JP4087819B2 - コンピュータ・プログラム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 127
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 39
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Description
− 放射線の投影ビームを供給する照明システムと、
− 個々に制御可能で、投影ビームの断面にパターンを与える働きをするアレイ状のエレメントと、
− 基板を支持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン化したビームを投影する投影システムとを備え、
装置がさらに、基板上に反復パターンを露光するために使用する複数の副露光部の少なくとも1つについて、個々に制御可能で、パターン化ビームを生成するために使用するアレイ状のエレメントの割合を必要に応じて制限する制御装置を備え、したがって前記副露光部のサイズの合計は、所定の方向で、同方向にて基板に露光された反復パターンのサイズと等しいことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
− 基板を設けることと、
− 照明システムを使用して放射線の投影ビームを設けることと、
− 投影ビームの断面にパターンを付与するため、個々に制御可能なアレイ状エレメントを使用することと、
− 放射線のパターン化したビームを基板の目標部分に投影することとを含み、
基板上に反復パターンを露光するために使用する複数の副露光部の少なくとも1つについて、個々に制御可能で、パターン化ビームを生成するために使用するアレイ状のエレメントの割合を必要に応じて制限し、したがって前記副露光部のサイズの合計が、所定の方向で、前記方向にて基板に露光された反復パターンのサイズと等しいことを特徴とする方法が提供される。
− プログラマブルミラーアレイ。これは、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面を含むことができる。こうした装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン化される。代替装置として、フィルタは、回折光を除去し、非回折光のみを基板に到達させることができる。回折光学MEMSデバイスのアイレイも、相当する方法で使用することができる。各回折光学MEMSデバイスは、入射光を回折光として反射する格子を形成するため、相互に対して変形可能な複数の反射性リボンで構成される。プログラマブルミラーアレイのさらなる代替実施形態は、微小ミラーのマトリクス構成を使用し、これはそれぞれ、適切な局所的電界を加えるか、圧電起動手段を使用することにより、軸を中心に個々に傾斜することができる。この場合も、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、したがってアドレス指定されたミラーは、入射放射線ビームをアドレス指定されていないミラーへとは異なる方向に反射し、この方法で、反射したビームは、マトリクスアドレス可能ミラーのアドレス指定パターンに従いパターン化される。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子的手段を使用して実行することができる。前述の両方の状況において、個々に制御可能なアレイ状エレメントは1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第US5,296,891号および同第US5,523,193号、並びに、PCT特許種出願第WO98/38597および同WO98/33096に開示されており、詳細は、当該文献を参照されたい。
− プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例が米国特許第US5,229,872号に開示されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。
− 放射線の投影ビームPB(例えばUV放射線)を供給する照明システム(照明装置)ILと、
− 投影ビームにパターンを与えるために個々に制御可能なアレイ状のエレメントPPM(例えばプログラマブルミラーアレイ)とを備え、一般的に個々に制御可能なアレイ状エレメントの位置は、品目PLに対して固定されるが、代わりに品目PLに対して正確に位置決めするために位置決め手段に接続することができ、さらに、
− 基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを支持し、品目PLに対して基板を正確に位置決めするために位置決め手段PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− 個々に制御可能なアレイ状エレメントPPMによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に描像する投影システム(「レンズ」)PLとを備え、投影システムは、個々に制御可能なアレイ状エレメントを基板に描像するか、あるいは投影システムは、個々に制御可能なアレイ状エレメントのエレメントがシャッタとして作用する2次ソースを描像するか、投影システムは、マイクロレンズアレイ(MLAとして知られる)またはフレネルレンズアレイなどのアレイ状収束エレメントも備えて、2次ソースを形成し、基板にマイクロスポットを描像することができる。
1.ステップモード。個々に制御可能なアレイ状エレメントが、パターン全体を投影ビームに与え、これが1回の作動(すなわち1回の静止露光)で目標部分Cに投影される。次に、異なる目標部分Cを露光できるよう、基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分のサイズを制限する。
2.走査モード。個々に制御可能なアレイ状エレメントが、速度vにて所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばY方向)に運動可能であり、それによって投影ビームPBが個々に制御可能なアレイ状エレメントを走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率である。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向での)幅を制限し、走査運動の長さ、が、目標部分の(走査方向での)高さを決定する。
3.パルスモード。個々に制御可能なアレイ状エレメントが、基本的に静止状態に維持され、パルス状放射線ソースを使用して、パターン全体が基板の目標部分Cに投影される。基板テーブルWTは基本的に一定の速度で運動し、それによって投影ビームが基板Wにわたり線を走査する。個々に制御可能なアレイ状エレメント上のパターンは、放射線システムのパルス間で必要に応じて更新され、基板上の必要な位置で連続する目標部分Cが露光されるよう、パルスのタイミングが合わされる。その結果、投影ビームは、基板Wを走査して、基板の細片についてパターン全体を露光することができる。基板全体が線ごとに露光されるまで、プロセスが反復される。
4.連続操作モード。基本的にパルスモードと同じであるが、ほぼ一定の放射線ソースが使用され、投影ビームが基板を走査して、それを露光するにつれ、個々に制御可能なアレイ状エレメント上のパターンが更新される。
Claims (15)
- リソグラフィ装置であって、
放射線の投影ビームを供給する照明システムと、
投影ビームの断面にパターンを与えてパターン化ビームを生成する働きをする個々に制御可能なアレイ状エレメントと、
基板を支持する基板テーブルと、
基板の目標部分に前記パターン化ビームを投影する投影システムと、
前記パターン化ビームを生成するために使用される前記個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を必要に応じて制限する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、基板上に反復パターンを露光するために複数の副露光部を使用し、所定の方向における前記複数の副露光部のサイズの合計が、基板に露光される前記反復パターンの前記所定の方向におけるサイズと等しくなるように、前記複数の副露光部のうち少なくとも1つについて前記個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を制限することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記制御装置が、前記反復パターンの露光に使用する第一複数の副露光部にパターン化ビームを生成するために使用される個々に制御可能なアレイ状エレメントの割合を制限し、前記反復パターンの露光に使用する第二複数の副露光部にパターン化ビームを生成するために使用される個々に制御可能なアレイ状エレメントの割合を制限しない、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記第一および第二複数の副露光部のうち一方の全てが、副露光部の残りが露光される前に連続的に基板上に露光される、請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 第一複数の副露光部が、残りの副露光部の間に散在する、請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御装置が、前記反復パターンの露光に使用する副露光部の全てにパターン化ビームを生成するために使用する個々に制御可能なアレイ状エレメントの割合を制限し、したがって前記副露光部の前記方向でのサイズが同じである、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御装置が、前記反復パターンの露光に使用する副露光部のうち1つのみにパターン化ビームを生成するために使用する個々に制御可能なアレイ状エレメントの割合を制限する、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 制御装置が、個々に制御可能なアレイ状エレメントの一部にパターンを設定することによって、個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用部分を制限し、したがって、パターン化ビームの対応する部分にほぼ放射線がない、請求項1から6いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 制御装置がさらに、パターン化ビームの断面の部分が基板上に投影されるのをほぼ防止する可動バリアを備える、請求項1から7いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 制御装置がさらに、投影ビームの断面の制御された部分が、個々に制御可能なアレイ状エレメントに入射し、それによってパターンが付与されるのをほぼ防止する可動バリアを備える、請求項1から8いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御装置は、前記照明システムと前記個々に制御可能なアレイ状エレメントとの間に配置される、追加の個々に制御可能なアレイ状エレメントを備え、該追加の個々に制御可能なアレイ状エレメントを使用して、投影ビームの断面のいずれの部分が前記個々に制御可能なアレイ状エレメントに入射しパターンが付与されるかを制御する、請求項1から9いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御装置は、前記個々に制御可能なアレイ状エレメントと前記基板との間に配置される、追加の個々に制御可能なアレイ状エレメントを備え、該追加の個々に制御可能なアレイ状エレメントを使用して、パターン化されたビームの断面のいずれの部分が前記基板に投影されるかを制御する、請求項1から10いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 個々に制御可能な前記アレイ状エレメントおよび個々に制御可能な前記さらなるアレイ状エレメントがそれぞれ、3つ以上のグレーレベルを生成することができる、請求項10または11に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御装置がさらに、個々に制御可能なアレイ状エレメントの欠陥がある領域を識別する手段を備え、個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用される割合を制限する場合に、制御装置が、個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用部分にある欠陥の数を最小限に抑えるよう、制御装置が構成される、請求項1から12いずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- デバイス製造方法であって、
基板を設けることと、
照明システムを使用して放射線の投影ビームを設けることと、
投影ビームの断面にパターンを与えるため、個々に制御可能なアレイ状エレメントを使用することと、
放射線のパターン化したビームを基板の目標部分に投影することと、
前記パターン化ビームを生成するために使用される前記個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を必要に応じて制限することと、を含み、
基板上に反復パターンを露光するために複数の副露光部を使用し、所定の方向における前記複数の副露光部のサイズの合計が、基板に露光される前記反復パターンの前記所定の方向におけるサイズと等しくなるように、前記複数の副露光部のうち少なくとも1つについて前記個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を制限することを特徴とする方法。 - リソグラフィ装置を制御するコンピュータプログラムであって、コンピュータシステム上で実行されると、前記リソグラフィ装置に対し、パターン化ビームを生成するために使用する個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を必要に応じて制限させるよう動作するコード手段を備え、
前記コード手段は、基板上に反復パターンを露光するために複数の副露光部を使用し、所定の方向における前記複数の副露光部のサイズの合計が、基板に露光される前記反復パターンの前記所定の方向におけるサイズと等しくなるように、前記複数の副露光部のうち少なくとも1つについて前記個々に制御可能なアレイ状エレメントの使用割合を制限することを特徴とするコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03253902 | 2003-06-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005012226A JP2005012226A (ja) | 2005-01-13 |
JP4087819B2 true JP4087819B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=34072682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004180513A Active JP4087819B2 (ja) | 2003-06-20 | 2004-06-18 | コンピュータ・プログラム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7016015B2 (ja) |
JP (1) | JP4087819B2 (ja) |
KR (1) | KR100666744B1 (ja) |
CN (1) | CN100582943C (ja) |
SG (1) | SG118283A1 (ja) |
TW (1) | TWI269120B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG118283A1 (en) * | 2003-06-20 | 2006-01-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7728956B2 (en) * | 2005-04-05 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data |
US7839485B2 (en) * | 2006-01-19 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8009269B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-08-30 | Asml Holding N.V. | Optimal rasterization for maskless lithography |
NL2003364A (en) * | 2008-09-26 | 2010-03-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
EP3144955A1 (en) | 2009-05-20 | 2017-03-22 | Mapper Lithography IP B.V. | Method for exposing a wafer |
US8542048B2 (en) | 2011-06-01 | 2013-09-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Double edge triggered flip flop |
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KR102274837B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-07-08 | 삼성전자주식회사 | 쿼드러플 패터닝 기술 공정을 위한 레이아웃 분리 방법 및 이를 사용한 반도체 장치 제조 방법 |
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EP3926402A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-22 | Mycronic Ab | Method and device for pattern generation |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
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SG130007A1 (en) | 2002-06-12 | 2007-03-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
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EP1482375B1 (en) | 2003-05-30 | 2014-09-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG118283A1 (en) * | 2003-06-20 | 2006-01-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-06-16 SG SG200404067A patent/SG118283A1/en unknown
- 2004-06-16 US US10/868,380 patent/US7016015B2/en active Active
- 2004-06-18 KR KR1020040045441A patent/KR100666744B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW093117842A patent/TWI269120B/zh active
- 2004-06-18 JP JP2004180513A patent/JP4087819B2/ja active Active
- 2004-06-19 CN CN200410068448A patent/CN100582943C/zh active Active
-
2006
- 2006-02-15 US US11/354,027 patent/US7385677B2/en active Active
-
2008
- 2008-05-27 US US12/127,480 patent/US7894041B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100666744B1 (ko) | 2007-01-09 |
US20090033897A1 (en) | 2009-02-05 |
TWI269120B (en) | 2006-12-21 |
SG118283A1 (en) | 2006-01-27 |
US20050018997A1 (en) | 2005-01-27 |
US7385677B2 (en) | 2008-06-10 |
US7016015B2 (en) | 2006-03-21 |
CN1573575A (zh) | 2005-02-02 |
TW200510960A (en) | 2005-03-16 |
CN100582943C (zh) | 2010-01-20 |
KR20040111155A (ko) | 2004-12-31 |
US20060139605A1 (en) | 2006-06-29 |
US7894041B2 (en) | 2011-02-22 |
JP2005012226A (ja) | 2005-01-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4087819 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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