KR100726054B1 - 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법, 칩-고유 정보 기록장치, 스탭퍼 제어 시스템, 칩-고유 정보를 가진 칩 설계 블록, 웨이퍼 상의 다이 개별화 방법 및 패턴 발생기의 위치 에러 수정 방법 - Google Patents

마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법, 칩-고유 정보 기록장치, 스탭퍼 제어 시스템, 칩-고유 정보를 가진 칩 설계 블록, 웨이퍼 상의 다이 개별화 방법 및 패턴 발생기의 위치 에러 수정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표준 처리된 반도체 소자의 패턴을 일부 변형하기 위한 시스템에 관한 것이다. 상기 변형에 의해 동일 패턴의 큰 고정 부분에 대한 상기 패턴의 작은 가변 부분이 형성된다. 바람직한 실시예에서, 가변 부분 및 고정 부분의 노광은 동일한 조합형 스탭퍼 및 코드-기록기에서 동일한 파장으로 수행된다. 본 발명은 자동, 저비용 및 위험이 없는 칩의 가변 부분을 기록하는 방법에 관한 것이다. 다이-고유의 패턴의 자동 설계 및 제조 시스템 또한 도시된다.

Description

마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법, 칩-고유 정보 기록장치, 스탭퍼 제어 시스템, 칩-고유 정보를 가진 칩 설계 블록, 웨이퍼 상의 다이 개별화 방법 및 패턴 발생기의 위치 에러 수정 방법{METHOD FOR DESIGN AND PRODUCTION OF MICROELECTRONIC DEVICES, APPARATUS FOR WRITING CHIP-UNIQUE INFORMATION, CONTROL SYSTEM FOR CONTROLLING A STEPPER, DESIGN BLOCK FOR A CHIP WITH A CHIP-UNIQUE INFORMATION, METHOD FOR PERSONALIZATION OF A DIE ON A WAFER, AND METHOD FOR CORRECTION OF POSITION ERRORS IN A PATTERN GENERATOR}
본 발명은 포토리소그라피를 이용한 반도체 칩 및 다른 소자의 제조에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 고유의 코딩 또는 다른 고유의 시각적, 광학적 또는 전자 특성을 가진 소자의 형성에 관한 것이다. 다시 말해서, 본 발명은 소자 그 자체 및 소자의 설계 공정에 관한 것이다. 그러나, 본 발명의 다른 측면은 전자 신호 또는 암호화 키를 가진 접근 방지(tamper-proof) 장치의 형성에 관한 것이다. 본 발명은 또한 전자 소자 및 시스템의 추적의 신뢰성에 관한 것이다. 마지막으로, 본 발명의 중요 측면은 예를 들어 아날로그 칩에서 매개변수 실험을 위한 여러 가지 설계 버젼 또는 잉여 기능 유니트를 포함하는 소자의 재구성에 관한 것이다.
현재 반도체 칩 및 음파 표면(surface acoustic) 장치, 박막 자기 헤드 및 유사한 장치는 스탭퍼에 의해 제조된다. 현재의 스탭퍼는 4배 축소시키고, 조사원으로서 엑시머 레이저를 사용하고 노광 동안 웨이퍼 및 레티클이 스캐닝되는 스탭-앤-스캔 원리를 사용한다. 이런 맥락에서, 임의의 형태의 스탭퍼는 스탭퍼 또는 스캐닝 스탭퍼로서 구별되어 불린다.
스탭퍼의 중요한 특성은 스탭퍼가 각각의 노광 위치에 동일한 마스크를 노광시킴으로써 동일한 다이의 동일한 복사체를 형성한다는 것이다. 이렇게 함으로써 효율적인 방식으로, 높은 생산량과 제조의 경제성을 제공한다. 연구 및 개발(R&D)에서의 매개변수 트라이-아웃을 위해 칩이 동일하면 안 되는 상황 및 경우가 있다. 이 때, 제조자는 e-빔 패턴 발생기에서 패턴의 일부를 기록하거나 소자의 포커싱된 이온 빔을 변형하는 등의 복잡한 절차를 수행하여야 한다.
다른 경우, 고유의 서명 또는 코드, 또는 각각의 칩에 대한 프로그래밍을 제공할 필요가 있다. 이러한 코드를 포함하는 공통적인 방법은 전자적으로 프로그램 가능한 회로를 사용하거나, 종종 부유 게이트 전극의 전위를 가역 변화 또는 비가역 변화시키거나, 또는 프로그램가능한 퓨즈 링크 또는 소위 안티-퓨즈 링크에 의한 것이다. 다른 경우에 여분의 공정 단계, 여분의 제조 비용 및/또는 여분의 구동이 수반된다.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 종래 기술의 단점을 보완하는 것이다.
이러한 목적은 첨부된 청구항에 따른 본 발명으로 달성된다.
본 발명은 표준 공정에서 초과 비용이 거의 발생되지 않는 이러한 고유의 프로그래밍을 수행하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 실제로 모든 칩이 시각적으로 또는 전자적으로 판독 가능한 고유의 코드를 가질 수 있다. 상기 코드는 품질 개선을 위한 데이터를 제공함으로써 제조 동안 처리기, 네트워크 소자에서의 자기 구성 또는 랏(lot), 웨이퍼 및 칩으로 궤환하는 결함 및 에러 추적용 일련 번호로서 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 시각적으로 또는 전자적으로 판독 가능한 코드 또는 칩-고유의 프로그래밍을 제공하는 임의의 표준 설계에 포함될 수 있는 설계 블럭을 제공한다는 것이다. 상기 블럭은 레이아웃 블럭과 컴퓨터 프로그램의 조합물 또는 노광 시 원하는 프로그래밍을 함께 제공하는 데이터 편집을 제공할 수 있다. 본 발명은 설계 시 코드 형성이 구체화되어 자동화 방식으로 수행될 수 있는 방법에 관한 것이다.
코딩, 프로그래밍 및 개별화라는 용어는 상이한 다이 또는 칩 사이에서 다른 기능의 형성을 표시하는 애플리케이션 전체에 걸쳐 상호 교환되도록 사용된다. 코드 또는 프로그래밍을 기록하는 장치 또는 부가 장치는 코드-기록기라고 한다.
본 발명의 또 다른 태양으로서, 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치가 개시되며, 상기 기록 장치는 상기 소자의 적어도 하나의 층을 노광시키기 위해 레티클의 투사를 이용하는 제 1 노광 시스템; 및 상기 소자의 동일한 적어도 하나의 층을 노광시키기 위해 공간 광 변조기의 투사를 이용하는 제 2 노광 시스템을 포함한다. 상기 제 2 노광 시스템은 아날로그 공간 광 변조기를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템은 동일한 파장을 이용하거나 상이한 파장을 이용할 수 있다. 상기 기록 장치는 상기 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 상기 칩-고유의 정보를 기록하기 위한 적어도 상기 제 2 노광 시스템을 제어하는 제어 시스템을 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제어 시스템은 상기 소자를 포함하는 상기 노광 필드의 노광을 초기화하는 상기 제 1 노광 시스템을 위한 제어 시스템; 상기 특정 소자를 위한 프로그래밍에 대한 정보를 컴파일링하는 코드-기록 제어 시스템; 및 상기 특정 소자를 위한 상기 공간 광 변조기(SLM)에 공급될 하드웨어 형식을 형성하기 위한 코드 래스터화 유니트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템은 상기 소자를 적어도 부분적으로 동시의 노광시키기 위해 동작될 수 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 첨부된 도면에서 예시된 실시예를 참조로 다음에서 상세히 설명될 것이다.
도 1은 스탭-앤-스캔 시스템 및 레이저 스캐너(1a) 및 공간 광 변조기(SLM)(1b)를 사용하는 코드-기록 장치의 형태인 코드 기록기의 바람직한 실시예를 도시한다.
도 2는 도 1의 웨이퍼의 확대도.
도 3은 2개의 코드-기록 모듈이 단일 스탭퍼 필드에서 16개의 동일한 다이를 프로그램하는데 사용될 수 있는 방법을 도시한다.
도 4는 설계 정보 흐름도.
도 5는 스캐닝 스탭퍼(5a) 및 스탭핑 스탭퍼(5b)에서 코드-기록기의 윈도우 의 가능한 배치를 도시한다. 도 5c는 시스템에서 빔 조합기의 가능한 배치를 도시한다.
도 6은 프로그래밍된 코드의 일련의 출력을 위한 단순한 설계 블럭도.
본 발명은 고유의 전자 소자, 특히 반도체 칩을 형성하는 구성 요소를 제공한다. 고유성은 ID 코드, 시각적 마킹, 내장형 암호화 키, 또는 칩의 임의의 다른 특성을 포함한다. 다른 용도는 신용 카드상의 홀로그래피 영역과 유사한 고유하게 코딩된 표면 음향 필터 또는 광학적 보안 소자를 형성하기 위한 것일 수 있다. 중요한 애플리케이션은 R&D 작업을 위한 것으로, 여러 버젼의 블럭, 예를 들어, 아날로그 증폭기의 4개의 설계가 예를 들어, 동일 칩에서 여러 개의 설계를 포함하고 각각의 칩에서 설계 중 하나만을 연결하거나, 또는 부품, 예를 들어 상이한 칩에서 상이한 폭을 가지는 트랜지스터를 상이하게 기록하는 코드-기록기를 선택적으로 포함함으로써 테스트 될 수 있다. 새롭거나 예측하지 못한 것들 중 일부는 여러 다른 용도로 사용될 수 있는데, 이는 본 발명이 표준 칩에 개별화 피처(feature)를 부가하는 비용을 매우 낮추기 때문이다. 이러한 새로운 용도의 예는 전자 랏 또는 토큰(token)을 가지는 라터리(lottery)일 수 있다.
본 발명의 원리는 칩의 영역이 일반적인 레티클 세트에서의 프로그래밍을 위해 확보된다는 것이다. 이 영역은 특정한 코드-기록 시스템에 의해 프로그래밍된다. 이를 나타내는 다른 방법으로는 패턴의 고정 부분과 가변 부분을 이용하는 것으로, 고정 부분은 레티클로부터 형성되고 가변 부분은 코드-기록기로부터 형성된다. 칩의 고정 부분은 모든 층을 통해 연장되는 반면, 상기 가변 부분은 일반적으로 단일 층에 제한된다는 것을 인식해야 한다.
코딩 노광은 바람직하게는 동일 파장을 이용하여 동일 포토레시스트 층에서 이루어지거나, 노광 파장은 노광 파장 248nm 및 266nm에서의 코딩, i-라인에서의 노광 및 364nm에서의 코딩 등과 함께 인접하다. 바람직하게는 노광 및 코딩은 정확하게 동일 파장으로 수행되며, 일부는 광원으로서 방전 램프와 엑시머 레이저 모두를 사용할 수 있는 SLM 실시예에서 종종 수행될 수 있다. 따라서, 공정에서 가변 부분과 고정 부분 사이의 차이는 발견되지 않을 것이며, 직접-기록 e-빔 구성과 관련된 대부분의 공정에서의 복잡성은 존재하지 않는다. 일반적으로 직접-기록과 관련된 장애물은 존재하지 않는다: 오랜 기록 시간은 존재하지 않는데, 이는 층의 가변 부분이 정상 마스크로부터 노광되기 때문에, 포괄적인 공정의 현상이 존재하지 않는데, 이는 상기 공정은 표준 공정과 동일하기 때문이다. 임계 정렬 단계는 존재하지 않지만, 코드-기록기가 스탭퍼에서 통합되면 스탭퍼에 의해 먼저 수행된다. 코드-기록기가 스탭퍼에 통합되면, 표준 공정 흐름으로부터 외부로 웨이퍼를 브리징하고, 전자(electron) 빔 시스템에 기록하고, 어떠한 일도 발생되지 않도록 그것을 재삽입한다. 따라서, 본 발명에 의한 개별화는 용이하고, 저비용이며 위험이 없다.
가장 바람직하게 프로그래밍은 스탭퍼의 통합된 코드-기록 유니트에 의해 스탭퍼 내에서 노광되는 동안 수행된다. 코드-기록 하드웨어는 레이저 스캐너 또는 공간 광 변조기(SLM)(110) 및 광원(112)으로 구성되며, 바람직하게는 동일 파장 또는 스탭퍼의 레티클 패턴(101)의 노광을 위해 사용되는 것과 인접한 파장을 형성한다. 레이저 스캐너 또는 SLM에 의해 형성된 이미지는 마스크 평면 또는 등가의 광학 표면(119)에 투사되며, 그 결과 상기 이미지는 주 투사 렌즈(102)에 의해 웨이퍼(103) 상으로 투사될 수 있다.
코드-기록기가 스탭퍼와 통합되지 않는 실시예에서, 레티클의 투사를 제외하고 스탭퍼로서 동일한 기능이 제공되어야 한다: 서보-제어된 정밀 스테이지, 정렬 시스템(또는 상기 기능은 웨이퍼 상의 제 1 층에 제한됨), 코드의 이미지를 투사하기 위한 투사 시스템(이 경우에 중간 이미지를 형성할 필요는 없지만, 상기 이미지는 웨이퍼 상에 직접 투사될 수 있음) 및 하드웨어 및 기록 절차를 제어하기 위한 전산화된 제어 시스템. 통상적으로 코드-기록기는 또한 웨이퍼용 자동 로딩 스테이션 및 제어 환경을 가진 엔클로저를 포함한다.
