JPH10261559A - 半導体装置の製造方法および露光装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および露光装置Info
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- JPH10261559A JPH10261559A JP6339397A JP6339397A JPH10261559A JP H10261559 A JPH10261559 A JP H10261559A JP 6339397 A JP6339397 A JP 6339397A JP 6339397 A JP6339397 A JP 6339397A JP H10261559 A JPH10261559 A JP H10261559A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストかつ短い所要時間にて、半導体ウェ
ハにナンバリング等の識別情報パターンを形成する。 【解決手段】 回路パターン用レチクル４０とは別個に
設けられた専用のナンバリングレチクル６０に形成され
た複数の数字パターンや英字パターン６３を、複数の可
動遮光ブレード７１，可動遮光ブレード７２および可動
遮光ブレード８１，可動遮光ブレード８２にて構成され
るサイズ／位置可変の透過窓領域７０により、任意の一
つの英字パターン６３を露光光源光学系５０から放射さ
れる露光光５１に対して選択的に露出させ、当該一つの
英字パターン６３を投影光学系３０を介してＸＹテーブ
ル２０上の半導体ウェハ１０に露光する操作を、識別情
報パターン９０を構成する必要な文字列の分だけ反復す
ることにより所望の識別情報パターン９０を半導体ウェ
ハ１０の任意の位置（識別情報形成領域１３）に形成す
る。
ハにナンバリング等の識別情報パターンを形成する。 【解決手段】 回路パターン用レチクル４０とは別個に
設けられた専用のナンバリングレチクル６０に形成され
た複数の数字パターンや英字パターン６３を、複数の可
動遮光ブレード７１，可動遮光ブレード７２および可動
遮光ブレード８１，可動遮光ブレード８２にて構成され
るサイズ／位置可変の透過窓領域７０により、任意の一
つの英字パターン６３を露光光源光学系５０から放射さ
れる露光光５１に対して選択的に露出させ、当該一つの
英字パターン６３を投影光学系３０を介してＸＹテーブ
ル２０上の半導体ウェハ１０に露光する操作を、識別情
報パターン９０を構成する必要な文字列の分だけ反復す
ることにより所望の識別情報パターン９０を半導体ウェ
ハ１０の任意の位置（識別情報形成領域１３）に形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術および露光技術に関し、特に、半導体装置の製造工
程におけるウェハプロセス等に適用して有効な技術に関
する。
技術および露光技術に関し、特に、半導体装置の製造工
程におけるウェハプロセス等に適用して有効な技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
工程を流れる半導体ウェハを識別するためのロット番号
や製品番号等として、英数字の文字列等からなるＩＤ情
報を半導体ウェハの一部に形成することが知られてい
る。
工程を流れる半導体ウェハを識別するためのロット番号
や製品番号等として、英数字の文字列等からなるＩＤ情
報を半導体ウェハの一部に形成することが知られてい
る。
【０００３】従来、このようなＩＤ情報の形成方法とし
ては、たとえば、日刊工業新聞社、１９９１年９月２８
日第２版第１刷発行、日本半導体製造装置協会編「半導
体製造装置用語辞典」Ｐ２３４、等の文献にも記載され
ているように、専用のレーザビームマーキング装置を使
用し、レーザビームを半導体ウェハの一部に、たとえば
一筆書きの要領で照射してＩＤ情報の文字を記入するこ
とが考えられる。
ては、たとえば、日刊工業新聞社、１９９１年９月２８
日第２版第１刷発行、日本半導体製造装置協会編「半導
体製造装置用語辞典」Ｐ２３４、等の文献にも記載され
ているように、専用のレーザビームマーキング装置を使
用し、レーザビームを半導体ウェハの一部に、たとえば
一筆書きの要領で照射してＩＤ情報の文字を記入するこ
とが考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な従来技術では、専用のレーザビームマーキング装置を
用意する必要があり、工程が複雑かつコスト高になると
ともに、露光装置等から専用のレーザビームマーキング
装置に半導体ウェハを移動させる必要があり、工程完了
までの所要時間（ＴＡＴ：Turn Around Time）も必要以
上に長くなる、という技術的課題があった。
な従来技術では、専用のレーザビームマーキング装置を
用意する必要があり、工程が複雑かつコスト高になると
ともに、露光装置等から専用のレーザビームマーキング
装置に半導体ウェハを移動させる必要があり、工程完了
までの所要時間（ＴＡＴ：Turn Around Time）も必要以
上に長くなる、という技術的課題があった。
【０００５】本発明の目的は、工程を必要以上に複雑
化、高コスト化することなく、半導体ウェハの所望の部
位に対する所望の識別情報パターンを形成することが可
