653213B1 (ko) * 2010-02-19 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 디지털 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 디지털 노광 장치
US8539395B2 (en) 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
JP2011199279A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Ims Nanofabrication Ag ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
WO2012013227A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror device
JP5811362B2 (ja) * 2010-09-27 2015-11-11 株式会社ニコン 露光用パターンの生成方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8413084B2 (en) 2010-10-04 2013-04-02 International Business Machines Corporation Photomask throughput by reducing exposure shot count for non-critical elements
WO2012076629A2 (en) * 2010-12-07 2012-06-14 Micronic Mydata AB Criss-cross writing strategy
JP5880443B2 (ja) * 2010-12-13 2016-03-09 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US8492074B2 (en) * 2011-01-05 2013-07-23 Laurie A. Bryant Method of improving print performance in flexographic printing plates
WO2012150263A1 (en) * 2011-05-03 2012-11-08 Stichting Dutch Polymer Institute Method for controlling deposition
JP5346356B2 (ja) * 2011-05-30 2013-11-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5722136B2 (ja) * 2011-06-30 2015-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン描画装置およびパターン描画方法
EP2732341B1 (en) * 2011-07-11 2016-11-30 Mapper Lithography IP B.V. Lithography system and method for storing positional data of a target
US8653454B2 (en) 2011-07-13 2014-02-18 Luminescent Technologies, Inc. Electron-beam image reconstruction
US10317346B2 (en) 2011-09-02 2019-06-11 Nikon Corporation Method and device for inspecting spatial light modulator, and exposure method and device
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
JP2013193110A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5952391B2 (ja) 2012-04-23 2016-07-13 キヤノン電子株式会社 光走査装置及び画像読取装置
DE102012207220A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks mit Laserstrahlung
US10149390B2 (en) 2012-08-27 2018-12-04 Mycronic AB Maskless writing of a workpiece using a plurality of exposures having different focal planes using multiple DMDs
US9261793B2 (en) 2012-09-14 2016-02-16 Globalfoundries Inc. Image optimization using pupil filters in projecting printing systems with fixed or restricted illumination angular distribution
CN102914949B (zh) * 2012-09-17 2015-12-09 天津芯硕精密机械有限公司 一种用于扫描式无掩膜光刻机倾斜slm曝光的数据处理方法
JP2014066954A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、および、描画方法
EP2926197A4 (en) * 2012-10-29 2016-09-07 Univ Northwestern PROJECTED AND HEAT-ACTIVATED LITHOGRAPHY SYSTEMS AND METHODS
RU2515672C1 (ru) * 2012-12-18 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (НИУ ИТМО) Способ изготовления микрооптического растра
KR101984898B1 (ko) 2012-12-27 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치
EP2757571B1 (en) * 2013-01-17 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus
KR102112751B1 (ko) * 2013-02-01 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치
KR102253995B1 (ko) 2013-03-12 2021-05-18 마이크로닉 아베 기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템
WO2014140047A2 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Method and device for writing photomasks with reduced mura errors
KR102171301B1 (ko) 2013-07-09 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 Dmd를 이용한 디지털 노광기 및 그 제어 방법
JP2015023286A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2830083B1 (en) 2013-07-25 2016-05-04 IMS Nanofabrication AG Method for charged-particle multi-beam exposure
CN103424996B (zh) * 2013-09-03 2016-03-02 苏州大学 一种光学加工系统和方法
CN110286484A (zh) * 2013-10-20 2019-09-27 Mtt创新公司 光场投影装置及方法
EP2871525A3 (de) * 2013-11-08 2015-09-23 Limata GmbH Lithografiebelichtungseinrichtung zur lithographischen Belichtung durch ein- oder mehrstufige Laserprojektionseinheiten mit einer oder mehreren Wellenlängen
US9735067B2 (en) * 2013-11-27 2017-08-15 Tokyo Electron Limited Substrate tuning system and method using optical projection
US9645391B2 (en) * 2013-11-27 2017-05-09 Tokyo Electron Limited Substrate tuning system and method using optical projection
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
JP2015184480A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 古河電気工業株式会社 光信号選択装置および光信号選択装置の制御方法
EP2927948A1 (en) * 2014-04-04 2015-10-07 Nordson Corporation X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers
CN103926803B (zh) * 2014-04-21 2016-03-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机照明光源的描述方法
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
EP2944413A1 (de) * 2014-05-12 2015-11-18 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen
EP3143763B8 (en) 2014-05-15 2023-12-27 MTT Innovation Incorporated Light projector and method for displaying an image
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6892214B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-23 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
KR20160046016A (ko) * 2014-10-17 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
JP6474995B2 (ja) 2014-11-11 2019-02-27 ローランドディー．ジー．株式会社 スライスデータ作成装置、スライスデータ作成方法、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体
DE102015201140A1 (de) * 2015-01-23 2016-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bearbeitungskopf für die Materialbearbeitung
JP6513980B2 (ja) * 2015-03-16 2019-05-15 株式会社東芝 撮像装置及び撮像方法
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
JP6593623B2 (ja) * 2015-03-30 2019-10-23 株式会社ニコン 空間光変調器の設定方法、駆動データの作成方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
DE102015217523B4 (de) 2015-04-28 2022-03-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur lokal definierten Bearbeitung an Oberflächen von Werkstücken mittels Laserlicht
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
DE102016204703B4 (de) 2016-03-22 2022-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines optischen Musters aus Bildpunkten in einer Bildebene
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
JP6818393B2 (ja) * 2016-09-01 2021-01-20 株式会社オーク製作所 露光装置
US10799998B2 (en) * 2016-10-17 2020-10-13 Virtek Vision International Ulc Laser projector with flash alignment
AU2017387099B2 (en) * 2016-12-27 2023-02-02 DePuy Synthes Products, Inc. Systems, methods, and devices for providing illumination in an endoscopic imaging environment
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
EP3598236A4 (en) * 2017-03-16 2021-01-20 Nikon Corporation CONTROL DEVICE AND CONTROL PROCESS, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE PROCESS, DEVICE MANUFACTURING PROCESS, DATA PRODUCTION PROCESS AND PROGRAM
GB2560584B (en) * 2017-03-17 2021-05-19 Optalysys Ltd Optical processing systems
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
CN109426091B (zh) * 2017-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置、曝光方法及光刻方法
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
CN107728312A (zh) 2017-10-24 2018-02-23 上海天马微电子有限公司 一种空间光调制器及显示装置
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
JP7260959B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-19 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法
US10983444B2 (en) * 2018-04-26 2021-04-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods of using solid state emitter arrays
US10761430B2 (en) 2018-09-13 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast
JP7283893B2 (ja) * 2018-12-03 2023-05-30 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスクの製造方法
US11679555B2 (en) 2019-02-21 2023-06-20 Sprintray, Inc. Reservoir with substrate assembly for reducing separation forces in three-dimensional printing
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
DE102019115554A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 Bystronic Laser Ag Bearbeitungsvorrichtung zur Laserbearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Laserbearbeitung eines Werkstücks
CN110456609B (zh) * 2019-08-09 2021-04-09 中国科学院光电技术研究所 一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法
CN113050381B (zh) * 2019-12-27 2022-04-26 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种拼接物镜的剂量控制装置、方法和曝光设备
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스
PL4048472T3 (pl) 2020-08-14 2024-08-19 Ceramic Data Solutions GmbH Sposób i urządzenie do szybkiego rejestrowania danych na warstwie lub w warstwie (10) pierwszego materiału za pomocą lasera, galwanometru i mikrozwierciadła cyfrowego
SE545314C2 (en) * 2021-03-30 2023-06-27 Sense Range Ab Method and apparatus for laser beam mudulation and beam steering
DE102021108339B4 (de) 2021-04-01 2023-12-07 Hochschule Anhalt, Körperschaft des öffentlichen Rechts Lichtfeld-Display, Verfahren, Computerprogramm und Vorrichtung zum Kalibrieren eines solchen Lichtfeld-Displays
EP4095882A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 IMS Nanofabrication GmbH Pattern data processing for programmable direct-write apparatus
CN113210873B (zh) * 2021-06-03 2022-04-05 北京理工大学 一种基于电子动态调控的金属纳米网的制备方法
DE102023101782B3 (de) 2023-01-25 2024-06-13 Leica Microsystems Cms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines zusammengesetzten Bildes einer Probe

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2030468A5 (ja) * 1969-01-29 1970-11-13 Thomson Brandt Csf
US3896338A (en) * 1973-11-01 1975-07-22 Westinghouse Electric Corp Color video display system comprising electrostatically deflectable light valves
US4317611A (en) * 1980-05-19 1982-03-02 International Business Machines Corporation Optical ray deflection apparatus
US4467211A (en) * 1981-04-16 1984-08-21 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system
US4430571A (en) * 1981-04-16 1984-02-07 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system
US5171965A (en) * 1984-02-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) * 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4675702A (en) 1986-03-14 1987-06-23 Gerber Scientific Inc. Photoplotter using a light valve device and process for exposing graphics
JPS6370423A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
JPH01154519A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US6348907B1 (en) * 1989-08-22 2002-02-19 Lawson A. Wood Display apparatus with digital micromirror device
JP2938568B2 (ja) * 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5073010A (en) * 1990-05-11 1991-12-17 University Of Colorado Foundation, Inc. Optically addressable spatial light modulator having a distorted helix ferroelectric liquid crystal member
JPH0423314A (ja) * 1990-05-15 1992-01-27 Kawasaki Steel Corp 露光装置
DE4022732A1 (de) 1990-07-17 1992-02-20 Micronic Laser Systems Ab Auf einem lichtempfindlich beschichteten substrat durch fokussierte laserstrahlung hergestellte struktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
JP2902506B2 (ja) * 1990-08-24 1999-06-07 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US5148157A (en) 1990-09-28 1992-09-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with full complex light modulation capability
JPH0536595A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Fujitsu Ltd 電子線露光方法
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
WO1993009469A1 (de) 1991-10-30 1993-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Belichtungsvorrichtung
DE69226511T2 (de) * 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab, Taeby Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
EP0664033B1 (en) * 1992-11-02 2002-02-06 Etec Systems, Inc. Rasterizer for a pattern generation apparatus
JP3296448B2 (ja) * 1993-03-15 2002-07-02 株式会社ニコン 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法
JP3372086B2 (ja) * 1993-08-06 2003-01-27 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法
EP0657760A1 (en) 1993-09-15 1995-06-14 Texas Instruments Incorporated Image simulation and projection system
US5467146A (en) * 1994-03-31 1995-11-14 Texas Instruments Incorporated Illumination control unit for display system with spatial light modulator
US5497258A (en) * 1994-05-27 1996-03-05 The Regents Of The University Of Colorado Spatial light modulator including a VLSI chip and using solder for horizontal and vertical component positioning
US5539567A (en) * 1994-06-16 1996-07-23 Texas Instruments Incorporated Photolithographic technique and illuminator using real-time addressable phase shift light shift
US5504504A (en) 1994-07-13 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method of reducing the visual impact of defects present in a spatial light modulator display
ATE349024T1 (de) * 1994-08-04 2007-01-15 Texas Instruments Inc Anzeigevorrichtung
US5614990A (en) 1994-08-31 1997-03-25 International Business Machines Corporation Illumination tailoring system using photochromic filter
JP3537192B2 (ja) * 1994-09-14 2004-06-14 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 空間光変調器に基づく位相コントラスト画像投射装置
JP3335011B2 (ja) * 1994-09-16 2002-10-15 富士通株式会社 マスク及びこれを用いる荷電粒子ビーム露光方法
US5754217A (en) * 1995-04-19 1998-05-19 Texas Instruments Incorporated Printing system and method using a staggered array spatial light modulator having masked mirror elements
JPH08304924A (ja) * 1995-05-10 1996-11-22 Nikon Corp プロジェクター装置
US5835256A (en) 1995-06-19 1998-11-10 Reflectivity, Inc. Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
US5661591A (en) * 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
JP3617558B2 (ja) * 1995-11-17 2005-02-09 株式会社ニコン 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法
JPH09148221A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Seiko Epson Corp 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル
JP3884098B2 (ja) * 1996-03-22 2007-02-21 株式会社東芝 露光装置および露光方法
JPH1050604A (ja) * 1996-04-04 1998-02-20 Nikon Corp 位置管理方法及び位置合わせ方法
JP3512945B2 (ja) * 1996-04-26 2004-03-31 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
US5691541A (en) * 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
US5870176A (en) * 1996-06-19 1999-02-09 Sandia Corporation Maskless lithography
JPH1011813A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Nec Corp 露光方法及び露光装置
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
WO1998004950A1 (en) * 1996-07-25 1998-02-05 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JPH10209019A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Sony Corp 露光パターン投影デバイス及び露光装置
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
US5790297A (en) * 1997-06-26 1998-08-04 Xerox Corporation Optical row displacement for a fault tolerant projective display
US5774254A (en) * 1997-06-26 1998-06-30 Xerox Corporation Fault tolerant light modulator display system
DE69835776T2 (de) 1997-10-29 2007-08-30 E. Calum Vancouver MacAulay Gerät und Verfahren zur Mikroskopie unter Verwendung räumlich modulierten Lichtes
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6142641A (en) * 1998-06-18 2000-11-07 Ultratech Stepper, Inc. Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system
US6489984B1 (en) 1998-12-29 2002-12-03 Kenneth C. Johnson Pixel cross talk suppression in digital microprinters
US6498685B1 (en) 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
SE516914C2 (sv) 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
SE517550C2 (sv) * 2000-04-17 2002-06-18 Micronic Laser Systems Ab Mönstergenereringssystem användande en spatialljusmodulator
US6425669B1 (en) * 2000-05-24 2002-07-30 Ball Semiconductor, Inc. Maskless exposure system

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008098666A (ja) * 2003-05-16 2008-04-24 Asml Holding Nv リソグラフィックマスクレイアウトを形成するための方法及びリソグラフィックマスクレイアウトを形成するための装置及びリソグラフィックマスクレイアウトを形成する方法を実行する１つ以上のプロセッサによる実行のための１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを収容するコンピュータリーダブル媒体
US7589819B2 (en) 2003-05-16 2009-09-15 Asml Holding N.V. Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems
US7385677B2 (en) 2003-06-20 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that limits a portion of a patterning device used to pattern a beam
US7894041B2 (en) 2003-06-20 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Limiting a portion of a patterning device used to pattern a beam
US7321417B2 (en) 2003-06-30 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007503723A (ja) * 2003-08-22 2007-02-22 プレックス・エルエルシー 光学アドレス式極紫外線モジュレータ及びこのモジュレータを含むリソグラフィー装置
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7034986B2 (en) 2006-04-25
CN1292102A (zh) 2001-04-18
DE69943040D1 (de) 2011-01-27
ATE398792T1 (de) 2008-07-15
WO1999045435A1 (en) 1999-09-10
ATE309557T1 (de) 2005-11-15
EP1060442A1 (en) 2000-12-20
JP2009033190A (ja) 2009-02-12
US6285488B1 (en) 2001-09-04
EP1060443B1 (en) 2008-06-18
AU3284299A (en) 1999-09-20
US6399261B1 (en) 2002-06-04
AU2757099A (en) 1999-09-20
EP1060442B1 (en) 2008-06-11
JP2006080539A (ja) 2006-03-23
DE69943041D1 (de) 2011-01-27
EP1060441A1 (en) 2000-12-20
JP2002506234A (ja) 2002-02-26
US7365901B2 (en) 2008-04-29
EP1060439B1 (en) 2005-11-09
DE69928232T2 (de) 2006-08-03
US7800815B2 (en) 2010-09-21
DE69938921D1 (de) 2008-07-31
JP2010015176A (ja) 2010-01-21
ATE398299T1 (de) 2008-07-15
US6987599B2 (en) 2006-01-17
CN1189794C (zh) 2005-02-16
US20090147345A1 (en) 2009-06-11
EP1060443A1 (en) 2000-12-20
US20090191489A1 (en) 2009-07-30
DE69938895D1 (de) 2008-07-24
AU2755799A (en) 1999-09-20
RU2232411C2 (ru) 2004-07-10
US20030202233A1 (en) 2003-10-30
AU2755699A (en) 1999-09-20
WO1999045436A1 (en) 1999-09-10
DE69936950T2 (de) 2008-05-15
US7710634B2 (en) 2010-05-04
AU2756999A (en) 1999-09-20
JP2002506232A (ja) 2002-02-26
KR100451026B1 (ko) 2004-10-06
CN1173234C (zh) 2004-10-27
US6687041B1 (en) 2004-02-03
US7184192B2 (en) 2007-02-27
AU2755599A (en) 1999-09-20
EP1600817B1 (en) 2007-08-22
DE69928232D1 (de) 2005-12-15
KR20010052196A (ko) 2001-06-25
US20040165170A1 (en) 2004-08-26
EP1600817A1 (en) 2005-11-30
JP2002506233A (ja) 2002-02-26
JP2002506231A (ja) 2002-02-26
CN1292103A (zh) 2001-04-18
EP1060441B1 (en) 2010-12-15
EP1060439A1 (en) 2000-12-20
EP1060440B1 (en) 2010-12-15
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02
JP2002506230A (ja) 2002-02-26
ATE491971T1 (de) 2011-01-15
ATE491970T1 (de) 2011-01-15
US6747783B1 (en) 2004-06-08
US20050225836A1 (en) 2005-10-13
US6504644B1 (en) 2003-01-07
CN1550902A (zh) 2004-12-01
WO1999045441A1 (en) 1999-09-10
WO1999045438A1 (en) 1999-09-10
US7787174B2 (en) 2010-08-31
WO1999045439A1 (en) 1999-09-10
US20060103914A1 (en) 2006-05-18
US20080079922A1 (en) 2008-04-03
ES2357473T3 (es) 2011-04-26
US6428940B1 (en) 2002-08-06
KR100474121B1 (ko) 2005-05-06
DE69936950D1 (de) 2007-10-04
RU2257603C2 (ru) 2005-07-27
US7009753B2 (en) 2006-03-07
JP2010267978A (ja) 2010-11-25
JP2010016404A (ja) 2010-01-21
EP1060440A1 (en) 2000-12-20
WO1999045440A1 (en) 1999-09-10
US20060187524A1 (en) 2006-08-24
JP2002506236A (ja) 2002-02-26
US6373619B1 (en) 2002-04-16
US7957055B2 (en) 2011-06-07
AU2756899A (en) 1999-09-20
KR20010052197A (ko) 2001-06-25
US20100208327A1 (en) 2010-08-19
WO1999045437A1 (en) 1999-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002506235A (ja) アドレス・レゾリューションが改善されたパターン・ジェネレータ
JP4495898B2 (ja) 改良型パターン・ジェネレータ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081107

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090209

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091009

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20091201

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100219