DE19829674A1 - Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß - Google Patents
Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im ScheibenprozeßInfo
- Publication number
- DE19829674A1 DE19829674A1 DE19829674A DE19829674A DE19829674A1 DE 19829674 A1 DE19829674 A1 DE 19829674A1 DE 19829674 A DE19829674 A DE 19829674A DE 19829674 A DE19829674 A DE 19829674A DE 19829674 A1 DE19829674 A1 DE 19829674A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- individual
- writing
- lithography
- structures
- structural elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Ein Verfahren dient zur Individualisierung einzelner Chips im technologischen Fertigungsprozeß. Das Verfahren soll dahingehend weitergebildet werden, daß eine Beschädigung oder Veränderung der Individualisierung mit hoher Sicherheit ausgeschlossen wird. Es wird vorgeschlagen, daß die fixen Strukturelemente einer technologischen Ebene mit einem Lithografieverfahren unter Anwendung von Masken und die individuellen Strukturelemente dieser technologischen Ebene mit einem direktschreibenden Lithografieverfahren hergestellt werden.
Description
Für verschiedene Anwendungen besteht die Forderung, mikroelektronische Schaltungen mit
einer individuellen Codierung zu versehen, um sie eindeutig identifizieren zu können. Bei
allen bisher dafür angewandten Verfahren werden die mikroelektronischen Schaltungen
nach ihrer Fertigstellung hard- oder softwaremäßig individuell codiert. Der Nachteil solcher
Verfahren besteht darin, daß die Individualisierung von außen erfolgt und damit nicht absolut
sichergestellt werden kann, daß durch einen späteren Zugriff die Individualisierung von
außen wieder entschlüsselt, beschädigt oder verändert wird.
Eine sichere, von der Außenwelt nicht veränderbare Individualisierung ist nur möglich, wenn
die Codierung bereits im Fertigungsprozeß während der Strukturierung einer oder mehrerer
Prozeßebenen erfolgen. Das allerdings bedeutet, daß jedes Chip in einer entsprechenden
Prozeßebene individuelle Strukturelemente enthalten muß, was fertigungstechnisch bisher
als schwierig angesehen wurde und daran scheiterte, daß ein zu großer Aufwand
erforderlich war. Für Verfahren mit Masken müßten 1 : 1 Projektionsverfahren eingesetzt
werden, wo bereits in der Maske jedes Chip individuelle Strukturen enthielte und demzufolge
für jeden Wafer eine neue Maske erforderlich wäre. Neben einem hohen Maskenaufwand
wären das Auflösungsvermögen und damit die minimale Strukturabmessung durch das 1 : 1
Projektionsverfahren begrenzt. Waferstepper können nicht eingesetzt werden, weil mit
einem Reticle alle Chips belichtet werden. Der Einsatz von direktschreibenden
Lithografieverfahren als alternativer maskenloser Weg ist zwar grundsätzlich sehr geeignet
für das Schreiben individueller Strukturen, scheitert jedoch am zu geringen Durchsatz und
damit an zu hohen Kosten. Schreibzeiten von einer Stunde oder mehr pro Lithografieebene
und Wafer sind Stand der Technik. Durch hohe Betriebskosten bei geringem Durchsatz
kamen deshalb Direktschreibverfahren für eine effektive Volumenproduktion nicht in
Betracht.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch Kombination eines Lithografieverfahrens, das mit
1 : 1 Masken oder X : 1 Reticles arbeitet, mit einem direktschreibenden Lithografieverfahren
gelöst. Die technologische bzw. technologischen Ebenen, in denen jedes Chip individuelle
Strukturen enthält, werden dafür in zwei Datensätze aufgespalten. Ein Datensatz enthält alle
von Chip zu Chip sich wiederholenden fixen Strukturen und der zweite Datensatz die von
Chip zu Chip variablen Strukturen. Damit können alle fixen Wiederholstrukturen mit einem
für die jeweilige Schaltung optimalen Lithografieverfahren unter Verwendung von Masken