能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
化、高コスト化することなく、半導体ウェハの所望の部
位に対する所望の識別情報パターンを形成することが可
能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、所望の工程完了まで
の所要時間を増大させることなく、半導体ウェハの所望
の部位に対する所望の識別情報パターンを形成すること
が可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
の所要時間を増大させることなく、半導体ウェハの所望
の部位に対する所望の識別情報パターンを形成すること
が可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、工程を必要以上に複
雑化、高コスト化することなく、半導体ウェハの所望の
部位に対する所望の識別情報パターンを形成することが
可能な露光技術を提供することにある。
雑化、高コスト化することなく、半導体ウェハの所望の
部位に対する所望の識別情報パターンを形成することが
可能な露光技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、所望の工程完了まで
の所要時間を増大させることなく、半導体ウェハの所望
の部位に対する所望の識別情報パターンを形成すること
が可能な露光技術を提供することにある。
の所要時間を増大させることなく、半導体ウェハの所望
の部位に対する所望の識別情報パターンを形成すること
が可能な露光技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】本発明は、半導体ウェハに設けられた複数
のチップ形成領域にホトリソグラフィにて回路パターン
を転写形成することにより、チップ形成領域に所望の機
能の半導体装置を形成する半導体装置の製造方法におい
て、ホトリソグラフィにより、半導体ウェハの一部に、
個々の半導体ウェハおよび当該半導体ウェハ内に形成さ
れる個々の半導体装置の少なくとも一方を識別するため
の識別情報パターンを形成するものである。
のチップ形成領域にホトリソグラフィにて回路パターン
を転写形成することにより、チップ形成領域に所望の機
能の半導体装置を形成する半導体装置の製造方法におい
て、ホトリソグラフィにより、半導体ウェハの一部に、
個々の半導体ウェハおよび当該半導体ウェハ内に形成さ
れる個々の半導体装置の少なくとも一方を識別するため
の識別情報パターンを形成するものである。
【００１２】識別情報パターンは、たとえば文字列から
なり、当該文字列を１文字ずつ順に露光することで、各
半導体ウェハ毎あるいは、半導体ウェハ内の複数のチッ
プ形成領域の各々に異なる識別情報パターンを付与す
る。
なり、当該文字列を１文字ずつ順に露光することで、各
半導体ウェハ毎あるいは、半導体ウェハ内の複数のチッ
プ形成領域の各々に異なる識別情報パターンを付与す
る。
【００１３】また、本発明は、半導体装置の製造工程に
て用いられる露光装置において、半導体ウェハに設けら
れた複数のチップ形成領域に回路パターンを転写形成す
るための第１の露光原版と、半導体ウェハの一部に、個
々の半導体ウェハおよび当該半導体ウェハ内に形成され
る個々の半導体装置の少なくとも一方を識別するための
識別情報パターンを形成する第２の露光原版とを備える
ようにしたものである。
て用いられる露光装置において、半導体ウェハに設けら
れた複数のチップ形成領域に回路パターンを転写形成す
るための第１の露光原版と、半導体ウェハの一部に、個
々の半導体ウェハおよび当該半導体ウェハ内に形成され
る個々の半導体装置の少なくとも一方を識別するための
識別情報パターンを形成する第２の露光原版とを備える
ようにしたものである。
【００１４】第２の露光原版には、英字や数字等の複数
の文字パターンが設けられ、これらの文字パターンを１
文字ずつ選択して露光することにより、異なる文字列か
らなる識別情報パターンを、半導体ウェハ毎あるいは、
半導体ウェハ内の複数のチップ形成領域の各々に付与す
る。
の文字パターンが設けられ、これらの文字パターンを１
文字ずつ選択して露光することにより、異なる文字列か
らなる識別情報パターンを、半導体ウェハ毎あるいは、
半導体ウェハ内の複数のチップ形成領域の各々に付与す
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態である半導体
装置の製造方法に用いられる露光装置の構成の一例を示
す概念図である。
装置の製造方法に用いられる露光装置の構成の一例を示
す概念図である。
【００１７】本実施の形態の露光装置は、半導体ウェハ
１０が載置されるＸＹテーブル２０と、投影光学系３０
と、半導体ウェハ１０に対して転写すべき所望の回路パ
ターンが形成された回路パターン用レチクル４０（第１
の露光原版）と、露光光源光学系５０とを備えている。
１０が載置されるＸＹテーブル２０と、投影光学系３０
と、半導体ウェハ１０に対して転写すべき所望の回路パ
ターンが形成された回路パターン用レチクル４０（第１
の露光原版）と、露光光源光学系５０とを備えている。
【００１８】そして、露光光源光学系５０から放射さ
れ、回路パターン用レチクル４０を透過した露光光５１
を、投影光学系３０を介して半導体ウェハ１０のチップ
形成領域１１の各々に、たとえば、１／５の倍率等で照
