JP2752365B2 - マルチレベル・レチクル - Google Patents
マルチレベル・レチクルInfo
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- JP2752365B2 JP2752365B2 JP3642788A JP3642788A JP2752365B2 JP 2752365 B2 JP2752365 B2 JP 2752365B2 JP 3642788 A JP3642788 A JP 3642788A JP 3642788 A JP3642788 A JP 3642788A JP 2752365 B2 JP2752365 B2 JP 2752365B2
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- Japan
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- reticle
- level
- pattern
- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は集積回路製造に用いられるレチクルおよびこ
れを用いたパターン転写方法に関する。
れを用いたパターン転写方法に関する。
従来、集積回路の製造には、ウェーファ上にプリント
を形成するために、フォトリソグラフィ技術を使用して
いる。薄膜のフォトリソグラフィ処理や薄膜成長または
デポジションをくり返すことにより、同じウェーファの
上に多数の同一コピーをもつ集積回路完成品が形成され
る。それぞれのコピーはダイとよばれている。
を形成するために、フォトリソグラフィ技術を使用して
いる。薄膜のフォトリソグラフィ処理や薄膜成長または
デポジションをくり返すことにより、同じウェーファの
上に多数の同一コピーをもつ集積回路完成品が形成され
る。それぞれのコピーはダイとよばれている。
集積回路のサイズは小さくなってきているので、フォ
トリソグラフィのプロセスで、アラインメント技術や分
解能をさらに高度化する必要がある。現在、フォトリソ
グラフィプロセスでは、ウェーファを正しく位置合せ
し、その一部を適当なフォトマスクからの所望のパター
ンに露光し、次にウェーファをステップして位置合せ
し、その後再びウェーファを適当なフォトマスクで露光
させるという方法で、ステップ・アンド・リピートする
器具が使用されている。
トリソグラフィのプロセスで、アラインメント技術や分
解能をさらに高度化する必要がある。現在、フォトリソ
グラフィプロセスでは、ウェーファを正しく位置合せ
し、その一部を適当なフォトマスクからの所望のパター
ンに露光し、次にウェーファをステップして位置合せ
し、その後再びウェーファを適当なフォトマスクで露光
させるという方法で、ステップ・アンド・リピートする
器具が使用されている。
このステップ・アンド・リピート・アラインメント・
プロセスには、レチクルとよばれるマスタ・イメージを
使用する。レチクルのパターンは、レンズを介して、ウ
ェーファの一部に焦点を合わせられる。
プロセスには、レチクルとよばれるマスタ・イメージを
使用する。レチクルのパターンは、レンズを介して、ウ
ェーファの一部に焦点を合わせられる。
当初、レチクル毎に夫々ひとつのダイ・パターンしか
設けられていなかった。従って、ウェーファの上で、そ
れぞれのダイについてステップし、位置合せし、露光す
る必要があった。その後複数のダイをひとつのレチクル
にまとめて、多くのダイを一度に露光できるようにして
いた。これにより、各ウェーファに必要なステップ、ア
ライメント、露光のくり返し回数を減らしていた。従っ
て、この手続によりこのような器具の能力を高めること
ができた。
設けられていなかった。従って、ウェーファの上で、そ
れぞれのダイについてステップし、位置合せし、露光す
る必要があった。その後複数のダイをひとつのレチクル
にまとめて、多くのダイを一度に露光できるようにして
いた。これにより、各ウェーファに必要なステップ、ア
ライメント、露光のくり返し回数を減らしていた。従っ
て、この手続によりこのような器具の能力を高めること
ができた。
このようなシステムとプロセスは、それぞれのフォト
リソグラフィのステップ（すなわち各マスク・レベル）
毎に別々のレチクルを必要とする。器具を別のマスク・
レベルに切変える度に、レチクルも変えなければならな
い。言い換えれば、各フオトリソグラフィ・ステップ毎
に新しいレチクルを調達しなければならない。レチクル
は正確な条件の下で製造しなければならならず、試作ウ
ェーファやその他少量生産（すなわち25〜5000枚位のウ
ェーファ）に使用するには比較的高価である。
リソグラフィのステップ（すなわち各マスク・レベル）
毎に別々のレチクルを必要とする。器具を別のマスク・
レベルに切変える度に、レチクルも変えなければならな
い。言い換えれば、各フオトリソグラフィ・ステップ毎
に新しいレチクルを調達しなければならない。レチクル
は正確な条件の下で製造しなければならならず、試作ウ
ェーファやその他少量生産（すなわち25〜5000枚位のウ
ェーファ）に使用するには比較的高価である。
本発明は上述の従来技術の問題点を解消し、少量生産
を行なう場合でも経済効率の良いレチクルおよび転写方
法を提供することを目的とする。
を行なう場合でも経済効率の良いレチクルおよび転写方
法を提供することを目的とする。
本発明は、集積回路製造の際ウエーファにパターン形
成を行うための改良技術を提供するものである。該改良
技術は、レチクル上の別々の領域（たとえば別々の象
限）に位置する多数の集積回路マスク・パターンを有す
る、新規なマルチレベル・レチクルを使用するものであ
る。
成を行うための改良技術を提供するものである。該改良
技術は、レチクル上の別々の領域（たとえば別々の象
限）に位置する多数の集積回路マスク・パターンを有す
る、新規なマルチレベル・レチクルを使用するものであ
る。
このレチクルは、従来のプロジェクション・ステッパ
装置に支持されて、レチクルのパターン領域のひとつを
経て光を投射し、ウエーファ等の基板にマスク・パター
ンを投射するようになっている。次にこのレチクルをそ
の中心を軸として回動して、別のマスク・パターンを適
正位置に配置し、この別のマスク・パターンを介して基
板に光を投射するようにする。
装置に支持されて、レチクルのパターン領域のひとつを
経て光を投射し、ウエーファ等の基板にマスク・パター
ンを投射するようになっている。次にこのレチクルをそ
の中心を軸として回動して、別のマスク・パターンを適
正位置に配置し、この別のマスク・パターンを介して基
板に光を投射するようにする。
レチクル上の数種のマスク・パターンは、レチクルが
その中心を軸に回動すると、基板上に整合パターン（re
gistering pattern）を投射するよう配置されている。
この方法により、単一のレチクルで複数のイメージ・パ
ターン（すなわち複数のレベル）が得られ、様々の回路
レベルをもつ集積回路を形成することができる。
その中心を軸に回動すると、基板上に整合パターン（re
gistering pattern）を投射するよう配置されている。
この方法により、単一のレチクルで複数のイメージ・パ
ターン（すなわち複数のレベル）が得られ、様々の回路
レベルをもつ集積回路を形成することができる。
このレチクルは、適切に間隔を開けた位置関係で配置
された複数のイメージ・パターンを有するので、このレ
チクルをその中心を軸に回転させると、様々のイメージ
・パターンがプロジェクション・ステッパ装置と正しく
整列され、従ってそれぞれのイメージ・パターンが、同
じレチクルから投射される別のマスク・イメージ・パタ
ーンと正しく位置合せされるのである。また、集積回路
の各マスク・パターンは、プロジェクション装置のレン
ズの同じ部分を通して投射される。従って、本発明によ
れば、レンズの別々の部分を通して様々なマスク・イメ
ージ・パターンを露光した場合に生じるレンズひずみ現
象を除去することができる。
された複数のイメージ・パターンを有するので、このレ
チクルをその中心を軸に回転させると、様々のイメージ
・パターンがプロジェクション・ステッパ装置と正しく
整列され、従ってそれぞれのイメージ・パターンが、同
じレチクルから投射される別のマスク・イメージ・パタ
ーンと正しく位置合せされるのである。また、集積回路
の各マスク・パターンは、プロジェクション装置のレン
ズの同じ部分を通して投射される。従って、本発明によ
れば、レンズの別々の部分を通して様々なマスク・イメ
ージ・パターンを露光した場合に生じるレンズひずみ現
象を除去することができる。
さらに本発明では、複数のイメージ・パターンを同じ
レチクル上に置くことができるので、マスクの費用も低
減し得る。本発明のレチクルの構成は、基板上でイメー
ジ・パターンで更に位置ずれが起ることを防ぐことがで
きる。少量のウェーファにパターンを形成する場合でも
大幅にコストを節約することができる。
レチクル上に置くことができるので、マスクの費用も低
減し得る。本発明のレチクルの構成は、基板上でイメー
ジ・パターンで更に位置ずれが起ることを防ぐことがで
きる。少量のウェーファにパターンを形成する場合でも
大幅にコストを節約することができる。
第１図、２図、３図に、本発明にかかるマルチイメー
ジ・レチクル、つまりマルチレベル・レチクルの３つの
実施例を示す。各レチクルは一般に平坦であり、このレ
チクル上の別々の領域に複数の集積回路マスク・パター
ンが位置している。
ジ・レチクル、つまりマルチレベル・レチクルの３つの
実施例を示す。各レチクルは一般に平坦であり、このレ
チクル上の別々の領域に複数の集積回路マスク・パター
ンが位置している。
たとえば、第１図には、４つの異なる集積回路マスク
・パターンを有するマルチイメージ・レチクル10が示さ
れている。それぞれのマスク・パターンをレベル１、レ
ベル２、レベル３、レベル４で表示する。各集積回路マ
スク・パターンは、図示のようにレチクルのそれぞれ別
の象限に位置している。
・パターンを有するマルチイメージ・レチクル10が示さ
れている。それぞれのマスク・パターンをレベル１、レ
ベル２、レベル３、レベル４で表示する。各集積回路マ
スク・パターンは、図示のようにレチクルのそれぞれ別
の象限に位置している。
レチクル10は図の如く、正方形の外周を形成してい
る。レチクルを従来のプロジェクション・ステッパ装置
に配した時の有効レンズ領域12はほぼ円形であり、レチ
クルの中央部に位置している。
る。レチクルを従来のプロジェクション・ステッパ装置
に配した時の有効レンズ領域12はほぼ円形であり、レチ
クルの中央部に位置している。
レチクル10のマスク・パターンはそれぞれ、ウエーフ
ァに形成する個々の回路レベルに対して適当なイメージ
・パターンを有する。したがってウエーファの同じ部分
を、レチクル10の各マスク・パターンに順次露光し、露
光の間に従来の薄膜成長またはデポジション技術を適宜
使用して、ウエーファ上に所望の集積回路を形成するこ
とができる。レチクル縁部のクロスハッチング16は、露
光装置でレチクルを位置合せするためのものである。マ
ルチイメージ・レチクルの場合、これらのクロスハッチ
ングはレチクルの四辺全部に対称に配置される。
ァに形成する個々の回路レベルに対して適当なイメージ
・パターンを有する。したがってウエーファの同じ部分
を、レチクル10の各マスク・パターンに順次露光し、露
光の間に従来の薄膜成長またはデポジション技術を適宜
使用して、ウエーファ上に所望の集積回路を形成するこ
とができる。レチクル縁部のクロスハッチング16は、露
光装置でレチクルを位置合せするためのものである。マ
ルチイメージ・レチクルの場合、これらのクロスハッチ
ングはレチクルの四辺全部に対称に配置される。
レチクル10をプロジエクション・ステッパ装置に適正
に配置して、レベル１のマスク・パターンを正しい位置
にすると、レベル１のパターンがウエーファに投射され
る。次にレベル２のパターンをウエーファに投射するこ
とが必要になった時には、レチクル０をその中心14を軸
として90°回転してレベル２のパターンが、最初の投射
の時にレベル１があったのと全く同じ位置に来るように
する。従ってこのようにして、レベル２のパターンはウ
エーファにレベル１により形成されたパターンと正しく
位置合わせされた状態になる。次にレベル２のパターン
をウエーファに投射した後、ウエーファ上に回路の第２
レベルに必要な薄膜成長やデポジション等が行なわれ
る。
に配置して、レベル１のマスク・パターンを正しい位置
にすると、レベル１のパターンがウエーファに投射され
る。次にレベル２のパターンをウエーファに投射するこ
とが必要になった時には、レチクル０をその中心14を軸
として90°回転してレベル２のパターンが、最初の投射
の時にレベル１があったのと全く同じ位置に来るように
する。従ってこのようにして、レベル２のパターンはウ
エーファにレベル１により形成されたパターンと正しく
位置合わせされた状態になる。次にレベル２のパターン
をウエーファに投射した後、ウエーファ上に回路の第２
レベルに必要な薄膜成長やデポジション等が行なわれ
る。
次にレチクル10をもう一度中心14に軸として90°回転
して、最初の露光時にレベル１のパターンがあったと全
く同じ位置にレベル３が来るようにする。そしてレベル
３のパターンをウエーファに投射し、その後このイメー
ジ・パターンをウエーファ10上で現像することができ
る。
して、最初の露光時にレベル１のパターンがあったと全
く同じ位置にレベル３が来るようにする。そしてレベル
３のパターンをウエーファに投射し、その後このイメー
ジ・パターンをウエーファ10上で現像することができ
る。
次にレチクル10をその中心14を軸として再び90°回動
し、最初の露光時にレベル１のパターンがあったと全く
同じ位置にレベル４が来るようにする。そしてレベル４
のパターンをウエーファに投射し、その後このイメージ
・パターンをウエーファ10上で現像することができる。
し、最初の露光時にレベル１のパターンがあったと全く
同じ位置にレベル４が来るようにする。そしてレベル４
のパターンをウエーファに投射し、その後このイメージ
・パターンをウエーファ10上で現像することができる。
従って、以上述べた技術および新規のマルチイメージ
・レチクルを使用することにより、それぞれのマスク・
イメージ・パターンはレンズの同じ部分を通して投射さ
れる。これにより、レベルの重なり合いにおけるレンズ
のひずみの影響を除去することができる。この技術はま
た、複数のイメージ・パターンに単一のレチクルを使う
ので、集積回路製造費を節約することができる。
・レチクルを使用することにより、それぞれのマスク・
イメージ・パターンはレンズの同じ部分を通して投射さ
れる。これにより、レベルの重なり合いにおけるレンズ
のひずみの影響を除去することができる。この技術はま
た、複数のイメージ・パターンに単一のレチクルを使う
ので、集積回路製造費を節約することができる。
第２図は、マルチイメージ・レチクルの他の実施例を
示すもので、ここでレベル１、レベル２、レベル３の３
つの集積回路マスク・パターンがある。このレチクル20
は、４つではなくて３つのマスク・パターンがあるとい
う点を除き、レチクル10と同様に用いられる。
示すもので、ここでレベル１、レベル２、レベル３の３
つの集積回路マスク・パターンがある。このレチクル20
は、４つではなくて３つのマスク・パターンがあるとい
う点を除き、レチクル10と同様に用いられる。
ウエーファをレベル１のマスク・パターンに露光した
後、このレチクルをその中心14を軸に90°回転して、レ
ベル２のマスク・パターンを、最初の露光時レベル１の
パターンがあったと同じ位置に配置する。次にレチクル
20をその中心14を軸として再び90°回転して、レベル３
のマスク・パターンをウエーファへの正しい露光位置に
置く。
後、このレチクルをその中心14を軸に90°回転して、レ
ベル２のマスク・パターンを、最初の露光時レベル１の
パターンがあったと同じ位置に配置する。次にレチクル
20をその中心14を軸として再び90°回転して、レベル３
のマスク・パターンをウエーファへの正しい露光位置に
置く。
第３図はマルチイメージ・レチクルのさらに他の実施
例を示すもので、ここではレベル１とレベル２の２つの
集積回路マスク・パターンがある。このレチクル30も、
４つではなく２つのマスク・パターンがある以外は、レ
チクル10と同様に用いられる。
例を示すもので、ここではレベル１とレベル２の２つの
集積回路マスク・パターンがある。このレチクル30も、
４つではなく２つのマスク・パターンがある以外は、レ
チクル10と同様に用いられる。
ウエーファをレベル１のマスク・パターンに露光した
後、レチクル30をその中心14を軸に180°回転して、レ
ベル２のマスク・パターンを、最初の露光時レベル１の
パターンがあったと同じ位置に配置する。
後、レチクル30をその中心14を軸に180°回転して、レ
ベル２のマスク・パターンを、最初の露光時レベル１の
パターンがあったと同じ位置に配置する。
第４図は、レチクルのマスク・イメージ・パターンを
ウエーファに投射する典型的な態様を示す。ここではア
パーチャ42の開口部42Aを経て下方に光を投射する従来
の投光器41が示されている。マルチレベル・レチクル43
は、レチクル・プラテン44上に支持され、レチクル・プ
ラテン44上の基準マークを正しく合わせられる。
ウエーファに投射する典型的な態様を示す。ここではア
パーチャ42の開口部42Aを経て下方に光を投射する従来
の投光器41が示されている。マルチレベル・レチクル43
は、レチクル・プラテン44上に支持され、レチクル・プ
ラテン44上の基準マークを正しく合わせられる。
アパーチャ・ブレード42B、43C、42D、42Eはそれぞれ
独立に調整して、投光器41からの光が図示のようにマル
チレベル・レチクル上の所望のイメージ・パターンのみ
通過するようにできる。
独立に調整して、投光器41からの光が図示のようにマル
チレベル・レチクル上の所望のイメージ・パターンのみ
通過するようにできる。
パターン形成する所望の基板またはウエーファ46に
は、感光材料を被覆してある。次に基板をステッピング
・ステージ47に乗せて、これをレチクルまたは光学カラ
ム45の基準マークと合わせる。
は、感光材料を被覆してある。次に基板をステッピング
・ステージ47に乗せて、これをレチクルまたは光学カラ
ム45の基準マークと合わせる。
投光器41のシャッタにより、光は図示のように、投光
器41から、アパーチャ・グレード開口部、マルチレベル
・レチクル43、縮小レンズまたは光学カラム45の順に通
し、最後にウエーファ46に至る。
器41から、アパーチャ・グレード開口部、マルチレベル
・レチクル43、縮小レンズまたは光学カラム45の順に通
し、最後にウエーファ46に至る。
レチクル43からの別のイメージの投射は、レチクル43
を90°回転し各イメージがレンズまたはカラム45の同じ
場所を通ってウエーファ46に投射されるようにして行な
われる。
を90°回転し各イメージがレンズまたはカラム45の同じ
場所を通ってウエーファ46に投射されるようにして行な
われる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば１枚のレ
チクルに複数のレベルのマスク・パターンを入れること
ができるので、少量生産の半導体の製造等には特に有益
である。
チクルに複数のレベルのマスク・パターンを入れること
ができるので、少量生産の半導体の製造等には特に有益
である。
第１図ないし第３図は本発明のマルチレベル・レチクル
の実施例を示す図、第４図は本発明のパターン転写方法
の実施例を説明するための図である。 10.20,30,43:レチクル、14:中心、41:投光器、42:アパ
ーチャ、42A:開口部、42B,42C,42D,42E:アパーチャ・ブ
レード、44:レチクル・プラテン、45:光学カラム、46:
ウエーファ、47:ステッピング・ステージ。
の実施例を示す図、第４図は本発明のパターン転写方法
の実施例を説明するための図である。 10.20,30,43:レチクル、14:中心、41:投光器、42:アパ
ーチャ、42A:開口部、42B,42C,42D,42E:アパーチャ・ブ
レード、44:レチクル・プラテン、45:光学カラム、46:
ウエーファ、47:ステッピング・ステージ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/00 G03F 1/08 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項１】レチクル上に、複数のマスク・パターンが
前記レチクルと一体に設けられ、 前記マスク・パターンのうちの第１のマスク・パターン
をウェーファ上に投影してそのイメージを転写後、前記
レチクルを回転して次のマスク・パターンを前回の前記
イメージに位置合わせされた状態で前記イメージに重畳
して転写することを繰返すことができるようにした マルチレベル・レチクルにおいて、 前記複数のマスク・パターンを、レチクルを前記パター
ンの転写を実行するための装置に装着したときの有効レ
ンズ領域中に収まるように配置するとともに、 前記レチクルの回転軸を前記有効レンズ領域の中心にほ
ぼ一致させる ことを特徴とするマルチレベル・レチクル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/014,955 US4758863A (en) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | Multi-image reticle |
| US014955 | 1993-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211622A JPS63211622A (ja) | 1988-09-02 |
| JP2752365B2 true JP2752365B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=21768763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3642788A Expired - Lifetime JP2752365B2 (ja) | 1987-02-17 | 1988-02-17 | マルチレベル・レチクル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4758863A (ja) |
| JP (1) | JP2752365B2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4878086A (en) * | 1985-04-01 | 1989-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
| US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
| JP2715462B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 |
| US5361814A (en) * | 1989-11-15 | 1994-11-08 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Asymmetric tire |
| US5331371A (en) * | 1990-09-26 | 1994-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure method |
| JP3391404B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2003-03-31 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び回路素子製造方法 |
| JPH1022222A (ja) * | 1995-12-29 | 1998-01-23 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光装置 |
| US6040892A (en) * | 1997-08-19 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| KR100250152B1 (ko) * | 1997-11-15 | 2000-03-15 | 유무성 | 노광장치 |
| JP3159163B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 走査露光方法及び走査露光装置 |
| JP3473538B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2003-12-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電部品の周波数調整装置及び周波数調整方法 |
| US6396567B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for controlling the dose of radiations applied to a semiconductor wafer during photolithography |
| US6327023B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Optimization of reticle rotation for critical dimension and overlay improvement |
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