JP2002506232A - Ｅｕｖを使用するパターン・ジェネレータ - Google Patents

Ｅｕｖを使用するパターン・ジェネレータ

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JP2002506232A JP2000534917A JP2000534917A JP2002506232A JP 2002506232 A JP2002506232 A JP 2002506232A JP 2000534917 A JP2000534917 A JP 2000534917A JP 2000534917 A JP2000534917 A JP 2000534917A JP 2002506232 A JP2002506232 A JP 2002506232A
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modulator
slm
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light modulator
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サンドストロム、トルブヨルン
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マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、半導体チップ上のパターンなどのような、加工品に極めて高い解像度を有するパターンを作成する装置に関する。本装置は、ＥＵＶ波長範囲の電磁放射を発する源と、多数の画素を有する空間光変調装置（ＳＬＭ）と、書き込まれるパターンのデジタル表現を受信し、そこから連続する部分的パターンを抽出し、この部分的パターンを変調装置信号に変換して、その信号を変調装置に供給する電子データ処理及び伝送システムと、前記加工品及び／又は投射系を相対的に移動させるための高精度機械システムとから構成されている。さらに、本装置は、部分的画像をつなぎ合わせて前記パターンを作成できるように、加工品の動作と、変調装置への信号の供給と、放射光の輝度を調整する電子制御システムを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、半導体装置及び表示装置用フォトマスクなどの感光面の極めて高精
度なパターン印刷に関するものである。さらに、本発明は、半導体装置パターン
、表示パネル、一体型光学装置、及び電子配線構造体の直接書込み動作に関する
ものである。さらに、セキュリティ・プリンティング（証券印刷）などの、他の
種類の高精度印刷に利用することも可能である。用語の「印刷（プリンティング
）」は、広い意味で理解すべきものであり、フォトレジストや写真用感光乳剤の
露光を意味するだけでなく、光又は熱によって活性化する融蝕又は化学処理によ
る、乾式処理紙などの他の感光媒体上での光作用も意味するものとする。本願に
おいて、光は平均的な超紫外線（ＥＵＶ）に限定されている。ＥＵＶは、本願に
おいて、１００ｎｍからその放射を光として扱うことが可能な下限までの範囲と
して定義される。ＥＵＶの通常の波長は１３ｎｍである。
【０００２】 別の意味において、本発明は、空間光変調装置と、そのような変調装置を用い
るプロジェクション・ディスプレイ及びプロジェクション・プリンタの技術なら
びに方法に関するものである。特に、本発明は、グレースケール特性、焦点や画
像の均一化による画像の安定性、及びアナログ変調技術を利用したこのような変
調装置のためのデータ処理を改善する。アナログ変調の最も重要な用途は、アド
レス・グリッド（例えば、パターンのエッジ位置を特定するような、すなわち、
空間光変調装置の画素によって生成されるグリッドよりもはるかに微細な増分）
を備えたフォトレジストのようなコントラストの強い素材への画像の生成である
。
【０００３】 （背景技術） 最新の技術では、マイクロミラー型のマイクロミラー空間光変調装置（ＳＬＭ
）の投射を用いた高精度パターン・ジェネレータの構成が周知である（ネルソン
１９８８年、クック１９９０年）。パターン・ジェネレータにおけるＳＬＭの使
用は、走査レーザ・スポットを使用する、より広く知られた方法に比べて多くの
利点がある。ＳＬＭは、大規模並列処理装置であり、１秒当たりに書き込める画
素数は極めて多い。この光学システムは、ＳＬＭの照射が非限界的であるという
点でより簡素化されているのに対し、レーザ・スキャナにおいては、ビーム路全
体が高精度で構築されなければならない。数種類のスキャナ（特に電気光学及び
音響光学スキャナ）と比較して、マイクロミラーＳＬＭが完全に反射装置である
ことから、マイクロミラーＳＬＭをより短い波長で使用することができる。
【０００４】 前記２つの引用文献において、空間光変調装置は、各画素ごとにオン／オフ変
調だけを使用している。入力データは、１ビットの深度、例えば、各画素ごとに
０及び１の値を有する画素マップに変換される。この変換は、図形プロセッサや
、エリア・フィル命令を有するカスタム論理を使用して、効果的に行なうことが
可能である。
【０００５】 同じ発明者のサンドストロン（サンドストロン他、１９９０）による先の出願
では、パターン素子の境界に中間露光指数を使用して、レーザ・スキャナで作成
された画像の該素子のエッジ位置を微調整できることが記載されている。
【０００６】 時間を変化させながらＳＬＭにより画素をオンにしたり、あるいは、同じ画素
を数回印刷することにより、画素を様々な回数オンにすることによって、好まし
くはビデオ画像の映像及び印刷用にグレースケール画像を生成することも技術上
周知である。本発明は、特に、超高精度パターンの生成を目的とする、空間光変
調装置を備えた直接グレースケール・ジェネレータ用のシステムである。好適な
実施例の重要な面は、画素単位の画像の均一性と、焦点変化時（意図的あるいは
不慮のいずれかを問わず）のＳＬＭの画素に対するフィーチャーの正確な配置に
関する独立性と安定性である。
【０００７】 特に、従来型パターン・ジェネレータでは、ＥＵＶは、照射用に使用すること
は不可能である。これは、ＥＵＶが反射レンズを必要とするためである。さらに
、ＥＵＶは、極小の波長を有していることから、極めて詳細なパターンの印刷に
使用できるものと思われるが、そのためには、極めて速いデータ転送速度を必要
とし、そのような速度は、従来技術によって実現することが不可能である。
【０００８】 マイクロリソグラフィ用光学パターン・ジェネレータは、通常、３５０〜４５
０ｎｍの波長範囲の光を使用し、限定的な光解像度を有している。深紫外線、す
なわち、２５０ｎｍ前後の波長を使用する新世代のパターン・ジェネレータが、
現在、開発中であるが、まだ市販されていない。この新世代の装置は上記光解像
度の約２倍であるが、物理的法則や適正な光学材料及び光源の利用可能性によっ
て、これ以上解像度を上げることが困難である。
【０００９】 （発明の開示） したがって、本発明は、ＥＵＶを照射に用いるパターン・ジェネレータを提供
することを目的とする。 この目的は、添付クレームに示される装置によって実現される。
【００１０】 加工品に極めて高い解像度でパターンを作成する本発明によるパターン作成装
置は、ＥＵＶ波長範囲の電磁放射を放射する源と、前記放射により照らされるよ
うにされた多数の変調素子（画素）を有する空間光変調装置と、加工品に変調装
置の画像を生成する投射系と、書き込まれるパターンのデジタル表現を受信して
、そこから連続した部分的パターンを抽出し、前記部分的パターンを変調装置信
号に変換し、前記信号を該変調装置に供給する電子データ処理及び伝送システム
と、加工品及び／又は投射系を相対的に移動させるための精密機械システムと、
加工品の移動と、前記変調装置への信号の供給と、前記放射の輝度を調整し、そ
の結果前記パターンが前記連続した部分的パターンによって作成された部分的画
像からつなぎ合わされる電子制御システムとを有する。
【００１１】 ＳＬＭを変調装置として使用することにより、ＥＵＶを使用できるようになる
。このような装置を用いると、パターン中の極小フィーチャーを書き込むことが
できるようになる。空間光変調装置に固有の特性、すなわち、光路が完全に反射
性であることと、極めて高いデータ速度を実現できることにより、ＥＵＶを使用
したパターン・ジェネレータの構成が可能になり、周知の技術よりも実質的に高
い光解像度を実現することができると同時に、実用的な書込み速度が可能になる
。光学スキャン、集束粒子ビーム、又は、Ｘ線などの周知の技術では、同じよう
な性能とスループットを同時に実現することが不可能である。
【００１２】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明は、ＳＬＭを有する標準型プロジェクション・プリンタを示す図１の一
般的配置に基づき理解できる。反射に基づく空間光変調装置は、偏向型（ネルソ
ン）と位相型（クック）の２種類に分類される。マイクロミラーを備えた一定の
例において両者の違いは小さいように見えるが、位相型ＳＬＭは、破壊的干渉に
よって特定の方向にビームを放射するのに対して、偏向型ＳＬＭでは、画素によ
って、正反射ビームが幾何学的に片側に偏向され、図１に示すように、結像レン
ズの開口部を逸脱する。最新の発明により実行される超高精度印刷の場合、クッ
クによって１９９０年に開示された位相変調システムは、偏向型よりも優れてい
る。第一に、表面の全部品（ヒンジ及び支柱も含む）が破壊的干渉に関与し、全
体的な吸光が実現可能なことから、良好なコントラストが得られる。第二に、光
を片側に偏向させることによって機能するシステムは、中間偏角地点で光軸に対
して対称性を得ることが困難であり、焦点が変化したときに、フィーチャーが不
安定になるリスクが生じる。好適な実施例では、位相型が使用されているが、非
対称の偏向型を囲むように収容あるいは設計すれば、使用することも可能である
。図４ａから図４ｇにこの状態が概略的に示されている。最初の図４ａでは、非
偏向マイクロミラー４０１が照射されており、反射光は、開口４０２の方向に向
けられず、したがって、光は、基板４０３に到達していない。一方、図４ｂでは
、ミラーが完全に偏向され、全反射光が、開口部方向に向けられる。中間の位置
では、図４ｃに示されている如く、反射光の一部だけが基板に達する。ただし、
この場合、光は、レンズ４０４の光軸に対して対称にならず、基板に斜めに入射
する。これにより、レンズと基板面との間の距離が極めて重要なものとなり、領
域の破線位置で示されるような若干の変更によって、基板上のフィーチャーが大
幅にずれることになる。この問題を解決する方法は、図４ｄから図４ｆによって
示されている。ここでは、最初の露光がマイクロミラーの第１偏角で行なわれ、
その後、好ましくは同じ光線量で、第２の露光が第１の角度の補角である第２の
偏角に対して行なわれる。これにより、第１の露光と第２の露光を組み合わせた
ものが、レンズの光軸に対して対称となる。この課題を解決する別の方法として
、図４ｇに示すような変形ミラー４０１′を使用して、反射光を開口部全面に均
一に分布させる方法がある。この最後の図では、概ね（後述する）位相型ＳＬＭ
又は偏向型ＳＬＭの２つの例を示すことができるが、その場合、光はミラーの異
なる部分から反射する。
【００１３】 位相型ＳＬＭは、ミクロ機械加工ミラー、いわゆるマイクロミラー、あるいは
、電子信号を使用して変形が可能な支持体上の連続するミラー面により形成可能
である。クックにより１９９０年に開示された発明では、静電界によって制御さ
れる粘弾性層が使用されているが、特に、数ナノメートルほどの変形で充分な極
めて短い波長に対して、電界又は、別の、電気的、電磁的、又は熱的に制御され
る反射面によって変形される圧電固体ディスクを使用することも同様に可能であ
る。本書の残りの部分では、静電気により制御可能なマイクロミラー・マトリク
ス（１次元又は２次元）が想定されているが、前記の通り、変調機構としてのＬ
ＣＤクリスタル素材又は電気光学素材に依存した透過又は反射型ＳＬＭや、圧電
又は電気歪動作を利用したミクロ機械加工型ＳＬＭなど、他の構成も可能である
。
【００１４】 本発明では、位相変調が可変であることにより、投光用レンズのひとみに達す
る光の量が可変になることを特徴とするマイクロミラーを使用することが好まし
い。図２ａから図２ｈでは、複数の素子から成るミラーをいくつか示しているが
、各ミラーの多様な部分の傾斜は重要ではない。実際に、ある素子によって光が
レンズ方向に向けられる一方で、別の素子により、光がレンズのひとみの外部に
向けられている。この機能を正しく理解する方法として、ミラーの各極小領域素
子からレンズのひとみの中心に達する複素振幅を調べ、ミラー全体の振幅を積分
する方法がある。ミラーを適正な形状にして、複素振幅の合計がゼロに近くなる
ように変形することが可能であり、これによって、レンズのひとみに達する光は
全くなくなる。これがマイクロミラーのオフ状態であり、ミラー面が平坦であっ
て複素振幅が位相を含むような緩和された状態がオン状態である。オン状態とオ
フ状態の間では、反射方向の光量が、変形に関する連続的ではあるが非線形的な
関数となる。
【００１５】 書き込まれるパターンは、通常、ガラス基板上にクロムで書かれたフォトマス
ク・パターンなどの２値パターンである。この場合、２値とは、中間領域が全く
ないことを意味しており、フォトマスク面のある一定の点は、黒（クロムで覆わ
れている）か白（クロムなし）である。このパターンは、ＳＬＭからの投影画像
によりフォトレジストで露光され、このフォトレジストが現像される。現代のレ
ジストは、コントラストが強く、このことは、露光にわずかな比率の変化が生じ
た場合に、現像剤でレジストを完全に除去したときと、ほとんど除去したときと
では、差が生じることを意味している。したがって、空間画像が白から黒へ徐々
に推移しても、フォトレジストは、通常、支持体表面に対してほとんど垂直なエ
ッジを有している。クロム・エッチングを行なった場合、さらに、コントラスト
が強くなり、その結果得られる画像は完全に２値的であり、中間領域が全くない
黒又は白のいずれかに分けられる。
【００１６】 入力データは、デジタル形式で、表面に書き込まれるパターンの幾何図形を表
している。入力データは、極小アドレス単位、例えば、１ナノメートルで与えら
れることが多いが、ＳＬＭの画素をオン又はオフのいずれかに設定した場合、は
るかにきめの粗いパターンができる。ＳＬＭの画素を画像の０．１μｍの画素に
投影する場合、１本の線は、整数個の画素分の幅（ｎ×０．１μｍ。ただし、ｎ
は整数とする）しか有することができない。最近まで０．１μｍのアドレス・グ
リッドで充分ではあったが、いわゆる光学近似補正（ＯＰＣ）の出現により、１
〜５ナノメートルのグリッドが望まれている。ＯＰＣでは、マスクの使用時に、
マスクのフィーチャーのサイズをわずかに修正して、予想される光画像誤差を補
償する。一例として、４本の平行線による０．８μｍ幅のマスクが最新の４Ｘリ
ダクション・ステッパ（半導体ウェハ用プロジェクション・プリンタ）に印刷さ
れる場合、通常、同じ幅に印刷しようとしても、０．１８７、０．２００、０．
２００、０．１８７μｍ幅の線として印刷される。このことは、画像形成のシミ
ュレーションによって予想することができ、マスクのユーザは、ＯＰＣを用いて
、マスクを補償する。したがって、０．８００μｍにする代わりに、マスクの最
初と最後の線を、４×０．２１３＝０．８５２μｍにしたいと考える。０．１μ
ｍのアドレス・グリッドでは、訂正不可能であるが、５ｎｍ又はそれよりも細い
アドレス・グリッドの場合、訂正が可能である。
【００１７】 図５では、ＳＬＭのデータを提供する方法が、フローチャートで示されている
。第１ステップのＳ１では、個別のパターン・フィールドに書き込まれるパター
ンのパターン・データを分割する。このパターン・データは、デジタル形式で受
信されることが好ましい。その後、ステップＳ２において、各フィールドがラス
タライズ（ラスター化）されることにより、異なる露光指数が割り当てられる。
次に、ステップＳ３において、これらの値を非線形的反応が得られるように修正
し、ステップＳ４で、画素単位の変形が行なわれる。最後に、画素値が駆動信号
に変換され、ＳＬＭに送信される。
【００１８】 本発明は、オフ状態とオン状態との間の中間値を使用して、きめの細かいアド
レス・グリッド（例えば、画素サイズの１／１５、１／２５、１／５０）を生成
することが好ましい。印刷されたフィーチャーは、オン状態の画素から成るが、
エッジに沿って、中間値に設定された画素が形成される。これは、オン及びオフ
電圧以外の電圧により画素を駆動することにより行なわれる。カスケード式非線
形効果がいくつか存在することから（エッジ位置と境界線上の画素の露光、露光
と変形、変形と電界）、入力データから電界への非線形的な変換が必要である。
さらに、この変換は、実証的に等時間間隔で校正される。
【００１９】 図３は、ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の
配列を示している。この図では、画素をどのように制御して、このインセット（
差込板）で反射率を生成するのか示している。明るい領域は、位相０の画素を有
しているのに対し、暗い領域は、＋９０度と−９０度の位相が交互にくる画素に
よって生成されている。明るい領域と暗い領域の間にある斜めの境界線は、中間
値の位相によって生成されている。これは、位相型ＳＬＭによってうまく配置さ
れたエッジの状態を示している。ただし、中間値を有する他の種類のＳＬＭも同
様に使用できる。中間値の位相ＳＬＭによる結像特性は複雑であり、図３でエッ
ジが移動する明確さからはほど遠い。しかしながら、本発明者による膨大な理論
に基づく計算及び実験によって、記載された効果が実際にあることが証明されて
いる。
【００２０】 （位相型ＳＬＭの設計） 従来技術で使用されているようなクローバー型ミラーは、オン状態とオフ状態
の間の中間状態にすることが可能である。しかし、積分複素振幅が偏向関数とし
て作図された場合、完全に０になることは決してなく、０の周りに複数の円を描
くことから、位相角が変化する非ゼロの最低反射率を有することが理解される。
中間状態に設定された数個の画素を有する画像を綿密に分析すると、エッジ画素
の積分位相角がゼロでない場合、最終的な画像のエッジ位置が、焦点に到るまで
安定していないことが明らかである。本発明の好適な実施例では、旋回素子を有
する新型の画素を使用している。各素子が旋回すると、片方の端部が光源方向に
移動し、もう片方の端部が別の方向を向くことから、ゼロに近い平均的位相が維
持される。さらに、このクローバー型設計には、製造中に残留内部応力が発生す
るという問題がある。この応力は、電気フィールドを利用しなくても、部分的な
変形を発生させる傾向がある。この内部変形は、製造中の不完全性によることか
ら、すべての画素で全く同様に発生するとは限らない。クローバー型設計では、
この画素ごとの相違によって、反射率の一次的偏差が生じる。旋回素子により形
成された画素セルによっても同様の結果が得られるが、さらに、二次的な効果が
発生する。したがって、映像において均一性が向上する。
【００２１】 （画像の高画質化） 旋回設計には第３の利点がある。クローバー型は、完全な吸光には至らないが
、旋回型セルは、より簡単に、完全な吸光を実現するジオメトリが得られ、ある
いは、ゼロを通過して、非ゼロのわずかな反射に戻ることもあり、その場合は逆
相になる。吸光が良好に行なわれることによって、重なり合った露光を印刷する
自由度が大きくなり、低い負の値を設計することにより、吸光に近いさらに良好
な線形性が実現できる。暗い領域において約５％の弱い露光で逆相にした印刷で
は、１５％〜３０％の高いエッジ鋭さが得られ、一定のレンズを使用して、より
小型のフィーチャーを印刷することができる。これは、半導体業界で利用されて
いる、いわゆる、減衰移相マスクによく似ている。エッジ鋭さを高める関連方法
として、フィーチャー内部の画素に低い値を設定し、エッジ付近の画素に高い値
を設定する方法がある。これにより、現在のマスクからのパターン投影や、ネル
ソン及びクックによる投影使用法では不可能な新型の画像高画質化が実現できる
。背景に非ゼロの負の振幅を使用しエッジに沿って露光を強くすることは、エッ
ジ画素を中間値にして微細なアドレス・グリッドを生成することと矛盾しない。
これは、それぞれの効果が付加的、あるいは、少なくとも計算可能なことによる
ものである。また、画素が印刷されるフィーチャーよりも実質的に小さい場合、
すべての効果が同時に得られるような画素値の組み合わせがある。これらの画素
を検出するためには、微細なアドレス・グリッドを作成するだけでなく、さらに
、コンピュータ計算が必要になるが、本発明の一部の利用法においては、より小
さいフィーチャーの印刷ができれば、多大な努力に見合うだけの高い値が得られ
る。
【００２２】 粘弾性層上の連続したミラーの場合、ゼロに対する平均的位相の固有平衡が存
在する。シミュレーションにより、フィーチャー・エッジの微細な位置決めに中
間値を当てはめることにより、連続したミラーが形成されることが示されている
。非線形性は、マイクロミラーを使用したときよりも低い。しかし、充分に機能
する方法にとって、最小のフィーチャーは、マイクロミラーを使用したときより
も大きくなければならず、すなわち、分解された１フィーチャー素子当たりのア
ドレス指定された画素の数をより多く持つことが必要とされる。その結果、ＳＬ
Ｍ装置は大型となり、一定のパターンに対するデータ量が大きくなる。したがっ
て、第１及び第２実施例において、マイクロミラーが選択されている。
【００２３】 本発明では、投光用レンズのひとみに対称的な照射が得られることと、画像が
回転に対して反応しないという２つの理由から、回転対称性変形（少なくとも、
２面の対称性であり、好適な実施例では、４面の対称性）が施された画素が使用
されている。後者の理由は、半導体ウェハ上のランダムな論理パターンを印刷す
るうえで重要である。ｘ‐ｙ軸に対して非対称性が存在すれば、ｘ軸に沿って配
置された各トランジスタは、ｙ軸に沿って配置されたものと異なった遅延を伴う
。そのような回路は誤作動することがあり、又は、より遅いクロック速度でしか
使用できなくなる。ｘとｙとの間の焦点及び対称性による画像の不変性に関する
この２つの要件により、光学システムで対称性を生成及び維持することが極めて
重要になる。対称性は、もともと備えていてもよく、あるいは、相補的非対称性
を有する複数の露光を使用するなど、非対称性を意図的に均衡化することによっ
て生成されてもよい。ただし、複数の露光は、スループットの低下につながるこ
とから、初めから対称的なレイアウトを有していることが極めて好ましい。
【００２４】 （好適な実施例） 第１の好適な実施例は、２０４８×５１２マイクロミラーから成るＳＬＭを使
用したフォトマスクの深紫外線パターン・ジェネレータである。光源は、２４８
ナノメートルのパルス出力と、約１０ｎｓのパルス長と、５００Ｈｚの反復度を
有するＫｒＦエキシマ・レーザである。また、ＳＬＭは、９０％を上回る光を反
射するアルミニウム面を有している。ＳＬＭは、ビーム・スクランブリング・イ
ルミネータを通じてレーザにより照射され、反射光は、投光用レンズ方向に向け
られるとともに、さらに、感光面に向けられる。イルミネータからの入射ビーム
とレンズへの既存ビームは、半透明のビーム・スプリッタ・ミラーによって分離
される。好ましくは、このミラーは偏光選択型であり、イルミネータは偏光を使
用し、その偏光方向は、ＳＬＭの正面にある１／４波長板によって切り換えられ
る。高い開口数（ＮＡ）でｘ及びｙに対して対称性を有するためには、画像は、
対称的に偏光されなければならず、ビーム・スプリッタと投光用レンズの間にあ
る第２の１／４波長板によって、円形に偏光された画像が生成される。レーザ・
パルスのエネルギーによって可能な場合のさらに簡単な構成は、非偏光ビーム・
スプリッタを使用することによって実現できる。ビーム・スプリッタの第２の通
過後も、１／４波長板は、なお利点を有しているが、それは、該プレートによっ
て、ビーム・スプリット・コーティングの設計が影響を受けにくくなるためであ
る。全体の最も簡単な構成は、ＳＬＭにおける斜めの入射を利用して、イルミネ
ータからのビームと投光用レンズに達するビームが、図１に示されるように、幾
何学的に離れた状態にしたものである。
【００２５】 マイクロミラーの画素は２０×２０μｍであり、投光用レンズは２００Ｘの縮
小変倍率を有することにより、ＳＬＭの画素を画像の０．１μｍに対応させる。
レンズは、０．８の開口数（ＮＡ）を有するモノクロームのＤＵＶレンズであり
、ポイント・スプレッド関数が、０．１７μｍＦＷＨＭ（半値全幅）となる。良
質で書き込み可能な最小ラインは、０．２５μｍである。
【００２６】 加工品、例えば、フォトマスクが、レンズ下の干渉計制御ステージと、フラッ
シュを生成するレーザへの干渉計論理信号によって移動される。フラッシュがわ
ずか１０ｎｓであることから、ステージの移動は、露光の間は行なわれず、ＳＬ
Ｍの画像は、２０４．８×５１．２μｍの大きさに印刷される。２ミリ秒後に、
ステージは、５１．２μｍだけ移動し、新たなフラッシュが放射され、ＳＬＭの
新規画像が、エッジから最初の画像のエッジまで印刷される。露光と露光の間に
、データ入力システムは、新規画像をＳＬＭにロードして、より大きいパターン
が、つなぎ合わされたフラッシュによって形成されるようにする。１列が完全に
書き込まれると、ステージは、垂直方向に進み、新規の行が開始される。どのよ
うなサイズのパターンも書き込めるが、第１の好適な実施例では、通常、１２５
×１２５ｍｍのパターンを書き込んでいる。このサイズのパターンを書き込むに
は、５０分に加え、連続した列の間の移動時間がかかることになる。
【００２７】 各画素は、２５レベル（＋ゼロ）に制御できることから、０．１μｍの画素を
補間して、それぞれ４ナノメートルを２５増分する。データ変換は、パターンを
図形的に指定し、オン、オフ、又は中間値に設定された画素を使用して、データ
をマップに変換する。データ経路は、１秒当たり２０４８×５１２×５００語の
データ、実際には、１秒当たり５２４メガバイトの画素データをＳＬＭに供給し
なければならない。好適な実施例では、書き込み可能領域は、最大２３０×２３
０ｍｍであり、１列に最大２３０／０．０５１２＝４５００フラッシュまで可能
であり、この列は、４５０／５００＝９秒で書き込まれる。１列に必要な画素デ
ータ量は、９×５２４＝４８００Ｍｂである。転送されバッファに収められるデ
ータの量を少なくするために、圧縮形式が用いられる。この形式は、１９９０年
のサンドストロン他による発明とよく似ているが、一定の長さと値を有するセグ
メントの代わりに、画素マップが圧縮される点が異なっている。実行可能な代替
例として、画素マップを直接生成し、圧縮及び解凍用の市販のハードウェア・プ
ロセッサを使用して、転送ならびにバッファに収められるデータ量を減少させる
方法がある。
【００２８】 しかし、マスク全体のデータ量は、たとえ圧縮しても、ディスク上に予め分割
されたデータを記憶しておくには、かなり無理な量となっており、画素データを
使用時に生成しなければならない。１アレイのプロセッサは、圧縮形式への変換
と並行して画像をラスタライズするとともに、この圧縮データを、ＳＬＭに画素
データを供給するエクスパンダ回路に転送する。好適な実施例において、前記プ
ロセッサは、画像の異なる部分もラスタライズし、その結果をバッファリングし
た後に、エクスパンダ回路の入力バッファに送信する。
【００２９】 （第２の好適な実施例） 第２の好適な実施例において、レーザは、１９３ｎｍの波長と５００Ｈｚパル
スの周波数を有するＡｒＦエキシマ・レーザである。ＳＬＭは、２０×２０μｍ
の３０７２×１０２４画素を有しており、レンズは、０．０６μｍの投影画素が
得られる３３３Ｘの縮小変倍率を有している。また、６０個の中間値があり、ア
ドレス・グリッドは、１ナノメートルである。ポイント・スプレッド関数は、０
．１３μｍであり、最小ラインは０．２μｍである。データ・フローは、１５７
２メガバイト／秒であり、２３０ｍｍ長さの１列のデータは、１１．８Ｇｂであ
る。
【００３０】 第３の好適な実施例は、画素マトリクスが４５度回転し、画素グリッドが８４
μｍであることにより、投影された画素がｘ及びｙに沿って０．０６μｍの間隔
が開けられる点を除いては、第２の好適な実施例と同じである。レーザは、Ａｒ
Ｆエキシマ・レーザであり、レンズは、２４０の縮小変倍率である。マトリクス
が回転されていることから、マトリクスの画素密度は、減少し、データ量は、前
記実施例の半分となるが、アドレス解像度は同じである。
【００３１】 （レーザのフラッシュ対フラッシュ偏差） エキシマ・レーザには２つの不利な特性、つまり、フラッシュ対フラッシュの
５％のエネルギー偏差と、フラッシュ対フラッシュの１００ｎｓの時間的変動が
ある。好適な実施例では、いずれも同じ方法によって補償されている。最初の露
光部は、９０％の倍率で全体のパターンにより形成されている。実際のフラッシ
ュのエネルギーと各フラッシュの時間位置が記録される。第２の露光部は、公称
１０％の露光によって形成され、アナログ変調により、第１露光の実際の値しだ
いでは、第２の露光を５％〜１５％にする。同様に、第２の露光において意図的
に時間を相殺することにより、第１の露光の時間的変動が補正される。第２の露
光は、第１の露光で生じた誤差を完全に補償できるが、それ自体が同じ種類の新
たな誤差を発生する。露光全体の平均がわずか１０％であることから、両者の誤
差は、１０だけ事実上減少する。実際に、レーザは、１００ｎｓよりもはるかに
大きい時間的な不確定性を有している。この不確定性は、光のパルスが、トリガ
・パルスからの遅延にしたがって発生し、この遅延が、時折、数マイクロ秒分、
変化することによるものである。短時間の間に、遅延はより安定することから、
継続的に遅延を測定し、好ましくはフィルタリングした最終遅延値を使用して、
次のパルス遅延を予測するとともに、トリガ・パルスの位置付けを行なう。
【００３２】 同様に、ステージ誤差が記録され、ステージが第２の露光における補償動作に
より駆動された場合、ステージの不完全性を補正することも可能である。測定可
能な配置誤差があれば、原則として、部分的又は完全に上記のように補正するこ
とができる。第２の露光中に計算されたポイントにステージを移動させる高速サ
ーボを備えていることが必要である。従来技術では、ＳＬＭ自体をストロークが
小さく反応時間の短いステージに搭載し、画像の精密な位置付けに使用する方法
が周知である。別の同様に有効な方式は、ＳＬＭと画像面との間の光学システム
において圧電制御を備えたミラーを使用する方法があり、両者のいずれを選択す
るかは、実際の状況を考慮して行なう。さらに、また、露光フィールドのデータ
に相殺位置を付け加えて、画像を横に移動させることも可能である。
【００３３】 第２の露光は、レーザ及びＳＬＭ間の減衰フィルタを使用して実行し、公称露
光の０％〜１５％以内で、ＳＬＭのダイナミック・レンジを完全に使用できるよ
うにすることが好ましい。２５個の中間レベルにより、１５％×１／２５＝０．
６％の段階で露光を調整することができる。
【００３４】 反応は、製造上の不完全性によって画素ごとに若干異なり、また、経時変化が
原因となってこのような違いが生じることもある。その結果、画像が不均質にな
るという不都合が生じる。画像に求められている条件が極めて高いことから、ル
ックアップ・メモリーに記憶されている画素の逆反応性による増大によって、全
画素を補正しなければならないこともある。また、各画素ごとに、２、３、又は
それ以上の項を有する多項式を使用することがさらに好ましい。これは、ＳＬＭ
を駆動する論理に基づくハードウェアで実行可能である。
【００３５】 さらに複雑で好適な実施例では、補正をいくつか組み合わせることにより、第
２の補正露光を行なう。フラッシュ対フラッシュの偏差、フラッシュの時間的変
動、さらに、周知の画素間の反応の違いなどもその対象となる。補正が小さい限
り、例えば、各補正ごとに数パーセントである限り、ほぼ線形的に追加されてい
くことから、補正がそのまま加えられ、ＳＬＭに適用される。その合計は、該当
する画素において、所望の照射線量の値により乗算される。
【００３６】 （代替光源） エキシマ・レーザは、レーザの波長と種類に依存した５００Ｈｚ〜１０００Ｈ
ｚの限定的なパルス繰返し周波数（ｐｒｆ）を有している。そのため、ｘ及びｙ
の両方において、エッジをステッチングした大型のフィールドが使用されている
。他の２つの好適な実施例では、ＳＬＭがｐｒｆがはるかに高いパルス・レーザ
、例えば、Ｑスイッチ・アップコンバート固体レーザや、ＳＬＭの表面上で走査
された連続レーザ源から照射されることにより、ＳＬＭのある部分が新規データ
で書き換えられる一方で、別の部分が印刷される。どちらの場合も、レーザのコ
ヒーレンス特性がエキシマ・レーザとは異なっており、例えば、異なる光路長を
有する複数の平行な光路などの、より大規模なビーム・スクランブリング及びコ
ヒーレンス制御が必要である。本発明の一部の実施例では、フラッシュ・ランプ
からの光の出力が充分であり、光源として使用可能である。その利点として、低
コストであり、コヒーレンス特性が優れていることがあげられる。
【００３７】 走査により照射を行なう好適な実施例では、２つの問題点が解決できる。一つ
は、時間及びエネルギー面でのパルス対パルス偏差の問題であり、これは、好ま
しくは音響光学又は電気光学などの電気光学スキャナーによる完全な制御のもと
で走査が行なわれることによるものであり、多くの連続したレーザを使用した方
が、パルス・レーザを使用したときよりも電力の変動が少ないためである。さら
に、連続型レーザを使用すると、波長の異なった選択が可能であり、連続型レー
ザは、パルス・レーザに比べて目に対する危険性が少ない。しかし、最も重要な
点は、走査が非限界的であり、１００ｋＨｚ以上の反復度で実行可能なことから
、わずか数行のマトリクスで、はるかに高いデータ速度に達することが可能な点
である。照射ビームの走査は、極めて均一な照射を生成する方法でもあり、他の
やり方では困難である。
【００３８】 一部の実施例では、光源としてのフラッシュ・ランプを使用することができ、
便利な方法である。
【００３９】 （ＥＵＶ） ＥＵＶの光源は、粒子加速装置、磁気プラズマ・ピンチ・マシンからの放射、
又は、高電力レーザ・パルスによる物質のしずくの極端な温度への加熱に基づい
ている。いずれの場合も、放射はパルス振動している。ＥＵＶ放射は、真空のみ
で伝搬し、反射レンズでしか焦点を合わせることができない。ＳＬＭを使用する
代表的なパターン・ジェネレータは、光パワーのさほど高くない要件である、小
さい露光フィールドを有している。したがって、光学システムの設計は、ＥＵＶ
ステッパに比べて緩やかであることから、より多くのミラーを使用でき、ステッ
パよりも高い開口数（ＮＡ）を実現できる。開口数（ＮＡ）が高いレンズは、リ
ング形露光フィールドを有することが予想され、ＳＬＭの形状をそのようなフィ
ールドに合わせて作製することが充分に可能である。１３ｎｍの波長と０．２５
の開口数（ＮＡ）により、わずか２５ｎｍ幅のラインを露光することが可能であ
り、さらに、前記の通り、画像の高画質化を利用すれば、２０ｎｍを下回ること
も可能である。このような解像度を実現できる周知の書込み技術は他にはなく、
同時に、ＳＬＭの同様の特徴によって可能な書込み速度を実現できる技術も他に
はない。
【００４０】 （エッジ・オーバラップ） 各フラッシュごとに、２次元フィールドが印刷されるとともに、各フィールド
のエッジとエッジをつなぎ合わせることから、ステッチングは極めて重要である
。わずか数ナノメートルの１フィールドを置き換えることにより、エッジに沿っ
て目に見えるパターン誤差が発生し、マスクによって生成される電子回路の機能
に悪影響を及ぼす可能性がある。このような不必要なステッチングの影響を減少
させる効果的な方法として、数本の経路に同じパターンを印刷し、このような経
路間にあるステッチング境界を置き換える方法があげられる。パターンが４回印
刷された場合、ステッチング誤差が４箇所で発生することが予想されるが、その
規模のわずか四分の一にすぎない。本発明の好適な実施例では、フィールド間の
オーバラップ・バンドとともに、中間露光を発生する機能が使用される。ラスタ
ー化を実行している間、上記の値がコンピュータ計算されるが、圧縮データを解
凍している間でもこの計算は実行できる。エッジ・オーバラップにより、ステッ
チング誤差が減少し、マルチパス印刷に比べてスループットのマイナス点がはる
かに減少する。
【００４１】 （修正照射） 第１の好適な実施例において、ＳＬＭの照射は、エキシマ・レーザや、フライ
アイ・レンズなどの光スクランブラーによって行なわれ、イルミネータのひとみ
面の円形自発光面からの照射とよく似た照射が生成される。ある特定の投射系に
よる印刷時に解像度を高める場合、修正照射法を利用することができる。最も簡
単な例では、イルミネータのひとみ面に、例えば、四重極形又は環状の透過領域
を有するひとみフィルタを導入する方法がある。さらに複雑な例では、同じフィ
ールドを数回印刷する方法がある。露光と露光の間で複数のパラメータを変化さ
せることが可能であり、例えば、画像面の焦点、照射パターン、ＳＬに使用する
データ、投影レンズのひとみ面のひとみフィルタなどが使用できる。特に、照射
の同期をとった変化やひとみフィルタによって、解像度を高めることができ、こ
のことは、ひとみが扇形透過領域を有しているとともに、非回折光が該扇形の先
端付近の吸収パッチをさえぎるように照射が一直線に並んでいる場合に、特に顕
著である。
【００４２】 （反応の線形化） データからエッジまでの伝達関数の線形化を図るうえで、本書で行なう配置に
は、基本的に次の３つの方法がある。 ‐ データ変換装置において非線形性を考慮し、データ変換装置に８ビット（例
）の画素値を生成し、同じ解像度を有するＤＡＣを使用してＳＬＭを駆動する。
‐ より少ない値（例えば、５ビット、すなわち、最高３２個の値）でデジタル
値を生成し、ルックアップ・テーブル（ＬＵＴ）の８ビット値に変換した後に、
この８ビット値をＤＡＣに供給する。 ‐ ５ビット値と半導体スイッチを使用して、１台又は数台の高解像度ＤＡＣに
より生成されたＤＣ電圧を選択する。
【００４３】 いずれの場合も、実証的校正関数がデータ変換装置のＬＵＴで使用されるか、
又は、ＤＣ電圧で使用される場合に、プレート上の反応が線形化されるような実
証的校正関数を測定することが可能である。
【００４４】 どの線形化方式を用いるかは、データ速度、精度要件、及び、時代とともに変
化する利用可能な回路技術によって異なる。現時点では、データ変換装置は行き
詰まった状態にあることから、データ変換装置による線形化は、好適なソリュー
ションとはいえず、８ビット画素値を生成することも好ましくない。また、高速
ＤＡＣは、高価であり消費電力が高い。最も適正なソリューションは、ＤＣ電圧
を生成し、スイッチを使用する方法である。この方法では、８ビットよりもさら
に高い解像度の使用が可能である。
【００４５】 （好適なパターン・ジェネレータの説明） 図６について説明する。パターン・ジェネレータは、個々の及びマルチバリュ
ー画素アドレス指定方式によるＳＬＭ６０１と、光源６０２と、照射ビーム・ス
クランブル装置６０３と、結像光学システム６０４と、干渉計位置制御システム
６０６を備えた微細位置付け基板ステージ６０５と、ＳＬＭ用ハードウェア及び
ソフトウェア・データ処理システム６０７とから構成されている。また、さらに
、適正な機能を提供し操作を簡易化するために、前記パターン・ジェネレータは
、温度制御を備えた周囲環境チャンバ、基板荷重システム、最適なパターン配置
確度を実現するためのステージ移動及び露光レーザ・トリガーのタイミングをと
るためのソフトウェア、及びソフトウェア・ユーザ・インタフェースも具備して
いる。
【００４６】 パターン・ジェネレータの照射は、ＫｒＦエキシマ・レーザによって行なわれ
、エキシマ・レーザの自然線幅に相当する帯域を有し、２４８ナノメートルの波
長でＵＶ領域において１０〜２０ナノ秒の長いフラッシュ光を放出する。基板上
のパターンの歪みを防止するために、エキシマ・レーザからの光を、ＳＬＭ面に
均一に割り当てて、光のコヒーレンス長を充分に短くすることにより、基板上に
レーザ・スペックルが発生しないようにする。ビーム・スクランブラーを使用し
て、この２つの目的を達成する。ビーム・スクランブラーは、エキシマ・レーザ
からのビームを異なる光路長を持つ数本のビーム路に分割した後に、空間コヒー
レンス長を短くするために各ビーム路をまとめて一つにする。さらに、ビーム・
スクランブラーは、１組のフライアイ・レンズを有するレンズ系から成るビーム
・ホモジナイザーを有し、このビーム・ホモジナイザーは、エキシマ・レーザか
らのレーザ・ビームの各ポイントからの光を、ＳＬＭ面全体に均一に分配し、「
最上層の」光分布を行なう。
【００４７】 ＳＬＭからの光は、中継され基板ステージ上の基板に結像される。これは、ク
ックにより開示されているシュリーレン光学システムを用いて行なわれる。焦点
幅ｆ1のレンズｌ1が、ＳＬＭから距離ｆ1の位置に配置される。焦点長さｆ2のも
う一つのレンズｌ2は、ＳＬＭから距離２×ｆ1＋ｆ2の位置に配置される。次に 、基板が、ＳＬＭから距離２×ｆ1＋２×ｆ2の位置に配置される。ＳＬＭから距
離２×ｆ1の位置には、サイズによってシステムの開口数（ＮＡ）、したがって 、基板上に書き込める最小パターン・フィーチャーのサイズが決まる開口６０８
がある。また、光学システムや基板の平面度の不完全性を補正するために、レン
ズｌ2をｚ方向に動的に位置付けする合焦システムもあり、５０マイクロメート ルの位置スパンにより、最適な焦点特性が得られる。さらに、このレンズ系は、
照射光の波長が２４８ナノメートルになるように波長補正されており、照射光の
帯域幅許容誤差が少なくとも±１ナノメートルである。レンズｌ1の真上に位置 するビーム・スプリッター６０９により、照射光が結像光学システムに反射する
。縮小率２５０及び開口数（ＮＡ）０．６２の場合、サイズを０．２マイクロメ
ートルまで縮小したパターン・フィーチャーを露光して高品質なパターンを得る
ことができる。各ＳＬＭ画素から３２レベルで、最小グリッド・サイズが２ナノ
メートルになる。
【００４８】 パターン・ジェネレータは、干渉計位置制御システムを備えた微細位置付け基
板ステージを有しており、最小熱膨張用にＺｅｒｏｄｕｒで作製された可動エア
ベアリングｘｙテーブル６０５から成る。干渉計位置フィードバック測定システ
ム６０６を備えたサーボ・システムは、各方向のステージ位置付けを制御する。
一方向のｙにおいて、サーボ・システムは、ステージを固定位置に維持し、もう
片方の方向ｘにおいて、ステージは、連続的な速度で移動する。干渉計位置測定
システムは、ｘ方向に使用されることにより、露光レーザをトリガーし、基板上
のＳＬＭの各画像間の位置を均一にする。ＳＬＭ画像の１行全体が基板上で露光
されると、ステージは、ｘ方向の元の位置に戻り、ｙ方向にＳＬＭ画像の１増分
だけ移動して、基板上のもう１行のＳＬＭ画像を露光する。この手順は、基板全
体が露光されるまで繰返し行なわれる。
【００４９】 ＳＬＭ画像は、ｘ及びｙの両方向に多数の画素とオーバラップしており、露光
データ・パターンは、オーバラップしている画素で局部的に修正され、このよう
なオーバラップ領域となる多くの露光を補償している。
【００５０】 エキシマ・レーザからのパルス対パルス強度の偏差は、パターンの２パス露光
により補償され、ここでは、第１パスが正しい強度である公称９０％の強度によ
って実行される。第１パスでは、各レーザ・フラッシュの実際の強度が測定なら
びに記憶される。第２パスでは、第１パスからの測定済み強度の値に基づいて、
各ＳＬＭ画像露光用の正しい強度が用いられる。このように、エキシマ・レーザ
からのパルス対パルス強度の偏差による影響の規模を抑制することができる。
【００５１】 ＳＬＭの機能性については、本書の別の箇所でさらに詳しく述べる。ＳＬＭは
、画素サイズが１６マイクロメートルの画素を２０４８×２５６個有しており、
１ミリ秒以内に全画素をアドレス指定することが可能である。ＳＬＭは、精巧な
ステージに固定して装填されている。この精巧なステージは、フラッシュ露光と
フラッシュ露光の間において１００ナノメートルよりも高い確度で、ｘ及びｙ方
向に、１００ミクロン移動可能である。ＳＬＭの微細な位置付けを行なうことに
より、基板位置付けステージの位置の不正確さを補正し、パターン・ステッチン
グ誤差をさらに少なくする。ｘ‐ｙ方向の位置付けに加え、基板ステージの座標
系で指定されたもの以外の角度で基板上のパターンを露光するために、ＳＬＭス
テージを回転させることも可能である。このような回転を行なう目的は、補足的
フィーチャーが追加される既存のパターンを有する基板に対して、基板の調節可
能性を組み入れられるようにすることである。軸外し光チャネル及びＣＣＤカメ
ラを使用して、ローディング後に、ステージ上の基板の正確な位置を測定し、基
板上にある多数の整列マークのシステム座標を判断することができる。露光中は
、整列マークの測定位置に基づいて、ｘ及びｙ方向に、ステージ位置が訂正され
る。回転座標系に追従するステージ・サーボ・システムを使用するとともに、前
記の通りＳＬＭの精巧なステージを回転させて、回転的な調節が行なえる。
【００５２】 パターン・ラスタライザー６１０において、任意の形式を有する任意のデータ
・パターンが、１画素につき３２（５ビット）グレー・レベルの圧縮ラスター化
済み画素マップに変換される。画素電極に印加される電圧に対して、露光された
画素のグレースケールの段階が線形的ではないことから、３２のグレー・レベル
がそれぞれ次のレベルの照射線量の均一な増加分に対応するように、入力データ
が画素リニアライザー６１１で線形化される。この動作は、８ビットのデジタル
からアナログへの変換器（ＤＡＣ）６１２を使用して行なわれ、予め実証的に校
正された線形化関数にしたがって、画素マップからの各グレー・レベルによって
、ＤＡＣからの電圧を選択する。ＤＡＣからのアナログ・レベルの選択において
、各値がＳＬＭ画素に対応し、そのような各値により、対応する画素の変則性を
補正するルックアップ・テーブルを使用して、追加的な補正が行なわれる。ルッ
クアップ・テーブルの校正値は、実証的校正手順によって作成され、この手順で
は、連続したテスト・パターンがＳＬＭに送信され、得られた露光パターンを測
定し、測定されたパターンが個々の画素補正に使用される。以上は、画素マップ
の各グレー・レベルによってアナログ電圧が選択され、対応する全ＳＬＭ画素に
対して画素の変形を施すことにより、正しい照射線量を供給することを意味して
いる。
【００５３】 （ＥＵＶへの適合化） 上記のパターン・ジェネレータは、ＥＵＶに使用可能にするためにある程度の
修正が必要である。このような修正が施された装置は、図７に示されている。こ
の装置では、ＳＬＭは反射性であり、ＥＵＶの光源７０１から発光されたＥＵＶ
によって照射される。単一の、又は、好ましくは、数個の照射ミラー７０２を使
用して、光線がＳＬＭに達する前に実質的に平行になるようにする。次に、一つ
又は数個の投光ミラー７０３により、基板上でビームを集束させる。この投光ミ
ラー（結像レンズ）は、環状フィールドを有していることが好ましく、空間光変
調装置は、環状の開口部を有していることが好ましい。また、この装置と、少な
くとも、光路が、密閉された排気状態であることが好ましい。ＥＵＶ用のこのよ
うな装置を使用して、５０ｎｍ幅のラインを有するパターンなどの極めて高い解
像度を有するパターンを作成できる。
【００５４】 （引用文献） ネルソン１９８８年：米国特許第５，１４８，１５７号 クック１９９０年：欧州特許第０ ６１０ １８３号 サンドストロン他１９９０年：欧州特許第０ ４６７ ０７６号
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術によるプリンタを示す図である。ＳＬＭは、レンズのひとみからの光
を偏向させるマイクロミラーから成る。
【図２】 ａ〜ｈは、４つの上部画素をオフ状態に、残りの５つの画素をオン状態にした
画素設計をいくつか示した図である。
【図３】 ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の配列を示
す図である。これにより、位相型ＳＬＭによってエッジ位置をどのように微調整
できるか示されている。
【図４】 ａ〜ｇは、偏向ミラーの付いたＳＬＭと変形ミラーの付いたＳＬＭとの概略的
な比較を示す図である。
【図５】 データを翻訳しＳＬＭに供給する方法を示すフローチャートである。
【図６】 本発明によるパターン・ジェネレータの好適な実施例を示す図である。
【図７】 ＥＵＶを放射として使用したときの本発明によるパターン・ジェネレータの好
適な実施例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ Ｆターム(参考） 2H041 AA16 AB14 AC06 AC08 AZ02 AZ05 2H095 BA01 BB01 2H097 AA02 CA06 CA11 GB04 5F046 AA05 BA03 BA06 CA07 CB27 DA12

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加工品に極めて高い解像度を有するパターン、例えば半導体
    チップ上の５０ｎｍ幅のラインを有するパターンなどを作成する装置であって、
    該装置は、 ＥＵＶ波長範囲の電磁放射を放射する源と、 前記放射により照らされるようにされた多数の変調素子（画素）を有する空間
    光変調装置と、 加工品に変調装置の画像を生成する投射系と、 書き込まれるパターンのデジタル表現を受信して、そこから連続した部分的パ
    ターンを抽出し、前記部分的パターンを変調装置信号に変換し、前記信号を該変
    調装置に供給する電子データ処理及び伝送システムと、 加工品及び／又は投射系を相対的に移動させるための精密機械システムと、 加工品の移動と、前記変調装置への信号の供給と、前記放射の輝度を調整し、
    その結果前記パターンが前記連続した部分的パターンによって作成された部分的
    画像からつなぎ合わされる電子制御システムとを有するパターン作成装置。
  2. 【請求項２】 前記空間光変調装置が反射性であることを特徴とする請求項
    １に記載のパターン作成装置。
  3. 【請求項３】 前記空間光変調装置が多値の画素であることを特徴とする請
    求項１から２のいずれか１項に記載のパターン作成装置。
  4. 【請求項４】 光路が反射レンズにより構築されることを特徴とする請求項
    １から３のいずれか１項に記載のパターン作成装置。
  5. 【請求項５】 前記結像レンズが環状フィールドを有するとともに、前記空
    間光変調装置が環状開口部を有していることを特徴とする請求項１から４のいず
    れか１項に記載のパターン作成装置。
  6. 【請求項６】 前記光路が排気されていることを特徴とする請求項１から５
    のいずれか１項に記載のパターン作成装置。
  7. 【請求項７】 前記空間光変調装置が、回折によって作動することを特徴と
    する請求項１から６のいずれか１項に記載のパターン作成装置。
  8. 【請求項８】 前記空間光変調装置が、電気的アドレス電圧に応じて変形す
    ることにより、波面変調を生成する反射性前面を有する圧電性材料から成る固体
    プレートであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のパター
    ン作成装置。
  9. 【請求項９】 前記空間光変調装置が、アクティブな半導体チップに接続さ
    れていることを特徴とする請求項８に記載のパターン作成装置。
  10. 【請求項１０】 前記放射が、前記空間光変調装置において斜めの角度を有
    していることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のパターン作成
    装置。
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