射する操作を繰り返す（スップ・アンド・リピート）こ
とにより、半導体ウェハ１０の個々のチップ形成領域１
１に被着形成されている図示しないホトレジストを所望
の回路パターンに感光させる露光処理が行われる。
れ、回路パターン用レチクル４０を透過した露光光５１
を、投影光学系３０を介して半導体ウェハ１０のチップ
形成領域１１の各々に、たとえば、１／５の倍率等で照
射する操作を繰り返す（スップ・アンド・リピート）こ
とにより、半導体ウェハ１０の個々のチップ形成領域１
１に被着形成されている図示しないホトレジストを所望
の回路パターンに感光させる露光処理が行われる。
【００１９】本実施の形態の場合、回路パターン用レチ
クル４０の他に、後述のようなナンバリング等のＩＤ情
報の書込を行うために専用に用いられるナンバリングレ
チクル６０（第２の露光原版）と、このナンバリングレ
チクル６０における所望の領域を選択的に半導体ウェハ
１０に転写するための複数の可動遮光ブレード７１，可
動遮光ブレード７２および可動遮光ブレード８１，可動
遮光ブレード８２を備えている。
クル４０の他に、後述のようなナンバリング等のＩＤ情
報の書込を行うために専用に用いられるナンバリングレ
チクル６０（第２の露光原版）と、このナンバリングレ
チクル６０における所望の領域を選択的に半導体ウェハ
１０に転写するための複数の可動遮光ブレード７１，可
動遮光ブレード７２および可動遮光ブレード８１，可動
遮光ブレード８２を備えている。
【００２０】図２は、本実施の形態におけるナンバリン
グレチクル６０の構成の一例を示す平面図である。外周
部に支持枠６４を備えた透明基板６１の上に、所望の物
質からなる遮光膜にて、たとえば、１〜０の数字パター
ン６２と、Ａ〜Ｚの英字パターン６３が、所定のピッチ
で配列形成されている。なお、ナンバリングレチクル６
０の設計データの節約等のため、英字のＩおよびＯは、
数字の１および０を代用する。
グレチクル６０の構成の一例を示す平面図である。外周
部に支持枠６４を備えた透明基板６１の上に、所望の物
質からなる遮光膜にて、たとえば、１〜０の数字パター
ン６２と、Ａ〜Ｚの英字パターン６３が、所定のピッチ
で配列形成されている。なお、ナンバリングレチクル６
０の設計データの節約等のため、英字のＩおよびＯは、
数字の１および０を代用する。
【００２１】個々の数字パターン６２および英字パター
ン６３の大きさは、半導体ウェハ１０上における当該文
字の配置寸法と、投影光学系３０の投影倍率を考慮して
決められる。一例として、半導体ウェハ１０上に、個々
の文字を幅：２４００μｍ×高さ：３１００μｍの寸法
で書き込む場合、投影倍率（例：１／５）を考慮する
と、ナンバリングレチクル６０上では、個々の数字パタ
ーン６２および英字パターン６３の大きさは、幅：１２
０００μｍ×高さ：１５５００μｍとなる。
ン６３の大きさは、半導体ウェハ１０上における当該文
字の配置寸法と、投影光学系３０の投影倍率を考慮して
決められる。一例として、半導体ウェハ１０上に、個々
の文字を幅：２４００μｍ×高さ：３１００μｍの寸法
で書き込む場合、投影倍率（例：１／５）を考慮する
と、ナンバリングレチクル６０上では、個々の数字パタ
ーン６２および英字パターン６３の大きさは、幅：１２
０００μｍ×高さ：１５５００μｍとなる。
【００２２】従って、ナンバリングレチクル６０におけ
る文字パターン配置領域全体のサイズは、ほぼ、７０mm
×９３mmである。
る文字パターン配置領域全体のサイズは、ほぼ、７０mm
×９３mmである。
【００２３】なお、図２の例では、数字パターン６２お
よび英字パターン６３を遮光膜にて形成しているが、こ
れは、半導体ウェハ１０に被着されている露光対象のレ
ジストが、ネガ型レジストの場合である。ポジ型レジス
トの場合には、数字パターン６２および英字パターン６
３を透過パターンとして形成する。露光／現像／エッチ
ング等をへて半導体ウェハ１０上に形成される識別情報
パターン９０を安定な凹型パターン（抜きパターン）と
するためである。すなわち、半導体ウェハ１０上に文字
等からなる識別情報パターン９０を凸型の孤立パターン
として形成すると剥落して異物等の原因になりやすいの
で、最終的に凹パターンとして半導体ウェハ１０に形成
されるようにすることが望ましい。
よび英字パターン６３を遮光膜にて形成しているが、こ
れは、半導体ウェハ１０に被着されている露光対象のレ
ジストが、ネガ型レジストの場合である。ポジ型レジス
トの場合には、数字パターン６２および英字パターン６
３を透過パターンとして形成する。露光／現像／エッチ
ング等をへて半導体ウェハ１０上に形成される識別情報
パターン９０を安定な凹型パターン（抜きパターン）と
するためである。すなわち、半導体ウェハ１０上に文字
等からなる識別情報パターン９０を凸型の孤立パターン
として形成すると剥落して異物等の原因になりやすいの
で、最終的に凹パターンとして半導体ウェハ１０に形成
されるようにすることが望ましい。
【００２４】一方、本実施の形態の複数の可動遮光ブレ
ード７１，可動遮光ブレード７２および可動遮光ブレー
ド８１，可動遮光ブレード８２は、露光光源光学系５０
と、ナンバリングレチクル６０（または回路パターン用
レチクル４０）との間に、投影光学系３０の光軸に垂直
な平面内にて、互いに直交する方向に独立に変位するよ
うに、図示しないブレード駆動機構にて駆動される。
