JPH0464454B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0464454B2
JPH0464454B2 JP511085A JP511085A JPH0464454B2 JP H0464454 B2 JPH0464454 B2 JP H0464454B2 JP 511085 A JP511085 A JP 511085A JP 511085 A JP511085 A JP 511085A JP H0464454 B2 JPH0464454 B2 JP H0464454B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radial
mask
wafer
diaphragm
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP511085A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60164324A (ja
Inventor
Jei Shidooru Gurahamu
Guren Iiton Suteiibun
Bii Kuruugaa Jeimuzu
Ei Gyaretsutoson Gyaretsuto
Pii Noikerumanzu Aaman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JPS60164324A publication Critical patent/JPS60164324A/ja
Publication of JPH0464454B2 publication Critical patent/JPH0464454B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエフア表面の部分的露光を
繰返すための回転リピートリソグラフ装置に関す
る。また本発明は、半導体ウエフア表面を回転さ
せて部分的露光を繰返すための回転リピートリソ
グラフ方法に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の半導体ウエフアのリソグラフイツ
ク処理においては、ウエフアとマスクとの正確な
整合が要求されることから露光面積に限界があつ
た。露光面積の増大とともにマスク及びウエフア
の歪みが生じるので露光面積を小さくすることに
より整合の精度を上げていた。この目的のため
に、現行のリソグラフイツク処理においては，部
分露光（光又はＸ線）ステツプアンドリピート装
置が通常用いられている。しかしこれらの装置は
複雑であるためダイ・コストが増大し、ウエフア
の同時露光部分の数が多くなるにつれスループツ
トが減少するという欠点があつた。
比較的大面積の場合には現在のＸ線リソグラフ
イ装置の整合精度が上がつてきたが、部分露光が
望まれる場合には全ウエフア表面にわたり適切な
整合精度をもたらすことは不可能であつた。光学
的リソグラフイにおいてステツプアンドリピート
装置が用いられ、各露光の合間にウエフアをＸ軸
又はＹ軸方向にウエフアをステツプさせている。
それによりウエフア表面上の比較的小さな領域が
繰返し露光される。ステツプアンドリピート装置
は、ウエフア表面上に露光パターンを正確に繰返
すことのために、複雑な移動・整合機構が必要で
あつた。
そこで、整合精度を落とすことなくウエフアの
同時露光部分の面積を大きくするような装置及び
方法が望まれていた。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明リソグラ
フイツク露光装置は、以下のような構成をとつて
いる。
すなわち、 輻射を放出するための源手段； 該源手段と前記表面との間に位置されたマスク
であつて、前記源手段により放出された輻射を所
望のパターンで透過させるための露光部位と、該
輻射を妨害するための遮断部位とを有するマス
ク； 前記表面を支持しかつ所定の角度だけ回転させ
るための支持手段；並びに 前記表面が複数の放射状部位に分けられて、同
じ時間にはそのうちの１つの部位のみが前記所望
パターンの輻射を受けること； から構成される。
本発明の好適実施例に従つた回転リピート装置
が、現在のＸ線リソグラフイ装置において歪みな
い大きな領域を同時露光する。半導体ウエフアは
４つの４分円に分けられ、有効径がウエフア径よ
りも小さいマスクが上記４分円のうちの１つに重
ねられて整合される。第１のウエフア４分円がマ
スクを通して露光された後に、ウエフアは90度だ
け回転され、その他の４分円が次々に露光され
る。線形運動ではなく回転移動であるため、その
回転リピート装置は、ステツプアンドリピート装
置よりも小型で単純にできる。回転リピート装置
におけるマスク・ウエフア間の整合は、米国特許
出願第541385号に開示されたような容量性整合器
により達せられる。
本発明の他の実施例に従えば、輻射源とマスク
との間に回転可能なガイアフラムが位置づけられ
る。ウエフア、マスク及びダイアフラムはすべて
ほぼ同様の直径を有し、すべて４分円に分割され
ている。ダイアフラムを回転させ、その１つ又は
複数の透過性４分円を用いることができ、ウエフ
エ４分円のうちの任意の部分を選択的に露光する
ことが可能である。
