JPS60218650A - パタ−ン露光方法 - Google Patents

パタ−ン露光方法

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JPS60218650A
JPS60218650A JP59074905A JP7490584A JPS60218650A JP S60218650 A JPS60218650 A JP S60218650A JP 59074905 A JP59074905 A JP 59074905A JP 7490584 A JP7490584 A JP 7490584A JP S60218650 A JPS60218650 A JP S60218650A
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JP
Japan
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exposure
long
exposed
workpiece
turn
Prior art date
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Application number
JP59074905A
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English (en)
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JPH0585895B2 (ja
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Hideyuki Suzuki
秀之 鈴木
Masaki Fukaya
深谷 正樹
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS60218650A publication Critical patent/JPS60218650A/ja
Publication of JPH0585895B2 publication Critical patent/JPH0585895B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ゛〔技術分野〕 本発明は長尺ノ4ターンの露光方法に関する。
〔従来技術〕
1曹す/ラフ、−絽缶を用いイ繍加T物C以下ワ一りと
いう)表面を部分的に変質せしめることによシ各種製品
を製造することが工業上特に電子工 ′業の分野におい
て広く利用されておシ、この方法によればパターンが同
一の表面変質部を有する製品を大量に製造できる。被加
工材の表面変質は各種エネルギーの照射(露光)によシ
行なわれ、この際のノ4ターン形成のためにマスクが用
いられる。
ところで、ワークが長尺物である場合には長尺マスクを
用いれば1回でノ9ターン露光を行なうことができ、る
が、露光装置その他の制約からあtシ大きなマスクを使
用できない場合には分割露光即ちレークを一部分づつ2
回以上にわた如露光することが行なわれる。従来、この
種の分割露光においては、ワークを露光装置内において
移動可能に保持し、その一部を所定の/4ターンで露光
し、続いてマスク交換を行ない且つワークを移動せしめ
て他の部分の露光を行なう。
第1図はこの様な/fターン露光によル表面変質 1せ
しめられた長尺ワークの概略平面図である。即ち、ワー
ク1はtuff中央を境界として異なる2つのパターン
A及びBが分割露光される。第2図(a)及び伽)はこ
の分割露光のために使用されるマスク2及び2の平面図
である。第3図は分割露光のプロセスを示す概略平面図
である。即ち、先ず、第3図C)に示される如く、紙面
に垂直な回転軸3のまわシに回転可能なテーブル4の上
にワーク1をその分割ノ母ターンAとBとが付されるべ
き境界が回転軸3の真上にくる様に位置せしめ、そして
第2図(、)に示されるマスク2を用いて一方のノ4タ
ーンAをワーク1の一部分に露光せしめる。続いて、テ
ーブル4を回転軸3のまわりに180度回転させ且つ装
置からマスク2を取外し代わ)に第2図(b)に示され
るマスク2′を装着し、その後、第3図(b)に示され
る如く、他方のパターンBをワーク1の他の部分に露光
せしめる。これにより長尺ノ’?ターンの露光が完了す
る。
ところが、この様なi4?ターン露光においては、1つ
の長尺/4’ターンの露光のために複数のマスクが必要
となシ、またマスク交換操作時にマスクを汚染しツクタ
ーン劣化を来して歩留シ低下を招いたシマスフの寿命を
短縮せしめたシするという不利があった。
〔発明の目的〕
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、長尺ノ4ターン
を露光するに際してもマスク交換の不用なz4ターン露
光方法を提供することを目的とする。
〔発明の要旨〕
本発明によれば、以上の如き目的は、露光毎に被加工物
を移動させて露光されるべき部分を露光位置に配置せし
め、固定された同一マスクを用いて露光を行なうことに
より達成される。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第4回は本発明パターン露光方法の一実施例によシ得ら
れた長尺ワークの概略平面図である。尚、本実施例にお
いては、ワーク11は2つの同一長尺物11m及びll
bからなる。各長尺物11m及びllbはそれぞれ中央
を境界として異なる2つのパターンA及びBが露光され
る。そして、2つの長尺物11&及びllbの露光ツク
ターンはワーク11の中心位置Oに対し回転対称である
。第5図は本実施例において使用されるマスク12の平
面図である。マスク12にはi4ターンAとノfターン
Bとが形成されている。但し、その位置関係は上記ワー
クIIKおける長尺物11mのノやターンAの部分と長
尺物11bのノJ?ターンBの部分との位置関係に対応
している。第6図は本実施例の露光プロセスを示す概略
平面図である。先ず、第6図(a)に示される如く、紙
面に垂直な回転軸13のまわりに回転可能なテーブル1
4の上にワーク11を置く。この際、ワーク11の中心
位置Oをテーブル140回転軸13上に位置せしめる。
この状態で、エリア15が露光位置である。ここで第1
回目の露光を行なうと、第6図(b)に示される如く、
長尺物11aの一部にノやターンAが露光され、同時に
長尺物11bの一部に・臂ターンBが露光される。次に
、テーブル14を回転軸13のまわりに180度回転さ
せ、第6図(e)K示される如/ry−力11ハ土噌$
鯉ムち理萼待優1ζr竹置せしめる。ここで、第1回目
の露光と同一条件にて第2回目の露光を行なうと、第6
図(d)に示される如く、長尺物11mの未露光部にA
?ターンBが露光され、同時に長尺物11bの未露光部
にパターンAが露光される。
かくしてノやターン露光されたワークは切断によシ容易
に2つの長尺物に分離することができる。
以上の実施例においては、ワークから2つの長尺物が得
られる場合を例示したが、同様にして、第7図に示され
る如く、1つのワークから多数個の長尺物を得ることが
できることは明らかであろうO 更に1上記実施例においてワークとして長尺物11&の
みからなるものを用いて同様々配置でパターン露光を行
なうことによシ、1つの長尺物のみについても本発明を
適用することができる。
また、第8図に示される如く、120度回転対称のワー
ク11を用いて、長尺物11m、llb及び11cKノ
#ターンA及びBを露光することもできる。この場合は
ノリーン露光は3回行なわれ、更に多数の長尺物を得る
ことができることも明らかであろう。同様にして90度
回転対称、72度回転対称、60度回転対称・・・のワ
ークについても同様に本発明方法を適用し得ることが分
る。
〔発明の効果〕
以上の如き本発明によれば、マスクt−5j換すること
なく長尺物のA?ターン露光を行なうことができ、・母
ターン劣化がなく且つマスクの寿命が延びるとともに露
光作業時間の短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のt4ターン露光方法によシ得られたワー
クの平面図であ)、第2図(a)及び(b)はその露光
用マスクの平面図であル、第3図C&)、 (b)はそ
の露光工程図である。第4図は本発明・臂ターン露光方
法によシ得られたワークの平面図であ夛、第5図はその
露光用マスクの平面図であシ、第6図(a)〜(d)は
その露光工程図である。第7図及び第8図はいづれも本
発明ツクターン露光方法によシ得られたワークの平面図
である。 11:ワーク、11m、11b−11e:長に物、12
ニーfスク、14:回転テーブル、15:露光位置。 Igl 図 112図 (a)(b) 113図 第 7 図 I[8図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被加工物を一部分づつ複数回に分割してA?:=
    =:二*:tt、、b二富;:ニ二二装置せしめ、固定
    された同一マスクを用いて露光を行なうことを特徴とす
    る、ノ9ターン、11元方法。
  2. (2) ii!光が2回に分割して行なわれ、被加工物
    移動が180度回転により行なわれる、第1項の79タ
    ーン露光方法。
  3. (3) マスクが被加工物各部分のための露光ツヤター
    ンを全て有している、第1項のノやターン露光方法6
JP59074905A 1984-04-16 1984-04-16 パタ−ン露光方法 Granted JPS60218650A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59074905A JPS60218650A (ja) 1984-04-16 1984-04-16 パタ−ン露光方法

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59074905A JPS60218650A (ja) 1984-04-16 1984-04-16 パタ−ン露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60218650A true JPS60218650A (ja) 1985-11-01
JPH0585895B2 JPH0585895B2 (ja) 1993-12-09

Family

ID=13560868

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59074905A Granted JPS60218650A (ja) 1984-04-16 1984-04-16 パタ−ン露光方法

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017941A (ja) * 1973-06-18 1975-02-25
JPS52155976A (en) * 1976-06-18 1977-12-24 Thomson Csf Method of forming mask for integrated circuit pattern
JPS5617341A (en) * 1979-07-23 1981-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Alignment stage for step and repeat exposure
JPS5848053A (ja) * 1981-09-17 1983-03-19 Fujitsu Ltd マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017941A (ja) * 1973-06-18 1975-02-25
JPS52155976A (en) * 1976-06-18 1977-12-24 Thomson Csf Method of forming mask for integrated circuit pattern
JPS5617341A (en) * 1979-07-23 1981-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Alignment stage for step and repeat exposure
JPS5848053A (ja) * 1981-09-17 1983-03-19 Fujitsu Ltd マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

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JPH0585895B2 (ja) 1993-12-09

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