ード７１，可動遮光ブレード７２および可動遮光ブレー
ド８１，可動遮光ブレード８２は、露光光源光学系５０
と、ナンバリングレチクル６０（または回路パターン用
レチクル４０）との間に、投影光学系３０の光軸に垂直
な平面内にて、互いに直交する方向に独立に変位するよ
うに、図示しないブレード駆動機構にて駆動される。
【００２５】そして、文字パターンの幅方向に変位する
可動遮光ブレード７１と可動遮光ブレード７２の間隙Δ
ｘ、および文字パターンの高さ方向に変位する可動遮光
ブレード８１および可動遮光ブレード８２の間隙Δｙに
て構成される透過窓領域７０のサイズ、および当該透過
窓領域７０の中心位置のナンバリングレチクル６０に対
する水平方向の相対的な位置を適宜設定する。
可動遮光ブレード７１と可動遮光ブレード７２の間隙Δ
ｘ、および文字パターンの高さ方向に変位する可動遮光
ブレード８１および可動遮光ブレード８２の間隙Δｙに
て構成される透過窓領域７０のサイズ、および当該透過
窓領域７０の中心位置のナンバリングレチクル６０に対
する水平方向の相対的な位置を適宜設定する。
【００２６】これにより、ナンバリングレチクル６０上
の、１〜０の数字パターン６２およびＡ〜Ｚの英字パタ
ーン６３の任意の一つの配置領域が、透過窓領域７０を
介して選択的に露光光源光学系５０から放射される露光
光５１に対して露出され、当該配置領域を露光光５１が
選択的に通過し、一つの数字パターン６２または英字パ
ターン６３の影が投影光学系３０を介して、半導体ウェ
ハ１０に投影（転写）される。この時、同時に、ＸＹテ
ーブル２０を変位させ、半導体ウェハ１０上における数
字パターン６２または英字パターン６３の投影位置が目
的の位置（たとえば半導体ウェハ１０のオリエンテーシ
ョンフラット１２の近傍に設けられた識別情報形成領域
１３内）に一致するように制御する。
の、１〜０の数字パターン６２およびＡ〜Ｚの英字パタ
ーン６３の任意の一つの配置領域が、透過窓領域７０を
介して選択的に露光光源光学系５０から放射される露光
光５１に対して露出され、当該配置領域を露光光５１が
選択的に通過し、一つの数字パターン６２または英字パ
ターン６３の影が投影光学系３０を介して、半導体ウェ
ハ１０に投影（転写）される。この時、同時に、ＸＹテ
ーブル２０を変位させ、半導体ウェハ１０上における数
字パターン６２または英字パターン６３の投影位置が目
的の位置（たとえば半導体ウェハ１０のオリエンテーシ
ョンフラット１２の近傍に設けられた識別情報形成領域
１３内）に一致するように制御する。
【００２７】この操作を、必要な識別情報パターン９０
を構成する文字列の分だけ順番に反復することで、所望
の英数字からなる任意の文字列を、識別情報パターン９
０として、半導体ウェハ１０上の任意の位置に形成する
ことができる。
を構成する文字列の分だけ順番に反復することで、所望
の英数字からなる任意の文字列を、識別情報パターン９
０として、半導体ウェハ１０上の任意の位置に形成する
ことができる。
【００２８】以下、本実施の形態の半導体装置の製造方
法および露光装置の作用の一例を説明する。
法および露光装置の作用の一例を説明する。
【００２９】図４は、本実施の形態における半導体装置
の製造方法の一例を示すフローチャートである。
の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００３０】まず、通常の回路パターン用レチクル４０
を露光装置にセットする（ステップ２０１）。そして、
表面にホトレジストが塗布された未露光の半導体ウェハ
１０をＸＹテーブル２０上にセットし（ステップ２０
２）、いわゆるステップ・アンド・リピートにて半導体
ウェハ１０上の個々のチップ形成領域１１に所望の回路
パターンを露光する（ステップ２０３）。なお、この
時、複数の可動遮光ブレード７１，可動遮光ブレード７
２および可動遮光ブレード８１，可動遮光ブレード８２
は、回路パターン用レチクル４０における転写領域の全
体が的確に露出するように、大きく開いた状態に制御さ
れている。この操作を、たとえばロットを構成する複数
の半導体ウェハ１０について完了するまで行う（ステッ
プ２０４）。
を露光装置にセットする（ステップ２０１）。そして、
表面にホトレジストが塗布された未露光の半導体ウェハ
１０をＸＹテーブル２０上にセットし（ステップ２０
２）、いわゆるステップ・アンド・リピートにて半導体
ウェハ１０上の個々のチップ形成領域１１に所望の回路
パターンを露光する（ステップ２０３）。なお、この
時、複数の可動遮光ブレード７１，可動遮光ブレード７
２および可動遮光ブレード８１，可動遮光ブレード８２
は、回路パターン用レチクル４０における転写領域の全
体が的確に露出するように、大きく開いた状態に制御さ
れている。この操作を、たとえばロットを構成する複数
の半導体ウェハ１０について完了するまで行う（ステッ
プ２０４）。
【００３１】その後、まず、回路パターン用レチクル４
０の代わりに、図２に例示されるような専用のナンバリ
ングレチクル６０を露光装置にセットする（ステップ２
０５）。そして、ＸＹテーブル２０に、上述のステップ
２０１〜２０４にて回路パターンが露光済の半導体ウェ
ハ１０をセットし（ステップ２０６）、複数の可動遮光
ブレード７１，可動遮光ブレード７２および可動遮光ブ
レード８１，可動遮光ブレード８２の変位の制御と、半