〔実施例〕
第１図に従来技術のステツプアンドリピート露
光装置を示す。ウエフアは露光の間に、Ｘ軸又は
Ｙ軸の何れかの方向に線形にステツプ移動され
る。
第２図に示す半導体ウエフア１は、４つの４分
円３，５，７及び９に分割されている。４組の整
合マーク１１，１３，１５及び１７が、90度の間
隔を置いてウエフア１の縁部に配置されている。
各組の整合マークは、それぞれＸ軸及びＹ軸につ
いて整合するためのＸ軸マーク２３及びＹ軸マー
ク２５を含んでいる。マーク２３及び２５は、上
述の米国特許出願に開示された容量整合タイプの
ものであつて良い。さらにウエフア１とマスクと
の間の絶対的なギヤツプを見出すために、Ｚ軸整
合マーク２１が含まれる。マーク２１は、ウエフ
ア１とマスクとの間の絶対容量を検出するための
容量性パツドであつて良い。ウエフア１の中央部
に、任意的な一組の中央整合マーク１９が位置さ
れる。整合マークの組１９が存在してもウエフア
１に対するフオトレジスト層の適用に影響を与え
ない、ということに注意されたい。何故ならば、
フオトレジストの液滴は、マークの組１９を超え
て放射方向に適用されるからである。
第３図は、本発明の好適実施例においてウエフ
ア１とともに用いるマスク３１を示す。マスク３
１は、Ｘ線リソグラフイ技術で周知の多数の技術
のうち何れかを用いて製作する。マスク３１の直
径はウエフア１の直径より小さくて良いが、マス
ク３１はウエフア１の少なくとも４分の１を覆う
のに十分な大きさとする。マスク３１は、用いる
放射線源に対して非透過性のブロツク３３と、ウ
エフア１の４分円の１つにリソグラすべきパター
ンを含む露光部位３５とから成る。マスク３１は
さらに整合マークの組４１及び４５から成り、そ
れらはＺ軸マーク４７、Ｘ軸マーク４９及びＹ軸
マーク５１を有する。これらはウエフア１のマー
クの組１１，１３，１５，１７と連係して働き、
マスク３１を３つの軸に関しウエフア１に対して
整合させる。任意的な中央マークの組４３が、ウ
エフア１の中央マークの組１９と連係して整合を
もたらす。
第４及び５図は、回転リピート装置の一つの好
適実施例を示す。マスク３１はウエフア１に重な
り、放射源５７がマスク３１の露光部位３５を通
して第１の４分円３上のフオトレジスト層を露光
する。ブロツク３３が、ウエフア１の残りの部分
を放射源５７による露光から遮蔽する。整合マー
クの組１１と４１及びマークの組１３と４５が用
いられて、ウエフア１とマスク３１とが整合され
る。中央のマークの組１９と４３が用いられて、
より緊密な整合が達成される。４分円３が露光さ
れた後に、ウエフア１がチヤツク５９及びスピン
ドル６１によつて90度回転される。そしてマスク
３１が次に４分円５に整合される。その際に、マ
ークの組１３と４１及び１５と４５が用いられ
る。望まれるならば、中央マークの組１９と４３
も用い得る。４分円５が露光された後に、回転リ
ピートが繰返されて、４つの４分円３，５，７及
び９の全部が露光される。
第６図は、上述のように４つの４分円が全て露
光された後のウエフア１を示している。ウエフア
１が90度回転されているので、各４分円内のダイ
スは隣接する４分円内のダイスと90度傾いてい
る。
第７図は本発明の変形実施例を示している。こ
こでは単一の整合軸が用いられる。放射源５７と
マスク７５との間にダイアフラム７１が位置され
て、ウエフア１の４分円のうちの１つを選択的に
露光することができる。第９図に示すダイアフラ
ム７１は、透過性部分８２及び非透過性部分８０
を含む。ダイアフラム７１はフレーム７３により
支持され、選択的に回転されることができる。マ
スク７５は、ウエフア１の全表面を覆うのに十分
な径を有し、フレーム７７に支持されている。第
８図に示すようにマスク７５は、前述のタイプの
５つの組の整合マーク７７〜８５を有し、ウエフ
ア１と整合可能である。マスク７５は４つの４分
円に分割され、その各々は異なる露光パターンを
有していても良い。
第７図の装置は、通常の全領域露光をもたらす
ために、ダイアフラム７１を除去して用いること
もできる。これは、ウエフア１の厳密なマスクレ
ベルを要しない場合に適する。
第７図の装置は、ダイアフラム７１無しでスマ
ク７５とともに用いることも可能である。その場
合に、マスク７５は、４つの４分円でそれぞれ繰
返されたような90度づつ回転した同一のパターン
を有する。ウエフア１の全表面が露光されるため
には、４つの露光可能マスク７５のうちの１つに
ついて露光され、次に回転されて整合され露光さ
れる。そして４つの露光可能な方向の全てが露光
されるまで続けられる。全露光時間の４分の１づ
つが各露光に用いられるとすると、ある特定の４
分円の欠陥が及ぼす影響が小さくなる。
第７図の装置を第９図のダイアフラム７１とと
も用いても良く、その場合にウエフア１の選択的
な露光が可能になる。マスク７５の４つの４分円
はそれぞれ同等のパターンを有していて、ダイア
フラム７１が回転されウエフアの４分円に整合し
た後、その４分円のみの露光が達成される。これ
により、ウエフア１の各４分円が回転することな
く独立に整合されて露光されることが可能とな
る。ウエフア１の全ての４分円のために単一のマ
スク７５のみによる露光を可能にするため、ダイ
アフラム７１及びウエフア１をともに回転させる
こともできる。この場合にマスク７５の４分円の
