JPH0585895B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0585895B2 JPH0585895B2 JP59074905A JP7490584A JPH0585895B2 JP H0585895 B2 JPH0585895 B2 JP H0585895B2 JP 59074905 A JP59074905 A JP 59074905A JP 7490584 A JP7490584 A JP 7490584A JP H0585895 B2 JPH0585895 B2 JP H0585895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- workpiece
- exposure
- mask
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は長尺パターンの露光方法に関する。
リソグラフイー技術を用いて被加工物（以下ワ
ークという）表面を部分的に変質せしめることに
より各種製品を製造することが工業上特に電子工
業の分野において広く利用されており、この方法
によればパターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。被加工材の表面変質は各
種エネルギーの照射（露光）により行なわれ、こ
の際のパターン形成のためにマスクが用いられ
る。
ークという）表面を部分的に変質せしめることに
より各種製品を製造することが工業上特に電子工
業の分野において広く利用されており、この方法
によればパターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。被加工材の表面変質は各
種エネルギーの照射（露光）により行なわれ、こ
の際のパターン形成のためにマスクが用いられ
る。
ところで、ワークが長尺物である場合には長尺
マスクを用いれば１回でパターン露光を行なうこ
とができるが、露光装置その他の制約からあまり
大きなマスクを使用できない場合には分割露光即
ちワークを一部分づつ２回以上にわたり露光する
ことが行なわれる。従来、この種の分割露光にお
いては、ワークを露光装置内において移動可能に
保持し、その一部を所定のパターンで露光し、続
いてマスク交換を行ない且つワークを移動せしめ
て他の部分の露光を行なう。
マスクを用いれば１回でパターン露光を行なうこ
とができるが、露光装置その他の制約からあまり
大きなマスクを使用できない場合には分割露光即
ちワークを一部分づつ２回以上にわたり露光する
ことが行なわれる。従来、この種の分割露光にお
いては、ワークを露光装置内において移動可能に
保持し、その一部を所定のパターンで露光し、続
いてマスク交換を行ない且つワークを移動せしめ
て他の部分の露光を行なう。
第１図はこの様なパターン露光により表面変質
せしめられた長尺ワークの概略平面図である。即
ち、ワーク１はほぼ中央を境界として異なる２つ
のパターンＡ及びＢが分割露光される。第２図ａ
及びｂはこの分割露光のために使用されるマスク
２及び２′の平面図である。第３図は分割露光の
プロセスを示す概略平面図である。即ち、先ず、
第３図ａに示される如く、紙面に垂直な回転軸３
のまわりに回転可能なテーブル４の上にワーク１
をその分割パターンＡとＢとが付されるべき境界
が回転軸３の真上にくる様に位置せしめ、そして
第２図ａに示されるマスク２を用いて一方のパタ
ーンＡをワーク１の一部分に露光せしめる。続い
て、テーブル４を回転軸３のまわりに180度回転
させ且つ装置からマスク２を取外し代わりに第２
図ｂに示されるマスク２′を装着し、その後、第
３図ｂに示される如く、他方のパターンＢをワー
ク１の他の部分に露光せしめる。これにより長尺
パターンの露光が完了する。
せしめられた長尺ワークの概略平面図である。即
ち、ワーク１はほぼ中央を境界として異なる２つ
のパターンＡ及びＢが分割露光される。第２図ａ
及びｂはこの分割露光のために使用されるマスク
２及び２′の平面図である。第３図は分割露光の
プロセスを示す概略平面図である。即ち、先ず、
第３図ａに示される如く、紙面に垂直な回転軸３
のまわりに回転可能なテーブル４の上にワーク１
をその分割パターンＡとＢとが付されるべき境界
が回転軸３の真上にくる様に位置せしめ、そして
第２図ａに示されるマスク２を用いて一方のパタ
ーンＡをワーク１の一部分に露光せしめる。続い
て、テーブル４を回転軸３のまわりに180度回転
させ且つ装置からマスク２を取外し代わりに第２
図ｂに示されるマスク２′を装着し、その後、第
３図ｂに示される如く、他方のパターンＢをワー
ク１の他の部分に露光せしめる。これにより長尺
パターンの露光が完了する。
ところが、この様なパターン露光においては、
１つの長尺パターンの露光のために複数のマスク
が必要となり、またマスク交換操作時にマスクを
汚染しパターン劣化を来して歩留り低下を招いた
りマスクの寿命を短縮せしめたりするという不利
があつた。
１つの長尺パターンの露光のために複数のマスク
が必要となり、またマスク交換操作時にマスクを
汚染しパターン劣化を来して歩留り低下を招いた
りマスクの寿命を短縮せしめたりするという不利
があつた。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、長尺パ
ターンを露光するに際してもマスク交換の不用な
パターン露光方法を提供することを目的とする。
ターンを露光するに際してもマスク交換の不用な
パターン露光方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するも
のとして、 長尺パターンを長手方向に関して複数に分割す
ることにより該長尺パターンの一部分を成す比較
的短い第１部分パターンと比較的短い第２部分パ
ターンとを用意し、前記第１部分パターンにより
被加工物の第１領域を露光した後で前記第２部分
パターンにより前記被加工物の前記第１領域に隣
接する第２領域を露光する段階を含む、被加工物
を長尺パターン露光する方法であつて、 前記第１部分パターン及び前記第２部分パター
ンを前記長手方向と略垂直な方向に並べたマスク
を用い、該マスクと前記被加工物の第１領域との
位置合わせを行つて前記第１部分パターンで前記
第１領域を露光した後、前記マスクと前記被加工
物の第２領域との位置わせを行つて前記第２部分
パターンで前記第２領域を露光することを特徴と
するパターン露光方法、 が提供される。
のとして、 長尺パターンを長手方向に関して複数に分割す
ることにより該長尺パターンの一部分を成す比較
的短い第１部分パターンと比較的短い第２部分パ
ターンとを用意し、前記第１部分パターンにより
被加工物の第１領域を露光した後で前記第２部分
パターンにより前記被加工物の前記第１領域に隣
接する第２領域を露光する段階を含む、被加工物
を長尺パターン露光する方法であつて、 前記第１部分パターン及び前記第２部分パター
ンを前記長手方向と略垂直な方向に並べたマスク
を用い、該マスクと前記被加工物の第１領域との
位置合わせを行つて前記第１部分パターンで前記
第１領域を露光した後、前記マスクと前記被加工
物の第２領域との位置わせを行つて前記第２部分
パターンで前記第２領域を露光することを特徴と
するパターン露光方法、 が提供される。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
第４図は本発明パターン露光方法の一実施例に
より得られた長尺ワークの概略平面図である。
尚、本実施例においては、ワーク１１は２つの同
一長尺物１１ａ及び１１ｂからなる。各長尺物１
１ａ及び１１ｂはそれぞれ中央を境界として異な
る２つのパターンＡ及びＢが露光される。そし
て、２つの長尺物１１ａ及び１１ｂの露光パター
ンはワーク１１の中心位置Ｏに対し回転対称であ
る。第５図は本実施例において使用されるマスク
１２の平面図である。マスク１２にはパターンＡ
とパターンＢとが形成されている。但し、その位
置関係は上記ワーク１１における長尺物１１ａの
パターンＡの部分と長尺物１１ｂのパターンＢの
部分との位置関係に対応している。第６図は本実
施例の露光プロセスを示す概略平面図である。先
ず、第６図ａに示される如く、紙面に垂直な回転
軸１３のまわりに回転可能なテーブル１４の上に
ワーク１１を置く。この際、ワーク１１の中心位
置Ｏをテーブル１４の回転軸１３上に位置せしめ
る。この状態で、エリア１５が露光位置である。
ここで第１回目の露光を行なうと、第６図ｂに示
される如く、長尺物１１ａの一部にパターンＡが
露光され、同時に長尺物１１ｂの一部にパターン
Ｂが露光される。次に、テーブル１４を回転軸１
３のまわりに180度回転させ、第６図ｃに示され
る如く、ワーク１１の未露光部分を露光位置１５
に位置せしめる。ここで、第１回目の露光と同一
条件にて第２回目の露光を行なうと、第６図ｄに
示される如く、長尺物１１ａの未露光部にパター
ンＢが露光され、同時に長尺物１１ｂの未露光部
にパターンＡが露光される。
より得られた長尺ワークの概略平面図である。
尚、本実施例においては、ワーク１１は２つの同
一長尺物１１ａ及び１１ｂからなる。各長尺物１
１ａ及び１１ｂはそれぞれ中央を境界として異な
る２つのパターンＡ及びＢが露光される。そし
て、２つの長尺物１１ａ及び１１ｂの露光パター
ンはワーク１１の中心位置Ｏに対し回転対称であ
る。第５図は本実施例において使用されるマスク
１２の平面図である。マスク１２にはパターンＡ
とパターンＢとが形成されている。但し、その位
置関係は上記ワーク１１における長尺物１１ａの
パターンＡの部分と長尺物１１ｂのパターンＢの
部分との位置関係に対応している。第６図は本実
施例の露光プロセスを示す概略平面図である。先
ず、第６図ａに示される如く、紙面に垂直な回転
軸１３のまわりに回転可能なテーブル１４の上に
ワーク１１を置く。この際、ワーク１１の中心位
置Ｏをテーブル１４の回転軸１３上に位置せしめ
る。この状態で、エリア１５が露光位置である。
ここで第１回目の露光を行なうと、第６図ｂに示
される如く、長尺物１１ａの一部にパターンＡが
露光され、同時に長尺物１１ｂの一部にパターン
Ｂが露光される。次に、テーブル１４を回転軸１
３のまわりに180度回転させ、第６図ｃに示され
る如く、ワーク１１の未露光部分を露光位置１５
に位置せしめる。ここで、第１回目の露光と同一
条件にて第２回目の露光を行なうと、第６図ｄに
示される如く、長尺物１１ａの未露光部にパター
ンＢが露光され、同時に長尺物１１ｂの未露光部
にパターンＡが露光される。
かくしてパターン露光されたワークは切断によ
り容易に２つの長尺物に分離することができる。
り容易に２つの長尺物に分離することができる。
以上の実施例においては、ワークから２つの長
尺物が得られる場合を例示したが、同様にして、
第７図に示される如く、１つのワークから多数個
の長尺物を得ることができることは明らかであろ
う。
尺物が得られる場合を例示したが、同様にして、
第７図に示される如く、１つのワークから多数個
の長尺物を得ることができることは明らかであろ
う。
更に、上記実施例においてワークとして長尺物
１１ａのみからなるものを用いて同様な配置でパ
ターン露光を行なうことにより、１つの長尺物の
みについても本発明を適用することができる。
１１ａのみからなるものを用いて同様な配置でパ
ターン露光を行なうことにより、１つの長尺物の
みについても本発明を適用することができる。
また、第８図に示される如く、120度回転対称
のワーク１１を用いて、長尺物１１ａ，１１ｂ及
び１１ｃにパターンＡ及びＢを露光することもで
きる。この場合はパターン露光は３回行なわれ、
更に多数の長尺物を得ることができることも明ら
かであろう。同様にして90度回転対称、72度回転
対称、60度回転対称……のワークについても同様
に本発明方法を適用し得ることが分る。
のワーク１１を用いて、長尺物１１ａ，１１ｂ及
び１１ｃにパターンＡ及びＢを露光することもで
きる。この場合はパターン露光は３回行なわれ、
更に多数の長尺物を得ることができることも明ら
かであろう。同様にして90度回転対称、72度回転
対称、60度回転対称……のワークについても同様
に本発明方法を適用し得ることが分る。
以上の如き本発明によれば、マスクを交換する
ことなく長尺物のパターン露光を行なうことがで
き、パターン劣化がなく且つマスクの寿命が延び
るとともに露光作業時間の短縮が可能となる。
ことなく長尺物のパターン露光を行なうことがで
き、パターン劣化がなく且つマスクの寿命が延び
るとともに露光作業時間の短縮が可能となる。
第１図は従来のパターン露光方法により得られ
たワークの平面図であり、第２図ａ及びｂはその
露光用マスクの平面図であり、第３図ａ，ｂはそ
の露光工程図である。第４図は本発明パターン露
光方法により得られたワークの平面図であり、第
５図はその露光用マスクの平面図であり、第６図
ａ〜ｄはその露光工程図である。第７図及び第８
図はいづれも本発明パターン露光方法により得ら
れたワークの平面図である。 １１……ワーク、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ……
長尺物、１２……マスク、１４……回転テーブ
ル、１５……露光位置。
たワークの平面図であり、第２図ａ及びｂはその
露光用マスクの平面図であり、第３図ａ，ｂはそ
の露光工程図である。第４図は本発明パターン露
光方法により得られたワークの平面図であり、第
５図はその露光用マスクの平面図であり、第６図
ａ〜ｄはその露光工程図である。第７図及び第８
図はいづれも本発明パターン露光方法により得ら
れたワークの平面図である。 １１……ワーク、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ……
長尺物、１２……マスク、１４……回転テーブ
ル、１５……露光位置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 長尺パターンを長手方向に関して複数に分割
することにより該長尺パターンの一部分を成す比
較的短い第１部分パターンと比較的短い第２部分
パターンとを用意し、前記第１部分パターンによ
り被加工物の第１領域を露光した後で前記第２部
分パターンにより前記被加工物の前記第１領域に
隣接する第２領域を露光する段階を含む、被加工
物を長尺パターン露光する方法であつて、 前記第１部分パターン及び前記第２部分パター
ンを前記長手方向と略垂直な方向に並べたマスク
を用い、該マスクと前記被加工物の第１領域との
位置合わせを行つて前記第１部分パターンで前記
第１領域を露光した後で、前記マスクと前記被加
工物の第２領域との位置合わせを行つて前記第２
部分パターンで前記第２領域を露光することを特
徴とするパターン露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074905A JPS60218650A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | パタ−ン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074905A JPS60218650A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | パタ−ン露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218650A JPS60218650A (ja) | 1985-11-01 |
| JPH0585895B2 true JPH0585895B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=13560868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074905A Granted JPS60218650A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | パタ−ン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218650A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017941A (ja) * | 1973-06-18 | 1975-02-25 | ||
| JPS52155976A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-24 | Thomson Csf | Method of forming mask for integrated circuit pattern |
| JPS5617341A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Alignment stage for step and repeat exposure |
| JPS5848053A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Fujitsu Ltd | マスクパタ−ンの間隙発生防止方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074905A patent/JPS60218650A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017941A (ja) * | 1973-06-18 | 1975-02-25 | ||
| JPS52155976A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-24 | Thomson Csf | Method of forming mask for integrated circuit pattern |
| JPS5617341A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Alignment stage for step and repeat exposure |
| JPS5848053A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Fujitsu Ltd | マスクパタ−ンの間隙発生防止方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60218650A (ja) | 1985-11-01 |
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