strukturiert werden. Die individuellen Strukturen, die im allgemeinen nur aus einer
verhältnismäßig geringen Anzahl von Strukturelementen bestehen, werden zusätzlich mit
einem Direktschreibverfahren strukturiert. Um diesen zusätzlichen Lithografieschritt zur
Chip-Individualisierung so effektiv wie möglich durchzuführen, müssen der Schaltungs
entwurf und das Direktschreibverfahren gut aufeinander abgestimmt werden. Da der
Durchsatz beim Direktschreiben entscheidend von der Größe der zu schreibenden Fläche
abhängig ist, kann die Schreibzeit wesentlich verkürzt werden, wenn die individuellen
Strukturen nur in bestimmte Flächenbereiche gelegt werden, so daß mit dem
Schreibverfahren nur ein Bruchteil der Gesamtfläche beschrieben werden muß. Jeder
Direktschreiber, ob Elektronen- oder Laserstrahlschreiber, hat außerdem eine spezielle
Schreibstrategie und Schreibsequenz, so daß bei Anpassung der Lage dieser mit
individuellen Strukturen belegten Flächenbereiche an den speziellen Schreibablauf des
Direktschreibers sich ein zusätzlicher Effektivitätsgewinn ergibt. Selbstverständlich besteht
auch die Möglichkeit, die Programmierbarkeit des Schreibablaufes eines Direktschreibers in
gewissen Grenzen den Anforderungen des Schaltungsentwurfes anzupassen.
Voraussetzung ist allerdings, daß der Direktschreiber eine hohe Flexibilität im
Programmablauf besitzt und sich so programmieren läßt, daß nur die erforderlichen
Flächenbereiche bearbeitet werden. Je besser Schaltungsentwurf und die Möglichkeiten der
Programmierung des Belichtungsablaufes aufeinander abgestimmt werden, desto mehr läßt
sich der Schreibaufwand und damit der Kostenaufwand für die Chipindividualisierung
reduzieren.
Technologisch ist es zwar denkbar, eine Ebene mit individuellen Strukturen in zwei
kompletten Strukturierungsprozessen - bestehend aus Beschichtung, Belichtung und
Entwicklung der Lackmaske, Übertragung der Lackstruktur beispielsweise durch Ätzung und
anschließender Entfernung der Lackmaske - sowohl für die Wiederholstrukturen und als
auch für die individuellen Strukturen zu bearbeiten. Bei Verwendung von Positivlack ist es
jedoch wesentlich zweckmäßiger, beide Belichtungsschritte nacheinander mit derselben
Lackschicht durchzuführen und somit die Wiederholstrukturen und die individuellen
Strukturen bereits in einer gemeinsamen Lackmaske zu integrieren. Das setzt
selbstverständlich voraus, daß der Lack für beide Belichtungsverfahren empfindlich ist. Hier
besitzt das Laser-Direktschreiben in Kombination mit optischen Masken-Lithografieverfahren
große Vorteile. Auch anlagentechnisch ist der Laserschreiber sehr zweckmäßig, weil für die
Individualisierung mit sehr einfachen und damit kostengünstigen Gerätevarianten gearbeitet
werden kann.
Für die Datenaufbereitung der individuellen Strukturen können in Abhängigkeit vom
Belichtungsmodus zwei Wege beschritten werden. Entweder wird für jedes Einzelchip ein
entsprechender individueller Datensatz generiert und die einzelnen Datensätze werden Chip
für Chip entsprechend einer vorgegebenen Array-Anordnung auf dem Wafer belichtet oder
das Array aller Chips auf dem Wafer wird als ein Feld betrachtet, für das die individuellen
Strukturen der einzelnen Chips entsprechend plaziert zu einem Datensatz zusammengefaßt
werden.
Die individuelle Strukturierung kann bei designmäßiger Berücksichtigung der erreichbaren
gerätetechnischen und technologischen Overlaygenauigkeit mit einer einzigen
Globaljustierung zur vorangegangenen Belichtung der fixen Wiederholstrukturen erfolgen.
Je nach erreichbarer Overlaygenauigkeit muß mit entsprechenden Strukturbreiten und/oder
-abständen sowie ausreichender Überlappung von fixen und individuellen Strukturen
gearbeitet werden.
In den folgenden Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
Bild 1 eine schematische Darstellung der streifenweisen Belichtung bei Verwendung eines
Laserschreibers,
Bild 2 ein Beispiel fixer und individueller Strukturen für vier benachbarte Chips mit
Anordnung der individuellen Strukturen in jeweils einem Schreibstreifen,
Bild 3 durchgehende Belichtungsstreifen bei spaltenweise Individualisierung eines
Chiparrays.
Bei Verwendung eines Laserschreibers erfolgt die Belichtung streifenweise, wobei die
Streifenbreite durch die Scanweite eines akustooptischen Modulators bestimmt wird. Für die
Belichtung der gesamten Fläche eines Chips müssen entsprechend viele Streifen pro Chip
21, 22 nacheinander geschrieben werden. Wie in Bild 1A schematisch dargestellt ist, werden
für einen Chip einschließlich Ritzrahmen beispielsweise 16 Streifen benötigt. Werden
dagegen vom Schaltungsentwurf her alle individuellen Strukturen eines Chips in einen
Streifen gelegt, dann kann der Laserschreiber so programmiert werden, daß alle nicht
erforderlichen Streifen übersprungen werden und nur jeweils ein Streifen pro Chip 21, 22
geschrieben wird. In Bild 1B ist ein Fall dargestellt, wo die individuellen Strukturen im
Streifen 4 liegen. Entsprechend verkürzt sich auch die Schreibzeit.
Für die Codierung eines Chips ist es beispielsweise denkbar, daß fixe Strukturen, die bei der
Belichtung der Wiederholstrukturen generiert werden, durch einfache Strukturelemente
individuell verbunden werden, die während der individuellen Belichtung geschrieben werden.
Bild 2 zeigt schematisch eine entsprechende Anordnung von fixen und individuellen
Strukturen am Beispiel von vier benachbarten Chips 21 bis 24. Derartige Strukturgruppen
lassen sich bequem in einem Schreibstreifen 4 unterbringen. Je schmaler die Abmessungen
der Verbindungselemente entworfen werden können, desto schmaler kann auch die
Streifenbreite beim Direktschreiben gewählt werden, wodurch sich die Schreibzeit weiter
reduzieren läßt.
Im Bild 3 ist der Fall dargestellt, daß alle individuellen Strukturen von Chips 21, die in einer
Spalte eines Arrays liegen, in einem durchgehenden Schreibstreifen 2, 3 über den gesamten
Wafer 25 geschrieben werden. Kann mit einer globalen Overlayjustierung gearbeitet werden,
lassen sich so spaltenweise alle Chips auf einem Wafer sehr effektiv individualisieren.
Claims (4)
1. Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im technologischen Fertigungsprozeß,
dadurch gekennzeichnet,
daß die fixen Strukturelemente einer technologischen Ebene mit einem
Lithografieverfahren unter Anwendung von Masken und die individuellen
Strukturelemente dieser technologischen Ebene mit einem direktschreibenden
Lithografieverfahren hergestellt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die individuellen
Strukturelemente im Schaltungsentwurf so plaziert werden, daß nur ein relativ kleiner,
dem Schreibablauf des Direktschreibers angepaßter Flächenanteil individuell
beschrieben werden muß.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lithografische
Strukturierung der fixen und der individuellen Strukturen bei Verwendung von Positivlack
nacheinander in derselben Lackschicht erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Overlayjustierung
nur eine globale Justierung an zwei Justiermarken auf der Siliziumscheibe erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19829674A DE19829674A1 (de) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19829674A DE19829674A1 (de) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19829674A1 true DE19829674A1 (de) | 2000-01-13 |
Family
ID=7872818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19829674A Withdrawn DE19829674A1 (de) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19829674A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001039269A1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-05-31 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
DE10319976A1 (de) * | 2003-05-05 | 2004-12-09 | Infineon Technologies Ag | Individualisierter Halbleiterchip und Verfahren zur Individualisierung von Halbleiterchips |
DE102006006300A1 (de) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung |
US7316934B2 (en) | 2000-12-18 | 2008-01-08 | Zavitan Semiconductors, Inc. | Personalized hardware |