うち欠陥のあるものの使用を回避できる。
第７図の装置を回転するダイアフラム７１及び
ウエフア１とともに用いることも可能である。こ
の場合に、マスク７５内の特定部分の欠陥の影響
を最小限にして、整合を最大限にすることができ
る。マスク７５の４つの４分円の各々は、90度づ
つ回転された同等のパターンを有する。ダイアフ
ラム７１がマスク７５の４つの４分円のうちの１
つを選択し、ウエフア１の４分円の各々が整合さ
れて全露光時間の16分の１の間露光される。次に
ダイアグラム７１がマスク７５の次の４分円へと
回転されて、ウエフア１の４つの４分円の各々が
その下に整合され露出される。
第７図の装置は、ウエフア１の異なるレベルで
の露光を容易にするためにも用いることができ
る。この場合、各レベルのためにフレーム７７内
に異なるマスクを挿着する必要がない。マスク７
５の４つの４分円の各々は、ウエフア１の異なる
レベルのためのパターンを有する。ダイアフラム
７１がマスク７５の特定の４分円を選択するため
に用いられて、ウエフア１の４つの４分円の各々
がマスク７５の４分円に整合され露光される。次
にウエフア１が取出されて他の処理を施され、次
の露光段階の準備に入る。次に露光段階のための
マスク７５の４分円がダイアフラム７１によつて
選択され、ウエフア１の４つの４分円がマスク７
５の選択された４分円に整合され露光される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来技術におけるステツプアンドリ
ピート露光装置を示す。第２図は、本発明の好適
実施例で用いる４分割半導体ウエフアを示す。第
３図は、本発明の好適実施例で用いるマスクを示
す。第４及び第５図は、第１及び２図に示したマ
スク及びウエフアを利用して、本発明の好適実施
例に従つて製作された装置を示している。第６図
は、第４及び５図の装置で露光された後のウエフ
アを示している。第７図は、回転ダイアフラムを
用いる、本発明の変形実施例を示す。第８図は、
第７図の装置に用いるマスクを示す。第９図は、
第７図の装置に用いるダイアフラムを示す。 主要符号の説明、１……半導体ウエフア、３，
５，７，９……４分円、１１，１３，１５，１７
……整合マーク、１９……中央整合マーク、２１
……Ｚ軸整合マーク、２３……Ｘ軸整合マーク、
２５……Ｙ軸整合マーク、３１……マスク、３３
……ブロツク、３５……露光部位、４１，４５…
…整合マークの組、４３……中央のマーク、４７
……Ｚ軸マーク、４９……Ｘ軸マーク、５１……
Ｙ軸マーク、５７……放射源、５９……チヤツ
ク、６１……スピンドル、７１……ダイアフラ
ム、７３……フレーム、７５……マスク、７７…
…フレーム、８０……非透過性部分、８２……透
過性部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 以下の諸手段及び特徴から成る、表面をリソ
    グラフイツク露出するための装置： 輻射を放出するための源手段； 該源手段と前記表面との間に配置されたマスク
    であつて、それぞれ所望のパターンを有する複数
    の放射状部位に分割されているマスク； 前記表面を支持するための支持手段； 前記表面と前記マスクとの間に配置され、前記
    マスクの放射状部位と実質的に同等でありかつそ
    れに整合される透過性部分と、非透過性部分とか
    ら成るダイアフラム； 前記透過性部分が前記表面の所望の放射状部位
    に整合するようダイアフラムを回転させるため、
    ダイアフラムに取付けられる回転手段； 並びに 前記表面が複数の放射状部位に分割されている
    こと。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
    つて：さらに 前記マスクの放射状部位を前記表面の放射状部
    位へと整合させるために、前記マスク及び前記表
    面に結合されている整合手段； を含む装置。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
    つて： 前記放射状部位の数が４であり； 前記マスクの放射状部位の各々のパターンが同
    等であり；かつ 前記回転手段が、ダイアフラムを90度ずつ回転
    させるよう動作する； ことを特徴とする装置。 ４ 特許請求の範囲第３項に記載された装置であ
    つて： 前記表面が半導体ウエフアの表面である； ことを特徴とする装置。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載された装置であ
    つて： 前記源手段がＸ線源である； ことを特徴とする装置。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載された装置であ
    つて： 前記支持手段が、前記ウエフアを90度ずつ回転
    させるよう動作する； ことを特徴とする装置。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載された装置であ
    つて： 前記マスクの放射状部位の各々が々等でかつ90
    度ずつ回転した所望パターンを有する； ことを特徴とする装置。 ８ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
    つて： 前記放射状部位の数が４であり； 前記マスクの放射状部位の各々の所望パターン
    が異なり；かつ 前記回転手段が、前記ダイアフラムを90度ずつ
    回転させるよう動作する； ことを特徴とする装置。 ９ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
    つて： 前記マスク上の所望のパターンの各々が異なる
    ウエフア露光段階に対応する； ことを特徴とする装置。 １０ 特許請求の範囲１に記載された装置であつ
    て：さらに 前記マスクに対して前記表面を回転させるため
    の手段； を含む装置。 １１ 以下の諸手段から成る工作物表面をリソグ
    ラフイツク露光するための装置： 輻射を放出するための源手段； 該源手段と前記工作物表面との間に配置された
    マスクであつて、複数の放射状部位に分割されて
    おり、少くとも２つの該放射状部位は所望のパタ
    ーンを有するマスク； 前記工作物表面を支持するための支持手段； 前記源手段と前記工作物表面との間に配置され
    たダイアフラムであつて、前記源手段からの輻射
    を遮断する非伝達部位と選択された前記放射状部
    位に前記輻射を照射するため伝達部位とを有する
    ダイアフラム； 前記マスクと前記ダイアフラムを相対的に回転
    させて、前記伝達部と前記選択された前記放射状
    部位とを整合させるための第１の回転手段； 前記マスクの前記選択された前記放射状部位と
    前記工作物表面の放射状を整合させるための整合
    手段。 １２ 特許請求の範囲第１１項に記載された装置
    であつて： 前記マスクの前記放射状部位の前記所望のパタ
    ーンが互いに等しい； ことを特徴とする装置。 １３ 特許請求の範囲第１１項に記載された装置
    であつて： 前記整合手段が容量性手段である； ことを特徴とする装置。 １４ 特許請求の範囲第１１項に記載の装置であ
    つて：さらに 前記工作物表面の前記選択された前記放射状部
    位と前記マスクの前記選択された前記放射状部位
    とを整合させるため、前記マスクと前記工作物表
    面とを相互に回転させるための第２の回転手段； を含んで成る装置。 １５ 特許請求の範囲第１４項に記載の装置であ
    つて： 前記マスクの前記放射状部位の前記所望のパタ
    ーンが相互に等しく、前記工作物表面の選択され
    た放射状部位が２つ以上の前記マスクの前記放射
    状部位を通して露光し、前記マスクの欠陥による
    露光劣化を防ぐ： ことを特徴とする装置。 １６ 特許請求の範囲第１４項の記載の装置であ
    つて： 前記マスクの前記放射状部位の前記所望のパタ
    ーンが相互に異るものを含み、前記工作物表面の
    前記選択された前記放射状部位を相異なる前記所
    望のパターンで露光するようにした； ことを特徴とする装置。 １７ 以下の諸段階から成る、半導体ウエフアを
    リソグラフイツク処理するための方法： ウエフアの第１放射状部位をマスクの第１の放
    射状部位に整合させる段階； ウエフアの放射状部位のうち前記第１の放射状
    部位以外をダイアフラムで遮る段階； 射状部位のうち前記第２の放射状部位以外を前
    記ダイアフラムで遮る段階： 前記マスクの前記第２の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第２の放射状部位を露光する段階；
    並びに ウエフアの残りの放射状部のために前記諸段階
    を繰返す段階。 １８ 以下の諸段階から成る、半導体ウエフアを
    リソグラフイツク処理するための方法： ウエフアの第１の放射状部位をマスクの第１の
    放射状部位に整合させる段階； ウエフアの放射状部位のうち前記第１の放射状
    部位以外をダイアフラムで遮る段階； 放射状部位のうち前記第２の放射状部位以外を
    前記ダイアフラムで遮る段階： 前記マスクの前記第１の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第１の放射状部位を露光する段階； ウエフアを回転する段階； ウエフアの前記第１の放射状部位を前記マスク
    の第２の放射状部位に整合させる段階； 前記マスクの前記第２の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第２の放射状部位を露光する段階； ウエフアの第１の放射状部位が前記マスクの全
    ての放射状部位を通して露光されるまで、上記諸
    段階を繰返す段階； ウエフアの第２の放射状部位をマスクの第１の
    放射状部位に整合させる段階； ダイヤフラムを回転させる段階； ウエフアの放射状部位のうち前記第２の放射状
    部位以外をダイアフラムで遮る段階； 前記マスクの前記第１の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第１の放射状部位を露光する段階； ウエフアを回転する段階； ウエフアの前記第１の放射状部位を前記マスク
    の第２の放射状部位に整合させる段階； 前記マスクの前記第２の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第２の放射状部位を露光する段階； ウエフアの第１の放射状部位が前記マスクの全
    ての放射状部位を通して露光されるまで、上記諸
    段階を繰返す段階： ウエフアの第２の放射状部位をマスクの第１の
    放射状部位に整合させる階段； ダイアフラムを回転させる階段； ウエフアの放射状部位のうち前記第２の放射状
    部位以外をダイアフルムで遮る階段； 前記マスクの前記第１の放射状部位を通してウ
    エフアの前記第２の放射状部位を露光する階段； ウエフアを回転する階段； ウエフアの前記第16の放射状部位を前記マスク
    の第２の放射状部位に整合させる階段； 前記マスクの前記第26の放射状部位を通してウ
    エフアの前記の放射状部位を露光する階段； ウエフアの第２の放射状部位が前記マスクの全
    ての放射状部位を通して露光されるまで、上記階
    段を繰返す階段； 放射状部位が前記マスクの全ての放射状部位を
    通して露光されるまで，上記段階を繰返す段階。
JP60005110A 1984-01-24 1985-01-17 回転リピートリソグラフ処理のための装置及び方法 Granted JPS60164324A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/573,524 US4613981A (en) 1984-01-24 1984-01-24 Method and apparatus for lithographic rotate and repeat processing
US573524 1990-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60164324A JPS60164324A (ja) 1985-08-27
JPH0464454B2 true JPH0464454B2 (ja) 1992-10-15

Family

ID=24292336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60005110A Granted JPS60164324A (ja) 1984-01-24 1985-01-17 回転リピートリソグラフ処理のための装置及び方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4613981A (ja)
EP (1) EP0150129B1 (ja)
JP (1) JPS60164324A (ja)
DE (1) DE3563392D1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2155201B (en) * 1984-02-24 1988-07-13 Canon Kk An x-ray exposure apparatus
US4760265A (en) * 1986-01-18 1988-07-26 Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho Method and device for detecting defects of patterns in microelectronic devices
US4870668A (en) * 1987-12-30 1989-09-26 Hampshire Instruments, Inc. Gap sensing/adjustment apparatus and method for a lithography machine
US5416821A (en) * 1993-05-10 1995-05-16 Trw Inc. Grid formed with a silicon substrate
GB2277998A (en) * 1993-05-13 1994-11-16 Marconi Gec Ltd Mask and apparatus for producing microlenses
JP3100842B2 (ja) * 1994-09-05 2000-10-23 キヤノン株式会社 半導体露光装置及び露光方法
US5434424A (en) * 1994-09-21 1995-07-18 International Business Machines Corporation Spinning reticle scanning projection lithography exposure system and method
JPH08115872A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Nikon Corp 露光装置
JP3950518B2 (ja) * 1997-06-27 2007-08-01 キヤノン株式会社 回折光学素子の製造方法
CN1318914C (zh) * 2003-09-22 2007-05-30 南亚科技股份有限公司 制作晶圆试片的方法及评估掩膜图案间迭对位准的方法
US20100012855A1 (en) * 2005-06-03 2010-01-21 Rudolph Technologies, Inc Wafer Scanning
CN100478789C (zh) * 2005-09-28 2009-04-15 中国科学院自动化研究所 掩模传输系统四象限对准装置
CN101490834A (zh) * 2006-07-19 2009-07-22 分子间公司 用于隔离的与离散的工艺顺序的整合的方法与系统
US7867904B2 (en) * 2006-07-19 2011-01-11 Intermolecular, Inc. Method and system for isolated and discretized process sequence integration
US8299446B2 (en) * 2009-08-12 2012-10-30 Ultratech, Inc. Sub-field enhanced global alignment
US9690207B2 (en) 2012-10-17 2017-06-27 Asml Netherlands B.V. Sensor system for lithography

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3181419A (en) * 1961-09-15 1965-05-04 Gen Motors Corp Method and apparatus for producing dials
US3875416A (en) * 1970-06-30 1975-04-01 Texas Instruments Inc Methods and apparatus for the production of semiconductor devices by electron-beam patterning and devices produced thereby
US4260670A (en) * 1979-07-12 1981-04-07 Western Electric Company, Inc. X-ray mask
US4385238A (en) * 1981-03-03 1983-05-24 Veeco Instruments Incorporated Reregistration system for a charged particle beam exposure system
US4430571A (en) * 1981-04-16 1984-02-07 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system

Also Published As

Publication number Publication date
US4613981A (en) 1986-09-23
DE3563392D1 (en) 1988-07-21
EP0150129A2 (en) 1985-07-31
EP0150129A3 (en) 1985-08-21
JPS60164324A (ja) 1985-08-27
EP0150129B1 (en) 1988-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0464454B2 (ja)
US6563568B2 (en) Multiple image reticle for forming layers
JP2752365B2 (ja) マルチレベル・レチクル
US5439764A (en) Mask having multiple patterns
US6042976A (en) Method of calibrating WEE exposure tool
US5781607A (en) Membrane mask structure, fabrication and use
US4477182A (en) Pattern exposing apparatus
JP3950518B2 (ja) 回折光学素子の製造方法
US5237393A (en) Reticle for a reduced projection exposure apparatus
KR20170089761A (ko) 노광 장치
JPH03108310A (ja) 露光装置
JPH09219437A (ja) 位置決め装置
JPH10261559A (ja) 半導体装置の製造方法および露光装置
JP2647835B2 (ja) ウェハーの露光方法
JPH05158218A (ja) マスク基板および描画方法
JP3485481B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2727784B2 (ja) 縮小投影露光装置用レティクル
JPH0387013A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5931852B2 (ja) フォトレジスト露光用マスク
JPH02135343A (ja) マスク
JPS618923A (ja) 露光装置
KR100724623B1 (ko) 노광장비내에서의 웨이퍼엣지 노광방법
JPH021110A (ja) 露光用マスク及び露光方法
JP2000122264A (ja) 露光用マスク、位置合わせ基準ウェハおよび露光位置合わせ方法
JPH0144009B2 (ja)