칩의 프로그램 가능한 부분은 통상적으로 프로그래밍을 위한 레이아웃 영역을 제공하고, 이 경우에 전기적으로 판독 가능한 코드는 코드를 판독하고 통신하기 위한 논리이다. 보다 복잡한 블럭은 코드를 사용하기 위해, 예를 들어 암호화를 위해 처리 리소스를 포함한다. 설계 소프트웨어에 사용된 라이브러리 블럭은 또한 코딩 정보 기록시에 제어 소프트웨어가 코딩 정보 유니트로부터 코딩 정보를 요청하는 명령을 발생시키는 태그(tag) 또는 어소시에이션(association)을 포함한다. 블럭은 표준 블럭으로 형성되어 재생 가능한 모듈, 소위 IP 블럭으로 분배될 수 있다. 그렇게 하기 위하여 전체 설계 체인은 일부만 변형된다(도 4). 라이브러리 블럭 또는 IP 블럭은 프로그램 가능한 부분을 배치하는 스탭퍼 제어 시스템에 요구되는 정보 및 코드를 형성하는 데이터(데이터 표 또는 명령 시퀀스)에 대한 태그를 가진다. 어소시에이션은 레이아웃 블럭 및 통상적인 설계 시스템에서의 스파이스(Spice) 모델 사이의 어소시에이션과 유사하다. 어소시에이팅 정보는 마스크-기록 단계에서는 사용되지 않는데, 이는 마스크 블럭은 기하학적 레이아웃 블럭에 의해 완전하게 정의되기 때문이다. 그러나, 상기 정보는 완료된 마스크와 함께 스탭퍼에 전달되어야 한다. 바람직하게는 마스크는 기계-판독 가능한 코드, 예를 들어 바-코드를 포함하는데, 바-코드는 마스크가 필요 정보를 포함하는 데이터 파일에 프로그램 가능한 부분 및 태그를 가지는 정보를 나타낸다. 이러한 방식으로, 상기 시스템은 손상된 데이터 어소시에이션 및 다른 에러에 대해 안전해질 수 있다.
스탭퍼 제어 프로그램은 새로운 타입의 패턴을 고려하여야 하며, 그 결과 각각의 노광된 칩에 대해, 코드 블럭의 노광이 초기화되며, 수정 코드가 형성되어 비트맵 또는 다른 하드웨어 형식으로 전환되며, 서보 및 제어 시스템은 정확한 위치에 패턴이 인쇄되게 한다. 단순한 경우에, 칩 당 값의 리스트, 또는 하나의 값이 존재하지만, 보다 복잡한 실시예에서는 개별 코드 발생 유니트가 필요하며 가능하다면 웨이퍼 상의 칩 위치, 날짜 및 시간, 스탭퍼 식별, 임의 번호와 같은 외부 정보를 이용하여 코드가 발생되어 기록 하드웨어에 공급된다.
형성된 코드는 여러 가지 형식(시각적으로 판독 가능한 코드, 바코드, 2-D "도트코드", 전자적으로 판독 가능한 코드 등) 중 하나의 형식을 가지며 코드는 에러 수정 코드, 압축 등을 이용하여, 다양한 베이스에서 표현된 전술한 타입의 조합일 수 있다. 마크 타입을 구체화하기 위하여, 일련의 명령은 미리 결정된 키워드 및 매개변수를 사용한다. 보다 복잡한 코드에 있어서, Java 또는 ANSI C에서 기록된 바람직한 실시예에서, 그리고 설계를 합리화하는 미리 결정된 라이브러리 기능 또는 클래스에 짧은 컴퓨터 코드가 포함된다. 이러한 보편적인 프로그래밍 언어는 설계자에게 행동의 자유를 주어 광범위한 코드를 발생시킨다. 미리 결정된 키워드는 표준 타입의 코드를 정의하는 기록 프로그램의 복잡성을 회피하도록 설계된다.
기록기
도 1a 및 1b 및 도 2의 확대 도시된 웨이퍼는 통합된 코드-기록기 및 스캐닝 스탭퍼의 형태로 본 발명의 실시예를 도시한다. 스탭퍼는 레티클 평면에서의 레티클(101)의 스캐닝과 동시에 렌즈(102) 하부에 웨이퍼(103, 201)를 스캔하는 스테이지(104)를 가진다. 필드(207)의 노광은 명령 입력 파일(109)에 기초한 스탭퍼 제어 시스템(108)에 의해 제어된다.
렌즈(102)는 슬릿(slit)형 필드 정지부(107)를 가지며, 렌즈가 우수한 이미징 특성을 가지고 코드-기록기의 윈도우가 배치될 수 있는 필드 정지부 외부에 큰 영역이 존재한다(도 5). 주(main) 투사(project) 렌즈(102)와 레티클 사이의 미러(111)는 레이저 스캔 라인 또는 SLM(110, 205)의 이미지(119)를 광학 트레인에 연결시키며, 그 결과 이미지는 슬릿(204)의 이미지 측면으로 하강한다. 레티클(101)은 248nm 파장, 1000Hz의 발산 펄스, 각각의 펄스가 30 나노초 길이를 가지는 주 엑시머 레이저(105)에 의해 조사 광학기(106)를 통해 조사된다. 스캐너 또는 SLM(110)은 근접한 248, 257 또는 266nm 파장을 가지는 다른 소형 레이저(112)에 의해 조사된다. 코드-기록기는 스테이지 위치 및 코드-기록 제어 유니트(120)로부터 입력을 받는 위치 제어 유니트(121)에 의해 트리거된다. 코드-기록기 제어 유니트는 코드가 배치되어야 하는 정보 및 데이터 입력(109)에서 구체화된 콘텐츠를 포함한다. 코드 래스터화(rasterizing) 유니트(123)는 노광을 위해 적당한 때에 코드를 변조기 또는 SLM(110)에 공급되는 패턴으로 변환시킨다. 코드(205)는 코드-기록기 윈도우에 의해 소거된 영역(206)의 어느 지점에나 배치될 수 있으며 코드의 배치는 타이밍에 의해 결정된다. 도 1b의 실시예에서, 코드-기록기는 1000Hz의 최대 펄스 반복 주파수를 가지는 엑시머 레이저(112)를 사용하며 SLM(110)은 각각의 플래시 사이에서 새로운 콘텐츠로 다시 로딩된다. 스테이지(104)가 연속적으로 스캐닝되고 레이저 플래시는 단지 30 나노초의 길이를 가지기 때문에, 움직임이 정지되고 SLM의 일련의 정확한 이미지가 웨이퍼 상에 인쇄된다. 스테이지 이동, 레이저 플래시 및 데이터 로딩 사이의 적절한 동기화로, 패턴화된 영역은 동일 발명자에 의한 PCT 출원 번호 WO 99/45439와 같이 형성된다. 원리상, 웨이퍼(103, 201)를 코드-기록기 패턴으로 채우며 이에 따라 직접-기록 시스템을 형성하는 것이 가능하다. 그러나 바람직한 실시예의 의도는 전체(full) 층을 기록할 시스템을 제공하는 것이 아니라, 레티클로부터 노광된 패턴에 아주 작은 변형을 가하는 것이다. 이것은 레티클의 이미지 및 높은 생산량으로 가지는 적당한 개별화를 발생시키며 제조 비용에는 거의 영향을 주지 않는 고유의 특성을 바람직한 실시예에 제공하는 코드-기록기의 이미지의 조합이다.
코드-기록기와 통합되는 스탭퍼는 도 1의 스캐닝 스탭퍼 또는 일반적인 스탭핑 스탭퍼일 수 있다. 렌즈의 필드에서의 코드-기록기 윈도우의 배치에 대한 선택적 실시예가 도 5에 예시되어 있다. 투사 렌즈(501)의 원형 필드는 정사각형 필드(503) 또는 좁은 슬릿(502)을 위해 사용될 수 있다. 다른 경우에 SLM(504, 505)의 이미지를 위한 필드 외부에 공간이 존재한다. 도 5c에서, 코드-기록기 이미지(506)는 반투명 거울 또는 다른 빔 분산/조합 엘리먼트에 의해 필드 내부에 배치된다.
레티클로부터의 노광을 위한 스캐닝 스탭퍼 및 코딩된 영역을 패터닝하기 위한 라이드-온-더-플라이(write-on-the-fly)의 조합이 특히 바람직하다. 주 투사 시스템과 코드-기록기 모두는 기본적으로 동일 파장을 사용할 수 있으며, 그 결과 두 가지 타입의 패턴은 동일한 공정 특성을 갖는다. 이로 인해 공정의 현상(development) 및 설정 시간이 최소가 된다. 코드-기록기 윈도우의 위치를 스테이지에 포커싱하고 정렬하며 정확한 노광을 발견하는 것이 필요하지만, 그 후에 레티클로부터 코딩된 영역 및 노광된 영역들은 동일할 것이다. 임의의 추가 노광 시간이 발생하지 않고 칩 영역 내부에 코딩된 블럭을 배치하는 것에 대해서는 훨씬 자유로운데, 이는 코드의 노광이 스캐닝 동안 수행되어 레티클 패턴을 노광시키기 때문이다. 따라서, 비용, 시간 및 현상 모두에서 매우 낮은 비용으로 각각의 칩 상에 고유의 프로그래밍을 실제로 할 수 있다. 동시에 프로그래밍 구성은 가요성이 있는데, 이는 코드가 임의의 층에서 또는 실제로 요구되는 모든 층에서 가요적으로 배치될 수 있다.
포커스 및 정렬 에러를 허용하는 프로그래밍을 만들기 위해, 주 투사의 해상도 보다 낮은 광학적 해상도로 프로그래밍이 바람직하게 수행된다. 이것은 레이저 빔(도 1a)을 축소하거나, 또는 SLM(110)의 중간 이미지(119)를 형성하는 투사 광학기(116, 117)에서의 개구 정지부(118)를 사용함으로써 달성된다. SLM은 PCT 출원 번호 WO 99/45439호에서 처럼 편향되거나 또는 회절될 수 있다. 출원 번호 WO 99/45439의 아날로그 SLM은 소프트웨어가 도우즈 조절, 화소-대-화소 교정 및 축소 및 높은 어드레스 그리드에서의 데이터의 배치를 제어할 수 있게 한다. 본 발명의 대부분의 우수한 특성은 투과적인 SLM 및 여러 스캐닝 레이저 빔을 가진 구성으로 유지된다.
제어 시스템
정확한 장소에 코드를 배치하고 코드-기록기에 데이터를 제공하는 제어 시스템이 요구된다.
스탭퍼 제어 시스템(122)은 코드-기록기로 작동하는 특수 설비를 가진다. 다이가 노출될 때, 기록할 코드가 존재하면 제어 시스템은 찾을 코드-기록 제어 유니트(120)를 호출한다. 만일 그렇지 않으면, 아무 것도 발생되지 않으며 스탭퍼 기능은 코드-기록기가 부착되지 않은 스탭퍼의 기능과 동일하다. 반면에, 코드-기록 제어 유니트(120)가 코드를 발생시키는 명령을 가지면, 상기 유니트는 기록되는 코드 타입에 따라 웨이퍼 상의 칩 개수, 실시간 클럭, 데이터 표로부터의 값, 레이아웃 데이터, 임의 수의 발생기 등을 이용하여 코드를 계산한다. 코드-기록 제어 유니트(120)는 데이터-대-래스터 변환기(123)에 코드 정보를 전송하고, 상기 변환기는 하드웨어(110, 130)에 공급하기 위해 상기 정보를 비트맵 또는 다른 하드웨어 형식으로 변환시키는 동시에 정보가 인쇄되고 상기 정보를 위치 제어기(121)에 전송하는 스테이지 위치를 계산한다. 스테이지가 계산된 위치에 도달할 때, 데이터 스트림(도 1a) 또는 레이저 플래시(도 1b)가 초기화되며 상기 코드는 웨이퍼 상에 노광된다. 레이저 스캐너를 갖는 실시예는 일련의 스캔 라인을 기록하는 반면, 스테이지는 패턴으로 영역을 채우게 스캐닝된다. SLM을 갖는 실시예는 하나 또는 여러 개의 필드를 인쇄한다. 정확한 매개변수에 따라, SLM 인쇄는 서로 인접하게 중첩되거나 분리될 수 있다. 단일 필드에서의 여러 다이의 경우에, 코드는 스캐닝 방향으로 반복적으로 인쇄될 수 있다.
코드-기록기 윈도우는 레티클 필드보다 훨씬 작다. 수직 방향으로의 하나 이상의 다이는 2개의 코드-기록 윈도우를 사용하는데 유용할 수 있다. 이것은 빔-분산 광학기 내의 2개의 완전한 코드-기록 모듈에서 단일 모듈에 이르기까지 여러 방식으로 달성될 수 있다. 도 3은 각각의 레티클 필드에서 2개의 윈도우를 갖는 시스템에 의해 얼마나 많은 다이가 코딩될 수 있는가를 도시한다. 가장 높은 가요성 및 광학 기계적 복잡도는 스캔 방향에 대해 이동할 수 있는 윈도우를 가져야 하며, 따라서, 코드-기록기는 필드의 모든 위치에서 인쇄될 수 있다.
코딩된 소자
설계 블럭은 인쇄 영역을 형성하기 위해 사용된다. 시각적으로 판독 가능한 마크에 있어서, 인쇄는 웨이퍼의 최상부 층 중 하나에서 이루어진다. 바람직하게는, 레이아웃 정보, 마크를 구체화하는 명령, 및 마크 데이터의 3부분을 가지는 디렉토리 또는 라이브러리 블럭이 사용된다. 전자적으로 판독 가능한 마크에 있어서, 다른 층에 전자 소자가 기록되어야 하며 블럭의 레이아웃 부분은 다른 층, 통상적으로 모든 층의 기하학적 형태를 포함한다.
제어 시스템
독립 코드-기록기, 즉, 마스크가 동시에 노광될 가능성이 없는 경우에, 기록기는 스탭퍼와 거의 동일한 기능 블럭을 가져야 한다: 결정 제어 스테이지, 레이저 광원, 투사 렌즈 및 정렬 시스템. 이 경우에, 코드-기록기는 코드의 웨이퍼 상의 위치 및 코드의 스펙(specification)을 포함하는 제어 파일로부터 동작한다. 스테이지는 원하는 위치로 이동되고 코드 패턴은 동일 발명자에 의해 EP 0 467 076의 패턴 발생기에서와 같이 노광된다. 상기 스테이지가 제 1 층이 아니고 정렬 마크가 동일층에 형성되지 않으면, 웨이퍼 상의 정렬 마크에 대한 스테이지 좌표 시스템을 정렬할 필요가 있다. 제어 시스템은 다음 코드를 프린트하기 위해 집어서, 그 위치로 이동시키고 코트 스펙을 코드 패턴 발생기에 전송한다.
코드-기록기가 스탭퍼에 부가 장치로서 장착되는 바람직한 실시예에서, 필요한 많은 기능은 이미 스탭퍼에 존재한다: 스테이지, 조명, 정렬 등. 코드-기록기를 구성하는 데에는 여러 가지 방법이 있다: 가장 바람직한 방법은 도 1에서 도시된 바와 같이 코드-기록기를 스캐닝 스탭퍼에 통합시키고 스탭퍼의 노광 스트로크(stroke) 동안 코드를 기록하는 것이다. 이 방법은 기본적으로 생산량에 영향을 주지 않고 고유의 코드가 기록될 수 있게 하며, 상기 코드는 코드-기록기 윈도우에 의해 소거된 라인을 따라 배치될 수 있다. 제 2 모드는 주 노광 레이저를 턴 오프시키고 스캐닝 동작 동안 코드만을 노광시킨다. 이것은 이러한 특정 층에 대해 기본적으로 절반의 생산량을 제공하지만(만일 마스크 노광도 수행되어야 한다면), 코드가 배치되는 것에 대해 전체적인 가요성을 제공한다. 스캐닝이 없는 스탭퍼에서 가요성은 훨씬 작으며, 일반적인 경우에, 마스크 노광 및 코드의 노광 사이에서 스테이지의 위치를 재설정할 필요가 있는 것 같다. 이를 방지하고 생산량을 극대화하는 구성은 웨이퍼 상의 마스크의 이미지 내의 주변 위치에 코드-기록기 윈도우를 배치하는 빔 스플리터/조합기를 포함한다. 상기 코드는 또한 각각의 렌즈 필드에서 스테이지를 정지시키기 않는 완전한(full) 라이트-온-더-플라이에서 노광될 수도 있다. 이것은 매우 효율적인 동작 모드인데, 이는 상기 코드가 웨이퍼 상에 각각의 다이 열(row)을 위한 하나의 스테이지 스트로크에 대체로 가장 적합하고 스테이지 스트로크는 1-10초에서 동작하기 때문이다. 그러나 스테이지는 라이트-온-더-플라이 모드에서 동작하기에 적합하며, 상기 모드는 정상 스탭핑 모드와 아주 다르다.
제어 시스템 구조는 일측상에서 동시적인 마스크 및 코드 노광, 및 다른 측상에 개별적인 코드 및 노광(단일 기계 또는 개별 기계에서)의 2가지 경우 사이에서 약간 다르다. 동시 모드에서, 주 노광은 최우선 동작이고 스탭퍼는 시간을 효율적으로 사용하려는 계획에 따라 필드를 노광시킨다. 각각의 노광 필드에 있어서, 제어 시스템은 코드-기록 제어 유니트를 호출하고, 상기 유니트는 개별 하드웨어로서 또는 동일한 하드웨어 상에서 동작되는 개별 소프트웨어로서 수행될 수 있다. 코드-기록 유니트는 코드가 기록되는지의 여부를 그 입력을 통해서 검사한다. 만일 그렇다면, 상기 유니트는 코드 형성에 요구되는 임의의 데이터, 예를 들어, 실시간 클럭, 칩 수, 웨이퍼 랏 및 웨이퍼 수 등을 수집하고 코드를 조립하기 위해 코드를 구현하는 방법에 대한 명령을 사용한다. 이러한 명령은 바람직하게는 최대 가요성을 위한 컴퓨터 언어에서, 바람직하게는 ANSI C 또는 Java에서 코드 세그먼트로서 수행된다. 상기 명령은 코드의 배치, 타입 및 코드를 구현하는 방법에 대한 상세한 명령을 포함한다. 다수의 미리 정의된 타입, 예를 들어 시각적으로 및 전자적으로 판독 가능한 형태의 칩 식별 스트링, 임의의 번호, 데이터 베이스로부터의 데이터 등이 존재한다. 코드는 형성된 후에 코드 래스터라이저에 전송되어 하드웨어에 로딩될 비트맵(또는 다른 하드웨어 형식)으로 변환된다. 또한, 코드-기록 제어 유니트는 위치 정보를 형성하고 레이저 및 SLM 회로를 초기화하여, 정확한 스테이지 위치에 이르기 전에 SLM이 로딩되고 스테이지가 정확한 위치에 이를 때 레이저가 트리거 된다. 스탭퍼 필드 내의 반복된 코드에 있어서, 시퀀스는 여러 번 반복되고, 하나 이상의 SLM의 경우에, 동일한 시퀀스가 각각의 SLM에 대해 수행된다. SLM의 크기보다 큰 코딩된 영역은 각각의 노광 플래시 및 레이저의 재트리거 후에 새로운 데이터가 로딩될 수 있는 버퍼에 수용될 수 있으며, 그 결과 다수의 SLM 필드가 함께 스티치(stitch)된다.
설계 블럭
코드가 단순히 시각적 마크가 아니라, 전자적으로 판독 가능한 코드, 및 일부 처리 파워와 결합된 것일 때, 그것은 설계 블럭으로서 적절하게 수행된다. 하나의 층, 가장 명확하게는 금속층은 코드 노광에 의해 변형되지만, 스탭퍼의 주 노광으로 인한 완전한 공정 통합 때문에, 임의의 층이 쉽게 변형될 수 있다. 비밀의 접근 방지 코딩에 있어서, 스택에서 깊은 층이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 현미경에서 코드가 보일 수 있게 하는 CMP 하부의 층, 예를 들어, 이온 주입 층은 칩 표면상의 많은 흔적 없이 트랜지스터를 효과적으로 턴온 및 턴오프 시킬 수 있다. 소자 변형에 있어서, 여러 층, 가능하다면 칩의 작은 세그먼트의 모든 층을 코딩하는 것에 관심이 있을 수 있다. 코드라는 단어는 본 발명에서는 레티클로부터의 주 노광에 대향하는 것으로 사용되지만, 코딩이라는 단어는 문자 그대로 이해되어서는 안된다. 이것은 레티클 내에 있지 않고 칩 사이에서 변화될 수 있는 임의의 패턴을 의미한다.
설계 블럭의 예는 일련 번호 블럭이다. 상기 블럭은 코딩 영역 및 판독 영역을 가진다(도 4). 상기 블럭으로 데이터 CLOCK 및 READ 신호가 입력된다. 상기 READ가 로우(low)로 설정될 때, 코딩은 판독 회로에서 판독되고, READ가 하이(high)일 때, 코딩은 출력 패드를 통해 연속적으로 시프트된다. 이러한 작은 블럭은 임의의 칩 상에 배치될 수 있으며 하나의 패드의 비용으로 상기 블럭이 파워 업될 때마다 일련의 형태로 전자 일련 번호를 부여한다. 마이크로프로세서 또는 처리기 코어에 있어서, 유사한 블럭은 특정 명령 후에 일련 번호를 레지스터에 로딩할 수 있다. 이것은 다수의 단부에 사용될 수 있다: 고유의 추적 가능한 식별 장치를 가지는 것은 도난 방지뿐만 아니라 품질 보증을 위해 사용할 수 있다. 소프트웨어 라이센스는 처리기 번호에 속박될 수 있으며, 상기 번호는 현재 컴퓨터 식별 장치로서 종종 사용되는 하드디스크 및 이더넷 카드보다 덜 바뀐다. 고유의 일련 번호는 자기-구성 네트워크를 위해 그리고 여러 네트워크 사이에서 이동하는 단일 컴퓨터의 식별을 보호하기 위한 베이시스로서 사용될 수 있다.
칩-고유의 코딩은 다수의 보안 콘텍스트에서 사용될 수 있다. 공개 키에 기초한 암호화-처리기는 칩 내부에 숨겨진 비밀 키 및 요청에 따라 외부에 공개된 공개 키를 가질 수 있다. 처리는 동일 처리기 내부에서 수행되고 키 형성은 노광 동 안 기록-시간으로 수행되며, 그 결과 높은 보안 등급이 얻어진다.
설계 블럭은 다른 층, 가변 층의 고정 부분 및 코드의 스펙에 커플링된 층을 포함하는 마스크 층을 포함한다. 코드 타입, 층, 크기 및 위치 및 선택적으로 코드-기록 제어 시스템에 코드를 구현하는 방법에 대해 명령하는 코드 세그먼트를 구체화하는 스펙 언어가 사용된다. 설계 레이아웃, 코드 스펙 및 소프트웨어 세그먼트의 조합은 재사용 가능한 설계 엘리먼트, 소위 IP 블럭으로서 구분될 수 있다. 현재의 IP 블럭에 비해 상기 조합은 코드 형성을 위한 데이터 프로그램, 예를 들어, Java를 포함한다는 점에서보다 일반적이다. 코드-기록기 및 스탭퍼 제어 시스템은 이러한 형식을 받아들이고 전자 설계 시스템은 레이아웃 및 스펙을 링크시켜 이러한 링크가 스탭퍼에서 다시 구현될 수 있도록 레이아웃 및 스펙을 전송할 수 있다. 이것은 설계 사무실에서 웨이퍼 팹에 이르기까지 명령 및 데이터 부분의 저장 및 통신의 관점에서 일부 새로운 내부구조를 필요로 할 것이다.
제 1 실시예
도 1a의 제 1의 바람직한 실시예에서, 코드-기록기는 6" 레티클(101)을 이용하여 스캐닝 스탭퍼로 구현하고, 4X 축소 렌즈(102)는 스캐닝 스테이지(104) 상의 웨이퍼(103) 상에 22×34mm의 이미지 필드를 형성한다. 레이저(105) 및 조사기(106)로부터의 주 노광 파장은 248nm이고 개구수 0.6은 0.2 미크론의 해상도를 제공한다. 내장형 코드-기록기는 결정성 석영으로 구성된 음향-광학 편향기(107) 및 257nm의 연속 주파수-2배화 Ar 이온 레이저(108)를 갖는다. 스캐너 상의 시준기(109)가 선택되어 스캔에 따른 해상도는 대략 700 포인트이고 스캔 길이는 레티클 면에 광학적으로 대응하는 중간 초점 평면의 윈도우(110)에서 1.2mm이다. 웨이퍼(103) 상의 스캔으로 투사된 영역은 4배 작다, 즉 스캔은 0.3mm이고 스팟은 0.4이다. 스캔 라인은 0.25mm의 간격을 가지고, 스캐너는 초당 50000 스캔을 기록한다. 단일 레이저 빔에 있어서, 이것은 초당 12.5 mm의 스테이지 속도를 제공하지만, 레티클로부터 노광될 때의 정상적인 스캐닝 속도는 150mm/초이기 때문에, 영역을 채우기 위해서는 12개의 평행 빔이 필요하다. 제어 시스템은 다른 경우에도 설명된다.
제 2 실시예
도 1b는 공간 광 변조기(SLM(111))에 기초한 제 2의 바람직한 실시예를 도시한다. T 코드-기록기는 22×34mm의 레티클 필드를 가진 4X 스캐닝 스탭퍼에 내장된다. 주 노광 파장은 248nm이고 개구수 0.6은 0.2 미크론의 해상도를 제공한다. 내장형 코드-기록기는 24 미크론 거울을 가지며 2048×512 어레이 크기를 가지는 반사형 마이크로프로미러 SLM를 갖는다. 주 투사 렌즈를 포함하는 감소 비율은 100X이고 NA는 0.4 미크론의 회절-제한 해상도를 제공하는 0.32로 설정된다. SLM의 투사된 크기는 0.4×0.1mm이다. 다수의 상이한 타입의 패턴 발생기 원리 및 상이한 타입의 SLM이 사용될 수 있으며 PCT 출원 번호 WO 99/45439에 기술된 회절 반사형 아날로그 SLM은 바람직한 실시예에서 사용된다. 아날로그 SLM이 갖는 이점은 화소의 리스폰스가 보정될 수 있다는 것이고, 다른 특징은 SLM 화소의 투사된 크기보다 훨씬 미세한 어드레스 격자에 축소되어 배치될 수 있다는 것이다. SLM은 펄스형 광원(112)에 의해 조사되며, 바람직한 실시예에서, 다른 KrF 레이저는 248nm 파장 및 25ns 펄스 길이를 가진다. 레이저 광은 조사기(113)에서 혼합되어 조절된다. 반투명 거울(115)은 SLM에 광을 전송하고 SLM에서 반사된 후에 SLM의 일부를 통과하여 웨이퍼에 이른다. 망원경(116, 117)은 코드-기록기 윈도우(110)에서 SLM의 이미지를 형성하고 개구부(118)는 반사광의 회절된 부분을 필터링하고, 이에 의해 이미지를 형성하며 동시에 웨이퍼에서의 코드-기록기의 해상도를 정의한다.
빠른 위치 서보
도 1a의 실시예에서, 스캐너 및 변조기의 구동 신호를 변형함으로써 웨이퍼에 대한 코드-기록기 이미지를 전자적으로 이동시키는 것이 가능하다. 도 1b의 SLM은 동일한 동작을 갖지 않는데, 이는 SLM, 렌즈 및 이미지는 서로 고정된 기하학적 관계를 가지기 때문이다. 아날로그 SLM을 사용한 패턴 발생기에서, 스테이지 에러 및 다른 위치 에러를 수정하는 빠른-동작 서보(servo)로서 전자 이미지 변위 구성이 사용될 수 있다. SLM에 공급되는 비트맵은 3×3(또는 보다 큰) 회전형 핵심부(convolution kernel)로 회전된다. 이러한 회전부는 이미지 처리에서 널리 공지되어 있으며 디지털 신호 처리기는 작은 핵심부를 갖는 비트맵의 회전을 위한 효과적인 명령을 갖는다. 기본적인 핵심부는
0 0 0
0 1 0
0 0 0
이것은 패턴에 대해 아무것도 행하지 않고, 그대로 남겨진다. 수정될 패턴 발생기에서 배치 에러가 존재하면, 핵심부는 시프팅된 계수를 갖는 다른 핵심부로 대체된 다, 예를 들어,
0 0.04 0
0 0.83 0.13
0 0 0
제 2 핵심부는 패턴을 우측으로 0.13 화소 간격으로 그리고 상부로 0.04 화소 간격만큼 이동시킨다. 패턴은 동시에 약간 희미해지지만, 적절한 광학 설계로, 이러한 부가된 희미함은 투사 렌즈의 광학적 회전 한계에 의해 발생된 희미함에 비해 불충분하다. 1 화소 이상의 큰 이동은 비트맵의 어드레싱에 의해 또는 보다 큰 핵심부로 수행된다. 바람직한 실시예에서의 최대 펄스 충분(또는 이미지 반복) 비율은 1000Hz이고 전체 SLM 콘텐츠는 0.9밀리초 이내에 로딩될 필요가 있다. 회전은 필드 프로그래밍 가능한 논리에서 수행되는 반면, 데이터는 SLM으로 로딩된다. 따라서, 수정을 위한 잠복 시간은 0.9밀리초이다. 이것은 기계적 서보의 리스폰스에 비해 바람직하다.
레티클 이미지에 대한 정렬
바람직한 실시예에서의 스탭퍼는 웨이퍼가 렌즈에 대해 정렬되고 레티클이 동일한 렌즈에 대해 독립적으로 정렬되는 정렬 시스템을 갖는다. 투사 광학기와 코드-기록 광학기 사이의 정렬은 레티클로부터 부분적으로 그리고 코드-기록기에 의해 부분적으로 노광된 버니어(vernier)를 갖는 테스트 패턴을 노광시킴으로써 형성된다. 레티클 및 웨이퍼가 서로 정렬되고 렌즈에 대해서는 정렬되지 않는 다른 실시예에서, 코드-기록기는 레티클에 대해 정렬될 필요가 있다. 이를 수행하는 한가지 방법은 레티클 및 렌즈 어셈블리 사이의 측정된 변위에 따라 코드 기록기, 예를 들어, SLM 자체 내에 광학기의 기계적 움직임에 의한 것이다.
코드 대 비트맵 변환
코드 대 비트맵 변환(또는 하드웨어를 위해 적절한 다른 형식으로의 변환)은 동일 출원인에 의한 스웨덴 특허 출원 번호 99032435 또는 PCT 출원 WO 98/38597에 기술된 데이터 경로의 보다 단순한 버젼이고 되고, 훨씬 덜 평행한 동작으로 변환 유니트(130)에서 수행된다. 통상적으로 작은 영역만이 코드-기록기에 의해 패턴화될 필요가 있기 때문에, 데이터가 변환되어 버퍼에 저장되는 반면, 완성된 패턴 발생기에서 모든 데이터는 플라이 상에서 변환될 필요가 있는데, 이는 필요한 버퍼의 크기는 비실용적이기 때문이다.
결론
요약하면, 본 발명은 표준 처리된 반도체 소자에서 패턴에 대한 작은 변형을 수행하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 변형은 동일한 패턴의 큰 고정 부분에 대한 패턴의 작은 가변 부분을 형성하도록 이루어진다. 바람직한 실시예에서, 가변 및 고정 부분의 노광은 동일한 결합 스탭퍼 및 코드-기록기에서 동일한 파장으로 수행된다. 본 발명은 자동, 저비용 및 위험이 없는 칩의 가변 부분을 기록하는 방법을 제공한다. 자동 설계 및 다이-고유의 패턴의 제조를 위한 시스템도 제공된다.
본 발명은 실시예에 의해 기술되었다. 기술된 바람직한 실시예는 공간 광 변조기 및 레이저-스캐닝 패터닝 모두를 사용한다. 다른 컴포넌트 및 조합물을 이용하여 기술된 실시예에 대한 변형이 당업자에 의해 수행될 수 있다는 것은 명백하다. 그러나 2개의 광학적 노광 시스템, 마스크로부터의 하나의 노광, 컴퓨터 파일로부터의 다른 것을 이용하여 동일한 층에서 고정 패턴 및 가변 패턴을 조합하도록 기능이 기술되는 한, 실시예에 대한 이러한 명확한 변화는 동일한 발명의 다른 실시예로서 이해되어야 한다. 광학적 노광은 거울, 프리즘, 회절 격자, 렌즈, 셔터 및 SLM과 같은 광학적 컴포넌트에 의해 제어되는 전자기 방사의 모든 노광을 포함하는 넓은 의미가 있게 된다. 실제로, 광학 범위는 먼 적외선(IR)으로부터 가장 먼 자외선(EUV) 및 소프트 x-레이에 이른다.

Claims (28)

  1. 동일한 기능을 가지지만, 칩-대-칩의 변화, 일련 번호 또는 숨겨진 암호화 키와 같은 칩-고유의 정보를 가지는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법으로서,
    동일한 제품 또는 웨이퍼 상에 적어도 2개의 다이 사이에서 일정한 서브패턴을 형성하도록, 마스크 또는 레티클을 사용하는 광학 스탭퍼에 의해 상기 마이크로전자 소자의 적어도 하나의 층을 노광시키는 단계; 및
    적어도 2개의 다이 사이에서 변화하며, 상기 칩-고유의 정보를 가지는 서브패턴을 형성하도록, 광학적 패턴 발생기를 사용함으로써 상기 마이크로전자 소자의 동일한 적어도 하나의 층을 노광시키는 단계
    를 포함하는, 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 광학 스탭퍼 및 상기 광학 패턴 발생기는 동일한 파장을 사용하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 광학 스탭퍼 및 상기 광학 패턴 발생기는 상이한 파장을 사용하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 스탭퍼 및 상기 광학 패턴 발생기는 동일한 기계인 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 스탭퍼 및 상기 광학 패턴 발생기는 상이한 기계인 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 패턴 발생기는 컴퓨터 제어 레티클인 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 컴퓨터 제어 레티클은 공간 광 변조기(SLM)인 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 광학 패턴 발생기는 아날로그 공간 광 변조기(SLM)이며, 상기 변형 가능한 서브패턴을 가진 마이크로전자 소자를 노광시키기 전에 위치를 수정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 위치 수정 단계는:
    상기 수정 위치와 비교하여 스테이지 위치 에러를 측정하는 단계; 및
    회전형 핵심부에 의해 SLM으로 로딩되는 비트맵을 회전시키는 단계를 포함하며, 상기 핵심부는 상기 위치 에러를 수정하기 위하여 상기 측정된 위치 에러와 무관하게 선택되거나 변형되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  10. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고정 및 상기 가변 서브패턴은 적어도 부분적으로 동시에 노광되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  11. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고정 및 상기 가변 서브패턴은 서로 순차적으로 노광되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자의 설계 및 제조 방법.
  12. 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치로서,
    상기 소자의 적어도 하나의 층을 노광시키기 위해 레티클의 투사를 이용하는 제 1 노광 시스템; 및
    상기 소자의 동일한 적어도 하나의 층을 노광시키기 위해 공간 광 변조기의 투사를 이용하는 제 2 노광 시스템
    을 포함하는, 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 2 노광 시스템은 아날로그 공간 광 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템은 동일한 파장을 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  15. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템은 상이한 파장을 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  16. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 상기 칩-고유의 정보를 기록하기 위한 적어도 상기 제 2 노광 시스템을 제어하는 제어 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 제어 시스템은:
    상기 소자를 포함하는 상기 노광 필드의 노광을 초기화하는 상기 제 1 노광 시스템을 위한 제어 시스템;
    상기 특정 소자를 위한 프로그래밍에 대한 정보를 컴파일링하는 코드-기록 제어 시스템; 및
    상기 특정 소자를 위한 상기 공간 광 변조기(SLM)에 공급될 하드웨어 형식을 형성하기 위한 코드 래스터화 유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  18. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템은 상기 소자의 적어도 부분적으로 동시의 노광을 위해 동작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 또는 마이크로광학 소자에 대한 칩-고유의 정보를 기록하는 장치.
  19. 웨이퍼 상의 적어도 하나의 다이를 개별화하기 위해 스탭퍼를 제어하는 제어 시스템으로서,
    상기 다이를 포함하는 노광 필드의 노광을 초기화하는 스탭퍼 제어 시스템;
    특정 다이를 위한 프로그래밍에 대한 정보를 컴파일링하는 코드-기록 제어 시스템; 및
    특정 다이를 위한 공간 광 변조기(SLM)에 공급될 하드웨어 형식을 형성하기 위한 코드 래스터화 유니트
    를 포함하는, 스탭퍼를 제어하는 제어 시스템.
  20. 일련 번호 또는 숨겨진 암호화 키와 같은 칩-고유의 정보를 가진 칩을 위한 설계 블럭으로서,
    상기 블럭의 고정 부분의 레이아웃을 기술하는 레이아웃 블럭;
    기록될 코드 타입 및 코드 배치를 구체화하는 제어 블럭; 및
    데이터 블럭
    을 포함하며, 상기 블럭의 콘텐츠는 데이터 베이스 또는 일련의 명령을 참조로 기술되, 칩-고유의 정보를 가진 칩을 위한 설계 블럭.
  21. 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법으로서,
    적어도 하나의 다른 다이를 노광시키기 위해 사용되는 패턴의 고정 부분을 노광시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상의 다른 다이의 대응하는 가변 부분과 상이하고, 일련 번호 또는 숨겨진 암호화 키와 같은 다이-고유의 정보인 패턴의 가변 부분을 동일한 다이에 노광시키는 단계
    를 포함하는, 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 패턴의 상기 고정 및 가변 부분은 상이한 파장에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  23. 제 21항에 있어서, 상기 패턴의 상기 고정 및 가변 부분은 동일한 파장에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  24. 제 21항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴의 상기 가변 부분은 컴퓨터 제어 레이클에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 컴퓨터 제어 레티클은 공간 광 변조기(SLM)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  26. 제 21항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴의 상기 고정 및 상기 가변 부분은 적어도 부분적으로 동시에 노광되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  27. 제 21항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴의 상기 고정 및 상기 가변 부분은 서로 순차적으로 노광되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 개별화하는 방법.
  28. 아날로그 공간 광 변조기(SLM)를 이용하여 패턴 발생기에서의 위치 에러를 신속하게 수정하는 방법으로서,
    상기 수정 위치와 비교하여 스테이지 위치 에러를 측정하는 단계; 및
    회전형 핵심부에 의해 상기 SLM으로 로딩된 비트맵을 회전시키는 단계
    를 포함하며, 상기 핵심부는 상기 위치 에러를 수정하기 위하여 측정된 위치 에러와 무관하게 선택되거나 변형되는, 패턴 발생기에서의 위치 에러를 신속하게 수정하는 방법.
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