SE522531C2 - Metod och anordning för märkning av halvledare - Google Patents

Metod och anordning för märkning av halvledare

Info

Publication number
SE522531C2
SE522531C2 SE9904277A SE9904277A SE522531C2 SE 522531 C2 SE522531 C2 SE 522531C2 SE 9904277 A SE9904277 A SE 9904277A SE 9904277 A SE9904277 A SE 9904277A SE 522531 C2 SE522531 C2 SE 522531C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
pattern
code
wafer
exposure
variable
Prior art date
Application number
SE9904277A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9904277L (sv
SE9904277D0 (sv
Inventor
Torbjoern Sandstroem
Original Assignee
Micronic Laser Systems Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micronic Laser Systems Ab filed Critical Micronic Laser Systems Ab
Priority to SE9904277A priority Critical patent/SE522531C2/sv
Publication of SE9904277D0 publication Critical patent/SE9904277D0/sv
Priority to AU19092/01A priority patent/AU1909201A/en
Priority to US10/129,364 priority patent/US6813058B1/en
Priority to JP2001540838A priority patent/JP2003515930A/ja
Priority to KR1020027006620A priority patent/KR100726054B1/ko
Priority to PCT/SE2000/002325 priority patent/WO2001039269A1/en
Priority to EP00982014A priority patent/EP1232526A1/en
Priority to CNB008162018A priority patent/CN1227737C/zh
Publication of SE9904277L publication Critical patent/SE9904277L/sv
Publication of SE522531C2 publication Critical patent/SE522531C2/sv
Priority to US10/953,560 priority patent/US7211453B2/en
Priority to US11/378,266 priority patent/US20060161254A1/en
Priority to US11/980,432 priority patent/US7842525B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/44—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for multiple copying of the same original at the same time
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H01L2223/5444—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information for electrical read out
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

20 25 30 35 522 531 2 ning i forskning och utveckling (F&U). Tillverkaren tvingas då till komplicerade procedurer, såsom skrivande av delar av mönstret med en e-strålmönstergenerator eller utförande av fokuserade jon-stràlemodifieringar på enhe- ten.
I andra fall finns ett behov av att tillhandahålla en unik signatur eller kod eller programmering för varje chip. Ett vanligt sätt att inkludera sådana koder är med användning av elektroniska programmerbara kretsar, ofta genom att reversibelt eller irreversibelt förändra poten- tialen för en flytande grindelektrod, eller genom pro- grammerbara smältbara länkar eller s k antismältbara län- I vilketdera fallet involveras kar (”anti-fuse links”). extra processteg, extra tillverkningskostnader och/eller extra styrning och drivning.
Sammanfattning av uppfinningen Det är därför ett syfte med föreliggande uppfinning att tillhandahålla en metod och en anordning som minskar nämnda tillkortakommanden hos den kända tekniken.
Detta syfte uppnås med en uppfinning i enlighet med de bifogade patentkraven.
Uppfinningen tillhandahåller en metod för att åstad- komma sådan unik programmering i en standardprocess med mycket liten extra kostnad inblandad. Uppfinningen medger i praktiken att varje chip har en visuellt eller elektro- niskt läsbar unik kod. Koden kan användas som ett serie- nummer för en processor, för självkonfigurering i nät- verksenheter eller för spårning av fel och misstag till- baka till ett parti, en wafer och ett chip under till- verkning, och därigenom tillhandahålla data för kvali- tetsförbättringar.
En annan aspekt på uppfinningen är att den tillhan- daháller ett designblock som kan inkluderas i vilken som helst standarddesign för att tillhandahålla en visuellt eller elektroniskt läsbar kod eller en chip-unik program- mering. Blocket kan tillhandahålla en kombination av ett lO 15 20 25 30 35 ø - . . ., 522 531 3 layout-block och ett datorprogram eller en kombinering av data som tillsammans tillhandahåller den önskade program- meringen vid tidpunkten för exponering. Uppfinningen an- ordnar en metod med vilken kodgenerering kan specificeras vid designtiden och utföras på ett automatiserat sätt.
Orden kodning, programmering och märkning används utbytbart genom ansökan för att beteckna skapandet av en funktion som skiljer sig mellan olika former eller chip.
Anordningen eller utrustningen som beskriver koden eller programmeringen kallas en kodskrivare.
Kortfattad beskrivning av ritningarna I exemplifierande syfte skall uppfinningen i det följande beskrivas i mer detalj med hänvisning till ut- föranden därav, vilka illustreras på de bifogade ritning- arna.
Fig l visar föredragna utföranden av en kodskrivare i form av en steg-och-skannings-system och en kodskriv- ningsutrustning som använder en laserskanner (la) och en (SLM) (lb).
Fig 2 visar en förstorad vy av wafern i fig l. spatialljusmodulator Fig 3 visar hur två kodskrivningsmoduler kan använ- das för att programmera 16 identiska former i ett enda stepper-fält.
Fig 4 visar designinformationsflödet.
Fig 5 visar möjliga placeringar av kodskrivarens fönster i en skanningsstepper (5a) och en stegstepper (5b). 5c visar en möjlig placering med en strålkombinera- re i systemet.
Fig 6 visar ett enkelt designblock för seriell ut- matning av en programkod.
Detaljerad beskrivning av uppfinningen Uppfinningen tillhandahåller element för att skapa unika elektroniska enheter, i synnerhet halvledarchip.
Unikheten kan bestå i en visuell märkning, en inbäddad kryptografisk nyckel, eller någon annan unik känneteckna- 10 15 20 25 30 35 522 531 v - ~ | . u. 4 de del av chipet. Andra tillämpningar kan vara att skapa ett unikt kodat ytakustiskt filter eller optiska säker- hetsenheter, liknande det halografiska området på ett kreditkort. En viktig tillämpning är för F&U-arbete där flera versioner av ett block kan testas, exempelvis fyra designer av en analog förstärkare, antingen genom att in- nefatta flera designer i samma chip och ansluta endast ett av dem i varje chip, eller alternativt låta kodskri- varen skriva komponenter olika, exempelvis transistorer med olika bredd i olika chip. Många andra användningsom- råden är möjliga, och vissa av dem är nya eller oförut- sedda, eftersom uppfinningen gör kostnaden för att till- föra individuella särdrag till ett standardchip mycket låga. Ett exempel på en sådan ny användning kan vara ett lotteri med elektroniska lotter eller polletter.
Principen för uppfinningen är att ett område hos chipet sätts åt sidan för programmering i den normala substratuppsättningen. Detta område programmeras med ett speciellt kodskrivningssystem. Ett annat sätt att ut- trycka detta är att kalla det en konstant och en variabel del av mönstret där den konstanta delen kommer ifrån retikeln och den variabla delen från kodskrivaren. Notera att den konstanta delen av chipet utsträcker sig genom alla skikt medan den variabla delen normalt är begränsad till ett enda skikt.
Kodningsexponeringen görs på samma fotoresistskikt, företrädesvis med användning av samma våglängd, eller så är exponeringsvåglängderna nära varandra såsom med expo- neringsvåglängden 248 nm och kodning vid 266, exponering vid i-linje och kodning vid 364 nm, etc. Företrädesvis görs exponeringen och kodningen med exakt samma våglängd, något som ofta kan åstadkommas i SLM-utförandet, vilket kan använda både urladdningslampor och excimerlasrar som ljuskällor. Därför kommer processen att se skillnaden mellan den variabla konstanta delen, och större delen av processkomplexiteten som är förknippad med direktskriv- ning med e-strålemönster finns ej. Inga av de hinder som 10 15 20 25 30 35 normalt är förknippade med direktskrivning föreligger: långa skrivtider finns inte eftersom den konstanta delen av skiktet exponeras från en normal mask, utökade och långa processframkallningar föreligger ej, eftersom pro- cessen är identisk med standardprocessen. Det kritiska upplinjeringssteget föreligger ej, utan är redan gjort av steppern om kodskrivaren är integrerad i steppern. Stegen att föra ut wafern från standardprocessflödet, skriva i ett elektronstrålesystem, och återinföra densamma sker inte heller, om kodskrivaren är integrerad i steppern.
Därför är märkningen medelst uppfinningen enkel, billig och riskfri.
Företrädesvis sker programmeringen under exponering i en stepper med en integrerad kodskrivningsenhet i step- pern. Kodskrivningshårdvaran består av en laserskanner (SLM) 110 och en ljuskälla 112, företrädesvis alstrande samma våglängd eller en våg- eller en spatialljusmodulator längd nära den som används för exponering av retikel- mönstret 101 i steppern. Bilden som alstras av laserskan- nern eller SLM projiceras mot maskplanet eller ett ekvi- valent optiskt plan 119 så att det kan produceras av en huvudprojiceringslins 102 mot wafern 103.
I ett utförande där kodskrivaren inte är integrerad med en stepper måste den tillhandahålla samma funk- tionalitet som en stepper med undantag för projiceringen av retikeln: en servostyrd precis plattform, ett upplin- jeringssystem (eller så är funktionen begränsad till det första skiktet hos wafern), ett projiceringssystem för att projicera bilden för koden (i vilket fall det inte finns något behov av att forma en mellanliggande bild, utan bilden kan projiceras direkt mot wafern), och ett datoriserat styrsystem för styrande av hårdvaran och skrivproceduren. Typiskt innefattar den också en automa- tisk laddningsstation för wafers och ett slutet utrymme med en styrd miljö.
Den programmerbara delen av chipet är typiskt ett designblock vilket tillhandahåller en layout-area för 10 15 20 25 30 35 programmering, och i fallet med en elektriskt läsbar kod även logik för läsning och kommunicerande av koden. Ett mer komplicerat block innehåller behandlande resurser för användning av koden, exempelvis för kryptering. Katalog- blocket som används i designmjukvaran har också en eti- kett eller en association som genererar instruktioner för styrmjukvaran för att begära kodningsinformation fràn en kodningsinformationsenhet vid tidpunkten för skrivning av kodningsinformationen. Blocket kan göras till ett stan- dardblock och distribueras som en àteranvändbar modul, ett s k IP-block. För att göra detta modifieras hela de- fig 4. Katalogblocket eller IP-blocket har en etikett för informationen som behövs för steppers- signkedjan nàgot, tyrsystemet för att placera den programmerbara delen och datan (tabelldata eller en instruktionssekvens) för att skapa koden. Associationen är likartad med en association mellan ett layout-block och dess Spice-modell i ett ty- piskt designsystem. Den associerade informationen har ingen användning i maskskrivningssteget, eftersom mask- blocket är fullständigt definierat av det geometriska layout-blocket. Men det måste överföras till steppern tillsammans med den färdiga masken. Företrädesvis har masken en maskinläsbar kod, exempelvis en streckkod, vil- ken pekar till information att masken har en programmer- bar del och en etikett till datafilen som innehåller den nödvändiga informationen. Pà detta sätt kan systemet gö- ras säkert mot avbrott i dataassociationer och andra fel.
Stepperns styrprogram mäste medge användning av de nya typerna av mönster, så att för varje exponerad typ exponeringen av kodblocket initieras, den korrekta koden byggs upp och konverteras till en bitmap eller nàgot an- nat hàrdvaruformat, och servo- och styrsystemet får mönstret att skrivas vid rätt position. I ett enkelt fall finns en lista av värden, ett per chip, men i ett mer komplicerat utförande behöver en separat kodgenererings- enhet anropas och en kod genereras och matas till skriv- ningshàrdvaran, möjligen med användningen av extern in- 10 15 20 25 30 35 u » - | u. formation sàsom chipposition pà wafern, data och tid- punkt, stepperidentifiering, slumpmässiga tal, etc.
Den bildade koden kan ha ett av flera format: visu- ellt läsbar, streckkod, 2-D ”punktkod”, bar, etc, och den kan vara en kombination av typerna ovan elektroniskt läs- uttryckt i olika baser, med användning av felkorriger- ingskoder, kompression, etc. För att specificera märkes- typen används en sekvens av instruktioner med fördefinie- rade nyckelord och parametrar. För mer komplicerade koder innefattas ett kort datorprogram, och i ett föredraget utförande beskrivs detta i Java eller ANSI C, och med fördefinierade katalogfunktioner eller klasser för att strömlinjeforma designen. Den allmänna tillämpbarheten av dessa programspråk ger designern fria händer att generera ett stort antal koder. De fördefinierade nyckelorden ut- formas för att undvika komplexiteten hos skrivprogram för att definiera standardtyper av koder.
Skrivaren Fig la och lb och den uppförstorade wafern i fig 2 visar utföranden av uppfinningen i form av en integrerad kodskrivare och skanningsstepper. Steppern har en platt- form 104, synkroniserat med skanningen av retikeln 101 i retikel- som skannar wafern 103, 201 under linsen 102 planet. Exponeringen av fälten 207 styrs av stepperstyr- systemet 108 baserat på en ingående fil 109 med komman- don.
Linsen 102 har ett spaltformigt fältstopp 107 och det finns en stor area utanför fältstoppet där linsen har goda avbildningsegenskaper och där kodskrivarens fönster kan placeras, fig 5. En spegel 111 mellan huvudprojice- ringslinsen 102 och retikeln länkar en bild 119 fràn la- serskanningslinjen eller SLM 110, 205 till det optiska tåget, sà att det faller vid sidan av bilden för spalten 204. Retikeln 101 belyses medelst upplysande optik 106 medelst en huvudexcimerlaser 105 med 248 nm våglängd och som emitterar pulser vid 1000 Hz, varje puls 30 nanose- 10 15 20 25 30 35 522 531 s f v . n 8 kunder lång. Skannern eller SLM 110 belyses med en annan liten laser 112 med en närliggande våglängd, 248 nm, 257 eller 266. Kodskrivaren aktiveras av positionsstyrnings- enheten 121 som får ingående information från plattforms- positionen och från kodskrivarstyrningsenheten 120.
Kodskrivarstyrenheten har information om var koden skall placeras och dess innehåll såsom specificerats i den ingående datan 109. Kodrasteriseringsenheten 123 om- vandlar koden till ett mönster som matas till modulatorn eller SLM 110 i tid för exponeringen. Koden 205 kan pla- ceras var som helst i området 206 som sveps av kodskriva- refönstret och placeringen av koden bestäms av tidstyr- ningen. I utförandet i lb använder kodskrivaren en excimerlaser 112 med en maximal pulsrepetitionsfrekvens på 1000 Hz och SLM 110 omladdas med nytt innehåll mellan varje blixt. Eftersom plattformen 104 skannar kontinuer- ligt och laserblixtarna endast är 30 nanosekunder långa kommer rörelsen att frysas och en serie av skarpa bilder på SLM att skrivas på wafern. Med korrekt synkronisering mellan plattformsrörelsen, laserblixtarna och laddningen av data kan ett mönsterområde skapas såsom i PCT-ansökan nr WO 99/45439 av samma uppfinnare. I princip är det möj- ligt att fylla wafern 103, 201 med kodskrivarmönster och sålunda bygga ett direktskrivningssystem. Men avsikten med det föredragna utförandet är inte att tillhandahålla ett system som skriver ett helt skikt, utan att göra mycket små modifieringar till ett mönster som exponeras från en retikel. Det är kombinationen av bilden från retikeln och bilden från kodskrivaren som ger det före- dragna utförandet dess unika egenskaper för att åstadkom- ma en måttlig märkning och exempelanpassning med hög ge- nommatning och väsentligen ingen effekt på produktions- ekonomin.
Steppern som skall integreras med kodskrivaren kan vara en skannande stepper som i fig 1 eller en ordinär stegande stepper. Alternativ för placeringen av kodskri- varfönstret i fältet för linsen visas i fig 5. Det cirku- 10 15 20 25 30 35 n. | v - | se n « n a | .q lära fältet för projiceringslinsen 501 kan användas för ett rektangulärt fält 503 eller en smal spalt 502. I vil- ketdera fallet finns det utrymme utanför fältet för bil- den för SLM 504, 505. placerad inuti fältet med hjälp av en halvtransparent I fig 5c är kodskrivarbilden 506 spegel eller något annat stråluppdelande/kombinerade ele- ment.
Kombinationen av en skannande stepper för exponering av retikeln och skrivande-i-flykten (”write-on-fly”) för mönsterskapning av det kodade området år speciellt för- delaktig. Både huvudprojiceringssystemet och -kodskriva- ren kan använda väsentligen samma våglängd, så att båda typerna av mönster har samma processegenskaper. Detta gör processframkallandet och uppsättningstiden minimal. Det är nödvändigt att fokusera och linjera positionen för kodskrivarfönstret till plattformen och finna den rätta exponeringen, därefter kommer det kodade området och om- rådena som exponeras från retikeln att vara identiska.
Det finns mycket frihet vad gäller placeringen av de ko- dade blocken inom chipområdet utan att medföra någon yt- terligare exponeringstid, eftersom exponeringen av koden sker under skanningen för att exponera retikelmönstret.
Sålunda finns det verkligen en möjlighet att införa unik programmering på varje chip till mycket låg kostnad, kort tid och kort framkallning. Samtidigt är programmerings- mönstret flexibelt, eftersom kodning kan placeras flexi- belt och i vilket som helst skikt, eller om så önskas i alla skikt där det erfordras.
För att göra programmeringen mer förlåtande för fo- kuserings- och upplinjeringsfel är det föredraget att ut- föra det med en optisk upplösning som är lägre än den för huvudprojiceringen. Detta uppnås genom att välja storlek på laserstrålen, fig la, eller genom att använda ett aperturstopp 118 i projiceringsoptiken 116, 117 formande 119 för SLM 110. antingen deflekterande eller diffraktivt såsom i PCT- den mellanliggande bilden SLM kan vara ansökan nr WO 99/45439. Den analoga SLM i ansökan nr lO 15 20 25 30 35 522 531 = 10 WO 99/45439 medger mjukvarustyrd doseringsjustering, pixel-för-pixel-kalibrering och storleksbestämning och placering av data med en hög adressupplösning. De flesta av de goda egenskaperna hos uppfinningen bibehålls med transmissiva SLM och även med metoden med flera skannade laserstràlar.
Styrsystem Ett styrsystem behövs vilket placerar koden på rätt plats och tillhandahåller data till kodskrivaren.
Stepperstyrsystemet 122 har speciella egenskaper för att arbeta med kodskrivaren. När en bricka/form (”die”) skall exponeras anropar styrsystemet kodskrivarens styr- enhet 120 för att se om det finns en kod som skall skri- vas. Om inte, sker ingenting och stepperfunktionen är identisk med den för en stepper utan ett kodskrivarkom- plement. Om à andra sidan kodskrivarstyrenheten 120 har en instruktion att generera en kod beräknar den koden, möjligen med användning av chipnummer pà wafern, real- tidsklockan, värden fràn en datatabell, layout-data, en slumptals generator, etc. beroende pà typen av kod som skall skrivas. Kodskrivarstyrenheten 120 sänder kodinfor- mation till en data-till-raster-omvandlaren 123, vilken omvandlar den till bitmap eller nágot annat hàrdvarufor- 130, tidigt beräkningen av plattformspositionen där informa- mat som skall matas till hårdvaran 110, och gör sam- tionen skall skrivas och sänder den till positionsstyren- heten 121. När plattformen när den beräknade positionen initieras en dataström (fig la) eller en laserblixt (fig lb) och koden exponeras pà wafern. Utförandet med en skanner skriver en sekvens av skanningslinjer medan plattformen skannas, och därigenom fylls omràden med mönstret. Utförandet med SLM skriver ett eller flera fält. Beroende pà de exakta parametrarna kan SLM- skrivfàlten vara överlappande, angränsande eller separe- rade. I fallet med flera former i ett enda fält kan en kod skrivas upprepade gånger i skanningsriktningen. 10 15 20 25 30 35 u u u v vu 522 531 f?í¥fk3»@L= ll Kodskrivarfönstret är mycket mindre än retikelfäl- tet. För mer än en bricka i den vinkelräta riktningen är användbart att använda tvà kodskrivningsfönster. Detta kan uppnås pà flera sätt, från två kompletta kodskriv- ningsmoduler till en enda modul med stràluppdelningsop- tik. Fig 3 visar hur flera former i varje retikelfält kan kodas med ett system som har tvà fönster. Mest flexibili- tet men ocksà mest optomekanisk komplexitet fàs genom att ha ett fönster som är rörligt över skanningsriktning- en så att kodskrivaren kan skriva vid vilken som helst position i fältet.
Den kodade enheten Ett designblock användes för att skapa skrivomràdet.
För ett visuellt läsbart märke sker skrivningen i ett av de övre skikten hos wafern. Företrädesvis används ett bibliotek- eller ett katalogblock, vilket har tre delar, layout-information, instruktion för att specificera mär- ket, màste man skriva elektroniska enheter i andra skikt och och märkesdata. För ett elektroniskt läsbart märke layout-delen i blocket innehåller geometrier i andra skikt, typiskt i alla skikt.
Styrsystem I fallet med en oberoende kodskrivare, dvs utan möj- ligheten att samtidigt exponera en mask, måste skrivaren ha mer eller mindre samma funktionella block som step- pern: en precisionsstyrd plattform, en laserljuskälla, en projiceringslins och ett upplinjeringssystem. I detta fall arbetar kodskrivaren fràn en styrfil som innehåller positionen pà wafern för koden och specificeringen av ko- derna. Plattformen förflyttas till den önskade positionen och kodmönstret exponeras som i mönstergeneratorn i exempelvis patent EP O 467 076 av samma uppfinnare. Om det inte är det första skiktet och upplinjeringsmärkena inte är formade i samma skikt är det nödvändigt att göra en upplinjering av plattformskoordinatsystemet till upp- 10 15 20 25 30 35 522 531 12 linjeringsmärkena hos wafern. Styrsystemet väljer nästa kod som skall, skrivas, förflyttar sig till den positio- nen och sänder kodspecificeringen till kodmönstergenera- torn.
I ett föredraget utförande där kodskrivaren är byggd som ett tillägg till en stepper föreligger mycket av den nödvändiga funktionen redan i steppern: plattform, belys- ning, upplinjering, etc. Det finns flera sätt att konfi- gurera en kodskrivare: Det elegantaste sättet år att in- tegrera den i en skanningsstepper som i fig l och skriva koden under exponeringsslaget för steppern. Detta medger att en unik kod kan skrivas till väsentligen ingen ytter- ligare genomströmningskostnad, och koden kan placeras längs linjen som sveps av kodskrivarfönstret. Ett andra tillstànd är att slà av huvudexponeringslasern och expo- nera endast koden under en skanningsoperation. Detta ger väsentligen halva genomströmningen för detta specifika mönster (med antagandet att maskexponeringen också måste ske), men ger total flexibilitet vad gäller var koden skall placeras. I en stepper utan skanning är flexibili- teten mycket mindre och i normalfallet synes det nödvän- digt att utföra en àterpositionering av plattformen mel- lan maskexponeringen och exponeringen av koden. Metoder för att undvika detta och maximera genomströmningen inne- fattar att ha en stràluppdelare/kombinerare för att pla- cera kodskrivarfönstret i en godtycklig position inom bilden i ett fullständigt skriv-i-flykten (”write-on-the-fly”) av masken på wafern. Koderna kan också exponeras tillstànd utan att stoppa plattformen vid varje linsfält.
Detta är ett mycket effektivt sätt eftersom det för det mesta räcker med ett plattformsslag för varje rad av (”dies”) 1 - 10 sekunder. brickor pà wafern, och plattformsslagen görs pà Dock, erfordrar det att plattformen är avpassad för att drivas i skriv-i-flykten tillstànd, vil- ket är mycket annorlunda än det normala stegningstill- ståndet. . v ø u n ; nu 10 15 20 25 30 35 13 Styrsystemets arkitektur är nàgot annorlunda mellan de tvà fallen för samtidig mask- och kodexponering à ena sidan och separat kod och exponering (i en enda maskin eller separata maskiner) à andra sidan. I det samtidiga fallet är huvudexponeringen den dominerande åtgärden och steppern exponerar fälten i enlighet med en plan som ger effektivt användande av tiden. För varje av exponerings- fälten utfärdar kontrollsystemet ett anrop till kodskriv- ningsstyrenheten, vilken kan implementeras som en separat hàrdvaruenhet eller som separata mjukvarumoduler som körs i samma hàrdvara. Kodskrivningsenheten kontrollerar dess ingående signal för att se om det skall skrivas en kod eller inte. Om så är fallet, insamlar den extern data som behövs för skapandet av koden, exempelvis realtids- klocka, chipnummer, waferpartinummer och wafernummer etc. och använder instruktionerna för att koden skall bildas för att sätta samman koden. Dessa instruktioner implemen- teras företrädesvis som kodsegment i ett datorspràk för maximal flexibilitet, i ett föredraget utförande ANSI C eller Java. De innehàller placering, typ av kod och de- taljerade instruktioner för hur den skall byggas upp. Ett antal fördefinierade typer existerar, exempelvis chipi- dentifieringssträngar i visuellt och elektroniskt läsbar form, slumpmässiga tal, data fràn en databas etc. Efter att koderna har skapats sänds de till kodrasterisering för att omvandlas till en bitmap (eller något annat härd- varuformat) för att laddas ner i hårdvaran. Kodskrivar- styrenheten genererar också positionsinformation och ini- tierar lasern och SLM-kretsarna, så att SLM laddas innan den rätta plattformspositionen nås, och lasern aktiveras när plattformen när den rätta positionen. För upprepade koder inom ett stepperfält upprepas sekvensen flera gäng- er, och i fallet med mer än en SLM utförs samma sekvens för varje SLM. Större kodomràden än storleken för SLM kan tas om hand med en buffert fràn vilken ny data kan laddas efter varje exponeringsblixt och àteraktiveras av lasern, så att flera SLM-fält kombineras samman. . . | - .. 10 15 20 25 30 35 v . u | u 14 Designblock När koden inte enbart är ett synligt märke, utan en elektroniskt läsbar kod, och möjligen en kombinerad med någon behandlingseffekt, är den lämpligen implementerad som ett designblock. Ett skikt modifieras med kodexpone- ring, t ex ett metallskikt, men beroende pà den perfekta processintegreringen med huvudexponeringen av steppern kan vilket som helst skikt modifieras med samma lätthet.
För en hemlig manipuleringssäker kodning kan ett skikt djupt ner användas, företrädesvis ett under CMP för att göra det osynligt i ett mikroskop, exempelvis kan ett implantationsskikt effektivt slà av och på transistorer utan särskilt mycket spår pá ytan av chipet. För enheter som modifierats kan det vara intressant att koda flera skikt, möjligen alla skikt hos ett smalt segment av chi- pet. Ordet kod används här som en motsats till huvudexpo- neringen från retikeln, men ordet kodning skall inte tas bokstavligt. Det är avsett att innebära vilket som helst mönster som inte är i retikeln och som medges att variera mellan chipen.
Ett exempel pà ett designblock är ett serienummer- block. Det har ett kodningsomràde och ett utläsningsomrà- de, fig 4. en LÄS-signal. När LÅS har satts làgt läses kodningen Inmatningar till blocket är en data-KLOCKA och till utläsningskretsen, och när LÄS sätts högt skiftas det seriellt ut via utgàngsanslutningen. Detta lilla block kan placeras pà väsentligen vilket som helst chip och till kostnaden av en anslutning som ger dess elektro- niska serienummer i seriell form varje gàng det aktive- ras. För en mikroprocessor eller processorkärna kan ett likartat block ladda serienummer till ett register efter en specifik instruktion. Detta kan användas till många ändamål: att ha en unik spàrbar identifikation kan vara användbart för kvalitetsförsäkringar såväl som för att förhindra stölder. Mjukvarulicenser kan knytas till pro- cessornumret, vilket förändras mindre ofta än hårddiskar och Ethernet-kort, vilka ibland används i dag som dator- lO 15 20 25 30 35 u . ~ . on u 15 identifikation. Ett unikt serienummer kan användas för självkonfigurerande nätverk och som bas för att behandla identiteten hos en enskild dator som förflyttas mellan flera nätverk.
Chip-unik kodning kan användas i många säkerhetssam- manhang. En kryptoprocessor baserad pä allmänna nycklar kan ha dess privata nyckel dold inuti chipet och den publika nyckeln kan publiceras till omvärlden pà begäran.
Med behandlingen som görs inuti samma processor och gene- reringen av nycklar som sker vid skrivtiden under expone- ringen kan en hög grad av säkerhet åstadkommas.
Designblocket innehåller maskskikt för andra skikt, den konstanta delen av det variabla skiktet och anslutet till detsamma en specifikation av koden. Ett specifika- tionsspràk används vilket specificerar kodtypen, skiktet, storleken och positionen och eventuellt ett kodsegment instruerande kodskrivarstyrsystemet hur koden skall bygg- as upp. Kombinationen av design-layout, kodspecificering och mjukvarusegment kan distribueras som ett àteranvänd- bart designblock, ett s k IP-block. Jämfört med nuvarande IP-block är det mer allmänt i den meningen att det inne- håller ett dataprogram för genererande av koden, exempel- vis i Java. Kodskrivaren och stepperstyrsystemet accepte- rar detta format och det elektroniska designsystemet màs- te kunna koppla samman layouten och specificeringen och sända dem tillsammans pà ett sådant sätt, att sammankopp- lingen kan àterupprättas i steppern. Detta erfordrar ett visst mätt av ny infrastruktur i termer av lagring och kommunikation av instruktioner och datadelar fràn design- kontoret till waferfabriken.
Ett första föredraget utförande I ett första föredraget utförande, fig la, byggs en kodskrivare in i en skanningsstepper med användning av 6” retiklar 101, en 4X-reduktionslins 102 skapar ett bild- fält pà 22 x 34 mm på wafern 103 pä skanningsplattformen 104. Huvudexponeringsvàglängden fràn lasern 105 och be- 10 15 20 25 30 35 ø o ø . v. 0 -e - ø n ~ - .- 522 531 16 lysningen 106 är 248 nanometer och den numeriska apertu- ren 0,6 vilket ger en upplösning pà 0,2 mikron. Den in- byggda kodskrivaren har en akustoptisk deflektor 107 gjord av kristalliniserat kvarts och en kontinuerlig frekvensdubblad Arjon-laser 108 pà 257 nm. Kollimatorn 109 hos skannern väljs sà att upplösningen längs skannern är approximativt 700 punkter och skanner-längden 1,2 mm vid fönstret 110 i det mellanliggande fokalplanet som op- tiskt motsvarar retikelplanet. Det projicerade området hos skannern hos wafern 103 är fyra gånger mindre, dvs skannern är 0,3 mm och punkten 0,4. Skanningslinjerna är åtskilda med 0,25 mm och skannern skriver 50 000 skann/s.
För en enda laserstràle ger detta en plattformshastighet pà 12,5 mm/s, men eftersom normala skanningshastigheten vid exponering fràn retikeln är 150 mm/s, behövs 12 pa- rallella stràlar för att fylla omràdet. Styrsystemet för- klaras pà annat häll.
Ett andra föredraget utförande Fig lb visar ett andra föredraget utförande baserat pà en spatialljusmodulator, SLM 111. T-kodskrivaren är inbyggd i en 4X skanningsstepper med ett retikelfält på 22 x 34 mm. Huvudexponeringsvàglängden 248 nanometer och den numeriska aperturen 0,6, vilket ger en upplösning av 0,2 mikron. Den inbyggda kodskrivaren har en reflektiv mikrospegel SLM med 24 mikronspeglar och en gruppstorlek pà 2048 x 512. Reduktionsförhàllandet innefattande huvud- projiceringslinsen är 100 X och NA är satt till 0,32 vil- ket ger en diffraktionsbegränsad upplösning pà 0,4 mik- ron. Den projicerade storleken pà SLM är 0,4 x 0,1 mm.
Många andra typer av mönstergeneratorprinciper och andra typer av SLM kan användas och den diffraktiva reflektiva analoga SLM som beskrivs i PCT-ansökan nr WO 99/45439 an- vänds i det föredragna utförandet. En fördel med den ana- loga SLM är att svaret för pixlarna kan kalibreras, en annan att särdragen kan storleksbestämmas och placeras i en adressupplösning som är mycket finare än den projice- - » . 4 -u lO 15 20 25 30 35 522 5:51 17 rade storleken för SLM-pixlarna. SLM belyses med en pul- serad ljuskälla 112, KrF-laser med 248 nm våglängd och 25 ns pulslängd. Laser- i det föredragna utförandet en annan ljuset blandas och behandlas i belysaren 113. En semi- transparent spegel 115 sänder ljuset till SLM och medger en del av det att passera igenom efter reflektion vid SLM och nà wafern. Teleskopet 116 och 117 skapar bilden av SLM vid kodskrivarfönstret 110 och aperturen 118 filtre- rar ut de diffrakterade delarna av det reflekterade lju- set, och därigenom skapas bilden och definierar samti- digt upplösningen för kodskrivaren vid wafern.
Snabbt positionsservo .
I utförandet i fig la är det möjligt att förflytta kodskrivarbilden relativt wafern elektroniskt genom att modifiera drivsignalerna till skannern och modulatorn.
SLM i lb har inte samma möjligheter, eftersom SLM, lins och bild har en fast geometrisk relation relativt var- andra. Men i en mönstergenerator i enlighet med en analog SLM är det möjligt att använda en elektronisk bildför- skjutningsmetod såsom ett snabbverkande servo för att korrigera för plattformsfel och andra positionsfel. Bit- (el- ler större) faltningskernel. Sådan faltning är välkänd mappen som skall matas till SLM faltas med en 3 x 3 inom bildbehandling och digitala signalprocessorer har effektiva instruktioner för faltning av en bitmap med en mindre kernel. Baskerneln är vilken inte gör någonting för mönstret, utan lämnar det opàverkat. När det finns ett förskjutningsfel i mönster- generatorn som skall korrigeras med kerneln ersätts den av en annan med koefficienterna skiftade, exempelvis lO 15 20 25 30 35 » . - . ., 522 18 0,04 0 0,83 0,13 0 O 0 Den andra kerneln förflyttar mönstret med 0,13 pixelavstàndet till höger och 0,04 uppåt. Mönstret görs samtidigt något suddigare, men med en lämplig optisk de- sign är denna tillförda suddighet oväsentlig jämfört med suddigheter som orsakas av de optiska diffraktionsbe- gränsningarna hos projiceringslinsen. Större förflytt- ningar än l pixel görs genom addresseringen i bitmapen eller med en större kernel. Den maximala pulsöverfyll- nads- (eller bildrepetitions-)nivàn i det föredragna ut- förandet är 1000 Hz och hela SLM överladdas inom 0,9 mil- lisekunder. Faltningen görs i fältprogrammerbar logik me- dan datan laddas in i SLM. Latenstiden för korrigeringen är därför 0,9 millisekunder. Detta làter sig fördelaktigt jämföras med frekvenssvaret för mekaniska servon.
Upplinjering av retikelbilden Steppern i de föredragna utförandena har ett upplin- jeringssystem där wafern upplinjeras till linsen och re- tikeln upplinjeras oberoende till samma lins. Upplinje- ringen mellan projiceringsoptiken och kodskrivaroptiken görs genom exponering av ett testmönster med fininställ- ningsorgan som exponeras delvis fràn retikeln delvis av kodskrivaren. I ett annat utförande där retikeln och wa- fern är upplinjerade relativt varandra och inte till lin- sen. behöver kodskrivaren endast upplinjeras till reti- keln. Ett sätt att göra detta är genom mekanisk förflytt- ning av otiken inom kodskrivaren, exempelvis SLM själv, som svar pà en uppmätt förskjutning mellan retikeln och linssystemet. 10 15 20 25 30 35 522 551 5"* « Q | . 1. 19 Kod-till-bitmap-omvandling Kod-till-bitmap-omvandling (eller omvandling till ett annat format som är lämpligt för hårdvaran) görs i en omvandlingsenhet 130, vilken är en förenklad version av datavägen som beskrivs i den svenska patentansökan nr 9903243-5 eller i PCT-ansökan WO 98/38597 av samma sökan- de, och med mycket mindre parallell operation. Eftersom typiskt endast ett litet område behöver mönstras av kod- skrivaren omvandlas och lagras data i en buffert, medan i en fullskalemönstergenerator all data behöver omvandlas i flykten eftersom storleken på nödvändiga buffrar är opraktisk.
Sammanfattning Sammanfattningsvis visar uppfinningen pà ett system och en metod för att utföra små modifieringar av mönster i standardbehandlade halvledarenheter. Modifieringarna görs för att skapa smà variabla delar av mönstret rela- tivt en större konstant del av samma mönster. I ett före- draget utförande görs exponeringen av de variabla och konstanta delarna med samma våglängd i samma kombinerade stepper och kodskrivare. Uppfinningen tillhandahåller ett sätt att skriva variabla delar av chip automatiskt, bil- ligt och riskfritt. Ett system för automatisk design och tillverkning av brick/formunika mönster tillhandahålls också.
Uppfinningen har beskrivits med hjälp av exempel. De föredragna utförandena som beskrivits använder både spatialljusmodulatorer och laserskanningsmönstring. Det är uppenbart för en person som är kunnig inom teknikomrà- det att göra modifieringar av exemplen som beskrivits, med användning av andra komponenter och kombinationer.
Dock, rande av ett konstant mönster och ett variabelt mönster i så länge som funktionen kan beskrivas som kombine- samma skikt med användning av två optiska exponeringssy- stem, ett exponerande från en mask, den andra från en da- . -u-un 522 531 ï“fflfï3l*»4~;if 20 torfil, skall sàdana uppenbara förändringar av utförande- na ses som andra utföranden av samma uppfinning. Optisk exponering avses ha en bred innebörd, innefattande all exponering med elektromagnetisk strålning som styrs genom optiska komponenter sàsom speglar, prismor, gitter, lin- ser, slutare och SLM. I praktiken sträcker sig området för optiken från djupt infrarött (IR) till extremt ultra- violett (EUV) och mjuk röntgen.

Claims (25)

l0 15 20 25 30 35 n 0 I n nu -ø - | u n .- 522 531 = 21 PATENTKRAV
1. Metod för design och tillverkning av mikroelekt- ronikenheter med samma funktion men med en chip-för-chip- såsom ett serienummer varierande, chip-unik information, eller dold kryotografisk nyckel, omfattande stegen att: exponera åtminstone ett skikt av enheten med hjälp av en optisk stepper med användning av en mask eller en retikel, formande ett delmönster som är konstant mellan åtminstone två brickor ("dies”) på samma arbetsenhet el- ler wafer, exponera samma åtminstone ett skikt med användning av en optisk mönstergenerator, formande ett delmönster som är variabelt mellan de åtminstone två brickorna, där nämnda delmönster innehåller nämnda chip-unika informa- tion.
2. Metod i enlighet med patentkrav l, varvid den op- tiska steppern och den optiska mönstergeneratorn använder samma våglängd.
3. Metod i enlighet med patentkrav l, varvid den op- tiska steppern och den optiska mönstergeneratorn använder olika våglängder.
4. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-3, varvid den optiska steppern och den optiska mönstergene- ratorn ingår i samma maskin.
5. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-3, varvid den optiska steppern och den optiska mönstergene- ratorn ingår i olika maskiner.
6. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-5, varvid nämnda optiska mönstergenerator är en spatialljus- modulator (SLM).
7. Metod i enlighet med patentkrav 6, varvid den op- tiska mönstergeneratorn är en analog spatialljusmodulator (SLM), omfattande det ytterligare steget att korrigera positionen före exponerande av mikroelektronikenheten med nämnda variabla delmönster.
8. Metod i enlighet med patentkrav 7, varvid posi- tionskorrigeringen omfattar stegen att mäta ett platt- 10 15 20 25 30 35 . . ... ' '-,_; - - 522 531 ,,.fíj¿um 22 formspositionsfel jämfört med en korrekt position, och _behandla en bitmap som laddas till SLM med en faltnings- kernel, varvid nämnda kernel utväljs eller modifieras be- roende pà det uppmätta positionsfelet för att korrigera nämnda positionsfel.
9. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-8, varvid nämnda konstanta och nämnda variabla delmönster åtminstone delvis exponeras samtidigt.
10. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-9, varvid nämnda konstanta och nämnda variabla delmönster exponeras sekventiellt efter varandra.
11. Metod i enlighet med något av patentkraven 1-10, varvid nämnda variabla delmönster exponeras i vilket som helst skikt hos mikroelektronikenheten.
12. Anordning för skrivande av chip-unik information pà mikroelektroniska eller mikrooptiska enheter, k ä n - n e t e c k n a d av ett första exponeringssystem användande projicering- en av en retikel för exponerande av åtminstone ett skikt hos nämnda enhet, ett andra exponeringssystem med användning av proji- cering av en spatialljusmodulator för exponerande av sam- ma åtminstone ett skikt hos enheten.
13. Anordning i enlighet med patentkrav 12, varvid nämnda exponeringssystem omfattar en analog spatialljus- modulator. '
14. Anordning i enlighet med patentkrav 13 eller 14, varvid det första och andra exponeringssystemet använder samma våglängd.
15. Anordning i enlighet med patentkrav 13 eller 14, varvid det första och andra exponeringssystemet använder olika våglängder.
16. Anordning i enlighet med något av patentkraven 13-15, varvid det vidare omfattar styrsystem för att sty- ra àtminstone det andra exponeringssystemet för att skri- va den chip-unika informationen pà den mikroelektroniska eller mikrooptiska enheten. 10 15 20 25 30 35 o u o o u: u 522 551 23
17. Anordning i enlighet med patentkrav 16, varvid _styrsystemet vidare omfattar ett styrsystem för det första exponeringssystemet för initierande av exponering av exponeringsfält innehål- lande enheten, ett kodskrivarsystem för sammanställande av informa- tion om programmering för nämnda specifika enhet, och en kodrasteriseringsenhet för skapande av hàrdvaru- format för matning till spatialljusmodulatorn för nämnda specifika enhet.
18. Anordning i enlighet med något av patentkraven 12-17, varvid nämnda första och andra exponeringssystem är avpassade för åtminstone delvis samtidig exponering av nämnda enhet.
19. Kontrollsystem för styrande av en stepper för att märka åtminstone en bricka på en wafer, k ä n n e - t e c k n a t av ett steppersystem initierande exponering av expone- ringsfältet innehållande brickan, ett kodskrivarstyrsystem sammanställande information om programmering för en specifik bricka, och en kodrasteriseringsenhet för skapande av ett hårdvaruformat som skall matas till en spatialljusmodula- tor (SLM) för en specifik bricka.
20. Metod för märkning av en bricka på en wafer om- fattande A exponerande av brickan med en konstant del av ett mönster, där nämnda konstanta del används för exponering av åtminstone en annan bricka, och exponerande av samma bricka med en variabel del av mönstret, där nämnda variabla del skiljer sig från motsvarande variabla del av en annan bricka på wafern, och företräde- vis är en brickunik information, såsom ett serienummer* eller en dold kryptografisk nyckel. 10 15 o a v u nu . _ . n u nu . -usa fun a 522 531 *W”* 24
21. Metod i enlighet med patentkrav 20, varvid nämn- _da konstanta och variabla delar av nämnda mönster expone- ras med olika våglängder.
22. Metod i enlighet med patentkrav 20, varvid nämn- da konstanta och variabla delar av nämnda mönster expone- ras med samma våglängd.
23. Metod i enlighet med något av patentkraven 20- 22, varvid nämnda variabla del av nämnda mönster expone- ras med en spatialljusmodulator (SLM).
24. Metod i enlighet med något av patentkraven 20- 23, varvid nämnda konstanta och nämnda variabla delar av nämnda mönster åtminstone delvis exponeras samtidigt.
25. Metod i enlighet med något av patentkraven 20- 23, varvid nämnda konstanta och nämnda variabla delar av nämnda mönster exponeras sekventiellt efter varandra.
SE9904277A 1999-11-24 1999-11-24 Metod och anordning för märkning av halvledare SE522531C2 (sv)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9904277A SE522531C2 (sv) 1999-11-24 1999-11-24 Metod och anordning för märkning av halvledare
CNB008162018A CN1227737C (zh) 1999-11-24 2000-11-24 用于半导体器件个性化的装置与方法
KR1020027006620A KR100726054B1 (ko) 1999-11-24 2000-11-24 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법, 칩-고유 정보 기록장치, 스탭퍼 제어 시스템, 칩-고유 정보를 가진 칩 설계 블록, 웨이퍼 상의 다이 개별화 방법 및 패턴 발생기의 위치 에러 수정 방법
US10/129,364 US6813058B1 (en) 1999-11-24 2000-11-24 Method and apparatus for personalization of semiconductor
JP2001540838A JP2003515930A (ja) 1999-11-24 2000-11-24 半導体の個別化を行う方法および装置
AU19092/01A AU1909201A (en) 1999-11-24 2000-11-24 Method and apparatus for personalization of semiconductor
PCT/SE2000/002325 WO2001039269A1 (en) 1999-11-24 2000-11-24 Method and apparatus for personalization of semiconductor
EP00982014A EP1232526A1 (en) 1999-11-24 2000-11-24 Method and apparatus for personalization of semiconductor
US10/953,560 US7211453B2 (en) 1999-11-24 2004-09-30 Method and apparatus for personalization of semiconductor
US11/378,266 US20060161254A1 (en) 1999-11-24 2006-03-20 Method and apparatus for personalization of semiconductor
US11/980,432 US7842525B2 (en) 1999-11-24 2007-10-31 Method and apparatus for personalization of semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9904277A SE522531C2 (sv) 1999-11-24 1999-11-24 Metod och anordning för märkning av halvledare

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9904277D0 SE9904277D0 (sv) 1999-11-24
SE9904277L SE9904277L (sv) 2001-05-25
SE522531C2 true SE522531C2 (sv) 2004-02-17

Family

ID=20417858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9904277A SE522531C2 (sv) 1999-11-24 1999-11-24 Metod och anordning för märkning av halvledare

Country Status (8)

Country Link
US (4) US6813058B1 (sv)
EP (1) EP1232526A1 (sv)
JP (1) JP2003515930A (sv)
KR (1) KR100726054B1 (sv)
CN (1) CN1227737C (sv)
AU (1) AU1909201A (sv)
SE (1) SE522531C2 (sv)
WO (1) WO2001039269A1 (sv)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
US7316934B2 (en) * 2000-12-18 2008-01-08 Zavitan Semiconductors, Inc. Personalized hardware
JP2003046496A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc 情報管理方法、情報管理システム及び処理装置
KR100445974B1 (ko) * 2001-12-01 2004-08-25 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치
JP4974049B2 (ja) * 2004-02-20 2012-07-11 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
EP1589578B1 (en) * 2004-04-19 2015-02-25 STMicroelectronics Srl Method for indexing dice
US7102733B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7457547B2 (en) * 2004-11-08 2008-11-25 Optium Australia Pty Limited Optical calibration system and method
US20060216869A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, code reading device and substrate
JP2006286966A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の生産管理方法及び半導体基板
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
WO2007124129A2 (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Nve Corporataion Enclosure tamper detection and protection
US7787034B2 (en) * 2006-04-27 2010-08-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Identification of integrated circuits using pixel or memory cell characteristics
US8264667B2 (en) 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US20080057677A1 (en) * 2006-09-06 2008-03-06 International Business Machines Corporation Chip location identification
US20080080712A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Haiquan Huang System and methods for secure communication using an enhanced GPS receiver
WO2008089168A2 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma immersion chamber
US8294577B2 (en) 2007-03-09 2012-10-23 Nve Corporation Stressed magnetoresistive tamper detection devices
WO2009089089A1 (en) * 2008-01-02 2009-07-16 Board Of Regents, The University Of Texas System Microdevice fabrication
US20090199152A1 (en) * 2008-02-06 2009-08-06 Micronic Laser Systems Ab Methods and apparatuses for reducing mura effects in generated patterns
US8754538B2 (en) * 2008-06-24 2014-06-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip including identifying marks