導体ウェハ１０を載置したＸＹテーブル２０の変位を適
宜組み合せることで、ナンバリングレチクル６０上に配
置されている複数の数字パターン６２および英字パター
ン６３の各々を１字ずつ、透過窓領域７０にて適宜選択
して露光する操作を反復することで、英数字を組み合わ
せた文字列からなる識別情報パターン９０の半導体ウェ
ハ１０における識別情報形成領域１３内に対する露光を
行う（ステップ２０７）。この操作を、ロット内の全て
の半導体ウェハ１０について行う（ステップ２０８）。
この時、個々の半導体ウェハ１０に形成される識別情報
パターン９０を適宜変化させることで、当該半導体ウェ
ハ１０に固有の識別番号を付与するナンバリング（連
番）等の操作が行われる。
０の代わりに、図２に例示されるような専用のナンバリ
ングレチクル６０を露光装置にセットする（ステップ２
０５）。そして、ＸＹテーブル２０に、上述のステップ
２０１〜２０４にて回路パターンが露光済の半導体ウェ
ハ１０をセットし（ステップ２０６）、複数の可動遮光
ブレード７１，可動遮光ブレード７２および可動遮光ブ
レード８１，可動遮光ブレード８２の変位の制御と、半
導体ウェハ１０を載置したＸＹテーブル２０の変位を適
宜組み合せることで、ナンバリングレチクル６０上に配
置されている複数の数字パターン６２および英字パター
ン６３の各々を１字ずつ、透過窓領域７０にて適宜選択
して露光する操作を反復することで、英数字を組み合わ
せた文字列からなる識別情報パターン９０の半導体ウェ
ハ１０における識別情報形成領域１３内に対する露光を
行う（ステップ２０７）。この操作を、ロット内の全て
の半導体ウェハ１０について行う（ステップ２０８）。
この時、個々の半導体ウェハ１０に形成される識別情報
パターン９０を適宜変化させることで、当該半導体ウェ
ハ１０に固有の識別番号を付与するナンバリング（連
番）等の操作が行われる。
【００３２】このような、露光処理を経ることにより、
回路パターンの転写とともに識別情報パターン９０（ナ
ンバリング）等が露光された半導体ウェハ１０は、現像
工程、エッチング工程等にて順に処理され、識別情報パ
ターン９０は、たとえば、半導体ウェハ１０上の任意の
薄膜等に彫り込まれた凹型パターン（抜きパターン）と
して目視可能に安定に形成される。
回路パターンの転写とともに識別情報パターン９０（ナ
ンバリング）等が露光された半導体ウェハ１０は、現像
工程、エッチング工程等にて順に処理され、識別情報パ
ターン９０は、たとえば、半導体ウェハ１０上の任意の
薄膜等に彫り込まれた凹型パターン（抜きパターン）と
して目視可能に安定に形成される。
【００３３】このように、本実施の形態の半導体装置の
製造方法および露光装置によれば、特別な装置を用意す
ることなく、露光装置だけで、半導体ウェハ１０に対す
るナンバリング等の識別情報パターン９０の形成が可能
であり、識別情報パターン９０の形成を含めた露光工程
全体の簡略化および低コスト化を実現できる。
製造方法および露光装置によれば、特別な装置を用意す
ることなく、露光装置だけで、半導体ウェハ１０に対す
るナンバリング等の識別情報パターン９０の形成が可能
であり、識別情報パターン９０の形成を含めた露光工程
全体の簡略化および低コスト化を実現できる。
【００３４】また、露光装置以外の別装置に半導体ウェ
ハ１０を移すことなく、識別情報パターン９０の形成が
可能であるため、識別情報パターン９０の形成を含めた
露光工程全体の所要時間（ＴＡＴ）の短縮が可能にな
り、露光工程のスループットが向上し、半導体装置の製
造工程における原価低減を実現できる。
ハ１０を移すことなく、識別情報パターン９０の形成が
可能であるため、識別情報パターン９０の形成を含めた
露光工程全体の所要時間（ＴＡＴ）の短縮が可能にな
り、露光工程のスループットが向上し、半導体装置の製
造工程における原価低減を実現できる。
【００３５】なお、識別情報パターン９０の形成方法と
しては、上述のようなウェハ単位に限らず、たとえば、
図３に例示されるように、特定の半導体ウェハ１０内に
おいてスクライブ領域１４で区切られた個々のチップ形
成領域１１毎に行うようにしてもよい。たとえば、図３
の例では、全体が８文字の識別情報パターン９１のう
ち、最初の６文字“ＨＤ１２３４”を、当該半導体ウェ
ハ１０に固有の識別情報とし、末尾の２文字（“５１”
〜“５６”等）を、個々のチップ形成領域１１毎に変化
させるように形成し、チップ形成領域１１のレベルでも
識別を可能にしている。
しては、上述のようなウェハ単位に限らず、たとえば、
図３に例示されるように、特定の半導体ウェハ１０内に
おいてスクライブ領域１４で区切られた個々のチップ形
成領域１１毎に行うようにしてもよい。たとえば、図３
の例では、全体が８文字の識別情報パターン９１のう
ち、最初の６文字“ＨＤ１２３４”を、当該半導体ウェ
ハ１０に固有の識別情報とし、末尾の２文字（“５１”
〜“５６”等）を、個々のチップ形成領域１１毎に変化
させるように形成し、チップ形成領域１１のレベルでも
識別を可能にしている。
【００３６】この場合、スクライブ領域１４にて複数の
チップ形成領域１１が個別に切断分離された後でも、個
々のチップ形成領域１１（すなわち当該チップ形成領域
１１に形成された半導体装置）を識別できるので、個々
の半導体装置の不良解析等において、当該半導体装置が
どのロットの半導体ウェハ１０内のどこの位置のものか