US9235127B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-01-12 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0434141A1 (de) * | 1989-12-20 | 1991-06-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Informationscodierungsverfahren zur Chipidentifizierung unter Verwendung von schrittlitografischen Methoden |
JPH05343278A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5512397A (en) * | 1988-05-16 | 1996-04-30 | Leedy; Glenn J. | Stepper scanner discretionary lithography and common mask discretionary lithography for integrated circuits |
-
1998
- 1998-07-03 DE DE19829674A patent/DE19829674A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5512397A (en) * | 1988-05-16 | 1996-04-30 | Leedy; Glenn J. | Stepper scanner discretionary lithography and common mask discretionary lithography for integrated circuits |
EP0434141A1 (de) * | 1989-12-20 | 1991-06-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Informationscodierungsverfahren zur Chipidentifizierung unter Verwendung von schrittlitografischen Methoden |
JPH05343278A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001039269A1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-05-31 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
US6813058B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-11-02 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
US7211453B2 (en) | 1999-11-24 | 2007-05-01 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
US7842525B2 (en) | 1999-11-24 | 2010-11-30 | Micronic Mydata AB | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
US7316934B2 (en) | 2000-12-18 | 2008-01-08 | Zavitan Semiconductors, Inc. | Personalized hardware |
DE10319976A1 (de) * | 2003-05-05 | 2004-12-09 | Infineon Technologies Ag | Individualisierter Halbleiterchip und Verfahren zur Individualisierung von Halbleiterchips |
DE102006006300A1 (de) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung |
US9235127B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-01-12 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0610183B1 (de) | Belichtungsvorrichtung | |
DE2845603C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren | |
EP0126786B1 (de) | Verfahren zum Übertragen eines Musters in eine strahlungsempfindliche Schicht | |
DE19519017A1 (de) | Mehrfachmaskenverfahren zur Verbesserung selektiver Maskenstrukturelemente | |
DE19522936C2 (de) | Vorrichtung zum Strukturieren einer photolithographischen Schicht | |
DE2260229C3 (de) | ||
DE69921254T2 (de) | Mikrovorrichtung und strukturelle Komponenten derselben | |
DE3714203A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen | |
DE10352740B4 (de) | Hilfsstrukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe | |
DE10195745T5 (de) | Eine neue chromfreie Wechselmaske zur Produktion von Halbleiter-Bauelement Features | |
EP0055303B1 (de) | Maske zur Abbildung eines Musters auf einer Photoresistschicht, Verfahren zur Herstellung dieser Maske und Verwendung derselben in einem photolithographischen Prozess | |
DE19522362A1 (de) | Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung und -Verfahren | |
DE19829674A1 (de) | Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß | |
DE2727190C3 (de) | ||
DE2642634A1 (de) | Verfahren zum justieren von belichtungsmasken relativ zu einer substratscheibe | |
DE19825043B4 (de) | Maske für die Herstellung integrierter Schaltungen | |
DE102021119949A1 (de) | Geometrische maskenregelkontrolle mit günstigen und ungünstigen zonen | |
EP1614009B1 (de) | Maskierungsanordnung und verfahren zum herstellen von integrierten schaltungsanordnungen | |
EP0674228B1 (de) | Lithografisches Verfahren | |
WO2001022164A1 (de) | Kontaktlochherstellung mit hilfe sich kreuzender phasensprungkanten einer einzigen phasenmaske | |
DE10127540C1 (de) | Maske zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer Maske | |
DE10123362B4 (de) | Wafer sowie Verfahren zum Herstellen eines Wafers | |
DE1960463A1 (de) | Verfahren zum fehlerfreien fotografischen UEbertragen | |
DE10324502B3 (de) | Photomaske, sowie Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen | |
EP1424733A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Anordnen von Kontaktierungselementen von Bauelementen eines integrierten Schaltkreises, Computerlesbares Speichermedium und Programm-Element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |