DE2727190C3 - - Google Patents
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- DE2727190C3 DE2727190C3 DE19772727190 DE2727190A DE2727190C3 DE 2727190 C3 DE2727190 C3 DE 2727190C3 DE 19772727190 DE19772727190 DE 19772727190 DE 2727190 A DE2727190 A DE 2727190A DE 2727190 C3 DE2727190 C3 DE 2727190C3
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Photomasken, die mehrere sich wiederholende Elementarmuster enthalten, durch wiederholte Projektion des mit Hilfe einer Maske ausgewählten Bildes
eines Elementarmusters mittels eines Objektives auf eine photographische Platte, die auf einem in bezug auf
das Objektiv in zwei Koordinatenrichtungen verstellbaren Tisch angebracht ist, der für jede Belichtung in die
Stellung gebracht wird, in welcher die Abbildung des Elementarmusters auf der Platte den Platz einnimmt,
der ihm in der Photomaske entspricht. Derartige Photomasken werden insbesondere für die Belichtung
von Halbleitersubstraten bei der Fertigung von integrierten Schaltungen mit sehr großer Integrationsdichte und großen Abmessungen von mehreren hundert
Quadratmillimetern Fläche benötigt.
Ein Verfahren der oben genannten Art ist bereits aus der DE-OS 23 43 600 bekannt. Bei diesem bekannten
Verfahren sind die Elementarmuster einfache geometrische Grundelemente, aus denen sich eine Zeichnung für
eine integrierte Schaltung zusammensetzt. Durch Zusammen- und Übereinanderkopieren dieser Zeichnungselemente wird die Zeichnung aufgebaut. Dieses
Verfahren entspricht also der Arbeitsweise einer Zeichenmaschine, welche die Arbeit eines Zeichners
ersetzt oder erleichtert
solcher Photomasken vorgeschlagen, bei denen die
photographische Verkleinerung einer in großem Maß
stab hergestellten Zeichnung des zu erzielenden
Bei einem dieser Verfahren wird zunächst eine Zeichnung des Musters in sehr großem Maßstab,
beispielsweise im Maßstab 200:1, auf einer Folie aus
ίο einem Material ausgeführt, von dem leicht Teile
(beispielsweise die lichtdurchlässigen Teile der endgüligen Maske) entfernt werden können, ohne daß der
Zusammenhalt der verbleibenden Teile beeinträchtigt wird.
Nach dem Ausschneiden dieser Teile erfolgt eine erste photographische Verkleinerung, die den Maßstab
beispielsweise auf 10:1 bringt Durch eine zweite photographische Verkleinerung und Wiederholung
erhält man die Maske mit den wirklichen Abmessungen.
Bei diesem Verfahren treten verschiedene Schwierigkeiten auf, zu denen insbesondere die Abmessungen der
ursprünglichen Zeichnung gehören, die immer größer werden, je mehr der Integrationsgrad zunimmt Auf der
anderen Seite ist man durch das Bildfeld der
photographischen Verkleinerungsoptiken eingeschränkt für die auch ein umso größeres Auflösungsvermögen gefordert wird, je mehr die Dichte der zu
reproduzierenden Muster zunimmt Zur Vermeidung dieser Schwierigkeiten geht man bei einem anderen
bekannten Verfahren von Zeichnungen in großem Maßstab aus, die nur Teile des Musters wiedergeben,
wobei das Muster in Teilflächen zerlegt wird, die anschließend zur Bildung der endgültigen Maske
aneinandergefügt werden. Diesem Verfahren steht eine
andere Reihe von Schwierigkeiten entgegen, zu denen
insbesondere die große Anzahl der herzustellenden photographischen Zwischenklischees gehört; um deren
Anzahl richtig einzuschätzen, ist zu bemerken, daß ein Maskensatz aus mehreren übereinanderliegenden Ni
veaus gebildet ist; für jedes Niveau muß, je nach Lage
des Falles, eine mehr oder weniger große Anzahl von Teilflächen vorgesehen werden, und für eine Maske mit
acht Niveaus, die für die Erzielung einer Anordnung von 300 mm2 Oberfläche mit sehr großer Integrationsdichte
bestimmt ist kann die Gesamtzahl der photographischen Zwischenplatten im Maßstab 10:1 ohne weiteres
in der Größenordnung von 100 liegen. Anschließend besteht die Schwierigkeit der richtigen Aneinanderfügung der Teilphotographien infolge von Mängeln,
™ insbesondere von Verzerrungen, die diese an ihrem
Umfang aufweisen und die ihrerseits von den Unvollkommenheiten stammen, die den verwendeten optischen Systemen zu eigen sind. Jeder merkliche Fehler an
einer der Verbindungsstellen erfordert das Verwerfen
der gesamten Anordnung.
Bei einem anderen bekannten Verfahren werden einige dieser Schwierigkeiten dadurch vermieden, daß
die Zeichnungen direkt in einem verhältnismäßig kleinen ersten Maßstab von 10:1 gezeichnet werden,
bü anstatt im Maßstab 200 :1 bei dem zuvor betrachteten
Beispiel; die erforderliche Feinheit der Zeichnung bedingt dann die Verwendung von teuren Maschinen.
Genauere Ausführungen über diesen Stand der Technik findet man in dem Aufsatz »NBS Program in
1^ Photomask Linewidth Measurements« von Dennis A. Sywt in der Zeitschrift »Solid State Technology«,
April 1976, Seiten 55—61, und in dem Aufsatz »By
Modem Photomasking Techniques« von Aubray C. To-
bey in der Zeitschrift »Industrial Research«, September 1975. Seiten 66—70.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens der eingangs genannten Art, durch das die
Herstellung von Photomasken wesentlich vereinfacht wird und insbesondere die Anzahl der erforderlichen
photographischen Zwischenplatten reduziert wird, ohne daß der Einsatz besonders aufwendiger Präzisionsrnaschinen erforderlich ist
Das Verfahren nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß einzelne Abschnitte des die
Photomaske bildenden Gesamtmusters, durch deren Wiederholung und Aneinanderfügung das Gesamtmuster wiederhergestellt werden kann, als Elementarmuster in großem Maßstab gezeichnet werden, daß π
mehrere dieser Elementarmuster durch eine erste photographische Verkleinerung auf einer gemeinsamen
Zwischenplatte so abgebildet werden, daß sie durch lichtundurchlässige Zwischenräume voneinander getrennt sind, und daß durch eine zweite photographische
Verkleinerung jedes der auf der Zwischenplatte befindlichen Elementarmusters unter Abdeckung der
übrigen Elementarmuster durch die Maske so oft auf die
photographische Platte abgebildet wird, wie es im Gesamtmuster enthalten ist, und dabei der Tisch
schrittweise so verschoben wird, daß sich die abgebildeten Elementarmuster aneinanderfügen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders geeignet für die Herstellung von Photomasken für
integrierte Halbleiterschaltungen, die zu einem Teil aus Elementarmustern gebildet sind, von denen sich jedes in
dem Gesamtmuster oft wiederholt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines
Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnung. In der J Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung der gesamten
herzustellenden Maske und
F i g. 2 eines der Klischees von verschiedenen Teilen
der Maske von Fig. 1, die im Verlauf des Verfahrens ausgebildet werden.
F i g. 1 zeigt schematisch ein Beispiel einer Konfiguration, die auf einem Halbleitersubstrat erhalten werden
soll. Bei diesem Beispiel enthält die Konfiguration eine zentrale Matrix M, die durch die Wiederholung eines
gleichen Elementes m gebildet wird, das Dioden, Widerstände, Kapazitäten, Transistoren usw. enthalten
kann und dessen genaue Ausbildung nicht näher beschrieben wird, da sie für das erläuterte Verfahren
ohne Bedeutung ist. Es wird einfach vorausgesetzt, daß die Matrix dadurch gebildet wird, daß das betreffende
Element periodisch mit einer vorgegebenen Teilung (d. h. mit einem vorgegebenen Abstand zwischen
einander entsprechenden Punkten von zwei aufeinanderfolgenden Elementen) wiederholt wird. Alle diese «
einander gleichen Elemente können mit Hilfe einer gleichen Maske gebildet werden; die Zeichnung der
Maske wird aus den zuvor angegebenen Gründen nicht näher erläutert. Bei dem Beispiel von F i g. 1 ist die
Matrix über den größten Th' Hirer vier Seiten von to
Rechtecken A1 B, C, D eingerahmt, die beispielsweise
aus den Verbindungsanordnungen bestehen, die wiederum durch die Wiederholung eines gleichen Grundelements gebildet werden, das für jede der vier Seiten
verschieden ist und auch von dem Grundelement der i>r>
Matrix M verschieden ist. Diese zuletzt erwähnten rechteckigen Grundelemente sind mit den Buchstaben a,
b. c bzw. d bezeichnet. Schließlich wird bei dem
dargestellten Beispiel die Zeichnung durch vier Eckelemente I, II, III, IV vervollständigt, die beispielsweise zum Anschweißen der Anschlußdrähte dienen.
In der Zeichnung des Gesamtmusters wird eine bestimmte Anzahl von Elementarmustern ausgewählt,
durch deren Wiederholung und Aneinanderfügung das Gesamtmuster wieder hergestellt werden kann, und
man fertigt von diesen Elementarmustern Zeichnungen in einem großen Maßstab, beispielsweise im Maßstab
200 :1 an. Diese Auswahl kann wegen des periodischen Charakters der Struktur mit sehr großer Freizügigkeit
erfolgen; sie bestimmt den Teilungsschritt, mit dem die Wiederholung der Elementarmuster durchgeführt werden muß.
Man kann außer den zuvor erwähnten Elementen m,
a, b, c d, I, II, III, IV absichtlich auch gemischte Elemente
wählen, die ganz oder teilweise aus den verschiedenen Grundelementen gebildet sind, wie die in F i g. 2
dargestellten Elementarmuster (a, m), (b, /njt (III, c, d, m)
usw. zeigen.
F i g. 2 zeigt die photographische Zwischenplatte 10, die dadurch erhalten worden ist, daß die ursprünglichen
Zeichnungen der Elementarmuster im Verhältnis 1 :20 verkleinert worden sind, damit die Elementarmuster im
Maßstab 10:1 erhalten werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführung des Verfahrens, die auch dem beschriebenen Beispiel entspricht,
sind die Photographien der Elementarmuster alle auf einer gemeinsamen Zwischenplatte gebildet, die eines
der genormten Formate hat Die Flächenabmessungen der Elementarmuster in diesem Maßstab sind so klein
gewählt, daß sie alle auf der gleichen Platte untergebracht werden können und zwischen den Elementarmustern lichtundurchlässige Zwischenräume bestehen;
diese Zwischenräume nehmen die in der Zeichnung schraffierte Fläche ein. Die in einem Kreis angeordneten Kreuze stellen Ausrichtmarken dar.
Hinsichtlich der Abmessungen der Zwischenräume ist keine Genauigkeit erforderlich, da diese Zwischenräume nur die Aufgabe haben, die verschiedenen
Elementarmuster so voneinander zu trennen, daß mit Hilfe einer Abdeckmaske jeweils das Elementarmuster
isoliert werden kann, dessen Reproduktion in der Endphase erfolgen soll.
Die Abmessungen der öffnungen in jeder dieser Abdeckmasken können wegen des Vorhandenseins der
lichtundurchlässigen Zwischenräume, die jede der zu photographierenden Elementarflächen umgeben, mit
großen Toleranzen gewählt werden.
In der Endphase erfolgt eine erneute photographische Aufzeichnung mit einer Verkleinerung, die bei den
zuvor angegebenen Zahlenwerten dem Verhältnis 10:1 entspricht, damit der Maßstab 1 :1 erhalten wird.
Diese photographische Aufzeichnung erfolgt auf einer Platte, die von einem Tisch getragen wird, dem
eine Verstellbewegung in zwei zueinander senkrechten Richtungen χ und y erteilt wird. Die zuvor beschrieben
Zwischenplatte mit dem Maßstab 10 :1 wird dann in die objektseitige Lage in bezug auf ein photographisches
Objektiv gebracht, das die Verkleinerung in dem angegebenen Verhältnis 1:10 vornimmt. Das Objektiv
reproduziert jeweils eines der Elementarmuster, während üie übrigen Elementarmuster durch die Abdeckmaske verdeckt sind, und der Tisch wird so oft verstellt,
wie dies notwendig ist, um die gewünschte Anzahl der Wiederholungen des betreffenden Elementarmusters zu
erhalten. Der gleiche Vorgang wird mit den übrigen Elementarmustern wiederholt, bis das Gesamtmuster
vollständig reproduziert ist.
Die Genauigkeit der Verstellungen des Tisches, die für das richtige Aneinanderfügen der Elementarmuster
notwendig ist, überschreitet nicht die Genauigkeit, die gegenwärtig mit den verfügbaren x-y-Kreuztischen
durchgeführt wird. Diese Kreuztische werden heir nicht näher beschrieben, da sie keinen Teil der Erfindung
bilden.
Der nutzbare Teil des Tisches liegt in der Größenordnung von 100 χ 100 mm, was die Behandlung von
runden Siliciumplättchen von 75 mm Durchmesser erlaubt. Auf einem solchen Plättchen wird eine gewisse
Anzahl von Gesamtmustern der in F i g. 1 gezeigten Art gebildet.
Aus der vorstehenden Beschreibung ergeben sich verschiedene Vorteile des beschriebenen Verfahrens
gegenüber den bisher bekannten Verfahren, insbesondere die folgenden:
Es ist zu erkennen, daß bei dem beschriebenen Verfahren für jedes Niveau eine einzige Zwischenplatte
von einfacher und billiger Ausführung, im allgemeinen im Maßstab 10:1, genügt, um alle dieses Niveau
bildenden Elemente zu vereinigen, wie aus Fig.2 zu erkennen ist. Die Anzahl der Elemente, aus denen durch
Wiederholung das Gesamtmuster hergestellt werden kann, ist klein; bei dem beschriebenen Beispiel werden
neun Elemente benötigt Falls die Anzahl der Elemente zu groß ist, um alle Elemente auf einer einzigen
Zwischenplatte unterzubringen, oder wenn das Bildfeld
des für die endgültige Verkleinerung verwendeten Objektivs besonders klein ist (was insbesondere bei
Objektiven mit sehr großem Auflösungsvermögen der Fall ist), können nacheinander mehrere Zwischenplatten
verwendet werden. Dann werden alle diese Zwischenplatten in einer Ebene auf einem gemeinsamen Träger
angebracht, und man verstellt den Träger in dieser Ebene in bezug auf das Objektiv, so daß der Reihe nach
jede der Zwischenplatten in das Bildfeld des Objektivs gebracht wird. In diesem Fall sind zusätzliche
Ausrichtmarkierungen notwendig.
Durch die beschriebene Wiederholung der Elemen
tarmuster in der erforderlichen Anzahl ist es möglich die Abmessungen der Elementarmuster in weiter
Grenzen zu wählen, und insbesondere so zu bestimmen daß das Objektiv möglichst gut ausgenutzt wird unc
eine Verringerung der Auflösung und Verzerrungen ar den Rändern des Bildfeldes vermieden werden.
Die Verstellungen des Tisches erfolgen nach einen·
ίο einfachen Programm. Die gegenwärtig bei Kreuztischen
dieser Art erzielbare Präzision, die üblicherweise in der Größenordnung von einem Zehntel Mikron ir
jeder Richtung liegt, erlaubt ein sehr einwandfreie; Aneinanderfügen der Elementarmuster auch bei der
feinsten Masken,
Die Dauer der Herstellung einer Maske liegt in dei Größenordnung der Dauer der Anfertigung der
gleichen Maske durch die Technik des Elektronenbeschusses, die im allgemeinen als das schnellste
Verfahren angesehen wird. Diese Dauer schwank! offensichtlich von einer Maske zur anderen und kann
zwischen einem Bruchteil einer Stunde und mehrerer Stunden liegen. Schließlich ist auch nur ein einziger
Ausrichtvorgang für jedes Niveau erforderlich.
Die elektronische Technik, die gute Ergebnisse liefert
hat den Nachteil, daß sie wegen der Kompliziertheit der erforderlichen Anlagen große Investitionen erfordert;
dies ist insbesondere die Folge der Notwendigkeit, im Vakuum mit sehr feinen Elektronenbündeln von einigen
Zehnteln Mikron bis zu höchstens einigen Mikron Durchmesser zu arbeiten, wobei im Fall der gegenwärtig
angewendeten Halbleiterplättchen mit großer Abmessungen große Ablenkwinkel erforderlich sind.
Schließlich ist noch ein weiterer Vorteil des beschriebenen Verfahrens zu erwähnen: Mit derr gleichen Satz von Zwischenplatten ist es möglich unterschiedliche Anordnungen unter Verwendung des gleichen Elementarmusters herzustellen.
Schließlich ist noch ein weiterer Vorteil des beschriebenen Verfahrens zu erwähnen: Mit derr gleichen Satz von Zwischenplatten ist es möglich unterschiedliche Anordnungen unter Verwendung des gleichen Elementarmusters herzustellen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von Photomasken, die mehrere sich wiederholende Elementarmuster
enthalten, durch wiederholte Projektion des mit Hilfe einer Maske ausgewählten Bildes eines
Elementarmusters mittels eines Objektivs auf eine photographische Platte, die auf einem in bezug auf
das Objektiv in zwei Koordinatenrichtungen verstellbaren Tisch angebracht ist, der für jede
Belichtung in die Stellung gebracht wird, in welcher die Abbildung des Elementarmusters auf der Platte
den Platz einnimmt, der ihm in der Photomaske entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß
einzelne Abschnitte des die Photomaske bildenden Gesamtmusters, durch deren Wiederholung und
Aneinanderfügung das Gesamtmuster wiederhergestellt werden kann, als Elementarmuster in großem
Maßstab gezeichnet werden, daß mehrere dieser Elementarmuster durch eine erste photographische
Verkleinerung auf einer gemeinsamen Zwischenpiatte so abgebildet werden, daß sie durch
lichtundurchlässige Zwischenräume voneinander getrennt sind, und daß durch eine zweite photographische Verkleinerung jedes der auf der Zwischenplatte befindlichen Elementarmuster unter Abdekkung der übrigen Elementarmuster durch die Maske
so oft auf die photographische Platte abgebildet wird, wie es im Gesamtmuster enthalten ist, und
dabei der Tisch schrittweise so verschoben wird, daß sich die abgebildeten Elementarmuster aneinanderfügen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verkleinerung im Verhältnis
1 :10 erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch seine Anwendung für die Herstellung
einer Photomaskengruppe für Siliziumplättchen von 75 mm Durchmesser.
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE2727190A1 (de) | 1977-12-22 |
FR2355315B1 (de) | 1980-04-18 |
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