を正確に追跡することが可能になり、半導体装置の製造
工程における当該半導体装置の故障解析や品質管理等を
正確に遂行することが可能になる。
チップ形成領域１１が個別に切断分離された後でも、個
々のチップ形成領域１１（すなわち当該チップ形成領域
１１に形成された半導体装置）を識別できるので、個々
の半導体装置の不良解析等において、当該半導体装置が
どのロットの半導体ウェハ１０内のどこの位置のものか
を正確に追跡することが可能になり、半導体装置の製造
工程における当該半導体装置の故障解析や品質管理等を
正確に遂行することが可能になる。
【００３７】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３８】たとえば、識別情報パターンの露光に際し
ては、特定の固定文字列を一括して露光し、その近傍
に、各半導体ウェハ毎や各チップ形成領域毎に異なる文
字列を１文字ずつ露光するようにしてもよい。また、可
動遮光ブレードとしては、任意の遮光板の一部に固定的
なサイズの透過窓が開設されたものを用いてもよい。
ては、特定の固定文字列を一括して露光し、その近傍
に、各半導体ウェハ毎や各チップ形成領域毎に異なる文
字列を１文字ずつ露光するようにしてもよい。また、可
動遮光ブレードとしては、任意の遮光板の一部に固定的
なサイズの透過窓が開設されたものを用いてもよい。
【００３９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４０】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
工程を必要以上に複雑化、高コスト化することなく、半
導体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パター
ンを形成することができる、という効果が得られる。
工程を必要以上に複雑化、高コスト化することなく、半
導体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パター
ンを形成することができる、という効果が得られる。
【００４１】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、所望の工程完了までの所要時間を増大させること
なく、半導体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情
報パターンを形成することができる、という効果が得ら
れる。
れば、所望の工程完了までの所要時間を増大させること
なく、半導体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情
報パターンを形成することができる、という効果が得ら
れる。
【００４２】また、本発明の露光装置によれば、露光工
程を必要以上に複雑化、高コスト化することなく、半導
体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パターン
を形成することができる、という効果が得られる。
程を必要以上に複雑化、高コスト化することなく、半導
体ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パターン
を形成することができる、という効果が得られる。
【００４３】また、本発明の露光装置によれば、所望の
工程完了までの所要時間を増大させることなく、半導体
ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パターンを
形成することができる、という効果が得られる。
工程完了までの所要時間を増大させることなく、半導体
ウェハの所望の部位に対する所望の識別情報パターンを
形成することができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方
法に用いられる露光装置の構成の一例を示す概念図であ
る。
法に用いられる露光装置の構成の一例を示す概念図であ
る。
【図２】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方
法におけるナンバリングレチクルの構成の一例を示す平
面図である。
法におけるナンバリングレチクルの構成の一例を示す平
面図である。
【図３】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方
法にて形成される識別情報パターンパターンの一例を示
す平面図である。
法にて形成される識別情報パターンパターンの一例を示
す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方
法の一例を示すフローチャートである。
法の一例を示すフローチャートである。
１０ 半導体ウェハ １１ チップ形成領域 １２ オリエンテーションフラット １３ 識別情報形成領域 １４ スクライブ領域 ２０ ＸＹテーブル ３０ 投影光学系 ４０ 回路パターン用レチクル ５０ 露光光源光学系 ５１ 露光光 ６０ ナンバリングレチクル ６１ 透明基板 ６２ 数字パターン ６３ 英字パターン ６４ 支持枠 ７０ 透過窓領域 ７１ 可動遮光ブレード ７２ 可動遮光ブレード ８１ 可動遮光ブレード ８２ 可動遮光ブレード ９０ 識別情報パターン ９１ 識別情報パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 俊 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 平沼 雅幸 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 皆川 勝 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体ウェハに設けられた複数のチップ
形成領域にホトリソグラフィにて回路パターンを転写形
成することにより、前記チップ形成領域に所望の機能の
半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記ホトリソグラフィにより、前記半導体ウェハの一部
に、個々の前記半導体ウェハおよび当該半導体ウェハ内
に形成される個々の前記半導体装置の少なくとも一方を
識別するための識別情報パターンを形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体ウェハにおける前記チップ形成領域
以外の所望の領域に、個々の前記半導体ウェハを識別す
るための前記識別情報パターンを形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、複数の前記チップ形成領域の各々の一
部に、個々の前記チップ形成領域または当該チップ形成
領域に形成される個々の前記半導体装置を識別するため
の前記識別情報パターンを形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体装置
の製造方法において、前記識別情報パターンは、個々の
前記半導体ウェハ毎、または個々の前記チップ形成領域
毎に異なる文字列からなることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記回路パターンを形成するための第１の露光
原版とは異なる専用の第２の露光原版にて、前記識別情
報パターンを構成する任意の文字列を１文字ずつ露光す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体ウェハに設けられた複数のチップ
形成領域に回路パターンを転写形成するための第１の露
光原版と、 前記半導体ウェハの一部に、個々の前記半導体ウェハお
よび当該半導体ウェハ内に形成される個々の前記半導体
装置の少なくとも一方を識別するための識別情報パター
ンを形成する第２の露光原版とを備えたことを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の露光装置において、前記
第２の露光原版には、前記識別情報パターンを構成する
文字列を形成するための複数の文字パターンが、透明基
板上に遮光パターンまたは透過パターンとして形成さ
れ、前記第２の露光原版に対して相対的に平行移動する
ことにより、サイズおよび位置が可変な透過窓を構成
し、複数の前記文字パターンの少なくとも一つの形成領
域に対して露光光を選択的に照射させる可動遮光ブレー
ドを備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 請求項６または７記載の露光装置におい
て、前記半導体ウェハにおける前記チップ形成領域以外
の所望の領域に、個々の前記半導体ウェハを識別するた
めの前記識別情報パターンを形成することを特徴とする
露光装置。 - 【請求項９】 請求項６または７記載の露光装置におい
て、複数の前記チップ形成領域の各々の一部に、個々の
前記チップ形成領域または当該チップ形成領域に形成さ
れる個々の前記半導体装置を識別するための前記識別情
報パターンを形成することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１０】 請求項６，７，８または９記載の露光
装置において、前記識別情報パターンは、個々の前記半
導体ウェハ毎、または個々の前記チップ形成領域毎に異
なる文字列からなることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6339397A JPH10261559A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置の製造方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6339397A JPH10261559A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置の製造方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261559A true JPH10261559A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13228028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6339397A Withdrawn JPH10261559A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置の製造方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261559A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1286219A2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| JP2003076026A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 識別情報記録方法およびフォトマスクセット |
| DE10357775A1 (de) * | 2003-12-10 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Kennzeichnung einer Vielzahl von Halbleiterwafern mit Identifikationskennzeichen |
| EP1632812A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-08 | Adtec Engineering Co., Ltd. | Projection exposure apparatus and method for producing a printed circuit board |
| JP2012027475A (ja) * | 2011-08-19 | 2012-02-09 | Hitachi Metals Ltd | 識別情報記録方法 |
| CN112542441A (zh) * | 2019-12-12 | 2021-03-23 | 友达光电股份有限公司 | 集成电路、无线通信卡片及识别记号布线结构 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP6339397A patent/JPH10261559A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1286219A2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| EP1286219A3 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-19 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| US6924090B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-08-02 | Neomax Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| JP2003076026A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 識別情報記録方法およびフォトマスクセット |
| EP1291722A3 (en) * | 2001-09-05 | 2003-11-19 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| US6897010B2 (en) | 2001-09-05 | 2005-05-24 | Neomax Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
| DE10357775A1 (de) * | 2003-12-10 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Kennzeichnung einer Vielzahl von Halbleiterwafern mit Identifikationskennzeichen |
| DE10357775B4 (de) * | 2003-12-10 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Kennzeichnung einer Vielzahl von Halbleiterwafern mit Identifikationskennzeichen |
| EP1632812A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-08 | Adtec Engineering Co., Ltd. | Projection exposure apparatus and method for producing a printed circuit board |
| JP2012027475A (ja) * | 2011-08-19 | 2012-02-09 | Hitachi Metals Ltd | 識別情報記録方法 |
| CN112542441A (zh) * | 2019-12-12 | 2021-03-23 | 友达光电股份有限公司 | 集成电路、无线通信卡片及识别记号布线结构 |
| CN112542441B (zh) * | 2019-12-12 | 2023-05-02 | 友达光电股份有限公司 | 集成电路、无线通信卡片及识别记号布线结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |