JPS63211622A - マルチレベル・レチクル - Google Patents
マルチレベル・レチクルInfo
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- JPS63211622A JPS63211622A JP63036427A JP3642788A JPS63211622A JP S63211622 A JPS63211622 A JP S63211622A JP 63036427 A JP63036427 A JP 63036427A JP 3642788 A JP3642788 A JP 3642788A JP S63211622 A JPS63211622 A JP S63211622A
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- Japan
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- wafer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は集積回路製造に用いられるレチクルおよびこれ
を用いたパターン転写方法に関する。
を用いたパターン転写方法に関する。
従来、集積回路の製造には、ウエーファ上にプリントを
形成するために、フォトリソグラフィ技術を使用してい
る。薄膜のフォトリソグラフィ処理や薄膜成長またはデ
ボジシジンをくり返すことKより、同じウエーファの上
に多数の同一コピーをもつ集積回路完成品が形成される
。それぞれのコピーはダイとよばれている。
形成するために、フォトリソグラフィ技術を使用してい
る。薄膜のフォトリソグラフィ処理や薄膜成長またはデ
ボジシジンをくり返すことKより、同じウエーファの上
に多数の同一コピーをもつ集積回路完成品が形成される
。それぞれのコピーはダイとよばれている。
集積回路のサイズは小さくなってきているの℃フォトリ
ソグラスのプロセスで、アラインメント技術や分解能を
さらに高度化する必要がある。現在、フォトリンゲラフ
ィブロセスでは、ウエーファを正しく位置合せし、その
一部を適当なフォトマスクからの所望のパターンに露光
し、次にウエーファをステップして位置合せし、その後
再びウエーファを適当なフォトマスクで露光させるとい
う方法で、ステップ・アンド・リピートする器具が使用
されている。
ソグラスのプロセスで、アラインメント技術や分解能を
さらに高度化する必要がある。現在、フォトリンゲラフ
ィブロセスでは、ウエーファを正しく位置合せし、その
一部を適当なフォトマスクからの所望のパターンに露光
し、次にウエーファをステップして位置合せし、その後
再びウエーファを適当なフォトマスクで露光させるとい
う方法で、ステップ・アンド・リピートする器具が使用
されている。
このステップ・アンド・リピート・アラインメント・プ
ロセスには、レチクルとよばれるマスク・イメージを使
用する。レチクルのパターンは、レンズを介して、ウエ
ーファの一部に焦点を合わせられる。
ロセスには、レチクルとよばれるマスク・イメージを使
用する。レチクルのパターンは、レンズを介して、ウエ
ーファの一部に焦点を合わせられる。
当初、レチクル毎に夫々ひとつのダイ・パターンしか設
けられていなかった。従って、ワエーファの上で、それ
ぞれのダイについてステップし、位置合せし、露光する
必要があった。その後複数のダイをひとつのレチクルに
まとめて、多くのダイを一度に露光できるようにしてい
た。これによシ、各ウエーファに必要なステップ、アラ
イメント、露光のくり返し回数を減らしていた。従って
、この手続によりこのような器具の能力を高めることが
できた。
けられていなかった。従って、ワエーファの上で、それ
ぞれのダイについてステップし、位置合せし、露光する
必要があった。その後複数のダイをひとつのレチクルに
まとめて、多くのダイを一度に露光できるようにしてい
た。これによシ、各ウエーファに必要なステップ、アラ
イメント、露光のくり返し回数を減らしていた。従って
、この手続によりこのような器具の能力を高めることが
できた。
このようなシステムとプロセスは、それぞれのフォトリ
ングラフィのステップ(すなわち各マスク・レベル)毎
に別々のレチクルな必要とする。
ングラフィのステップ(すなわち各マスク・レベル)毎
に別々のレチクルな必要とする。
器具を別のマスク・レベルに切変える度に、レチクルも
変えなければならない。言い換えれば、各フォトリング
ラフィ・ステップ毎に新しいレチクルを調達しなければ
ならない。レチクルは正確な条件の下で製造しなげれば
ならならず、試作ウエーファやその他少量生産(すなわ
ち25〜5000枚位のウエーファ)に使用するには比
較的高価である。
変えなければならない。言い換えれば、各フォトリング
ラフィ・ステップ毎に新しいレチクルを調達しなければ
ならない。レチクルは正確な条件の下で製造しなげれば
ならならず、試作ウエーファやその他少量生産(すなわ
ち25〜5000枚位のウエーファ)に使用するには比
較的高価である。
本発明は上述の従来技術の問題点を解消し、少量生産を
行なう場合でも経済効率の良いレチクルおよび転写方法
を提供することを目的とする。
行なう場合でも経済効率の良いレチクルおよび転写方法
を提供することを目的とする。
本発明は、集積回路製造の際ワエーファにパターン形成
を行うだめの改良技術を提供するものである。該改良技
術は、レチクル上の別々の領域(たとえば別々の象限)
に位置する多数の集積回路マスク・パターンを有する、
新規なマルチレベル・レチクルを使用するものである。
を行うだめの改良技術を提供するものである。該改良技
術は、レチクル上の別々の領域(たとえば別々の象限)
に位置する多数の集積回路マスク・パターンを有する、
新規なマルチレベル・レチクルを使用するものである。
このレチクルは、従来のプロジェクション・ステッパ装
置に支持されて、レチクルのパターン領域のひとつを経
て光を投射し、ワエーファ等の基板にマスク・パターン
を投射するようになっている。次にこのレチクルをその
中心を軸として回動して、別のマスク・パターンを適正
位置に配置しこの別のマスク・パターンを介して基板に
光を投射するようKする。
置に支持されて、レチクルのパターン領域のひとつを経
て光を投射し、ワエーファ等の基板にマスク・パターン
を投射するようになっている。次にこのレチクルをその
中心を軸として回動して、別のマスク・パターンを適正
位置に配置しこの別のマスク・パターンを介して基板に
光を投射するようKする。
レチクル上の数種のマスク・パターンは、レチクルがそ
の中心を軸に回動すると、基板上に整合パターン(re
gistering pattern )を投射するよ
う配置されている。この方法により、単一のレチクルで
複数のイメージ・パターン(すなわち複数のレベル)が
得られ、様々の回路レベルをもつ集積回路を形成するこ
とができる。
の中心を軸に回動すると、基板上に整合パターン(re
gistering pattern )を投射するよ
う配置されている。この方法により、単一のレチクルで
複数のイメージ・パターン(すなわち複数のレベル)が
得られ、様々の回路レベルをもつ集積回路を形成するこ
とができる。
このレチクルは、適切に間隔を開けた位置関係で配置さ
れた複数のイメージ・パターンを有するので、このレチ
クルをその中心を軸に回転させると、様々のイメージ・
パターンがプロジェクション・ステッパ装置と正しく整
列され、従ってそれぞれのイメージ・パターンが、同じ
レチクルから投射される別のマスク・イメージ・パター
ンと正しく位置合せされるのである。また、集積回路の
各マスク−パターンは、プロジェクション装置のレンズ
の同じ部分を通して投射される。従って、本発明によれ
ば、レンズの別々の部分を通して様々なマスク・イメー
ジ・パターンを露光した場合に生じるレンズひずみ現象
を除去することができる。
れた複数のイメージ・パターンを有するので、このレチ
クルをその中心を軸に回転させると、様々のイメージ・
パターンがプロジェクション・ステッパ装置と正しく整
列され、従ってそれぞれのイメージ・パターンが、同じ
レチクルから投射される別のマスク・イメージ・パター
ンと正しく位置合せされるのである。また、集積回路の
各マスク−パターンは、プロジェクション装置のレンズ
の同じ部分を通して投射される。従って、本発明によれ
ば、レンズの別々の部分を通して様々なマスク・イメー
ジ・パターンを露光した場合に生じるレンズひずみ現象
を除去することができる。
さらに本発明では、複数のイメージ・パターンを同じレ
チクル上に置くことができるので、マスクの費用も低減
し得る。本発明のレチクルの構成は、基板−ヒでイメー
ジ・パターンで更に位置ずれが起ることを防ぐことがで
きる。少量のウエーファにパターン形成する場合でも大
幅にコストを節約することができる。
チクル上に置くことができるので、マスクの費用も低減
し得る。本発明のレチクルの構成は、基板−ヒでイメー
ジ・パターンで更に位置ずれが起ることを防ぐことがで
きる。少量のウエーファにパターン形成する場合でも大
幅にコストを節約することができる。
第1図、2図、3図に、本発明にかかるマルチイメージ
・レチクル、つまりマルチレベル−レチクルの3つの実
施例を示す。各レチクルは一般に平坦であり、このレチ
クル上の方向領域に複数の集積回路マスク・パターンが
位置している。
・レチクル、つまりマルチレベル−レチクルの3つの実
施例を示す。各レチクルは一般に平坦であり、このレチ
クル上の方向領域に複数の集積回路マスク・パターンが
位置している。
たとえば、第1図には、4つの異なる集積回路マスク・
パターンを有するマルチイメージ・レチクル(1)が示
されている。それぞれのマスク・パターンをレベル1%
レベル2ルベル3、レベル4で表示する。各集積回路マ
スク・パターンは、図示のようにレチクルのそれぞれ別
の象限に位置している。
パターンを有するマルチイメージ・レチクル(1)が示
されている。それぞれのマスク・パターンをレベル1%
レベル2ルベル3、レベル4で表示する。各集積回路マ
スク・パターンは、図示のようにレチクルのそれぞれ別
の象限に位置している。
レチクル(1)は図の如く、正方形の外周を形成してい
る。レチクルを従来のプロジェクション・ステッパ装置
に配した時の有効レンズ領域12はほぼ円形であり、レ
チクルの中央部に位置している。
る。レチクルを従来のプロジェクション・ステッパ装置
に配した時の有効レンズ領域12はほぼ円形であり、レ
チクルの中央部に位置している。
レチクル(1)のマスク金パターンはそれぞれ、ウエー
ファ上に形成する個々の回路レベルに対して適当なイメ
ージ・パターンを有する。したがってワエーファの同じ
部分を、レチクル(1)の各マスク・パターンに順次露
光し、露光の間に従来の薄膜成長またはデポジション技
術を適宜使用して、ウエーファ上に所望の集積回路を形
成することができる。レチクル縁部のクロスハツチング
16は、露光装置でレチクルを位置合せするためのもの
である。マルチイメージ−レチクルの場合、これらのク
ロスハツチングはレチクルの四辺全部に対称に配置され
る。
ファ上に形成する個々の回路レベルに対して適当なイメ
ージ・パターンを有する。したがってワエーファの同じ
部分を、レチクル(1)の各マスク・パターンに順次露
光し、露光の間に従来の薄膜成長またはデポジション技
術を適宜使用して、ウエーファ上に所望の集積回路を形
成することができる。レチクル縁部のクロスハツチング
16は、露光装置でレチクルを位置合せするためのもの
である。マルチイメージ−レチクルの場合、これらのク
ロスハツチングはレチクルの四辺全部に対称に配置され
る。
レチクル(1)をプロジェクション・ステッパ装置に適
正に配置して、レベル1のマスク壷パターンを正しい位
置にすると、レベル1のパターンがウエーファに投射さ
れる。次にレベル2のパターンをウエーファに投射する
ことが必要になった時には、レチクル(1)をその中心
14を軸として90゜回転してレベル2のパターンが、
最初の投射の時にレベル1があったのと全く同じ位置に
来るようにする。従ってこのようにして、レベル2のパ
ターンはウエーファにレベ/L報より形成されたパター
ンと正しく位置合わせされた状態になる。
正に配置して、レベル1のマスク壷パターンを正しい位
置にすると、レベル1のパターンがウエーファに投射さ
れる。次にレベル2のパターンをウエーファに投射する
ことが必要になった時には、レチクル(1)をその中心
14を軸として90゜回転してレベル2のパターンが、
最初の投射の時にレベル1があったのと全く同じ位置に
来るようにする。従ってこのようにして、レベル2のパ
ターンはウエーファにレベ/L報より形成されたパター
ンと正しく位置合わせされた状態になる。
次にレベル2のパターンをウエーファに投射した後、ウ
エーファ上に回路の第2レベルに必要な薄膜成長やデポ
ジション等が行なわれる。
エーファ上に回路の第2レベルに必要な薄膜成長やデポ
ジション等が行なわれる。
次にレチクル(1)をもう一度中心14を軸として90
°回転して、最初の露光時にレベル1のパターンがあっ
たと全く同じ位置にレベル3が来るようにする。そして
レベル3のパターンをウェーファに投射し、その後この
イメージ・パターンなウェーノア(1)上で現像するこ
とができる。
°回転して、最初の露光時にレベル1のパターンがあっ
たと全く同じ位置にレベル3が来るようにする。そして
レベル3のパターンをウェーファに投射し、その後この
イメージ・パターンなウェーノア(1)上で現像するこ
とができる。
次にレチクル(1)をその中心14を軸として再ヒ90
°回動し、最初の露光時にレベル1のパターンがあった
と全く同じ位置にレベル4が来るようにする。そしてレ
ベル4のパターンをウェーファに投射し、その後このイ
メージ・パターンをウェーノア(1)上で現像すること
ができる。
°回動し、最初の露光時にレベル1のパターンがあった
と全く同じ位置にレベル4が来るようにする。そしてレ
ベル4のパターンをウェーファに投射し、その後このイ
メージ・パターンをウェーノア(1)上で現像すること
ができる。
従って、以上述べた技術および新規のマルチイメージ・
レチクルを使用することKより、それぞれのマスク・イ
メージ−パターンはレンズの同じ部分を通して投射され
る。これにより、レベルの重なり合いKおけるレンズの
ひずみの影響を除去することができる。この技術はまた
、複数のイメージ・パターンに単一のレチクルを使うの
で、集積回路製造費を節約することができる。
レチクルを使用することKより、それぞれのマスク・イ
メージ−パターンはレンズの同じ部分を通して投射され
る。これにより、レベルの重なり合いKおけるレンズの
ひずみの影響を除去することができる。この技術はまた
、複数のイメージ・パターンに単一のレチクルを使うの
で、集積回路製造費を節約することができる。
第2図は、マルチイメージ・レチクルの他の実施例を示
すもので、ここでレベル1、レベル2、レベル3の3つ
の集積回路マスク・パターンがある。このレチクル20
は、4つではなくて3つのマスク・パターンがあるとい
う点を除き、レチクルlOと同様に用いられる。
すもので、ここでレベル1、レベル2、レベル3の3つ
の集積回路マスク・パターンがある。このレチクル20
は、4つではなくて3つのマスク・パターンがあるとい
う点を除き、レチクルlOと同様に用いられる。
ウエーファをレベルlのマスク・パターンに露光した後
、このレチクルをその中心14を軸に90’回転して、
レベル2のマスク・パターンを、最初の露光時レベル1
のパターンがあったと同じ位置に配置する。次にレチク
ル20をその中心14を軸として再び90’回転して、
レベル3のマスク・パターンなウエーファへの正しい露
光位置に置く。
、このレチクルをその中心14を軸に90’回転して、
レベル2のマスク・パターンを、最初の露光時レベル1
のパターンがあったと同じ位置に配置する。次にレチク
ル20をその中心14を軸として再び90’回転して、
レベル3のマスク・パターンなウエーファへの正しい露
光位置に置く。
第3図はマルチイメージ・レチクルのさらに他の実施例
を示すもので、ここではレベル1とレベル202つの集
積回路マスク・パターンがある。
を示すもので、ここではレベル1とレベル202つの集
積回路マスク・パターンがある。
このレチクル30も、4つではなく2つのマスク・パタ
ーンがある以外は、レチクル(1)と同様に用いられる
。
ーンがある以外は、レチクル(1)と同様に用いられる
。
ウエーファをレベル1のマスク・パターン形成光した後
、レチクル30をその中心14を軸に180°回転して
、レベル2のマスク・パターンを。
、レチクル30をその中心14を軸に180°回転して
、レベル2のマスク・パターンを。
最初の露光時レベル1のパターンがあったと同じ位置に
配置する。
配置する。
第4図は、レチクルのマスク・イメージ・パターンをウ
エーファに投射する典型的な態様を示もここではアパー
チャ42の開口部42Aを経て下方に光を投射する従来
の投光器41が示されている。マルチレベル・レチクル
43は、レチクル・プラテン44上に支持され、レチク
ル・プラテン44上の基部マークと正しく合わせられる
。
エーファに投射する典型的な態様を示もここではアパー
チャ42の開口部42Aを経て下方に光を投射する従来
の投光器41が示されている。マルチレベル・レチクル
43は、レチクル・プラテン44上に支持され、レチク
ル・プラテン44上の基部マークと正しく合わせられる
。
アパーチャ・ブレード42B、43C142D、42B
はそれぞれ独立に調整して、投光器41からの光が図示
のようにマルチレベル・レチクル上の所望のイメージ・
パターンのみ通過するようにできもパターン形成する所
望の基板またはウエーファ46には、感光材料を被覆し
である。次に基板をステッピング・ステージ4−7に乗
せて、これをレチクルまたは光学カラム450基単マー
クと合わせる。
はそれぞれ独立に調整して、投光器41からの光が図示
のようにマルチレベル・レチクル上の所望のイメージ・
パターンのみ通過するようにできもパターン形成する所
望の基板またはウエーファ46には、感光材料を被覆し
である。次に基板をステッピング・ステージ4−7に乗
せて、これをレチクルまたは光学カラム450基単マー
クと合わせる。
投光器41のシャッタにより、元は図示のように、投光
器41から、アパーチャ・グレード開口部、マルチレベ
ル・レチクル43.M小レンズまたは光学カラム45の
順に通し、最後にワエーファ46に至る。
器41から、アパーチャ・グレード開口部、マルチレベ
ル・レチクル43.M小レンズまたは光学カラム45の
順に通し、最後にワエーファ46に至る。
レチクル43からの別のイメージの投射は、レチクル4
3を90’回転し各イメージがレンズまたはカラム45
の同じ場所を通ってウエーファ46に投射されるように
して行なわれる。
3を90’回転し各イメージがレンズまたはカラム45
の同じ場所を通ってウエーファ46に投射されるように
して行なわれる。
以上詳細に説明したようK、本発明によれば1枚のレチ
クルに複数のレベルのマスターパターンを入れることが
できるので、少量生産の半導体の製造等には特に有益で
ある。
クルに複数のレベルのマスターパターンを入れることが
できるので、少量生産の半導体の製造等には特に有益で
ある。
第1図ないし第3図は本発明のマルチレベル・レチクル
の実施例を示す図、第4図は本発明のパターン転写方法
の実施例を説明するための図である。 (1).20,30.43 ニレチクル、14:中心、
41:投光器、 42ニアパーチヤ、42A:開[コ部、)” 42B、42C,42D、42Eニアパーチヤ・タレー
トー44ニレチクル―プラテン。 45:光学カラム。 46:ウエーフア、 47:ステツピング拳ステージ。
の実施例を示す図、第4図は本発明のパターン転写方法
の実施例を説明するための図である。 (1).20,30.43 ニレチクル、14:中心、
41:投光器、 42ニアパーチヤ、42A:開[コ部、)” 42B、42C,42D、42Eニアパーチヤ・タレー
トー44ニレチクル―プラテン。 45:光学カラム。 46:ウエーフア、 47:ステツピング拳ステージ。
Claims (2)
- (1)複数のマスク・パターンを含むマルチイメージ・
レチクルにおいて、 前記マスク・パターンの各々は前記レチクル上の別々の
領域に設けられ、 前記マスク・パターンの1つをウエーファ上に投影して
そのイメージを転写後前記レチクルを回転させることに
より前記マスク・パターンの他の1つを前記イメージに
位置合わせされた状態で前記ウエーファ上に転写できる
ようにした マルチレベル・レチクル。 - (2)プロジェクション・ステッパを用いて請求項1記
載のマルチレベル・レチクルの前記マスク・パターンの
1つをウエーファ上に投影して第1のイメージを形成し
、 前記レチクルを前記マスク・パターンの他の1つが前記
ウエーファ上の前記第1のイメージに位置合わせされた
状態になるように回転し、前記他の1つのマスク・パタ
ーンを前記ウエーファ上に投影して前記第1のイメージ
に位置合わせされた第2のイメージを形成する ことを含むパターン転写方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/014,955 US4758863A (en) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | Multi-image reticle |
US014955 | 1987-02-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63211622A true JPS63211622A (ja) | 1988-09-02 |
JP2752365B2 JP2752365B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=21768763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3642788A Expired - Lifetime JP2752365B2 (ja) | 1987-02-17 | 1988-02-17 | マルチレベル・レチクル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4758863A (ja) |
JP (1) | JP2752365B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0262541A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Nec Corp | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (31)
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