US20100054287A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Farzan Ghauri Method and System for Laser-Based High-Speed Digital Marking of Objects
JP2010060990A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US8015514B2 (en) * 2008-12-29 2011-09-06 International Business Machines Corporation Random personalization of chips during fabrication
EP2306517B1 (en) 2009-09-30 2016-11-02 STMicroelectronics Srl Indexing of electronic devices using marks distributed on two coupled chips
US9099480B2 (en) 2009-09-30 2015-08-04 Stmicroelectronics S.R.L. Indexing of electronic devices distributed on different chips
JP2011107569A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US8539395B2 (en) 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
CN102193322B (zh) * 2010-03-05 2013-01-23 上海微电子装备有限公司 光刻机物镜顶板的检测装置及调整方法
JP5335761B2 (ja) * 2010-12-13 2013-11-06 株式会社オーク製作所 露光装置
JP5335840B2 (ja) * 2011-03-15 2013-11-06 株式会社オーク製作所 露光装置
JP5335755B2 (ja) * 2010-11-04 2013-11-06 株式会社オーク製作所 露光装置
US8415813B2 (en) * 2011-06-15 2013-04-09 Truesense Imaging, Inc. Identification of dies on a semiconductor wafer
US9766551B2 (en) * 2012-10-29 2017-09-19 Northwestern University Heat actuated and projected lithography systems and methods
US10020264B2 (en) * 2015-04-28 2018-07-10 Infineon Technologies Ag Integrated circuit substrate and method for manufacturing the same
CN106707692B (zh) * 2015-07-27 2018-03-27 中国科学院理化技术研究所 一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻系统
US10262164B2 (en) 2016-01-15 2019-04-16 Blockchain Asics Llc Cryptographic ASIC including circuitry-encoded transformation function
US9846128B2 (en) * 2016-01-19 2017-12-19 Applied Materials Israel Ltd. Inspection system and a method for evaluating an exit pupil of an inspection system
KR20190032444A (ko) * 2016-07-19 2019-03-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 단계에서 기판에 적용될 패턴의 조합의 결정
KR102481733B1 (ko) * 2016-09-08 2022-12-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템을 이용한 고유한 칩들의 제작
US10714427B2 (en) 2016-09-08 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Secure chips with serial numbers
NL2019503B1 (en) * 2016-09-08 2018-08-31 Mapper Lithography Ip Bv Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
NL2019502B1 (en) * 2016-09-08 2018-08-31 Mapper Lithography Ip Bv Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
US20180068047A1 (en) 2016-09-08 2018-03-08 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
US10418324B2 (en) 2016-10-27 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
EP3559752A4 (en) * 2016-12-23 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. PRODUCTION OF UNIQUE CHIPS WITH A LITHOGRAPHY SYSTEM WITH MULTIPLE CARRIER PART JETS
TWI627440B (zh) * 2017-05-17 2018-06-21 力晶科技股份有限公司 影像亮度重配模組及影像亮度重配方法
US10372943B1 (en) 2018-03-20 2019-08-06 Blockchain Asics Llc Cryptographic ASIC with combined transformation and one-way functions
US10404454B1 (en) * 2018-04-25 2019-09-03 Blockchain Asics Llc Cryptographic ASIC for derivative key hierarchy
CN109471336B (zh) * 2018-12-21 2020-07-10 武汉华星光电技术有限公司 一种打码方法、打码装置和打码系统
US20200328102A1 (en) * 2019-04-15 2020-10-15 Tokyo Electron Limited Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices
US20240152053A1 (en) * 2020-12-25 2024-05-09 Nikon Corporation Method for manufacturing semiconductor integrated circuit, method for manufacturing semiconductor device, and exposure apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409686A (en) 1980-06-16 1983-10-11 Harris Corporation Method of serialization of dice
JPS63283021A (ja) 1987-05-14 1988-11-18 Sanyo Electric Co Ltd 露光方法
US5302491A (en) * 1989-12-20 1994-04-12 North American Philips Corporation Method of encoding identification information on circuit dice using step and repeat lithography
DE69032740T2 (de) 1989-12-20 1999-06-02 Koninkl Philips Electronics Nv Informationscodierungsverfahren zur Chipidentifizierung unter Verwendung von schrittlitografischen Methoden
JPH0819713B2 (ja) * 1990-05-31 1996-02-28 松下電工株式会社 洋式便器用温水洗浄器の着座検出装置
JPH07123101B2 (ja) * 1990-09-14 1995-12-25 株式会社東芝 半導体装置
US5233459A (en) * 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
DE69226511T2 (de) 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
JPH0768105B2 (ja) * 1992-04-15 1995-07-26 花王株式会社 毛髪処理剤組成物
JPH06224099A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Sony Corp 半導体装置の製造方法
EP0617312B1 (en) * 1993-03-26 2002-10-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A spatial light modulator and a method for driving the same
US5617182A (en) * 1993-11-22 1997-04-01 Nikon Corporation Scanning exposure method
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
US5963881A (en) * 1995-09-22 1999-10-05 Texas Instruments Incorporated Method and system for enhancing the identification of causes of variations in the performance of manufactured articles
WO2000057458A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-28 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured by it
US5986781A (en) * 1996-10-28 1999-11-16 Pacific Holographics, Inc. Apparatus and method for generating diffractive element using liquid crystal display
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
DE19829674A1 (de) * 1998-07-03 2000-01-13 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß
US6414706B1 (en) * 1998-10-30 2002-07-02 Texas Instruments Incorporated High resolution digital printing with spatial light modulator
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare

Also Published As

Publication number Publication date
US20050047543A1 (en) 2005-03-03
US6813058B1 (en) 2004-11-02
CN1399796A (zh) 2003-02-26
SE9904277L (sv) 2001-05-25
US7842525B2 (en) 2010-11-30
JP2003515930A (ja) 2003-05-07
KR100726054B1 (ko) 2007-06-11
AU1909201A (en) 2001-06-04
SE9904277D0 (sv) 1999-11-24
CN1227737C (zh) 2005-11-16
US20060161254A1 (en) 2006-07-20
US20080062389A1 (en) 2008-03-13
KR20020070440A (ko) 2002-09-09
WO2001039269A1 (en) 2001-05-31
US7211453B2 (en) 2007-05-01
EP1232526A1 (en) 2002-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE522531C2 (sv) Metod och anordning för märkning av halvledare
KR100545297B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
JP4266943B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
US9235127B2 (en) Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
KR20060072052A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4417325B2 (ja) 光パターニング方法および光パターニングシステム
KR100730060B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2006157017A (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
JP2005025186A (ja) 光空間変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4087819B2 (ja) コンピュータ・プログラム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP1963922A1 (en) Slm direct writer
USRE45284E1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060132751A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing an microlens array at a image plane

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed