JPH0222531B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0222531B2 JPH0222531B2 JP61034225A JP3422586A JPH0222531B2 JP H0222531 B2 JPH0222531 B2 JP H0222531B2 JP 61034225 A JP61034225 A JP 61034225A JP 3422586 A JP3422586 A JP 3422586A JP H0222531 B2 JPH0222531 B2 JP H0222531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manual alignment
- pattern
- alignment marks
- pair
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はパターン位置合わせ方法に関し、特に
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
(ロ) 従来の技術
半導体装置は年々集積度が増し、パターンの微
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
具体的に露光技術としては、工業調査会発行
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、1:1の露光方法と5:
1あるいは10:1等の縮小露光方法に大別され
る。
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、1:1の露光方法と5:
1あるいは10:1等の縮小露光方法に大別され
る。
1:1の露光方法を採用するコンタクト露光方
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第4図および第5図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン11,12を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク1
3を設けている。第4図はキーパターン11,1
2を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン11,12を設けてい
る。第5図は第4図の左右のキーパターン11,
12およびその周辺の各素子パターン14…14
の拡大図である。通常キーパターン11,12は
素子パターン14の1個分を占有し、への字のタ
ーゲツトマークで形成されている。各素子パター
ン14…14には各素子を形成する上で必要なパ
ターン(図示せず)と周辺あるいはスクライブラ
イン上にマニユアルアライメントマーク13が設
けられている。
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第4図および第5図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン11,12を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク1
3を設けている。第4図はキーパターン11,1
2を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン11,12を設けてい
る。第5図は第4図の左右のキーパターン11,
12およびその周辺の各素子パターン14…14
の拡大図である。通常キーパターン11,12は
素子パターン14の1個分を占有し、への字のタ
ーゲツトマークで形成されている。各素子パター
ン14…14には各素子を形成する上で必要なパ
ターン(図示せず)と周辺あるいはスクライブラ
イン上にマニユアルアライメントマーク13が設
けられている。
従来の露光方式ではキーパターン11,12を
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク13を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
11,12と各素子パターン14の誤差や製造中
に生ずるウエハの歪による誤差を手動で修正する
ものである。
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク13を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
11,12と各素子パターン14の誤差や製造中
に生ずるウエハの歪による誤差を手動で修正する
ものである。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら従来の露光方式ではマニユアルア
ライメントマーク13はキーパターン11,12
のへの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク13を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機構を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク13を同時に捕えられるからである。
ライメントマーク13はキーパターン11,12
のへの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク13を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機構を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク13を同時に捕えられるからである。
ところがマニユアルアライメントマーク13の
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク13の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク13を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク13の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク13を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
また同じターゲツトセンタTCを複数工程で利
用する場合にはターゲツトセンタTCの延長線上
にマニユアルアライメントマーク13を設ける場
合1個のマニユアルアライメントマーク13しか
設けられず、複数工程で夫々新しいマニユアルア
ライメントマーク13を利用できない欠点があつ
た。
用する場合にはターゲツトセンタTCの延長線上
にマニユアルアライメントマーク13を設ける場
合1個のマニユアルアライメントマーク13しか
設けられず、複数工程で夫々新しいマニユアルア
ライメントマーク13を利用できない欠点があつ
た。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、マニユ
アルアライメントマークをターゲツトセンタTC
より等距離離間して左右に設けることにより、マ
ニユアルアライメントマークを設けられる位置の
任意性を増加させて設計の自由度を持たせたパタ
ーン位置合わせ方法を提供するものである。
アルアライメントマークをターゲツトセンタTC
より等距離離間して左右に設けることにより、マ
ニユアルアライメントマークを設けられる位置の
任意性を増加させて設計の自由度を持たせたパタ
ーン位置合わせ方法を提供するものである。
(ホ) 作用
本発明に依れば、マニユアルアライメントマー
クをターゲツトセンタTCより左右に等距離離し
て複数個設けているので、キーパターンを用いて
マスク合わせ装置で自動的に位置合わせを行つた
後一対の対物レンズを左右に動かしても同時にマ
ニユアルアライメントマークを見ることができ
る。
クをターゲツトセンタTCより左右に等距離離し
て複数個設けているので、キーパターンを用いて
マスク合わせ装置で自動的に位置合わせを行つた
後一対の対物レンズを左右に動かしても同時にマ
ニユアルアライメントマークを見ることができ
る。
(ヘ) 実施例
本発明に依るパターン位置合わせ方法を第1図
乃至第3図を参照して詳述する。
乃至第3図を参照して詳述する。
第1図に示す左右のパターンは、第2図に示し
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン1,2およびその周辺の各素子パターン(図示
せず)の拡大図である。
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン1,2およびその周辺の各素子パターン(図示
せず)の拡大図である。
本発明に依る位置合わせ用マークはキーパター
ン1,2とマニユアルアライメントマーク3より
構成されている。キーパターン1,2は第2図に
示す如く、左右に離間して設けられ、通常各キー
パターン1,2は素子パターン4の1個分を占有
して形成される。キーパターン1,2の形状はへ
の字のターゲツトマークで形成され、ウエハ上の
への字マークを位置させてマスク上の平行に離間
した2つのハの字のターゲツトマーク(図示せ
ず)の中間に位置合わせを行う。キーパターン
1,2には第1図では1種しかないが、複数種の
ターゲツトマーク5を有し、ターゲツトマークの
頂点を結ぶ点線をターゲツトセンタTCと呼んで
いる。従つて各ターゲツトマーク毎に異なるター
ゲツトセンタTCを有する。マニユアルアライメ
ントマーク3…3は各素子パターン4毎に設けら
れ、各素子パターン4の周辺あるいは隣接したス
クライブライン上に設けられる。マニユアルアラ
イメントマーク3…3は正方形又は長方形状の枠
内に種々の拡散やエツチング等のプロセス工程に
対応した指示マークを設けて形成される。
ン1,2とマニユアルアライメントマーク3より
構成されている。キーパターン1,2は第2図に
示す如く、左右に離間して設けられ、通常各キー
パターン1,2は素子パターン4の1個分を占有
して形成される。キーパターン1,2の形状はへ
の字のターゲツトマークで形成され、ウエハ上の
への字マークを位置させてマスク上の平行に離間
した2つのハの字のターゲツトマーク(図示せ
ず)の中間に位置合わせを行う。キーパターン
1,2には第1図では1種しかないが、複数種の
ターゲツトマーク5を有し、ターゲツトマークの
頂点を結ぶ点線をターゲツトセンタTCと呼んで
いる。従つて各ターゲツトマーク毎に異なるター
ゲツトセンタTCを有する。マニユアルアライメ
ントマーク3…3は各素子パターン4毎に設けら
れ、各素子パターン4の周辺あるいは隣接したス
クライブライン上に設けられる。マニユアルアラ
イメントマーク3…3は正方形又は長方形状の枠
内に種々の拡散やエツチング等のプロセス工程に
対応した指示マークを設けて形成される。
本発明の特徴はキーパターン1,2とマニユア
ルアライメントマーク3…3′との位置関係にあ
る。即ちキーパターン1,2のターゲツトマーク
5のターゲツトセンタTCから左右に等距離aだ
け離間して同一のマニユアルアライメントマーク
3,3′を各素子パターン内あるいは隣接したス
クライブライン上に一対設けているのである。こ
の関係を満足するとき一対の対物レンズをターゲ
ツトセンタTCより内側にaだけ移動すると、第
1図の左側に示すキーパターン1側では矢印の如
く各素子パターン4の右側のマニユアルアライメ
ントマーク3′を見ることができ、第1図の右側
に示すキーパターン2側では矢印の如く各素子パ
ターン4の左側のマニユアルアライメントマーク
3を見ることができる。逆に一対の対物レンズを
ターゲツトセンタTCより外側にaだけ移動する
と、第1図の左側に示すキーパターン1側では矢
印の如く各素子パターン4の左側のマニユアルア
ライメントマーク3を見ることができ、第1図の
右側に示すキーパターン2側では矢印の如く各素
子パターン4の右側のマニユアルアライメントマ
ーク3′を見ることができる。後は一対の対物レ
ンズを内側あるいは外側に各素子パターン4の横
サイズだけ移動すれば隣接する各素子パターン4
のマニユアルアライメントマーク3…3′を次々
に一対の対物レンズを用いて同時に見ることがで
きる。
ルアライメントマーク3…3′との位置関係にあ
る。即ちキーパターン1,2のターゲツトマーク
5のターゲツトセンタTCから左右に等距離aだ
け離間して同一のマニユアルアライメントマーク
3,3′を各素子パターン内あるいは隣接したス
クライブライン上に一対設けているのである。こ
の関係を満足するとき一対の対物レンズをターゲ
ツトセンタTCより内側にaだけ移動すると、第
1図の左側に示すキーパターン1側では矢印の如
く各素子パターン4の右側のマニユアルアライメ
ントマーク3′を見ることができ、第1図の右側
に示すキーパターン2側では矢印の如く各素子パ
ターン4の左側のマニユアルアライメントマーク
3を見ることができる。逆に一対の対物レンズを
ターゲツトセンタTCより外側にaだけ移動する
と、第1図の左側に示すキーパターン1側では矢
印の如く各素子パターン4の左側のマニユアルア
ライメントマーク3を見ることができ、第1図の
右側に示すキーパターン2側では矢印の如く各素
子パターン4の右側のマニユアルアライメントマ
ーク3′を見ることができる。後は一対の対物レ
ンズを内側あるいは外側に各素子パターン4の横
サイズだけ移動すれば隣接する各素子パターン4
のマニユアルアライメントマーク3…3′を次々
に一対の対物レンズを用いて同時に見ることがで
きる。
次に第3図に本発明の他の実施例を示す。本実
施例は1つのターゲツトセンタTCに対して複数
のターゲツトマーク5,5′を設けこれに対応し
て複数組のマニユアルアライメントマーク3…
3′,6…6′を設けるものである。内側に設けた
ターゲツトセンタTCより距離aだけ左右に離間
したターゲツトマーク5に対応した第1組の一対
の同一のマニユアルアライメントマーク3,3′
と外側に設けたターゲツトセンタTCより距離b
だけ左右に離間したターゲツトマーク5′に対応
した第2組の一対の同一のマニユアルアライメン
トマーク6,6′とで形成されている。本実施例
では1つのターゲツトセンタTCに対して複数組
のマニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′を全く任意の位置に設けることが可能となり、
同一ターゲツトセンタTCを用いても各工程で新
しいマニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′を利用でき、マニユアルアライメントマーク
3,3′,6,6′が見易くなる。しかも複数組の
マニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′は前述した実施例と同様にして一対の対物レ
ンズで同時に見ることができる。
施例は1つのターゲツトセンタTCに対して複数
のターゲツトマーク5,5′を設けこれに対応し
て複数組のマニユアルアライメントマーク3…
3′,6…6′を設けるものである。内側に設けた
ターゲツトセンタTCより距離aだけ左右に離間
したターゲツトマーク5に対応した第1組の一対
の同一のマニユアルアライメントマーク3,3′
と外側に設けたターゲツトセンタTCより距離b
だけ左右に離間したターゲツトマーク5′に対応
した第2組の一対の同一のマニユアルアライメン
トマーク6,6′とで形成されている。本実施例
では1つのターゲツトセンタTCに対して複数組
のマニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′を全く任意の位置に設けることが可能となり、
同一ターゲツトセンタTCを用いても各工程で新
しいマニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′を利用でき、マニユアルアライメントマーク
3,3′,6,6′が見易くなる。しかも複数組の
マニユアルアライメントマーク3,3′,6,
6′は前述した実施例と同様にして一対の対物レ
ンズで同時に見ることができる。
本発明に依れば、キーパターン1,2を用いて
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整ではターゲツトセンタTCよりa又は
bだけ左右に離れた位置にマニユアルアライメン
トマーク3…3′,6…6′を設けているので、一
対の対物レンズを外側又は内側に移動しても必ず
両視野に同時に同一のマニユアルアライメントマ
ーク3…3′,6…6′を見ることができる。
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整ではターゲツトセンタTCよりa又は
bだけ左右に離れた位置にマニユアルアライメン
トマーク3…3′,6…6′を設けているので、一
対の対物レンズを外側又は内側に移動しても必ず
両視野に同時に同一のマニユアルアライメントマ
ーク3…3′,6…6′を見ることができる。
(ト) 発明の効果
本発明に依れば、マニユアルアライメントマー
ク3…3′を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定でき、更にターゲツトセンタTCよ
り左右に等距離だけ離間して同一のマニユアルア
ライメントマーク3…3′を設けるのみで良く、
マニユアルアライメントマーク3…3′の位置を
選択でき、パターン設計の自由度を大巾に向上で
きる。
ク3…3′を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定でき、更にターゲツトセンタTCよ
り左右に等距離だけ離間して同一のマニユアルア
ライメントマーク3…3′を設けるのみで良く、
マニユアルアライメントマーク3…3′の位置を
選択でき、パターン設計の自由度を大巾に向上で
きる。
また本発明に依ればターゲツトセンタTCの位
置が任意であり、種々の位置にターゲツトマーク
5を設けることができる。従つて本発明は従来の
キーパターン1,2を用いても良く、既存のキー
パターン1,2がそのまま使用できる利点があ
る。
置が任意であり、種々の位置にターゲツトマーク
5を設けることができる。従つて本発明は従来の
キーパターン1,2を用いても良く、既存のキー
パターン1,2がそのまま使用できる利点があ
る。
次に本発明ではマニユアルアライメントマーク
3…3′の位置を変更しても従来と全く同じ様に
一対の対物レンズの両視野に同時にマニユアルア
ライメントマーク3…3′を見ながらオフセツト
調整が行なえ、オフセツト調整の時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
3…3′の位置を変更しても従来と全く同じ様に
一対の対物レンズの両視野に同時にマニユアルア
ライメントマーク3…3′を見ながらオフセツト
調整が行なえ、オフセツト調整の時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
更に本発明では1つのターゲツトセンタTCに
対して複数組のマニユアルアライメントマーク
3,3′,6,6′を設けられるので、複数工程で
のターゲツトセンタTCを共通にしても各工程で
新たなマニユアルアライメントマーク3,3′,
6,6′を用いることができ、マニユアルアライ
メントマーク3,3′,6,6′が見易くアライメ
ント精度を向上できる。
対して複数組のマニユアルアライメントマーク
3,3′,6,6′を設けられるので、複数工程で
のターゲツトセンタTCを共通にしても各工程で
新たなマニユアルアライメントマーク3,3′,
6,6′を用いることができ、マニユアルアライ
メントマーク3,3′,6,6′が見易くアライメ
ント精度を向上できる。
第1図は本発明のパターン位置合わせ方法を説
明する上面図、第2図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第3図は本発明の
他の実施例を説明する上面図、第4図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第5図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 1,2はキーパターン、3,3′,6,6′はマ
ニユアルアライメントマーク、4は素子パター
ン、5はターゲツトマークである。
明する上面図、第2図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第3図は本発明の
他の実施例を説明する上面図、第4図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第5図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 1,2はキーパターン、3,3′,6,6′はマ
ニユアルアライメントマーク、4は素子パター
ン、5はターゲツトマークである。
Claims (1)
- 1 キーパターンと各素子毎に設けたマニユアル
アライメントマークとを有するマスクを用いて前
記キーパターンで自動位置合わせを行つた後に一
対の対物レンズを用いて左右のマニユアルアライ
メントマークを用いてオフセツト調整を行うパタ
ーン位置合わせにおいて、前記キーパターンのタ
ーゲツトマークの中心線より等距離離間した左右
の位置に複数個の前記マニユアルアライメントマ
ークを設け、前記一対の対物レンズで前記マニユ
アルアライメントマークを同時に見てオフセツト
調整を行うことを特徴とするパターン位置合わせ
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61034225A JPS62193122A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61034225A JPS62193122A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62193122A JPS62193122A (ja) | 1987-08-25 |
JPH0222531B2 true JPH0222531B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=12408202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61034225A Granted JPS62193122A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62193122A (ja) |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61034225A patent/JPS62193122A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62193122A (ja) | 1987-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2593440B2 (ja) | 投影型露光装置 | |
US4758863A (en) | Multi-image reticle | |
JP7249994B2 (ja) | フォトリソグラフィマスクを整列させる方法及び半導体材料のウェファの集積回路を製造する対応する工程 | |
US4657379A (en) | Photomask and exposure apparatus using the same | |
TW201719300A (zh) | 投影曝光裝置 | |
JP3461708B2 (ja) | アライメントマーク装置 | |
US6306558B1 (en) | Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist | |
US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
JPH0222531B2 (ja) | ||
JP2001022098A (ja) | 露光装置におけるアライメント装置、被露光基板、及びアライメントマーク | |
US20030039928A1 (en) | Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits | |
JPH0222530B2 (ja) | ||
JPH0222533B2 (ja) | ||
JPH0222532B2 (ja) | ||
JP2647835B2 (ja) | ウェハーの露光方法 | |
JP2741114B2 (ja) | カラー用液晶基板の位置合わせ方法 | |
JPH1197327A (ja) | 露光装置のマスク取付機構 | |
JPH0864520A (ja) | レチクルの回転誤差測定用のレチクルおよび方法 | |
JPH0387013A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3624920B2 (ja) | 露光方法 | |
JPS5821740A (ja) | 投影露光用フオトマスク | |
JPH01117322A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPS62254423A (ja) | 半導体焼付装置 | |
JPH0144009B2 (ja) | ||
JPS61288423A (ja) | 露光方法及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |