JP2002506233A - 高画質パターン作成方法 - Google Patents

高画質パターン作成方法

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JP2002506233A JP2000534918A JP2000534918A JP2002506233A JP 2002506233 A JP2002506233 A JP 2002506233A JP 2000534918 A JP2000534918 A JP 2000534918A JP 2000534918 A JP2000534918 A JP 2000534918A JP 2002506233 A JP2002506233 A JP 2002506233A
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slm
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workpiece
modulator
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サンドストロム、トルブヨルン
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マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、解像度と画像忠実度を高めるための、加工品にマイクロリソグラフィック・パターンを生成する方法に関する。この方法は、電磁放射を放出する光源を提供する段階と、前記放射により、複数の画素を有する空間光変調装置(SLM)を照射する段階と、加工品に該変調装置の画像を投射する段階と、さらに、前記加工品の移動と、前記変調装置への信号の供給と、前記放射の輝度を調整することにより、連続した部分的パターンによって作成された部分的画像をつなぎ合わせて前記パターンを作成する段階とから成り、前記パターンの領域が、少なくとも2回露光され、SLMへのデータ供給、焦点、SLMの照射の角度分布、ひとみフィルタリング、偏光といったパラメータのうちの少なくとも1つ、好ましくは少なくとも2つが露光と露光の間で変化するようになっていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、半導体装置および表示装置用フォトマスクなどの感光面の極めて高
精度なパターン印刷に関するものである。さらに、本発明は、半導体装置パター
ン、表示パネル、一体型光学装置、および電子配線構造体の直接書込み動作に関
するものである。さらに、セキュリティ・プリンティング(証券印刷)などの、
他の種類の高精度印刷に利用することも可能である。用語の「印刷(プリンティ
ング)」は、広い意味で理解すべきものであり、フォトレジストや写真用感光乳
剤の露光を意味するだけでなく、光または熱によって活性化する融蝕または化学
処理による、乾式処理紙などの他の感光媒体上での光作用も意味するものとする
。光は、平均的な可視光線に限定されず、赤外線(IR)から超紫外線までの広
い範囲の波長を含んでいる。特に重要なのは、370nm(UV)から、深紫外
線(DUV)、真空紫外線(VUV)、および超紫外線(EUV)を通過して、
数ナノメートルの波長に至る紫外線範囲である。EUVは、本願において、10
0nmからその放射を光として扱うことが可能な下限までの範囲として定義され
る。EUVの通常の波長は13nmである。IRは、780nm〜約20μmと
して定義される。
【0002】 別の意味において、本発明は、空間光変調装置と、そのような変調装置を用い
るプロジェクション・ディスプレイおよびプリンタの技術ならびに方法に関する
ものである。特に、本発明は、グレースケール特性、焦点や画像の均一化による
画像の安定性、およびアナログ変調技術を利用したこのような変調装置のための
データ処理を改善している。アナログ変調の最も重要な用途は、アドレス・グリ
ッド(例えば、パターンのエッジ位置を特定する、空間光変調装置の画素によっ
て生成されるグリッドよりもはるかに微細なインクリメント(増分))を備えた
フォトレジストのようなコントラストの強い素材への画像の生成である。
【0003】 (背景技術) 最新の技術では、マイクロミラー型のマイクロミラー空間光変調装置(SLM
)の投射を用いた高精度パターン・ジェネレータの構成が周知である(ネルソン
1988年、クック 1990年)。パターン・ジェネレータにおけるSLM
の使用は、走査レーザ・スポットを使用する、より広く知られた方法に比べて多
くの利点がある。SLMは、大規模並列処理装置であり、1秒当たりに書き込め
る画素数は極めて多い。この光学システムは、SLMの照射が非限界的であると
いう点でより簡素化されているのに対し、レーザ・スキャナでは、ビーム路全体
を高精度で構築しなければならない。数種類のスキャナ(特に電気光学および音
響光学スキャナ)と比較して、マイクロミラーSLMが完全に反射装置であるこ
とから、マイクロミラーSLMをより短い波長で使用することができる。
【0004】 前記2つの引用文献において、空間光変調装置は、各画素ごとにオン/オフ変
調だけを使用している。入力データは、1ビットの深度を有する画素マップ、例
えば、各画素ごとに0および1の値を有する画素マップに変換される。この変換
は、図形プロセッサや、エリア・フィル命令を有するカスタム論理を使用して、
効果的に行なうことが可能である。
【0005】 同じ発明者のサンドストロン(サンドストロン他、1990)による先の出願
では、パターン素子の境界に中間露光指数を使用して、レーザ・スキャナで作成
された画像の該素子のエッジ位置を微調整できることが記載されている。
【0006】 時間を変化させながらSLMにより画素をオンにしたり、あるいは、同じ画素
を数回印刷することにより、画素を様々な回数オンにすることによって、好まし
くはビデオ画像の映像および印刷用にグレースケール画像を生成することも技術
上周知である。本発明は、特に、超高精度パターンの生成を目的とする、空間光
変調装置を備えた直接グレースケール・ジェネレータ用のシステムである。好適
な実施例の重要な面は、画素単位の画像の均一性と、焦点変化時(意図的あるい
は不慮のいずれかを問わず)のSLMの画素に対するフィーチャーの正確な配置
に関する独立性と安定性である。 特に、従来技術のパターン・ジェネレータには、適正な画像解像度と忠実度を
提供するうえで問題がある。
【0007】 (発明の要約) したがって、本発明は、解像度と忠実度を高める方法を提供することを目的と
する。 この目的は、特許請求の範囲に示された装置によって実現される。
【0008】 本発明による方法は、 超紫外線(EUV)から赤外線(IR)までの波長範囲にある電磁放射線を放
射するソース(光源)を提供する段階と、 前記放射線により、多数の変調素子(画素)を有する空間光変調装置(SLM
)を照射する段階と、 加工品に該変調装置の画像を投影する段階と、 前記加工品および/または投影系を互いに対して移動させる段階と、 書き込むパターンのデジタル表現(描写)を情報記憶装置から読み取る段階と
、 前記パターン表現から、連続した部分的パターンを抽出する段階と、 前記部分的パターンを変調装置信号に変換して前記信号を前記変調装置に供給
する段階と、 さらに、前記加工品の移動と、前記変調装置への信号の供給と、前記放射線の
輝度(強度)を調整することにより、連続した部分的パターンによって作成され
る部分的画像をつなぎ合わせてパターンを作成する段階とを含み、 前記パターンの領域が、少なくとも2回露光され、各露光間に以下のパラメー
タのうちの少なくとも1つ、好ましくは少なくとも2つが変化するようにされて
いることを特徴とする。 (イ)SLMに供給されるデータ (ロ)焦点 (ハ)SLMにおける照射の角度分布 (ニ)ひとみフィルタリング (ホ)偏光
【0009】 異なる複数の露光を使用することにより、特定のフィーチャーやパターンの向
きに露光を合わせられることから、より良好なパターンが実現する。したがって
、本発明の方法により、パターンの困難な点に同時に取り組むことができる。
【0010】 (発明の説明) 本発明は、SLMを有する標準型プロジェクション・プリンタを示す図1の一
般的配置に基づき理解できる。反射に基づく空間光変調装置は、偏向型(ネルソ
ン)と位相型(クック)の2種類に分類される。マイクロミラーを備えた一定の
例において両者の違いは小さいように見えるが、位相型SLMは、破壊的干渉に
よって特定の方向にビームを放射するのに対して、偏向型SLMでは、画素によ
って、正反射ビームが幾何学的に片側に偏向され、図1に示すように、結像レン
ズの開口部を逸脱する。最新の発明により実行される超高精度印刷の場合、クッ
クによって1990年に開示された位相変調システムは、偏向型よりも優れてい
る。第一に、表面の全部品(ヒンジおよび支柱も含む)が破壊的干渉に関与し、
全体的な吸光が実現可能なことから、良好なコントラストが得られる。第二に、
光を片側に偏向させることによって機能するシステムは、中間偏角地点で光軸に
対して対称性を得ることが困難であり、焦点が変化したときに、フィーチャーが
不安定になるリスクが生じる。好適な実施例では、位相型が使用されているが、
非対称の偏向型を囲むように収容あるいは設計すれば、使用することも可能であ
る。図4a〜gにこの状態が概略的に示されている。最初の図4aでは、非偏向
マイクロミラー401が照射されており、反射光は、開口402の方向に向けら
れず、したがって、光は、基板403に到達していない。一方、図4bでは、ミ
ラーが完全に偏向され、全反射光が、開口部方向に向けられる。中間の位置では
、反射光の一部だけが、図4cに示されている基板に達する。ただし、この場合
、光は、レンズ404の光軸に対して対称にならず、基板に斜めに入射する。こ
れにより、レンズと基板面との間の距離が極めて重要なものとなり、領域の破線
位置で示されるような若干の変更によって、基板上のフィーチャーが大幅にずれ
ることになる。この問題を解決する方法は、図4d〜fによって示されている。
ここでは、最初の露光がマイクロミラーの第1偏角で行なわれ、その後、好まし
くは同じ光線量で、第2の露光が第2の偏角に対して行なわれ、第1の角度を補
足する。これにより、第1の露光と第2の露光を組み合わせたものが、レンズの
光軸に対して対称となる。この課題を解決する別の方法として、図4gに示すよ
うな変形ミラー401′を使用して、反射光を開口部全面に均一に分布させる方
法がある。この最後の図では、概ね(後述する)位相型SLMまたは偏向型SL
Mの2つの例を示すことができるが、その場合、光はミラーの異なる部分から反
射する。
【0011】 位相型SLMは、ミクロ機械加工ミラー、いわゆるマイクロミラー、あるいは
、電子信号を使用して変形が可能な支持体上の連続するミラー面により形成可能
である。クックにより1990年に開示された発明では、静電界によって制御さ
れる粘弾性層が使用されているが、特に、数ナノメートルほどの変形で充分な極
めて短い波長に対して、電界または、別の、電気的、電磁的、または熱的に制御
される反射面によって変形される圧電固体ディスクを使用することも同様に可能
である。本書の残りの部分では、静電気により制御可能なマイクロミラー・マト
リクス(1次元または2次元)が想定されているが、前記の通り、変調機構とし
てのLCDクリスタル素材または電気光学素材に依存した透過または反射型SL
Mや、圧電または電気歪動作を利用したミクロ機械加工型SLMなど、他の構成
も可能である。
【0012】 本発明では、位相変調が可変であることにより、投光用レンズのひとみ(瞳孔
部分)に達する光の量が可変になることを特徴とするマイクロミラーを使用する
ことが好ましい。図2は、複数の素子から成るミラーをいくつか示しているが、
各ミラーの多様な部分の傾斜は重要ではない。実際に、ある素子によって光がレ
ンズ方向に向けられる一方で、別の素子により、光がレンズのひとみの外部に向
けられている。この機能を正しく理解する方法として、ミラーの各極小領域素子
からレンズのひとみの中心に達する複素振幅を調べ、ミラー全体の振幅を積分す
る方法がある。ミラーを適正な形状にして、複素振幅の合計がゼロに近くなるよ
うに変形することが可能であり、これによって、レンズのひとみに達する光は全
くなくなる。これがマイクロミラーのオフ状態であり、ミラー面が平坦であって
複素振幅が位相を含むような緩和された状態がオン状態である。オン状態とオフ
状態の間では、反射方向の光量が、変形に関する連続的ではあるが非線形的な関
数となる。
【0013】 書き込まれるパターンは、通常、ガラス基板上にクロムで書かれたフォトマス
ク・パターンなどの2値パターンである。この場合、2値とは、中間領域が全く
ないことを意味しており、フォトマスク面のある一定の点は、黒(クロムで覆わ
れている)か白(クロムなし)である。このパターンは、SLMからの投影画像
によりフォトレジストで露光され、このフォトレジストが現像される。現代のレ
ジストは、コントラストが強く、このことは、露光にわずかな比率の変化が生じ
た場合に、現像剤でレジストを完全に除去したときと、ほとんど除去したときと
では、差が生じることを意味している。したがって、空中の画像が白から黒へ徐
々に推移しても、フォトレジストは、通常、支持体表面に対してほとんど垂直な
エッジを有している。クロム・エッチングを行なった場合、さらに、コントラス
トが強くなり、その結果得られる画像は完全に2値的であり、中間領域が全くな
い黒または白のいずれかに分けられる。
【0014】 入力データは、デジタル形式で、表面に書き込まれるパターンの幾何図形を表
している。入力データは、極小アドレス単位、例えば、1ナノメートルで与えら
れることが多いが、SLMの画素をオンまたはオフのいずれかに設定した場合、
はるかにきめの粗いパターンができる。SLMの画素を画像の0.1μmの画素
に投影する場合、1本の線は、整数個の画素分の幅(n×0.1μm。ただし、
nは整数とする)しか有することができない。最近まで0.1μmのアドレス・
グリッドで充分ではあったが、いわゆる光学近似補正(OPC)の出現により、
1〜5ナノメートルのグリッドが望まれている。OPCでは、マスクの使用時に
、マスクのフィーチャーのサイズをわずかに修正して、予想される光画像誤差を
補償する。一例として、4本の平行線による0.8μm幅のマスクが最新の4X
リダクション・ステッパ(半導体ウェハ用プロジェクション・プリンタ)に印刷
される場合、通常、同じ幅に印刷しようとしても、0.187、0.200、0
.200、0.187μm幅の線として印刷される。このことは、画像形成のシ
ミュレーションによって予想することができ、マスクのユーザは、OPCを用い
て、マスクを補償する。したがって、0.800μmにする代わりに、マスクの
最初と最後の線を、4×0.213=0.852μmにしたいと考える。0.1
μmのアドレス・グリッドでは、訂正不可能であるが、5nmまたはそれよりも
細いアドレス・グリッドの場合、訂正が可能である。
【0015】 図5では、SLMのデータを提供する方法が、フローチャートで示されている
。第1ステップのS1では、個別のパターン・フィールドに書き込まれるパター
ンのパターン・データを分割する。このパターン・データは、デジタル形式で受
信されることが好ましい。その後、ステップS2において、各フィールドがラス
タライズ(ラスター化)されることにより、異なる露光指数が割り当てられる。
次に、ステップS3において、これらの値を非線形的反応が得られるように修正
し、ステップS4で、画素単位の変形が行なわれる。最後に、画素値が駆動信号
に変換され、SLMに送信される。
【0016】 本発明は、オフ状態とオン状態との間の中間値を使用して、きめの細かいアド
レス・グリッド(例えば、画素サイズの1/15、1/25、1/50)を生成
することが好ましい。印刷されたフィーチャーは、オン状態の画素から成るが、
エッジに沿って、中間値に設定された画素が形成される。これは、オンおよびオ
フ電圧以外の電圧により画素を駆動することにより行なわれる。カスケード式非
線形効果がいくつか存在することから(エッジ位置と境界線上の画素の露光、露
光と変形、変形と電界)、入力データから電界への非線形的な変換が必要である
。さらに、この変換は、実証的に等時間間隔で校正される。
【0017】 図3は、ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の
配列を示している。この図では、画素をどのように制御して、このインセット(
差込板)で反射率を生成するのか示している。明るい領域は、位相0の画素を有
しているのに対し、暗い領域は、+90度と−90度の位相が交互にくる画素に
よって生成されている。明るい領域と暗い領域の間にある斜めの境界線は、中間
値の位相によって生成されている。これは、位相型SLMによってうまく配置さ
れたエッジの状態を示している。ただし、中間値を有する他の種類のSLMも同
様に使用できる。中間値の位相SLMによる結像特性は複雑であり、図3でエッ
ジが移動する明確さからはほど遠い。しかしながら、本発明者による膨大な理論
に基づく計算および実験によって、記載された効果が実際にあることが証明され
ている。
【0018】 (位相型SLMの設計) 従来技術で使用されているようなクローバー型ミラーは、オン状態とオフ状態
の間の中間状態にすることが可能である。しかし、積分複素振幅が偏向関数とし
て作図された場合、完全に0になることは決してなく、0の周りに複数の円を描
くことから、位相角が変化する非ゼロの最低反射率を有することが理解される。
中間状態に設定された数個の画素を有する画像を綿密に分析すると、エッジ画素
の積分位相角がゼロでない場合、最終的な画像のエッジ位置が、焦点に到るまで
安定していないことが明らかである。本発明の好適な実施例では、旋回素子を有
する新型の画素を使用している。各素子が旋回すると、片方の端部が光源方向に
移動し、もう片方の端部が別の方向を向くことから、ゼロに近い平均的位相が維
持される。さらに、このクローバー型設計には、製造中に残留内部応力が発生す
るという問題がある。この応力は、電気フィールドを利用しなくても、部分的な
変形を発生させる傾向がある。この内部変形は、製造中の不完全性によることか
ら、すべての画素で全く同様に発生するとは限らない。クローバー型設計では、
この画素ごとの相違によって、反射率の一次的偏差が生じる。旋回素子により形
成された画素セルによっても同様の結果が得られるが、さらに、二次的な効果が
発生する。したがって、映像において均一性が向上する。
【0019】 (画像の高画質化) 旋回設計には第3の利点がある。クローバー型は、完全な吸光には至らないが
、旋回型セルは、より簡単に、完全な吸光を実現するジオメトリが得られ、ある
いは、ゼロを通過して、非ゼロのわずかな反射に戻ることもあり、その場合は逆
相になる。吸光が良好に行なわれることによって、重なり合った露光を印刷する
自由度が大きくなり、低い負の値を設計することにより、吸光に近いさらに良好
な線形性が実現できる。暗い領域において約5%の弱い露光で逆相にした印刷で
は、15〜30%の高いエッジ鋭さが得られ、一定のレンズを使用して、より小
型のフィーチャーを印刷することができる。これは、半導体業界で利用されてい
る、いわゆる、減衰移相マスクによく似ている。エッジ鋭さを高める関連方法と
して、フィーチャー内部の画素に低い値を設定し、エッジ付近の画素に高い値を
設定する方法がある。これにより、現在のマスクからのパターン投影や、ネルソ
ンおよびクックによる投影使用法では不可能な新型の画像高画質化が実現できる
。背景に非ゼロの負の振幅を使用しエッジに沿って露光を強くすることは、エッ
ジ画素を中間値にして微細なアドレス・グリッドを生成することと矛盾しない。
これは、それぞれの効果が付加的、あるいは、少なくとも計算可能なことによる
ものである。また、画素が印刷されるフィーチャーよりも実質的に小さい場合、
すべての効果が同時に得られるような画素値の組み合わせがある。これらの画素
を検出するためには、微細なアドレス・グリッドを作成するだけでなく、さらに
、コンピュータ計算が必要になるが、本発明の一部の利用法においては、より小
さいフィーチャーの印刷ができれば、多大な努力に見合うだけの高い値が得られ
る。
【0020】 粘弾性層上の連続したミラーの場合、ゼロに対する平均的位相の固有平衡が存
在する。シミュレーションにより、フィーチャー・エッジの微細な位置決めに中
間値を当てはめることにより、連続したミラーが形成されることが示されている
。ただし、非線形性は、マイクロミラーを使用したときよりも低い。充分に機能
する方法がないとすると、最小のフィーチャーは、マイクロミラーを使用したと
きよりも大きくなくてはならず、例えば、分解された1フィーチャー素子当たり
のアドレス指定された画素の数がより多くなくてはならない。その結果、SLM
装置は大型となり、一定のパターンに対するデータ量が大きくなる。したがって
、第1および第2実施例において、マイクロミラーを選択している。
【0021】 本発明では、投光用レンズのひとみに対称的な照射が得られることと、画像が
回転に対して反応しないという2つの理由から、回転対称性変形(少なくとも、
2重の対称性であり、好適な実施例では、4重の対称性)が施された画素が使用
されている。後者の理由は、半導体ウェハ上のランダムな論理パターンを印刷す
るうえで重要である。x‐y軸に対して非対称性が存在すれば、x軸に沿って配
置された各トランジスタは、y軸に沿って配置されたものと異なった遅延を伴う
。そのような回路は誤作動することがあり、または、より遅いクロック速度でし
か使用できなくなる。xおよびy間の焦点および対称性による画像の不変性に関
するこの2つの要件により、光学システムで対称性を生成および維持することが
極めて重要になる。対称性は、もともと備えていてもよく、あるいは、相補的非
対称性を有する複数の露光を使用するなど、非対称性を意図的に均衡化すること
によって生成されてもよい。ただし、複数の露光は、スループットの低下につな
がることから、初めから対称的なレイアウトを有していることが極めて好ましい
【0022】 本発明は、好ましくは、パターンの少なくとも若干数の領域に対して数回また
は少なくとも2回露光を行なって、露光と露光の間に以下のパラメータのうちの
少なくとも1つ、好ましくは少なくとも2つが変化するようになっている。 (1)SLMに供給されるデータ (2)焦点 (3)SLMにおける照射の角度分布 (4)ひとみフィルタリング (5)偏光 例えば、第1の露光が高い露光線量を有するとともに加工品にパターンを作成
し、第2の露光が低い露光線量、SLMにおいて実質的に逆の変調、加工品の光
解像度を低下させるひとみフィルタを有することができる。代わりに、それらの
露光が、実質的に同じ露光線量を有していてもよく、例えば、楕円形、矩形、ま
たは、くさび形の方向性ひとみフィルタを露光と露光の間で回転させるか、ある
いは、SLMに供給されるパターン・データが、方向的非対称性を有し、この非
対称性を露光と露光の間で回転させるか、あるいは、加工品に入射する光の偏光
を露光と露光の間で回転させてもよい。
【0023】 以下のパラメタのうち少なくとも2つを、露光と露光の間で変化させた場合、
それら方向特性は、露光と露光の間で回転してもよく、この回転は、少なくとも
2つのパラメタの間で同期が採られている。 (1)SLMに供給されるデータ (2)SLMにおける照射の角度分布 (3)ひとみフィルタリング (4)偏光
【0024】 図7aおよびbでは、異なる(回転された)特性を有する2回の露光を行なう
ことにより、解像度の高いパターンが得られる。ここでは、第1の露光が、一方
向により、書込みフィーチャーに向けられるのに対し、第2の露光が、その垂直
方向により、書込みフィーチャーに向けられる。図7aでは、第1の方向のパタ
ーン・フィーチャー用データが、変調装置701に送信され、フィルタには、こ
れらのパターン・フィーチャーに最も適した方向に回転が施される。その後、第
2方向のパターン・フィーチャーが変調装置に送信され、フィルタに垂直方向の
回転が加えられる。
【0025】 本発明によって使用されるひとみフィルタが、幅の狭い平行線を有するパター
ンを書き込むための犬の骨の形状を有していることが好ましい。このようなフィ
ルタは、図8aに示されている。さらに、ひとみフィルタは、図8bに示されて
いるように、パターンの大型フィーチャーに対応する光の空間的構成要素を減衰
するための領域を有していてもよい。このようなフィルタは、斜めの照射に使用
されることが好ましい。さらに、ひとみフィルタは、第2の空間光変調装置であ
ってもよい。この第2のSLMまたは第3のSLMを使用して、本発明の完全に
ソフトウェアで作動するインプリメンテーションを作成する。第1のSLMの照
射の角度分布を制御してもよい最後に、図8cに、解像度を高めるために用いら
れる位相シフト内部サークルを備えたフィルタの一例が示されている。
【0026】 図9では、第2の露光で用いられるデータが、どのようにして画像解像度を高
めるのか示されている。第1の露光では、曲線901が書き込まれる。この例で
は、破線902で示される書込みが行なわれるべく意図したパターンと実際に書
き込まれた曲線との間に大きなずれが生じている。先端レベルは、特に狭いフィ
ーチャーで変化し、フィーチャーのサイズを制御することが困難になっている。
第2露光では、曲線903に示すように、逆のデータが使用されている。しかし
、この例では、第2露光に平滑フィルタを使用して、実際には曲線904のよう
に曲線が書き込まれる。第1の露光と合わせると、照射曲線は、曲線905のよ
うな形状となり、先端レベルは、印刷される全フィーチャーに対して実質的に同
じレベルとなっている。破線906および906’で示される現像プロセスの処
理上限を使用することにより、パターン解像度が大幅に改善されている。しかし
ながら、コントラストは同時に低下し、コントラストと解像度が引き換えになっ
ていることが考えられる。図10に破線1002で示されている極めて幅の狭い
フィーチャーを有するパターンの場合、第1露光で書き込まれた曲線1001と
意図するパターンとの差は、さらに大きくなる。この例では、平滑でない逆のパ
ターン1003が、1004で示される第2露光によって書き込まれる。これに
よって、解像度は、極小フィーチャーに対しても向上するが、それと引き換えに
、それぞれ処理限界1006および1006’で示されるように、コントラスト
が低くなる。
【0027】 (好適な実施例) 第1の好適な実施例は、2048×512マイクロミラーから成るSLMを使
用したフォトマスクの深紫外線パターン・ジェネレータである。光源は、248
ナノメートルのパルス出力と、約10nsのパルス長と、500Hzの反復度を
有するKrFエキシマ・レーザである。また、SLMは、90%を上回る光を反
射するアルミニウム面を有している。SLMは、ビーム・スクランブリング・イ
ルミネータ(ビーム変調照射器)を通じてレーザにより照射され、反射光は、投
光用レンズ方向に向けられるとともに、さらに、感光面に向けられる。イルミネ
ータからの入射ビームとレンズへの既存ビームは、半透明のビーム・スプリッタ
・ミラーによって分離される。好ましくは、このミラーは偏光選択型であり、イ
ルミネータは偏光を使用し、その偏光方向は、SLMの正面にある1/4波長板
によって切り換えられる。高い開口数(NA)でxおよびyに対して対称性を有
するためには、画像は、対称的に偏光されなければならず、ビーム・スプリッタ
と投光用レンズの間にある第2の1/4波長板によって、円形に偏光された画像
が生成される。レーザ・パルスのエネルギーによって可能な場合のさらに簡単な
構成は、非偏光ビーム・スプリッタを使用することによって実現できる。ビーム
・スプリッタの第2の通過後も、1/4波長板は、なお利点を有しているが、そ
れは、該プレートによって、ビーム・スプリット・コーティングの設計が影響を
受けにくくなるためである。全体の最も簡単な構成は、SLMにおける斜めの入
射を利用して、イルミネータからのビームと投光用レンズに達するビームが、図
1に示されるように、幾何学的に離れた状態にしたものである。
【0028】 マイクロミラーの画素は20×20μmであり、投光用レンズは200Xの縮
小変倍率を有することにより、SLMの画素を画像の0.1μmに対応させる。
レンズは、0.8の開口数(NA)を有するモノクロームのDUVレンズであり
、ポイント・スプレッド関数が、0.17μmFWHM(半値全幅)となる。良
質で書き込み可能な最小ラインは、0.25μmである。
【0029】 加工品、例えば、フォトマスクが、レンズ下の干渉計制御ステージと、フラッ
シュを生成するレーザへの干渉計論理信号によって移動される。フラッシュがわ
ずか10nsであることから、ステージの移動は、露光の間は行なわれず、SL
Mの画像は、204.8×51.2μmの大きさに印刷される。2ミリ秒後に、
ステージは、51.2μmだけ移動し、新たなフラッシュが放射され、SLMの
新規画像が、エッジから最初の画像のエッジまで印刷される。露光と露光の間に
、データ入力システムは、新規画像をSLMにロードして、より大きいパターン
が、つなぎ合わされたフラッシュによって形成されるようにする。1列が完全に
書き込まれると、ステージは、垂直方向に進み、新規の行が開始する。どのよう
なサイズのパターンも書き込めるが、第1の好適な実施例では、通常、125×
125mmのパターンを書き込んでいる。このサイズのパターンを書き込むには
、50分に加え、連続した列の間の移動時間がかかることになる。
【0030】 各画素は、25レベル(+ゼロ)に制御できることから、0.1μmの画素を
補間して、それぞれが4ナノメートルの25インクリメントとする。データ変換
は、パターンを図形的に指定し、オン、オフ、または中間値に設定された画素を
使用して、データをマップに変換する。データ経路は、1秒当たり2048×5
12×500語のデータ、実際には、1秒当たり524メガバイトの画素データ
をSLMに供給しなければならない。好適な実施例では、書き込み可能領域は、
最大230×230mmであり、1列に最大230/0.0512=4500フ
ラッシュまで可能であり、この列は、4500/500=9秒で書き込まれる。
1列に必要な画素データ量は、9×524=4800Mbである。転送されバッ
ファに収められるデータの量を少なくするために、圧縮形式が用いられる。この
形式は、1990年のサンドストロン他による発明とよく似ているが、一定の長
さと値を有するセグメントの代わりに、画素マップが圧縮される点が異なってい
る。実行可能な代替例として、画素マップを直接生成し、圧縮および解凍用の市
販のハードウェア・プロセッサを使用して、転送ならびにバッファに収められる
データ量を減少させる方法がある。
【0031】 しかし、マスク全体のデータ量は、たとえ圧縮しても、ディスク上に予め分割
されたデータを記憶しておくには、かなり無理な量となっており、画素データを
使用時に生成しなければならない。1アレイのプロセッサは、圧縮形式への変換
と並行して画像をラスタライズするとともに、この圧縮データを、SLMに画素
データを供給するエクスパンダ回路に転送する。好適な実施例において、前記プ
ロセッサは、画像の異なる部分もラスタライズし、その結果をバッファリングし
た後に、エクスパンダ回路の入力バッファに送信する。
【0032】 (第2の好適な実施例) 第2の好適な実施例において、レーザは、193nmの波長と500Hzパル
スの周波数を有するArFエキシマ・レーザである。SLMは、20×20μm
の3072×1024画素を有しており、レンズは、0.06μmの投影画素が
得られる333Xの縮小変倍率を有している。また、60個の中間値があり、ア
ドレス・グリッドは、1ナノメートルである。ポイント・スプレッド関数は、0
.13μmであり、最小ラインは0.2μmである。データ・フローは、157
2メガバイト/秒であり、230mm長さの1列のデータは、11.8Gbであ
る。
【0033】 第3の好適な実施例は、画素マトリクスが45度回転し、画素グリッドが84
μmであることにより、投影された画素がxおよびyに沿って0.06μmの間
隔が開けられる点を除いては、第2の好適な実施例と同じである。レーザは、A
rFエキシマ・レーザであり、レンズは、240の縮小変倍率である。マトリク
スが回転されていることから、マトリクスの画素密度は、減少し、データ量は、
前記実施例の半分となるが、アドレス・レゾリューションは同じである。
【0034】 (レーザのフラッシュ対フラッシュ偏差) エキシマ・レーザには2つの不利な特性、つまり、フラッシュ対フラッシュの
5%のエネルギー偏差と、フラッシュ対フラッシュの100nsの時間的変動が
ある。好適な実施例では、いずれも同じ方法によって補償されている。最初の露
光部は、90%の倍率で全体のパターンにより形成されている。実際のフラッシ
ュのエネルギーと各フラッシュの時間位置が記録される。第2の露光部は、公称
10%の露光によって形成され、アナログ変調により、第1露光の実際の値しだ
いでは、第2の露光を5〜15%にする。同様に、第2の露光において意図的に
時間を相殺することにより、第1の露光の時間的変動が補正される。第2の露光
は、第1の露光で生じた誤差を完全に補償できるが、それ自体が同じ種類の新た
な誤差を発生する。露光全体の平均がわずか10%であることから、両者の誤差
は、10の要素だけ事実上減少する。実際に、レーザは、100nsよりもはる
かに大きい時間的な不確定性を有している。この不確定性は、光のパルスが、ト
リガ・パルスからの遅延にしたがって発生し、この遅延が、時折、数マイクロ秒
分、変化することによるものである。短時間の間に、遅延はより安定することか
ら、継続的に遅延を測定し、好ましくはフィルタリングした最終遅延値を使用し
て、次のパルス遅延を予測するとともに、トリガ・パルスの位置付けを行なう。
【0035】 同様に、ステージ誤差が記録され、ステージが第2の露光における補償動作に
より駆動された場合、ステージの不完全性を補正することも可能である。測定可
能な配置誤差があれば、原則として、部分的または完全に上記のように補正する
ことができる。第2の露光中に計算されたポイントにステージを移動させる高速
サーボを備えていることが必要である。従来技術では、SLM自体をストローク
が小さく反応時間の短いステージに搭載し、画像の精密な位置付けに使用する方
法が周知である。別の同様に有効な方式は、SLMと画像面との間の光学システ
ムにおいて圧電制御を備えたミラーを使用する方法があり、両者のいずれを選択
するかは、実際の状況を考慮して行なう。さらに、また、露光フィールドのデー
タに相殺位置を付け加えて、画像を横に移動させることも可能である。
【0036】 第2の露光は、レーザおよびSLM間の減衰フィルタを使用して実行し、公称
露光の0〜15%以内で、SLMのダイナミック・レンジを完全に使用できるよ
うにすることが好ましい。25個の中間レベルにより、15%×1/25=0.
6%の段階で露光を調整することができる。
【0037】 反応は、製造上の不完全性によって画素ごとに若干異なり、また、経時変化が
原因となってこのような違いが生じることもある。その結果、画像が不均質にな
るという不都合が生じる。画像に求められている条件が極めて高いことから、ル
ックアップ・メモリーに記憶されている画素の逆反応性による増大によって、全
画素を補正しなければならないこともある。また、各画素ごとに、2、3、また
はそれ以上の項を有する多項式を使用することがさらに好ましい。これは、SL
Mを駆動する論理に基づくハードウェアで実行可能である。
【0038】 さらに複雑で好適な実施例では、補正をいくつか組み合わせることにより、第
2の補正露光を行なう。フラッシュとフラッシュとの偏差、フラッシュの時間的
変動、さらに、周知の画素間の反応の違いなどもその対象となる。補正が小さい
限り、例えば、各補正ごとに数パーセントである限り、ほぼ線形的に追加されて
いくことから、補正がそのまま加えられ、SLMに適用される。その合計は、該
当する画素において、所望の照射線量の値により乗算される。
【0039】 (代替光源) エキシマ・レーザは、レーザの波長と種類に依存した500〜1000Hzの
限定的なパルス繰返し周波数(prf)を有している。そのため、xおよびyの
両方において、エッジをステッチングした大型のフィールドが使用されている。
他の2つの好適な実施例では、SLMがはるかにprfの高いパルス・レーザ、
例えば、Qスイッチ・アップコンバート固体レーザや、SLMの表面上で走査さ
れた連続レーザ源から照射されることにより、SLMのある部分が新規データで
書き換えられる一方で、別の部分が印刷される。どちらの場合も、レーザのコヒ
ーレンス特性がエキシマ・レーザとは異なっており、例えば、異なる光路長を有
する複数の平行な光路などの、より大規模なビーム・スクランブリングおよびコ
ヒーレンス制御が必要である。本発明の一部の実施例では、フラッシュ・ランプ
からの光の出力が充分であり、光源として使用可能である。その利点として、低
コストであり、コヒーレンス特性が優れていることがあげられる。
【0040】 走査により照射を行なう好適な実施例では、2つの問題点が解決できる。一つ
は、時間およびエネルギー面でのパルス対パルス偏差の問題であり、これは、好
ましくは音響光学または電気光学などの電気光学スキャナーによる完全な制御の
もとで走査が行なわれることによるものであり、多くの連続したレーザを使用し
た方が、パルス・レーザを使用したときよりも電力の変動が少ないためである。
さらに、連続型レーザを使用すると、波長の異なった選択が可能であり、連続型
レーザは、パルス・レーザに比べて目に対する危険性が少ない。しかし、最も重
要な点は、走査が非限界的であり、100kHz以上の反復度で実行可能なこと
から、わずか数行のマトリクスで、はるかに高いデータ速度に達することが可能
な点である。照射ビームの走査は、極めて均一な照射を生成する方法でもあり、
他のやり方では困難である。 一部の実施例では、光源としてのフラッシュ・ランプを使用することができ、
便利な方法である。
【0041】 (EUV) EUVの光源は、粒子加速装置、磁気プラズマ・ピンチ・マシンからの放射、
または、高電力レーザ・パルスを伴う極端な温度に若干重要な加熱によるもので
ある。いずれの場合も、放射はパルス振動している。EUV放射は、真空のみで
伝搬し、反射レンズでしか焦点を合わせることができない。SLMを使用する代
表的なパターン・ジェネレータは、光パワーのさほど高くない要件である、小さ
い露光フィールドを有している。したがって、光学システムの設計は、EUVス
テッパに比べて緩やかであることから、より多くのミラーを使用でき、ステッパ
よりも高い開口数(NA)を実現できる。開口数(NA)が高いレンズは、リン
グ形露光フィールドを有することが予想され、SLMの形状をそのようなフィー
ルドに合わせて作製することが充分に可能である。13nmの波長と0.25の
開口数(NA)により、わずか25nm幅のラインを露光することが可能であり
、さらに、前記の通り、画像の高画質化を利用すれば、20nmを下回ることも
可能である。このような解像度を実現できる周知の書込み技術は他にはなく、同
時に、SLMの同様の特徴によって可能な書込み速度を実現できる技術も他には
ない。
【0042】 (エッジ・オーバラップ) 各フラッシュごとに、2次元フィールドが印刷されるとともに、各フィールド
のエッジとエッジをつなぎ合わせることから、ステッチングは極めて重要である
。わずか数ナノメートルの1フィールドを置き換えることにより、エッジに沿っ
て目に見えるパターン誤差が発生し、マスクによって生成される電子回路の機能
に悪影響を及ぼす可能性がある。このような不必要なステッチングの影響を減少
させる効果的な方法として、数本の経路に同じパターンを印刷し、このような経
路間にあるステッチング境界を置き換える方法があげられる。パターンが4回印
刷された場合、ステッチング誤差が4箇所で発生することが予想されるが、それ
らはわずか四分の一の規模にすぎない。本発明の好適な実施例では、フィールド
間のオーバラップ・バンドとともに、中間露光を発生する機能が使用される。ラ
スタライゼーションを実行している間、上記の値がコンピュータ計算されるが、
圧縮データを解凍している間でもこの計算は実行できる。エッジ・オーバラップ
により、ステッチング誤差が減少し、マルチパス印刷に比べてスループットのマ
イナス点がはるかに減少する。
【0043】 (修正照射) 第1の好適な実施例において、SLMの照射は、エキシマ・レーザや、フライ
アイ・レンズなどの光スクランブラーによって行なわれ、イルミネータのひとみ
面の円形自発光面からの照射とよく似た照射が生成される。ある特定の投射系に
よる印刷時に解像度を高める場合、修正照射法を利用することができる。最も簡
単な例では、イルミネータのひとみ面に、例えば、四重極形または環状の透過領
域を有するひとみフィルタを導入する方法がある。さらに複雑な例では、同じフ
ィールドを数回印刷する方法がある。露光と露光の間で複数のパラメタを変化さ
せることが可能であり、例えば、画像面の焦点、照射パターン、SLMに使用す
るデータ、投影レンズのひとみ面のひとみフィルタなどが使用できる。特に、照
射の同期をとった変化やひとみフィルタによって、解像度を高めることができ、
このことは、ひとみが扇形透過領域を有しているとともに、非回折光が該扇形の
先端付近の吸収パッチをさえぎるように照射が一直線に並んでいる場合に、特に
顕著である。
【0044】 (反応の線形化) データからエッジまでの伝達関数の線形化を図るうえで、ここで行なう配置に
は、基本的に次の3つの方法がある。 (1)データ変換装置において非線形性を考慮し、データ変換装置に8ビット(
例)の画素値を生成し、同じ解像度を有するDACを使用してSLMを駆動する
。 (2)より少ない値(例えば、5ビット、すなわち、最高32個の値)でデジタ
ル値を生成し、ルックアップ・テーブル(LUT)の8ビット値に変換した後に
、この8ビット値をDACに供給する。 (3)5ビット値と半導体スイッチを使用して、1台または数台の高解像度DA
Cにより生成されたDC電圧を選択する。
【0045】 いずれの場合も、実証的校正関数がデータ変換装置のLUTで使用されるか、
または、DC電圧で使用される場合に、プレート上の反応が線形化されるような
実証的校正関数を測定することが可能である。
【0046】 どの線形化方式を用いるかは、データ速度、精度要件、および、時代とともに
変化する利用可能な回路技術によって異なる。現時点では、データ変換装置は行
き詰まった状態にあることから、データ変換装置による線形化は、好適なソリュ
ーションとはいえず、8ビット画素値を生成することも好ましくない。また、高
速DACは、高価であり消費電力が高い。最も適正なソリューションは、DC電
圧を生成し、スイッチを使用する方法である。この方法では、8ビットよりもさ
らに高い解像度の使用が可能である。
【0047】 (好適なパターン・ジェネレータの説明) 図6について説明する。パターン・ジェネレータは、単数および複数の値を持
つ画素アドレス指定方式によるSLM601と、光源602と、照射ビーム・ス
クランブル装置603と、結像光学システム604と、干渉計位置制御システム
606を備えた微細位置付け基板ステージ605と、SLM用ハードウェアおよ
びソフトウェア・データ処理システム607とから構成されている。また、さら
に、適正な機能を提供し操作を簡易化するために、前記パターン・ジェネレータ
は、温度制御を備えた周囲環境チャンバ、基板荷重システム、最適なパターン配
置確度を実現するためのステージ移動および露光レーザ・トリガーのタイミング
をとるためのソフトウェア、およびソフトウェア・ユーザ・インタフェースも具
備している。
【0048】 パターン・ジェネレータの照射は、KrFエキシマ・レーザによって行なわれ
、エキシマ・レーザの自然線幅に相当する帯域を有し、248ナノメートルの波
長でUV領域において10〜20ナノ秒の長いフラッシュ光を放出する。基板上
のパターンの歪みを防止するために、エキシマ・レーザからの光を、SLM面に
均一に割り当てて、光のコヒーレンス長を充分に短くすることにより、基板上に
レーザ・スペックルが発生しないようにする。ビーム・スクランブラーを使用し
て、この2つの目的を達成する。ビーム・スクランブラーは、エキシマ・レーザ
からのビームを異なる光路長を持つ数本のビーム路に分割した後に、空間コヒー
レンス長を短くするために各ビーム路をまとめて一つにする。さらに、ビーム・
スクランブラーは、1組のフライアイ・レンズを有するレンズ系から成るビーム
・ホモジナイザーを有し、このビーム・ホモジナイザーは、エキシマ・レーザか
らのレーザ・ビームの各ポイントからの光を、SLM面全体に均一に分配し、「
最上層の」光分布を行なう。
【0049】 SLMからの光は、中継され基板ステージ上の基板に結像される。これは、ク
ックにより開示されているシュリーレン光学システムを用いて行なわれる。焦点
幅f1のレンズl1が、SLMから距離f1の位置に配置される。焦点長さf2のも
う一つのレンズl2は、SLMから距離2×f1+f2の位置に配置される。次に 、基板が、SLMから距離2×f1+2×f2の位置に配置される。SLMから距
離2×f1の位置には、サイズによってシステムの開口数(NA)を決定し、そ れによって、基板上に書き込める最小パターン・フィーチャーのサイズを決定す
る開口608がある。また、光学システムや基板の平面度の不完全性を補正する
ために、レンズl2をz方向に動的に位置付けする合焦システムもあり、50マ イクロメートルの位置スパンにより、最適な焦点特性が得られる。さらに、この
レンズ系は、照射光の波長が248ナノメートルになるように波長補正されてお
り、照射光の帯域幅許容誤差が少なくとも±1ナノメートルである。レンズl1 の真上に位置するビーム・スプリッター609により、照射光が結像光学システ
ムに反射する。縮小率250および開口数(NA)0.62の場合、サイズを0
.2マイクロメートルまで縮小したパターン・フィーチャーを露光して高品質な
パターンを得ることができる。各SLM画素から32レベルで、最小グリッド・
サイズが2ナノメートルになる。
【0050】 パターン・ジェネレータは、干渉計位置制御システムを備えた微細位置付け基
板ステージを有しており、最小熱膨張用にZerodurで作製された可動エア
ベアリングxyテーブル605から成る。干渉計位置フィードバック測定システ
ム606を備えたサーボ・システムは、各方向のステージ位置付けを制御する。
1方向のyにおいて、サーボ・システムは、ステージを固定位置に維持し、もう
片方の方向xにおいて、ステージは、連続的な速度で移動する。干渉計位置測定
システムは、x方向に使用されることにより、露光レーザをトリガーし、基板上
のSLMの各画像間の位置を均一にする。SLM画像の1行全体が基板上で露光
されると、ステージは、x方向の元の位置に戻り、y方向にSLM画像の1増分
だけ移動して、基板上のもう1行のSLM画像を露光する。この手順は、基板全
体が露光されるまで繰返し行なわれる。
【0051】 SLM画像は、xおよびyの両方向に多数の画素とオーバラップしており、露
光データ・パターンは、オーバラップしている画素で局部的に修正され、このよ
うなオーバラップ領域となる多くの露光を補償している。
【0052】 エキシマ・レーザからのパルス対パルス強度の偏差は、パターンの2パス露光
により補償され、ここでは、第1パスが正しい強度である公称90%の強度で実
行される。第1パスでは、各レーザ・フラッシュの実際の強度が測定ならびに記
憶される。第2パスでは、第1パスからの測定済み強度の値に基づいて、各SL
M画像露光用の正しい強度が用いられる。このように、エキシマ・レーザからの
パルス対パルス強度の偏差による影響の規模を抑制することができる。
【0053】 SLMの機能性については、本書の別の箇所でさらに詳しく述べる。SLMは
、画素サイズが16マイクロメートルの画素を2048×256個有しており、
1ミリ秒以内に全画素をアドレス指定することが可能である。SLMは、精巧な
ステージに固定して装填されている。この精巧なステージは、フラッシュ露光と
フラッシュ露光の間において100ナノメートルよりも高い確度で、xおよびy
方向に、100ミクロン移動可能である。SLMの微細な位置付けを行なうこと
により、基板位置付けステージの位置の不正確さを補正し、パターン・ステッチ
ング誤差をさらに少なくする。x‐y方向の位置付けに加え、基板ステージの座
標系で指定されたもの以外の角度で基板上のパターンを露光するために、SLM
ステージを回転させることも可能である。このような回転を行なう目的は、補足
的フィーチャーが追加される既存のパターンを有する基板に対して、基板の調節
可能性を組み入れられるようにすることである。オフライン光チャネルおよびC
CDカメラを使用して、装荷後にステージ上の基板の正確な位置を測定し、基板
上にある多数の整列マークのシステム座標を決定することができる。露光中は、
整列マークの測定位置に基づいて、xおよびy方向に、ステージ位置が訂正され
る。回転座標系に追従するステージ・サーボ・システムを使用するとともに、前
記の通りSLMの精巧なステージを回転させて、回転的な整列が達成される。
【0054】 パターン・ラスタライザー610において、任意の形式を有する任意のデータ
・パターンが、1画素につき32(5ビット)グレー・レベルの圧縮ラスタライ
ズ済み画素マップに変換される。画素電極に印加される電圧に対して、露光され
た画素のグレースケールの段階が線形的ではないことから、32のグレー・レベ
ルがそれぞれ次のレベルの照射線量の均一な増加分に対応するように、入力デー
タが画素リニアライザー611で線形化される。この動作は、8ビットのデジタ
ルからアナログへの変換器(DAC)612を使用して行なわれ、予め実証的に
校正された線形化関数にしたがって、画素マップからの各グレー・レベルによっ
て、DACからの電圧を選択する。DACからのアナログ・レベルの選択におい
て、各値がSLM画素に対応し、そのような各値により、対応する画素の変則性
を補正するルックアップ・テーブルを使用して、追加的な補正が行なわれる。ル
ックアップ・テーブルの校正値は、実証的校正手順によって作成され、この手順
では、連続したテスト・パターンがSLMに送信され、得られた露光パターンを
測定し、測定されたパターンが個々の画素補正に使用される。以上は、画素マッ
プの各グレー・レベルによってアナログ電圧が選択され、対応する全SLM画素
に対して画素の変形を施すことにより、正しい照射線量を供給することを意味し
ている。
【0055】 (引用文献) ネルソン 1988年: 米国特許第5、148、157号 クック 1990年: 欧州特許第0 610 183号 サンドストロン他 1990年: 欧州特許第0 467 076号
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術によるプリンタを示す図である。SLMは、レンズのひとみからの光
を偏向させるマイクロミラーから成る。
【図2】 4つの上部画素をオフ状態に、残りの5つの画素をオン状態にした画素設計を
いくつか示した図である。
【図3】 ピストンのように上下移動することにより、位相差を生成する画素の配列を示
す図である。これにより、位相型SLMによってエッジ位置をどのように微調整
できるか示されている。
【図4】 a〜gは、偏向ミラーの付いたSLMと変形ミラーの付いたSLMとの概略的
な比較を示す図である。
【図5】 データを翻訳しSLMに供給する方法を示すフローチャートである。
【図6】 本発明によるパターン・ジェネレータの好適な実施例を示す図である。
【図7】 aおよびbは、異なる露光によって異なる種類のフィーチャーをパターンに書
き込むことにより、本発明の方法をどのように画像の高画質化に使用できるのか
概略的に示している図である。
【図8】 a〜cは、本発明で使用される好適なひとみフィルタの例を示す図である。
【図9】 補正露光をどのように用いて第1露光の解像度を高めることができるのかとい
う点について第1の概略的な例を示す図である。
【図10】 補正露光をどのように用いて第1露光の解像度を高めることができるのかとい
う点について第2の概略的な例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB ,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ, DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,GE,G H,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP ,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR, LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,M W,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD ,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR, TT,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW Fターム(参考) 2H041 AA16 AB14 AC06 AC08 AZ02 AZ05 2H095 BB01 BB12 2H097 CA12 CA13 CA15 GB00 LA09 LA10 LA11 LA12 LA20 5F046 AA05 BA03 GA03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 解像度と画像忠実度を高めるための、放射線に感応する加工
    品上にマイクロリソグラフィック・パターンを生成する方法であって、 超紫外線(EUV)から赤外線(IR)までの波長範囲にある電磁放射線を放
    射する光源を提供する段階と、 前記放射線により、多数の変調素子(画素)を有する空間光変調装置(SLM
    )を照射する段階と、 前記加工品上に前記変調装置の画像を投影する段階と、 前記加工品および/または投影システムを互いに対して移動させる段階と、 さらに、書き込むパターンのデジタル描写を情報記憶装置から読み取る段階と
    、 前記パターン描写から、連続した部分的パターンを抽出する段階と、 前記部分的パターンを変調装置信号に変換して該信号を前記変調装置に供給す
    る段階と、 さらに、前記加工品の移動と、前記変調装置への信号の供給と、前記放射線の
    強度とを調整することにより、連続した部分的パターンによって作成される部分
    的画像をつなぎ合わせてパターンを作成する段階とを含み、 前記パターンの領域が少なくとも2回露光され、該露光は、露光と露光の間で
    以下のパラメータ、すなわち (イ)SLMに供給されるデータ (ロ)焦点 (ハ)SLMにおける照射の角度分布 (ニ)ひとみフィルタリング (ホ)偏光 のうちの少なくとも1つ、好ましくは少なくとも2つのパラメータが変化してい
    ることを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 第1の露光がより高い露光照射量を有し且つ前記加工品にパ
    ターンを作成し、第2の露光がより低い露光照射量と、SLMにおける実質的に
    逆の変調と、加工品における光解像度を低下させるひとみフィルタとを有するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 各露光が実質的に同じ露光照射量を有し、例えば楕円形、矩
    形、またはくさび形状の指向性ひとみフィルタが露光と露光の間に回転させられ
    ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 各露光が実質的に同じ露光照射量を有し、前記SLMに供給
    されるパターン・データが方向的非対称性を有し、該非対称性が露光と露光の間
    に回転させられることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に
    記載の方法。
  5. 【請求項5】 各露光が実質的に同じ露光照射量を有し、前記加工品に入射
    する光の偏光が露光と露光の間に回転させられることを特徴とする請求項1から
    請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
  6. 【請求項6】 各露光が実質的に同じ露光照射量を有し、前記焦点が露光と
    露光の間に変えられることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1
    項に記載の方法。
  7. 【請求項7】 以下のパラメータ、すなわち (イ)SLMに供給されるデータ (ロ)SLMにおける照射の角度分布 (ハ)ひとみフィルタリング (ニ)偏光 のうちの少なくとも2つが、露光と露光の間で変化し、該2つの変化したパラメ
    ータが方向特性を有し、該方向特性が露光と露光の間に回転させられ、該回転が
    、少なくとも2つのパラメータ間で同期していることを特徴とする請求項1また
    は請求項2に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記ひとみフィルタが、犬の骨の形状を有していることを特
    徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記ひとみフィルタが、パターンの大型フィーチャーに対応
    する光の空間的構成を減ずるための領域を有していることを特徴とする請求項1
    から請求項8までのいずれか1項に記載の方法。
  10. 【請求項10】 前記ひとみフィルタが、第2の空間光変調装置であること
    を特徴とする請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記第1のSLMにおける前記照射の前記角度分布が、照
    射制御SLMによって制御されることを特徴とする請求項1から請求項10まで
    のいずれかに記載の方法。
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CN (3) CN1173234C (ja)
AT (5) ATE491970T1 (ja)
AU (7) AU3284299A (ja)
DE (6) DE69943041D1 (ja)
ES (1) ES2357473T3 (ja)
RU (2) RU2232411C2 (ja)
SE (1) SE9800665D0 (ja)
WO (7) WO1999045435A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180575B2 (en) 2004-10-26 2007-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2007522671A (ja) * 2004-02-25 2007-08-09 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法
JP2007266155A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Asml Netherlands Bv 可変式照明源
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法

Families Citing this family (509)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047048A1 (en) * 1997-04-14 1998-10-22 Dicon A/S An illumination unit and a method for point illumination of a medium
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6816302B2 (en) * 1998-03-02 2004-11-09 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
US6181210B1 (en) * 1998-09-21 2001-01-30 Broadcom Corporation Low offset and low glitch energy charge pump for PLL-based timing recovery systems
US7328425B2 (en) 1999-05-20 2008-02-05 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
GB2344899B (en) * 1999-05-29 2000-11-22 Bookham Technology Ltd Production of an integrated optical device
SE516914C2 (sv) * 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
AU7451600A (en) * 1999-09-30 2001-04-30 Nikon Corporation Optical device with multilayer thin film and aligner with the device
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
TW508653B (en) * 2000-03-24 2002-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method
SE517550C2 (sv) * 2000-04-17 2002-06-18 Micronic Laser Systems Ab Mönstergenereringssystem användande en spatialljusmodulator
US6552740B1 (en) * 2000-08-01 2003-04-22 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing monochromatic imaging using a spatial light modulator
US6645677B1 (en) 2000-09-18 2003-11-11 Micronic Laser Systems Ab Dual layer reticle blank and manufacturing process
US6580490B1 (en) * 2000-10-30 2003-06-17 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing images in multiple formats using a spatial light modulator
US6690499B1 (en) * 2000-11-22 2004-02-10 Displaytech, Inc. Multi-state light modulator with non-zero response time and linear gray scale
USRE43841E1 (en) * 2000-12-14 2012-12-04 F. Poszat Hu, Llc Printing by active tiling
US6653026B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US20020122237A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-05 Torbjorn Sandstrom Method and apparatus for spatial light modulation
JP4495898B2 (ja) * 2001-04-04 2010-07-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 改良型パターン・ジェネレータ
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US6753947B2 (en) * 2001-05-10 2004-06-22 Ultratech Stepper, Inc. Lithography system and method for device manufacture
GB0114862D0 (en) 2001-06-19 2001-08-08 Secr Defence Image replication system
US7095484B1 (en) * 2001-06-27 2006-08-22 University Of South Florida Method and apparatus for maskless photolithography
JP5144863B2 (ja) * 2001-06-29 2013-02-13 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
JP4273291B2 (ja) * 2001-08-17 2009-06-03 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP4324645B2 (ja) * 2001-08-21 2009-09-02 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2003066366A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系及びこれを用いた画像表示装置、画像露光装置
US6784975B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
US6794100B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US6819490B2 (en) 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
US7302111B2 (en) * 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
WO2003023494A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-20 Micronic Laser Systems Ab Improved method and apparatus using an slm
JP3881865B2 (ja) 2001-10-19 2007-02-14 株式会社 液晶先端技術開発センター 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法
JP2006502558A (ja) 2001-11-07 2006-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光学式スポット格子アレイ印刷装置
AU2002342349A1 (en) 2001-11-07 2003-05-19 Applied Materials, Inc. Maskless printer using photoelectric conversion of a light beam array
US6618185B2 (en) 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
US6903859B2 (en) 2001-12-07 2005-06-07 Micronic Laser Systems Ab Homogenizer
US6950194B2 (en) * 2001-12-07 2005-09-27 Micronic Laser Systems Ab Alignment sensor
GB2383140A (en) * 2001-12-13 2003-06-18 Zarlink Semiconductor Ltd Exposure positioning in photolithography
US20030233630A1 (en) * 2001-12-14 2003-12-18 Torbjorn Sandstrom Methods and systems for process control of corner feature embellishment
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
US6665110B2 (en) * 2001-12-31 2003-12-16 Texas Instruments Incorporated Diagonal to rectangular pixel mapping for spatial light modulator
US7159197B2 (en) * 2001-12-31 2007-01-02 Synopsys, Inc. Shape-based geometry engine to perform smoothing and other layout beautification operations
US6873401B2 (en) * 2002-01-24 2005-03-29 Intel Corporation Reflective liquid crystal display lithography system
CN1279403C (zh) * 2002-02-06 2006-10-11 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SE0200547D0 (sv) * 2002-02-25 2002-02-25 Micronic Laser Systems Ab An image forming method and apparatus
US6590695B1 (en) * 2002-02-26 2003-07-08 Eastman Kodak Company Micro-mechanical polarization-based modulator
SE0200864D0 (sv) * 2002-03-21 2002-03-21 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for printing large data flows
US7167185B1 (en) 2002-03-22 2007-01-23 Kla- Tencor Technologies Corporation Visualization of photomask databases
US6976426B2 (en) * 2002-04-09 2005-12-20 Day International, Inc. Image replication element and method and system for producing the same
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
US6728023B1 (en) * 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US7023528B2 (en) * 2002-06-10 2006-04-04 International Business Machines Corporation Hybrid electronic mask
AUPS328402A0 (en) * 2002-06-28 2002-07-18 Australian Photonics Pty Limited Writing of photo-induced structures
US7302672B2 (en) * 2002-07-12 2007-11-27 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
JP2005533283A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定のマスク書込のための方法及びシステム
WO2004008245A2 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
JP3691837B2 (ja) * 2002-08-16 2005-09-07 株式会社林創研 バイオチップ分析装置
US6818910B2 (en) * 2002-08-23 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Writing methodology to reduce write time, and system for performing same
CN100470298C (zh) 2002-08-24 2009-03-18 无掩模平版印刷公司 连续地直接写的光刻技术
AU2003274829A1 (en) 2002-10-25 2004-05-13 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system
US7098468B2 (en) * 2002-11-07 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Raster frame beam system for electron beam lithography
JP2004200221A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Toray Eng Co Ltd レーザマーキング方法及び装置
US7171068B2 (en) * 2002-12-20 2007-01-30 Texas Instruments Incorporated Method to improve an extinction ratio of an optical device
KR20050086953A (ko) * 2003-01-15 2005-08-30 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 결함 픽셀을 탐지하는 방법
SE0300138D0 (sv) * 2003-01-22 2003-01-22 Micronic Laser Systems Ab Electromagnetic radiation pulse timing control
US6906848B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-14 Exajoule, Llc Micromirror systems with concealed multi-piece hinge structures
SE0300516D0 (sv) * 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
EP1608003A1 (en) * 2003-03-05 2005-12-21 Tadahiro Ohmi Mask repeater and mask manufacturing method
WO2004095549A1 (ja) * 2003-04-11 2004-11-04 Ball Semiconductor Inc. パターン描画装置及びパターン描画方法
JP4314054B2 (ja) * 2003-04-15 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US6956692B2 (en) * 2003-04-24 2005-10-18 Micronic Laser Systems, Ab Method and apparatus for controlling exposure of a surface of a substrate
DE60333398D1 (de) * 2003-04-24 2010-08-26 Micronic Laser Systems Ab Belichtungssteuerung
JP2004341160A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Seiko Epson Corp 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム
US7063920B2 (en) * 2003-05-16 2006-06-20 Asml Holding, N.V. Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems
TWI304522B (en) * 2003-05-28 2008-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method
US6989920B2 (en) 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
US20040239901A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4486323B2 (ja) * 2003-06-10 2010-06-23 富士フイルム株式会社 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
US6833854B1 (en) * 2003-06-12 2004-12-21 Micronic Laser Systems Ab Method for high precision printing of patterns
KR101098070B1 (ko) * 2003-06-12 2011-12-26 마이크로닉 마이데이터 아베 고정밀도 패턴 인쇄 방법
SG118283A1 (en) 2003-06-20 2006-01-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1489449A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Spatial light modulator
SG110099A1 (en) * 2003-06-24 2005-04-28 Asml Holding Nv Projection optical system for maskless lithography
US7110082B2 (en) * 2003-06-24 2006-09-19 Asml Holding N.V. Optical system for maskless lithography
EP1491966A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic apparatus
SG119224A1 (en) * 2003-06-26 2006-02-28 Asml Netherlands Bv Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158215B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-02 Asml Holding N.V. Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays
US7154587B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-26 Asml Netherlands B.V Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7024638B2 (en) * 2003-07-14 2006-04-04 Cadence Design Systems, Inc. Method for creating patterns for producing integrated circuits
US7224504B2 (en) * 2003-07-30 2007-05-29 Asml Holding N. V. Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use
US6831768B1 (en) 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
US7186486B2 (en) * 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
JP2007501430A (ja) * 2003-08-04 2007-01-25 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット Psm位置調整方法及び装置
EP1664930A2 (en) * 2003-08-22 2006-06-07 Plex LLC Optically addressed extreme ultraviolet modulator and lithography system incorporating modulator
US6972843B2 (en) * 2003-08-25 2005-12-06 Intel Corporation Lithography alignment
US7315294B2 (en) * 2003-08-25 2008-01-01 Texas Instruments Incorporated Deinterleaving transpose circuits in digital display systems
WO2005022263A2 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Control circuit and method for forming optical images
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
WO2005029178A2 (en) * 2003-09-22 2005-03-31 Orbotech Ltd. A system and method for the direct imaging of color filters
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
US6876440B1 (en) * 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7003758B2 (en) * 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
CN101419411B (zh) * 2003-10-07 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于平板印刷仿真的系统和方法
US7109498B2 (en) 2003-10-09 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US6894765B2 (en) * 2003-10-14 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
US7982690B2 (en) * 2006-12-27 2011-07-19 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Deformable micromirror device
US8157389B2 (en) * 2003-11-01 2012-04-17 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Synchronous control system for light source and spatial light modulator employed in projection apparatus
US7116398B2 (en) * 2003-11-07 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10352040A1 (de) * 2003-11-07 2005-07-21 Carl Zeiss Sms Gmbh In Lage, Form und/oder den optischen Eigenschaften veränderbare Blenden-und/oder Filteranordnung für optische Geräte, insbesondere Mikroskope
US7196772B2 (en) * 2003-11-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7842926B2 (en) 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
EP1682934B1 (en) * 2003-11-12 2022-04-06 Mycronic AB Method and device for correcting slm stamp image imperfections
KR100797433B1 (ko) * 2003-12-11 2008-01-23 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 워크피스를 패터닝하기 위한 방법과 장치 및 그 제조 방법
US7001232B2 (en) * 2003-12-11 2006-02-21 Montgomery Robert E Personal watercraft air intake assembly
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7184184B2 (en) * 2003-12-31 2007-02-27 Reliant Technologies, Inc. High speed, high efficiency optical pattern generator using rotating optical elements
US7012674B2 (en) * 2004-01-13 2006-03-14 Asml Holding N.V. Maskless optical writer
US6847461B1 (en) * 2004-01-29 2005-01-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
JP4083751B2 (ja) * 2004-01-29 2008-04-30 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
TWI412067B (zh) * 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US7898144B2 (en) * 2006-02-04 2011-03-01 Angstrom, Inc. Multi-step microactuator providing multi-step displacement to a controlled object
US8537204B2 (en) * 2004-07-08 2013-09-17 Gyoung Il Cho 3D television broadcasting system
US7330297B2 (en) * 2005-03-04 2008-02-12 Angstrom, Inc Fine control of rotation and translation of discretely controlled micromirror
US7474454B2 (en) * 2004-06-18 2009-01-06 Angstrom, Inc. Programmable micromirror motion control system
US7333260B2 (en) * 2004-08-09 2008-02-19 Stereo Display, Inc. Two-dimensional image projection system
US7580178B2 (en) * 2004-02-13 2009-08-25 Angstrom, Inc. Image-guided microsurgery system and method
US7350922B2 (en) * 2004-02-13 2008-04-01 Angstrom, Inc. Three-dimensional display using variable focal length micromirror array lens
US7382516B2 (en) * 2004-06-18 2008-06-03 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror with multi-level positions
US7751694B2 (en) * 2004-02-13 2010-07-06 Angstrom, Inc. Three-dimensional endoscope imaging and display system
US7133118B2 (en) * 2004-02-18 2006-11-07 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7190434B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081947B2 (en) * 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016014B2 (en) * 2004-02-27 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43515E1 (en) 2004-03-09 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7094506B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-22 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6999224B2 (en) * 2004-03-10 2006-02-14 Reflectivity, Inc Micromirror modulation method and digital apparatus with improved grayscale
US7768571B2 (en) * 2004-03-22 2010-08-03 Angstrom, Inc. Optical tracking system using variable focal length lens
US7410266B2 (en) * 2004-03-22 2008-08-12 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system for robot vision
US7339746B2 (en) * 2004-03-22 2008-03-04 Angstrom, Inc. Small and fast zoom system using micromirror array lens
EP1739482A4 (en) * 2004-03-24 2009-03-25 Fujifilm Corp PICTURE GENERATION PROCESS, LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE AND LITHOGRAPHIC PROCESS
JP4541010B2 (ja) * 2004-03-25 2010-09-08 財団法人国際科学振興財団 パターン露光装置および二次元光像発生装置
US7561251B2 (en) 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1730596B1 (en) * 2004-03-30 2011-02-16 Carl Zeiss SMT AG Projection objective and projection exposure apparatus
US7053981B2 (en) * 2004-03-31 2006-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
US7619614B2 (en) * 2004-04-12 2009-11-17 Angstrom, Inc. Three-dimensional optical mouse system
US7742232B2 (en) * 2004-04-12 2010-06-22 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system
US8049776B2 (en) * 2004-04-12 2011-11-01 Angstrom, Inc. Three-dimensional camcorder
US20070115261A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Stereo Display, Inc. Virtual Keyboard input system using three-dimensional motion detection by variable focal length lens
US20070040924A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Stereo Display, Inc. Cellular phone camera with three-dimensional imaging function
US8057963B2 (en) * 2004-06-10 2011-11-15 Lsi Corporation Maskless vortex phase shift optical direct write lithography
US7002666B2 (en) * 2004-04-16 2006-02-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005311145A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、パターン形成装置および位置合わせ方法
US7372547B2 (en) * 2004-04-27 2008-05-13 Lsi Corporation Process and apparatus for achieving single exposure pattern transfer using maskless optical direct write lithography
US20050243295A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
US6963434B1 (en) * 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
JP2008502058A (ja) * 2004-05-18 2008-01-24 シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド セキュリティ文書を追跡する方法およびコンピュータシステム
US20050259269A1 (en) 2004-05-19 2005-11-24 Asml Holding N.V. Shearing interferometer with dynamic pupil fill
WO2005111717A2 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Fujifilm Corporation Image recording method
US7242456B2 (en) 2004-05-26 2007-07-10 Asml Holdings N.V. System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions
US7667896B2 (en) 2004-05-27 2010-02-23 Angstrom, Inc. DVD recording and reproducing system
US7354167B2 (en) 2004-05-27 2008-04-08 Angstrom, Inc. Beam focusing and scanning system using micromirror array lens
US7777959B2 (en) * 2004-05-27 2010-08-17 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with fixed focal length
US7477403B2 (en) 2004-05-27 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US6989886B2 (en) * 2004-06-08 2006-01-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US7345806B2 (en) * 2004-06-23 2008-03-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for characterizing microelectromechanical devices on wafers
CN100476499C (zh) 2004-06-23 2009-04-08 艺术科学魁恩传媒公司 利用光学瓦片的浮雕成像
US7016016B2 (en) * 2004-06-25 2006-03-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
US7573574B2 (en) * 2004-07-13 2009-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060012779A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7335398B2 (en) * 2004-07-26 2008-02-26 Asml Holding N.V. Method to modify the spatial response of a pattern generator
US7227613B2 (en) * 2004-07-26 2007-06-05 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus having double telecentric illumination
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7142286B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7538855B2 (en) * 2004-08-10 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102733B2 (en) 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7500218B2 (en) * 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7304718B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006021406A2 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Micronic Laser Systems Ab Pupil improvement of incoherent imaging systems for enhanced cd linearity
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4750396B2 (ja) * 2004-09-27 2011-08-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7588868B2 (en) * 2004-10-06 2009-09-15 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements
US7177012B2 (en) 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7136210B2 (en) * 2004-10-21 2006-11-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator
US7388663B2 (en) 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7423732B2 (en) * 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7609362B2 (en) * 2004-11-08 2009-10-27 Asml Netherlands B.V. Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method
US7457547B2 (en) * 2004-11-08 2008-11-25 Optium Australia Pty Limited Optical calibration system and method
US7489434B2 (en) 2007-05-02 2009-02-10 Angstrom, Inc. Hybrid micromirror array lens for reducing chromatic aberration
US7619807B2 (en) * 2004-11-08 2009-11-17 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with optical surface profiles
US7170584B2 (en) * 2004-11-17 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7061581B1 (en) * 2004-11-22 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7643192B2 (en) * 2004-11-24 2010-01-05 Asml Holding N.V. Pattern generator using a dual phase step element and method of using same
US7713667B2 (en) * 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365848B2 (en) * 2004-12-01 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers
US7391499B2 (en) * 2004-12-02 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7362415B2 (en) * 2004-12-07 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355677B2 (en) * 2004-12-09 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus
US7349068B2 (en) * 2004-12-17 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7274502B2 (en) * 2004-12-22 2007-09-25 Asml Holding N.V. System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks
US7230677B2 (en) * 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US7256867B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7391676B2 (en) 2004-12-22 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Ultrasonic distance sensors
US7202939B2 (en) * 2004-12-22 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7375795B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7426076B2 (en) * 2004-12-23 2008-09-16 Asml Holding N.V. Projection system for a lithographic apparatus
US7656506B2 (en) * 2004-12-23 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7242458B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
US7538857B2 (en) * 2004-12-23 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7279110B2 (en) * 2004-12-27 2007-10-09 Asml Holding N.V. Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
US7317510B2 (en) * 2004-12-27 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7459247B2 (en) * 2004-12-27 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7756660B2 (en) * 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US7145636B2 (en) * 2004-12-28 2006-12-05 Asml Netherlands Bv System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications
US7274029B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7253881B2 (en) * 2004-12-29 2007-08-07 Asml Netherlands Bv Methods and systems for lithographic gray scaling
US7342644B2 (en) * 2004-12-29 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for lithographic beam generation
US7453645B2 (en) * 2004-12-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7567368B2 (en) * 2005-01-06 2009-07-28 Asml Holding N.V. Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography
JP4758443B2 (ja) * 2005-01-28 2011-08-31 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 大域的最適化に基づくマスクレスリソグラフィ・ラスタライゼーション技術の方法、装置およびコンピュータ読取可能媒体
US7542013B2 (en) * 2005-01-31 2009-06-02 Asml Holding N.V. System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode
US7460208B2 (en) * 2005-02-18 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7286137B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-23 Asml Holding N.V. Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization
US20060198011A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 Stereo Display, Inc. Volumetric three-dimensional device using two-dimensional scanning device
US20060204859A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 International Business Machines Corporation An extra dose trim mask, method of manufacture, and lithographic process using the same
US20060203117A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Stereo Display, Inc. Video monitoring system using variable focal length lens
US7499146B2 (en) * 2005-03-14 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping
US7812930B2 (en) * 2005-03-21 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume
US7209216B2 (en) * 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
US7403265B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
US7728956B2 (en) * 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
US7456935B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table
TWI427440B (zh) * 2005-04-06 2014-02-21 Kodak Graphic Comm Canada Co 用於校正影像化規則圖案的條帶之方法與裝置
JP4691653B2 (ja) * 2005-04-07 2011-06-01 国立大学法人東北大学 データ生成方法、データ生成装置、及びプログラム
US7209217B2 (en) 2005-04-08 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices
US7330239B2 (en) * 2005-04-08 2008-02-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device
JP4686599B2 (ja) * 2005-04-15 2011-05-25 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 画像強調技法
US7221514B2 (en) * 2005-04-15 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Variable lens and exposure system
US7919218B2 (en) * 2005-04-15 2011-04-05 Micronic Laser Systems Ab Method for a multiple exposure beams lithography tool
US20060244805A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Ming-Hsiang Yeh Multicolor pen
US7400382B2 (en) 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
US7738081B2 (en) * 2005-05-06 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler
JP4570151B2 (ja) * 2005-05-06 2010-10-27 株式会社ナノシステムソリューションズ マスク製造方法
KR100815352B1 (ko) * 2005-05-12 2008-03-19 삼성전기주식회사 후단 렌즈계의 개구수가 개선된 광변조기를 이용한디스플레이 장치
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7197828B2 (en) * 2005-05-31 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement
US7742148B2 (en) * 2005-06-08 2010-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image
US7292317B2 (en) * 2005-06-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating
JP4828870B2 (ja) * 2005-06-09 2011-11-30 株式会社東芝 評価パタンの作成方法およびプログラム
US7233384B2 (en) * 2005-06-13 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor
US7321416B2 (en) * 2005-06-15 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion
US7408617B2 (en) * 2005-06-24 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
US7965373B2 (en) * 2005-06-28 2011-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load
US7522258B2 (en) * 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US7307694B2 (en) * 2005-06-29 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method
US7209275B2 (en) * 2005-06-30 2007-04-24 Asml Holding N.V. Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation
US20070013889A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
US7251019B2 (en) * 2005-07-20 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging
US7446855B2 (en) * 2005-07-25 2008-11-04 Micron Technology, Inc Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure
US7283289B2 (en) * 2005-07-30 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projection system modulator reducing distortion and field curvature effects of projection system lens
US20070041077A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Stereo Display, Inc. Pocket-sized two-dimensional image projection system
US7606430B2 (en) * 2005-08-30 2009-10-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
JP2007114750A (ja) * 2005-09-09 2007-05-10 Asml Netherlands Bv 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法
WO2007035166A2 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for pattern generation based on multiple forms of design data
JP5025157B2 (ja) * 2005-09-29 2012-09-12 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置および画像記録方法
JP2007101687A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 描画装置、描画方法、データ構造及び記録媒体、並びに、データ処理装置及び処理方法
JP2007101730A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 画像露光装置
US7391503B2 (en) * 2005-10-04 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
US7492450B2 (en) * 2005-10-24 2009-02-17 General Electric Company Methods and apparatus for inspecting an object
CN100362387C (zh) * 2005-11-18 2008-01-16 重庆大学 静电简支梁式干涉光调制器
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070133007A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device
US7440078B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7528932B2 (en) * 2005-12-21 2009-05-05 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
US7466394B2 (en) * 2005-12-21 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
US7508491B2 (en) * 2006-04-12 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity
US7839487B2 (en) * 2006-04-13 2010-11-23 Asml Holding N.V. Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device
US7948606B2 (en) * 2006-04-13 2011-05-24 Asml Netherlands B.V. Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
JP2007286311A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波面変換装置、および光学装置
DE102006019963B4 (de) * 2006-04-28 2023-12-07 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
US8264667B2 (en) * 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US9736346B2 (en) 2006-05-09 2017-08-15 Stereo Display, Inc Imaging system improving image resolution of the system with low resolution image sensor
US8934084B2 (en) * 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7728954B2 (en) * 2006-06-06 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Reflective loop system producing incoherent radiation
US8052289B2 (en) * 2006-06-07 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Mirror array for lithography
US7649676B2 (en) * 2006-06-14 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method to form unpolarized light
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US8896808B2 (en) * 2006-06-21 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
US7593094B2 (en) * 2006-06-26 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Patterning device
US20080002174A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Asml Netherlands B.V. Control system for pattern generator in maskless lithography
US7630136B2 (en) 2006-07-18 2009-12-08 Asml Holding N.V. Optical integrators for lithography systems and methods
JP5180446B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-10 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置及び露光方法
US7548315B2 (en) 2006-07-27 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system
US7738077B2 (en) * 2006-07-31 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same
US7365899B2 (en) * 2006-08-10 2008-04-29 Angstrom, Inc. Micromirror with multi-axis rotation and translation
US7626182B2 (en) * 2006-09-05 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI345748B (en) * 2006-09-05 2011-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor liquid crystal display
US7628875B2 (en) * 2006-09-12 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. MEMS device and assembly method
US8049865B2 (en) * 2006-09-18 2011-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method
US7589885B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array device comprising encapsulated reflective metal layer and method of making the same
US7589884B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with encapsulation of reflective metal layer and method of making the same
KR100816494B1 (ko) * 2006-10-09 2008-03-24 엘지전자 주식회사 마스크리스 노광기 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법
US7683300B2 (en) * 2006-10-17 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Using an interferometer as a high speed variable attenuator
US20080121939A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-29 Michael Murray Methods of automatically generating dummy fill having reduced storage size
US7453551B2 (en) * 2006-11-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity
US7738079B2 (en) * 2006-11-14 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Radiation beam pulse trimming
US20080111977A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Asml Holding N.V. Compensation techniques for fluid and magnetic bearings
JP4937705B2 (ja) * 2006-11-14 2012-05-23 株式会社オーク製作所 多重露光装置
US8054449B2 (en) * 2006-11-22 2011-11-08 Asml Holding N.V. Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool
US7488082B2 (en) 2006-12-12 2009-02-10 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror array device with segmented electrodes
US8259285B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-04 Asml Holding N.V. Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data
US8749463B2 (en) * 2007-01-19 2014-06-10 Hamamatsu Photonics K.K. Phase-modulating apparatus
CN100456141C (zh) * 2007-01-23 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 批量硅片曝光的方法
JP5211487B2 (ja) * 2007-01-25 2013-06-12 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
US7965378B2 (en) * 2007-02-20 2011-06-21 Asml Holding N.V Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography
US7705309B1 (en) * 2007-02-27 2010-04-27 Agiltron Corporation Radiation detector with extended dynamic range
US7535618B2 (en) * 2007-03-12 2009-05-19 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror device having multiple motions
US8009269B2 (en) * 2007-03-14 2011-08-30 Asml Holding N.V. Optimal rasterization for maskless lithography
US8009270B2 (en) * 2007-03-22 2011-08-30 Asml Netherlands B.V. Uniform background radiation in maskless lithography
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5345132B2 (ja) * 2007-04-25 2013-11-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
CN101682958A (zh) * 2007-04-30 2010-03-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 模块化固态照明系统
US20080278698A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7714986B2 (en) * 2007-05-24 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control
US20080304034A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Asml Netherlands B.V. Dose control for optical maskless lithography
US9505606B2 (en) * 2007-06-13 2016-11-29 Angstrom, Inc. MEMS actuator with discretely controlled multiple motions
KR20080109409A (ko) * 2007-06-13 2008-12-17 삼성전자주식회사 투사형 디스플레이장치 및 그에 적용된 디스플레이방법
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system
US8692974B2 (en) * 2007-06-14 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control
US8189172B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
TWI443472B (zh) * 2007-07-13 2014-07-01 尼康股份有限公司 Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method and element
US7605988B2 (en) * 2007-07-23 2009-10-20 Angstrom, Inc. Compact image taking lens system with a lens-surfaced prism
US7589916B2 (en) * 2007-08-10 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array with iris function
US7838178B2 (en) * 2007-08-13 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Masks for microlithography and methods of making and using such masks
DE102007038999A1 (de) * 2007-08-17 2009-02-19 Punch Graphix Prepress Germany Gmbh Verfahren zur Steigerung des Durchsatzes und zur Reduzierung der Bewegungsunschärfe
US7755121B2 (en) * 2007-08-23 2010-07-13 Aptina Imaging Corp. Imagers, apparatuses and systems utilizing pixels with improved optical resolution and methods of operating the same
CN101796460B (zh) * 2007-08-30 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
US8111380B2 (en) * 2007-09-14 2012-02-07 Luminescent Technologies, Inc. Write-pattern determination for maskless lithography
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179330A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20180072841A (ko) * 2007-11-06 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5270142B2 (ja) 2007-12-05 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 反射型空間光変調素子
JP5063320B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
JPWO2009078223A1 (ja) * 2007-12-17 2011-04-28 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5554245B2 (ja) * 2007-12-21 2014-07-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ露光装置のマスク照明用の照明系
US20090185067A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-23 Stereo Display, Inc. Compact automatic focusing camera
EP2232334B1 (en) * 2007-12-21 2013-02-20 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US8247999B2 (en) 2008-01-22 2012-08-21 Alcatel Lucent Time division multiplexing a DC-to-DC voltage converter
US8129669B2 (en) 2008-01-22 2012-03-06 Alcatel Lucent System and method generating multi-color light for image display having a controller for temporally interleaving the first and second time intervals of directed first and second light beams
US8109638B2 (en) * 2008-01-22 2012-02-07 Alcatel Lucent Diffuser configuration for an image projector
GB0802944D0 (en) * 2008-02-19 2008-03-26 Rumsby Philip T Apparatus for laser processing the opposite sides of thin panels
US8810908B2 (en) * 2008-03-18 2014-08-19 Stereo Display, Inc. Binoculars with micromirror array lenses
CN102084280B (zh) * 2008-04-24 2015-07-15 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 具有结构化反射镜表面的空间光调制器
US8622557B2 (en) * 2008-05-20 2014-01-07 Stereo Display, Inc. Micromirror array lens with self-tilted micromirrors
US20090303569A1 (en) * 2008-05-20 2009-12-10 Stereo Didplay, Inc. Self-tilted micromirror device
US8300263B2 (en) * 2008-06-06 2012-10-30 Eastman Kodak Company Forming images with minimum feature sizes
US7971961B2 (en) * 2008-06-06 2011-07-05 Eastman Kodak Company Forming images with stitched swaths
US20100020331A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Micronic Laser Systems Ab Laser interferometer systems and methods with suppressed error and pattern generators having the same
JP5253037B2 (ja) * 2008-08-18 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
ES2666229T3 (es) * 2008-08-26 2018-05-03 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositivo de procesamiento láser y método de procesamiento láser
JPWO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101560617B1 (ko) * 2008-09-10 2015-10-16 삼성전자주식회사 광 발생 장치 및 그 제어 방법
DE102008048660B4 (de) * 2008-09-22 2015-06-18 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Strukturen auf Photolithographiemasken
US8253923B1 (en) 2008-09-23 2012-08-28 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8395752B2 (en) 2008-09-23 2013-03-12 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8670106B2 (en) * 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US8390781B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8390786B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
NL2003364A (en) * 2008-09-26 2010-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
US8048359B2 (en) * 2008-10-20 2011-11-01 3D Systems, Inc. Compensation of actinic radiation intensity profiles for three-dimensional modelers
NL2003449A (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Asml Netherlands Bv Fly's eye integrator, illuminator, lithographic apparatus and method.
DE102009020320A1 (de) 2008-11-19 2010-05-20 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Steigerung der Auflösung und/oder der Geschwindigkeit von Belichtungssystemen
DE102008054844B4 (de) * 2008-12-17 2010-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren
EP2317386B1 (en) * 2008-12-23 2012-07-11 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US8861066B2 (en) * 2009-02-16 2014-10-14 Micronic Ab Oversized micro-mechanical light modulator with redundant elements, device and method
JP5209544B2 (ja) * 2009-03-04 2013-06-12 大日本スクリーン製造株式会社 描画装置、描画装置用のデータ処理装置、および描画装置用の描画データ生成方法
RU2473936C2 (ru) * 2009-04-02 2013-01-27 Аслан Хаджимуратович Абдуев Экран и оптический коммутатор
US8610986B2 (en) * 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
US8226241B2 (en) 2009-05-15 2012-07-24 Alcatel Lucent Image projector employing a speckle-reducing laser source
JP2012527766A (ja) * 2009-05-20 2012-11-08 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. デュアルパス走査
US8434887B2 (en) 2009-08-27 2013-05-07 Dolby Laboratories Licensing Corporation Optical mixing and shaping system for display backlights and displays incorporating the same
KR20120067362A (ko) * 2009-09-18 2012-06-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 백 콘택 태양 전지들 내에서의 비아들의 레이저 드릴링
JP5393406B2 (ja) * 2009-11-06 2014-01-22 オリンパス株式会社 パターン投影装置、走査型共焦点顕微鏡、及びパターン照射方法
US9511448B2 (en) * 2009-12-30 2016-12-06 Resonetics, LLC Laser machining system and method for machining three-dimensional objects from a plurality of directions
JP5481400B2 (ja) * 2010-01-15 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ マイクロミラーデバイスの選別方法、マイクロミラーデバイス選別装置およびマスクレス露光装置
JP5446930B2 (ja) 2010-01-27 2014-03-19 東洋インキScホールディングス株式会社 インクジェットインキ受容層形成用コート剤、それを用いた記録媒体及び印刷物
KR101653213B1 (ko) * 2010-02-19 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 디지털 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 디지털 노광 장치
US8539395B2 (en) 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
JP2011199279A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Ims Nanofabrication Ag ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
WO2012013227A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror device
KR101930562B1 (ko) * 2010-09-27 2018-12-18 가부시키가이샤 니콘 공간 광변조기의 구동 방법, 노광용 패턴의 생성 방법, 노광 방법, 및 노광 장치
US8413084B2 (en) 2010-10-04 2013-04-02 International Business Machines Corporation Photomask throughput by reducing exposure shot count for non-critical elements
US8767185B2 (en) * 2010-12-07 2014-07-01 Micronic Laser Systems Ab Criss-cross writing strategy
JP5880443B2 (ja) 2010-12-13 2016-03-09 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US8492074B2 (en) * 2011-01-05 2013-07-23 Laurie A. Bryant Method of improving print performance in flexographic printing plates
WO2012150263A1 (en) * 2011-05-03 2012-11-08 Stichting Dutch Polymer Institute Method for controlling deposition
JP5346356B2 (ja) * 2011-05-30 2013-11-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5722136B2 (ja) * 2011-06-30 2015-05-20 株式会社Screenホールディングス パターン描画装置およびパターン描画方法
KR101611546B1 (ko) * 2011-07-11 2016-04-12 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 리소그래피 시스템 및 타겟의 위치 데이터를 저장하는 방법
US8653454B2 (en) 2011-07-13 2014-02-18 Luminescent Technologies, Inc. Electron-beam image reconstruction
JPWO2013031901A1 (ja) 2011-09-02 2015-03-23 株式会社ニコン 空間光変調器の検査方法及び装置、並びに露光方法及び装置
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
JP2013193110A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2013161271A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 キヤノン電子株式会社 光走査装置及び画像読取装置
DE102012207220A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks mit Laserstrahlung
US10149390B2 (en) 2012-08-27 2018-12-04 Mycronic AB Maskless writing of a workpiece using a plurality of exposures having different focal planes using multiple DMDs
US9261793B2 (en) 2012-09-14 2016-02-16 Globalfoundries Inc. Image optimization using pupil filters in projecting printing systems with fixed or restricted illumination angular distribution
CN102914949B (zh) * 2012-09-17 2015-12-09 天津芯硕精密机械有限公司 一种用于扫描式无掩膜光刻机倾斜slm曝光的数据处理方法
JP2014066954A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、および、描画方法
SG11201503354XA (en) * 2012-10-29 2015-06-29 Univ Northwestern Heat actuated and projected lithography systems and methods
RU2515672C1 (ru) * 2012-12-18 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (НИУ ИТМО) Способ изготовления микрооптического растра
KR101984898B1 (ko) 2012-12-27 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 그 표시 장치
EP2757571B1 (en) * 2013-01-17 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus
KR102112751B1 (ko) * 2013-02-01 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치
WO2014140046A2 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Mechanically produced alignment fiducial method and device
WO2014140047A2 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Method and device for writing photomasks with reduced mura errors
KR102171301B1 (ko) 2013-07-09 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 Dmd를 이용한 디지털 노광기 및 그 제어 방법
JP2015023286A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2830083B1 (en) 2013-07-25 2016-05-04 IMS Nanofabrication AG Method for charged-particle multi-beam exposure
CN103424996B (zh) * 2013-09-03 2016-03-02 苏州大学 一种光学加工系统和方法
JP6634012B2 (ja) * 2013-10-20 2020-01-22 エムティティ イノベーション インコーポレイテッドMtt Innovation Incorporated 光照射野プロジェクタおよび方法
US9645391B2 (en) * 2013-11-27 2017-05-09 Tokyo Electron Limited Substrate tuning system and method using optical projection
CN105765462B (zh) * 2013-11-27 2019-03-19 东京毅力科创株式会社 使用光学投影的基板调整系统和方法
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
JP2015184480A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 古河電気工業株式会社 光信号選択装置および光信号選択装置の制御方法
EP2927948A1 (en) 2014-04-04 2015-10-07 Nordson Corporation X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers
CN103926803B (zh) * 2014-04-21 2016-03-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机照明光源的描述方法
EP2937889B1 (en) 2014-04-25 2017-02-15 IMS Nanofabrication AG Multi-beam tool for cutting patterns
EP2944413A1 (de) * 2014-05-12 2015-11-18 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen
EP3143763B8 (en) 2014-05-15 2023-12-27 MTT Innovation Incorporated Light projector and method for displaying an image
EP2950325B1 (en) 2014-05-30 2018-11-28 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots
JP6890373B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-18 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
KR20160046016A (ko) * 2014-10-17 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
JP6474995B2 (ja) 2014-11-11 2019-02-27 ローランドディー.ジー.株式会社 スライスデータ作成装置、スライスデータ作成方法、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体
DE102015201140A1 (de) * 2015-01-23 2016-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bearbeitungskopf für die Materialbearbeitung
JP6513980B2 (ja) * 2015-03-16 2019-05-15 株式会社東芝 撮像装置及び撮像方法
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
JP6593623B2 (ja) * 2015-03-30 2019-10-23 株式会社ニコン 空間光変調器の設定方法、駆動データの作成方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
DE102015217523B4 (de) 2015-04-28 2022-03-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur lokal definierten Bearbeitung an Oberflächen von Werkstücken mittels Laserlicht
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
DE102016204703B4 (de) * 2016-03-22 2022-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines optischen Musters aus Bildpunkten in einer Bildebene
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
JP6818393B2 (ja) * 2016-09-01 2021-01-20 株式会社オーク製作所 露光装置
US10239178B2 (en) * 2016-10-17 2019-03-26 Virtek Vision International, ULC Laser projector with dynamically adaptable focus
JP7143320B2 (ja) * 2016-12-27 2022-09-28 デピュイ・シンセス・プロダクツ・インコーポレイテッド 内視鏡撮像環境において照明を提供するためのシステム、方法、及びデバイス
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US11537051B2 (en) * 2017-03-16 2022-12-27 Nikon Corporation Control apparatus and control method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method, data generating method and program
GB2560584B (en) * 2017-03-17 2021-05-19 Optalysys Ltd Optical processing systems
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
CN109426091B (zh) * 2017-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置、曝光方法及光刻方法
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
CN107728312A (zh) * 2017-10-24 2018-02-23 上海天马微电子有限公司 一种空间光调制器及显示装置
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
JP7260959B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-19 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法
US10983444B2 (en) * 2018-04-26 2021-04-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods of using solid state emitter arrays
US10761430B2 (en) 2018-09-13 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast
JP7283893B2 (ja) * 2018-12-03 2023-05-30 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスクの製造方法
US11679555B2 (en) 2019-02-21 2023-06-20 Sprintray, Inc. Reservoir with substrate assembly for reducing separation forces in three-dimensional printing
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
DE102019115554A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 Bystronic Laser Ag Bearbeitungsvorrichtung zur Laserbearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Laserbearbeitung eines Werkstücks
CN110456609B (zh) * 2019-08-09 2021-04-09 中国科学院光电技术研究所 一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法
CN113050381B (zh) * 2019-12-27 2022-04-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种拼接物镜的剂量控制装置、方法和曝光设备
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스
EP4048472B1 (en) 2020-08-14 2024-03-20 Ceramic Data Solutions GmbH Method of and device for high-speed recording data on or in a layer (10) of a first material using a laser, a galvanometer and a digital micromirror
SE545314C2 (en) * 2021-03-30 2023-06-27 Sense Range Ab Method and apparatus for laser beam mudulation and beam steering
DE102021108339B4 (de) 2021-04-01 2023-12-07 Hochschule Anhalt, Körperschaft des öffentlichen Rechts Lichtfeld-Display, Verfahren, Computerprogramm und Vorrichtung zum Kalibrieren eines solchen Lichtfeld-Displays
CN113210873B (zh) * 2021-06-03 2022-04-05 北京理工大学 一种基于电子动态调控的金属纳米网的制备方法
DE102023101782B3 (de) 2023-01-25 2024-06-13 Leica Microsystems Cms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines zusammengesetzten Bildes einer Probe

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2030468A5 (ja) * 1969-01-29 1970-11-13 Thomson Brandt Csf
US3896338A (en) * 1973-11-01 1975-07-22 Westinghouse Electric Corp Color video display system comprising electrostatically deflectable light valves
US4317611A (en) * 1980-05-19 1982-03-02 International Business Machines Corporation Optical ray deflection apparatus
US4467211A (en) * 1981-04-16 1984-08-21 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system
US4430571A (en) * 1981-04-16 1984-02-07 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system
US5171965A (en) * 1984-02-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) * 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4675702A (en) * 1986-03-14 1987-06-23 Gerber Scientific Inc. Photoplotter using a light valve device and process for exposing graphics
JPS6370423A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
JPH01154519A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US6348907B1 (en) * 1989-08-22 2002-02-19 Lawson A. Wood Display apparatus with digital micromirror device
ATE123885T1 (de) * 1990-05-02 1995-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5073010A (en) * 1990-05-11 1991-12-17 University Of Colorado Foundation, Inc. Optically addressable spatial light modulator having a distorted helix ferroelectric liquid crystal member
JPH0423314A (ja) * 1990-05-15 1992-01-27 Kawasaki Steel Corp 露光装置
DE4022732A1 (de) 1990-07-17 1992-02-20 Micronic Laser Systems Ab Auf einem lichtempfindlich beschichteten substrat durch fokussierte laserstrahlung hergestellte struktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
JP2902506B2 (ja) * 1990-08-24 1999-06-07 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US5148157A (en) * 1990-09-28 1992-09-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with full complex light modulation capability
JPH0536595A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Fujitsu Ltd 電子線露光方法
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
DE59105477D1 (de) 1991-10-30 1995-06-14 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
DE69226511T2 (de) 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JP3331339B2 (ja) * 1992-11-02 2002-10-07 アプライド・マテリアルズ・インコーポレーテッド パターン発生装置用のラスタライザ
JP3296448B2 (ja) * 1993-03-15 2002-07-02 株式会社ニコン 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法
JP3372086B2 (ja) * 1993-08-06 2003-01-27 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法
EP0657760A1 (en) 1993-09-15 1995-06-14 Texas Instruments Incorporated Image simulation and projection system
US5467146A (en) 1994-03-31 1995-11-14 Texas Instruments Incorporated Illumination control unit for display system with spatial light modulator
US5497258A (en) * 1994-05-27 1996-03-05 The Regents Of The University Of Colorado Spatial light modulator including a VLSI chip and using solder for horizontal and vertical component positioning
US5539567A (en) * 1994-06-16 1996-07-23 Texas Instruments Incorporated Photolithographic technique and illuminator using real-time addressable phase shift light shift
US5504504A (en) 1994-07-13 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method of reducing the visual impact of defects present in a spatial light modulator display
ATE349024T1 (de) * 1994-08-04 2007-01-15 Texas Instruments Inc Anzeigevorrichtung
US5614990A (en) 1994-08-31 1997-03-25 International Business Machines Corporation Illumination tailoring system using photochromic filter
JP3537192B2 (ja) * 1994-09-14 2004-06-14 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 空間光変調器に基づく位相コントラスト画像投射装置
JP3335011B2 (ja) * 1994-09-16 2002-10-15 富士通株式会社 マスク及びこれを用いる荷電粒子ビーム露光方法
US5754217A (en) * 1995-04-19 1998-05-19 Texas Instruments Incorporated Printing system and method using a staggered array spatial light modulator having masked mirror elements
JPH08304924A (ja) * 1995-05-10 1996-11-22 Nikon Corp プロジェクター装置
US5835256A (en) 1995-06-19 1998-11-10 Reflectivity, Inc. Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
US5661591A (en) * 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
JP3617558B2 (ja) * 1995-11-17 2005-02-09 株式会社ニコン 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法
JPH09148221A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Seiko Epson Corp 露光方法及び露光装置及びそれに用いるレチクル
JP3884098B2 (ja) * 1996-03-22 2007-02-21 株式会社東芝 露光装置および露光方法
JPH1050604A (ja) * 1996-04-04 1998-02-20 Nikon Corp 位置管理方法及び位置合わせ方法
JP3512945B2 (ja) * 1996-04-26 2004-03-31 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
US5691541A (en) * 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
US5870176A (en) 1996-06-19 1999-02-09 Sandia Corporation Maskless lithography
JPH1011813A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Nec Corp 露光方法及び露光装置
WO1998004950A1 (en) 1996-07-25 1998-02-05 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JPH10209019A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Sony Corp 露光パターン投影デバイス及び露光装置
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JPH113849A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
US5774254A (en) * 1997-06-26 1998-06-30 Xerox Corporation Fault tolerant light modulator display system
US5790297A (en) * 1997-06-26 1998-08-04 Xerox Corporation Optical row displacement for a fault tolerant projective display
CA2307315C (en) 1997-10-29 2011-04-05 Calum Eric Macaulay Apparatus and methods relating to spatially light modulated microscopy
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6142641A (en) 1998-06-18 2000-11-07 Ultratech Stepper, Inc. Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system
US6489984B1 (en) 1998-12-29 2002-12-03 Kenneth C. Johnson Pixel cross talk suppression in digital microprinters
US6498685B1 (en) 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
SE516914C2 (sv) 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
SE517550C2 (sv) 2000-04-17 2002-06-18 Micronic Laser Systems Ab Mönstergenereringssystem användande en spatialljusmodulator
US6425669B1 (en) 2000-05-24 2002-07-30 Ball Semiconductor, Inc. Maskless exposure system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007522671A (ja) * 2004-02-25 2007-08-09 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法
US7180575B2 (en) 2004-10-26 2007-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2007266155A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Asml Netherlands Bv 可変式照明源
JP4495104B2 (ja) * 2006-03-28 2010-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 可変式照明源
JP2010093044A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、空間光変調ユニットおよび描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090191489A1 (en) 2009-07-30
KR20010052196A (ko) 2001-06-25
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AU2756899A (en) 1999-09-20
RU2257603C2 (ru) 2005-07-27
DE69943040D1 (de) 2011-01-27
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AU2756999A (en) 1999-09-20
US20080079922A1 (en) 2008-04-03
JP2002506231A (ja) 2002-02-26
US7800815B2 (en) 2010-09-21
CN1292103A (zh) 2001-04-18
EP1060443A1 (en) 2000-12-20
JP2002506230A (ja) 2002-02-26
EP1060443B1 (en) 2008-06-18
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WO1999045440A1 (en) 1999-09-10
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SE9800665D0 (sv) 1998-03-02
US20030202233A1 (en) 2003-10-30
EP1600817B1 (en) 2007-08-22
ATE491971T1 (de) 2011-01-15
US6428940B1 (en) 2002-08-06
AU2755599A (en) 1999-09-20
US20100208327A1 (en) 2010-08-19
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WO1999045435A1 (en) 1999-09-10
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DE69928232D1 (de) 2005-12-15
DE69928232T2 (de) 2006-08-03
EP1060439B1 (en) 2005-11-09
EP1060441B1 (en) 2010-12-15
DE69936950D1 (de) 2007-10-04
AU2755799A (en) 1999-09-20
US7787174B2 (en) 2010-08-31
JP2009033190A (ja) 2009-02-12
RU2232411C2 (ru) 2004-07-10
AU2755699A (en) 1999-09-20
ATE309557T1 (de) 2005-11-15
ES2357473T3 (es) 2011-04-26
US6687041B1 (en) 2004-02-03
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US6987599B2 (en) 2006-01-17
DE69943041D1 (de) 2011-01-27
US7957055B2 (en) 2011-06-07
US7034986B2 (en) 2006-04-25
JP2002506234A (ja) 2002-02-26
CN1189794C (zh) 2005-02-16
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US6373619B1 (en) 2002-04-16
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