JPH07219209A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH07219209A JPH07219209A JP900794A JP900794A JPH07219209A JP H07219209 A JPH07219209 A JP H07219209A JP 900794 A JP900794 A JP 900794A JP 900794 A JP900794 A JP 900794A JP H07219209 A JPH07219209 A JP H07219209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- recognition
- wafer
- product
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発塵による製品の歩留の低下や露光装置の複雑
化による管理工数の増大を防止し安価で信頼性の高い半
導体装置を得る。 【構成】フォトマスク基板１２上の製品チップパターン
１１の領域外にウェーハまたは製品チップのそれぞれを
識別する文字，数字，記号にて構成される認識文字パタ
ーン１３を設け、フォトマスク１６を形成する。このフ
ォトマスク１６を用いて縮小投影露光装置のフォトマス
ク・ブラインドにより面積と位置を限定して識別用の所
定の認識パターンをウェーハまたは製品チップのそれぞ
れに転写し識別を可能にする。
化による管理工数の増大を防止し安価で信頼性の高い半
導体装置を得る。 【構成】フォトマスク基板１２上の製品チップパターン
１１の領域外にウェーハまたは製品チップのそれぞれを
識別する文字，数字，記号にて構成される認識文字パタ
ーン１３を設け、フォトマスク１６を形成する。このフ
ォトマスク１６を用いて縮小投影露光装置のフォトマス
ク・ブラインドにより面積と位置を限定して識別用の所
定の認識パターンをウェーハまたは製品チップのそれぞ
れに転写し識別を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトマスクに関し、特
に半導体ウェーハの露光に用いるフォトマスクに関す
る。
に半導体ウェーハの露光に用いるフォトマスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハ（以下、ウェーハ
と記す）の露光は、レチクル上の回路パターンをステッ
パーを用い縮小投影して行われている。しかしながら、
このようなステッパー露光方法では、同一の回路パター
ンが順次ウェーハ上に焼き付けられるだけであり、製品
を識別するウェーハまたはウェーハ上の各半導体チップ
（以下、チップと記す）へのマーキング等は行えず、別
工程で図７に示すレーザマーキング装置を用いて、レー
ザ発光部２を回路パターンのイメージに合わせて移動さ
せながらレーザ光３をウェーハ１上に照射し製品を識別
するマーキングのパターンを描画していた。しかしなが
ら、このレーザ光３を用いる描画では描画時にシリコン
等の屑が発生してウェーハ１に付着し製品の歩留を低下
させるという問題点があった。
と記す）の露光は、レチクル上の回路パターンをステッ
パーを用い縮小投影して行われている。しかしながら、
このようなステッパー露光方法では、同一の回路パター
ンが順次ウェーハ上に焼き付けられるだけであり、製品
を識別するウェーハまたはウェーハ上の各半導体チップ
（以下、チップと記す）へのマーキング等は行えず、別
工程で図７に示すレーザマーキング装置を用いて、レー
ザ発光部２を回路パターンのイメージに合わせて移動さ
せながらレーザ光３をウェーハ１上に照射し製品を識別
するマーキングのパターンを描画していた。しかしなが
ら、このレーザ光３を用いる描画では描画時にシリコン
等の屑が発生してウェーハ１に付着し製品の歩留を低下
させるという問題点があった。
【０００３】この問題点を改善する露光方法として、特
開昭６３−２８３０２１号公報明細書に、縮小投影露光
装置（以下、露光装置と記す）に認識パターンを露光す
るための機構を付加しウェーハ上に認識パターンを露光
する方法が開示されている。この露光方法は、図８に示
すように、まず、光源４から出た光はフォトマスク５を
通過してフォトマスク５に形成された回路パターンに従
った像に変えられる。この像が縮小投影レンズ６により
縮小されウェーハ７上に所定の像を結ぶ。この動作をウ
ェーハ７の位置をステップ移動させながら行い、ウェー
ハ７全面に所定の回路パターンを形成する。
開昭６３−２８３０２１号公報明細書に、縮小投影露光
装置（以下、露光装置と記す）に認識パターンを露光す
るための機構を付加しウェーハ上に認識パターンを露光
する方法が開示されている。この露光方法は、図８に示
すように、まず、光源４から出た光はフォトマスク５を
通過してフォトマスク５に形成された回路パターンに従
った像に変えられる。この像が縮小投影レンズ６により
縮小されウェーハ７上に所定の像を結ぶ。この動作をウ
ェーハ７の位置をステップ移動させながら行い、ウェー
ハ７全面に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】一方、補助光源８から出た光は認識パター
ンが形成されているマーク表示版板９に従って所定の像
に変えられる。この像がミラー１０で反射され縮小投影
レンズ６により縮小されウェーハ７上で所定の像を結
ぶ。これら２つの動作を露光装置において行うことでチ
ップの回路パターンおよび認識パターンをウェーハ７上
に同時に形成し、ウェーハ７およびチップの識別を可能
としていた。
ンが形成されているマーク表示版板９に従って所定の像
に変えられる。この像がミラー１０で反射され縮小投影
レンズ６により縮小されウェーハ７上で所定の像を結
ぶ。これら２つの動作を露光装置において行うことでチ
ップの回路パターンおよび認識パターンをウェーハ７上
に同時に形成し、ウェーハ７およびチップの識別を可能
としていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の露光装置に
よる露光方法では、フォトマスクとマーク表示版板の２
つのマスクとそれぞれの光源を持つため、光学系の構造
が複雑になり、また２つの光源の照度管理を行わなけれ
ばならず、製品の信頼性の低下および露光装置の管理工
数の増大という問題点がある。
よる露光方法では、フォトマスクとマーク表示版板の２
つのマスクとそれぞれの光源を持つため、光学系の構造
が複雑になり、また２つの光源の照度管理を行わなけれ
ばならず、製品の信頼性の低下および露光装置の管理工
数の増大という問題点がある。
【０００６】本発明の目的は、シリコン屑等の発生によ
る製品歩留の低下がなく、ウェーハまたはチップのそれ
ぞれを確実に識別でき製品の信頼性を確保し、露光装置
の管理工数を節減できるフォトマスクを提供することに
ある。
る製品歩留の低下がなく、ウェーハまたはチップのそれ
ぞれを確実に識別でき製品の信頼性を確保し、露光装置
の管理工数を節減できるフォトマスクを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光を出す光源
と、この光源から出た光の照射する位置を選択し照射面
積を変えるフォトマスク・ブラインドと、前記照射面積
を縮小投影する縮小投影レンズとを備えた露光装置を用
いて半導体ウェーハ上に所定の回路パターンを転写し半
導体チップを形成するフォトマスクにおいて、前記回路
パターンが形成された領域外に文字，数字，記号を含む
認識文字パターンあるいはバーコードによって構成され
る認識バーコードパターンを設け、前記フォトマスク・
ブラインドを用いて前記半導体ウェーハ上の前記回路パ
ターンの領域外に前記半導体ウェーハまたは前記半導体
チップのそれぞれを識別する認識パターンを構成し転写
する。
と、この光源から出た光の照射する位置を選択し照射面
積を変えるフォトマスク・ブラインドと、前記照射面積
を縮小投影する縮小投影レンズとを備えた露光装置を用
いて半導体ウェーハ上に所定の回路パターンを転写し半
導体チップを形成するフォトマスクにおいて、前記回路
パターンが形成された領域外に文字，数字，記号を含む
認識文字パターンあるいはバーコードによって構成され
る認識バーコードパターンを設け、前記フォトマスク・
ブラインドを用いて前記半導体ウェーハ上の前記回路パ
ターンの領域外に前記半導体ウェーハまたは前記半導体
チップのそれぞれを識別する認識パターンを構成し転写
する。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例の平面図、図
２は図１のフォトマスクを用いた露光装置の動作を説明
する光学系の概略構成図である。図１に示すように、本
発明の第１の実施例のフォトマスク１６は、フォトマス
ク基板１２の上にクロムと酸化クロムで回路パターンが
形成された製品チップパターン１１と、文字，数字や記
号によって構成される認識文字パターン１３からなり、
認識文字パターン１３は製品チップパターン１１の領域
外に形成されている。一方、図２に示すように、露光装
置は、光を出す光源１４と、この光源１４から出た光を
製品チップパターン１１毎にウェーハ１８上の照射する
位置を選択し照射面積を変えるフォトマスク・ブライン
ド１５と、図１に示す所定のパターンが形成されたフォ
トマスク１６と、このフォトマスク１６のパターンを縮
小する縮小投影レンズ１７によって構成され、縮小され
た像をウェーハ１８上に転写する。
２は図１のフォトマスクを用いた露光装置の動作を説明
する光学系の概略構成図である。図１に示すように、本
発明の第１の実施例のフォトマスク１６は、フォトマス
ク基板１２の上にクロムと酸化クロムで回路パターンが
形成された製品チップパターン１１と、文字，数字や記
号によって構成される認識文字パターン１３からなり、
認識文字パターン１３は製品チップパターン１１の領域
外に形成されている。一方、図２に示すように、露光装
置は、光を出す光源１４と、この光源１４から出た光を
製品チップパターン１１毎にウェーハ１８上の照射する
位置を選択し照射面積を変えるフォトマスク・ブライン
ド１５と、図１に示す所定のパターンが形成されたフォ
トマスク１６と、このフォトマスク１６のパターンを縮
小する縮小投影レンズ１７によって構成され、縮小され
た像をウェーハ１８上に転写する。
【００１０】一般的に縮小投影装置の場合、フォトマス
ク１６上の製品の大きさは製品毎に異るので、製品毎に
フォトマスク１６に照射する光の面積を変えなければな
らない。この面積を変えるための機構がフォトマスク・
ブラインド１５である。光源１４から出た光はフォトマ
スク・ブラインド１５により所定の面積に限定されフォ
トマスク１６を通過する。この時、フォトマスク１６上
に形成された製品チップパターン１１により所定の像が
作られる。この像が縮小投影レンズ１７により所定の大
きさに縮小され、ウェーハ１８上に転写する。通常、こ
の動作をウェーハ１８上をステップ移動しながら繰返し
て行い、ウェーハ１８全面に所定の製品チップパターン
１１を形成するが、この時フォトマスク１６上に形成さ
れている所定の認識文字パターン１３の位置と大きさに
フォトマスク・ブラインド１５を合わせて認識パターン
の文字，数字や記号を転写する位置にウェーハ１８を移
動させ露光することにより、ウェーハ１８上の所定の位
置に必要な認識文字パターン１３の文字，数字や記号を
転写する。この動作を繰り返せば、認識文字パターン１
３の文字，数字や記号の列を構成した認識パターンを形
成できる。
ク１６上の製品の大きさは製品毎に異るので、製品毎に
フォトマスク１６に照射する光の面積を変えなければな
らない。この面積を変えるための機構がフォトマスク・
ブラインド１５である。光源１４から出た光はフォトマ
スク・ブラインド１５により所定の面積に限定されフォ
トマスク１６を通過する。この時、フォトマスク１６上
に形成された製品チップパターン１１により所定の像が
作られる。この像が縮小投影レンズ１７により所定の大
きさに縮小され、ウェーハ１８上に転写する。通常、こ
の動作をウェーハ１８上をステップ移動しながら繰返し
て行い、ウェーハ１８全面に所定の製品チップパターン
１１を形成するが、この時フォトマスク１６上に形成さ
れている所定の認識文字パターン１３の位置と大きさに
フォトマスク・ブラインド１５を合わせて認識パターン
の文字，数字や記号を転写する位置にウェーハ１８を移
動させ露光することにより、ウェーハ１８上の所定の位
置に必要な認識文字パターン１３の文字，数字や記号を
転写する。この動作を繰り返せば、認識文字パターン１
３の文字，数字や記号の列を構成した認識パターンを形
成できる。
【００１１】図３は図１のフォトマスクを用いて転写し
た認識パターンの第１の例の平面図、図４は図１のフォ
トマスクを用いて転写した認識パターンの第２の例の平
面図、図５は図１のフォトマスクを用いて転写した認識
パターンの第３の例の平面図である。本発明の第１の実
施例の第１の例は、図３に示すように、ウェーハ２３の
オリエンテーション・フラットの上部に１…９Ａ…Ｆの
認識パターン２４を形成した例で認識パターン２４の大
きさはフォマスク１６を形成する際の認識文字パターン
１３の大きさで決定されるため、認識文字パターン１３
を大きく作り肉眼でも認識可能な大きさの認識パターン
２４としウェーハ２３同志を識別可能とした例である。
本発明の第１の実施例の第２，第３の例は、図４，図５
に示すように、フォトマスク１６の認識文字パターン１
３を微細に作り、それぞれ製品チップ２６毎にまたは製
品チップ２８間にＡ…Ｇの認識パターン２７，３０を形
成し製品チップ２６または２８同志を識別可能とした例
である。
た認識パターンの第１の例の平面図、図４は図１のフォ
トマスクを用いて転写した認識パターンの第２の例の平
面図、図５は図１のフォトマスクを用いて転写した認識
パターンの第３の例の平面図である。本発明の第１の実
施例の第１の例は、図３に示すように、ウェーハ２３の
オリエンテーション・フラットの上部に１…９Ａ…Ｆの
認識パターン２４を形成した例で認識パターン２４の大
きさはフォマスク１６を形成する際の認識文字パターン
１３の大きさで決定されるため、認識文字パターン１３
を大きく作り肉眼でも認識可能な大きさの認識パターン
２４としウェーハ２３同志を識別可能とした例である。
本発明の第１の実施例の第２，第３の例は、図４，図５
に示すように、フォトマスク１６の認識文字パターン１
３を微細に作り、それぞれ製品チップ２６毎にまたは製
品チップ２８間にＡ…Ｇの認識パターン２７，３０を形
成し製品チップ２６または２８同志を識別可能とした例
である。
【００１２】第１の実施例では、レーザ光を用いること
なく認識パターンが形成でき、また露光装置が１つの光
源で構成できるため、シリコン屑等の汚染による製品歩
留の低下を防止し、ウェーハまたはチップのそれぞれを
確実に識別でき製品の信頼性を確保し、露光装置の管理
工数を節減できる効果がある。
なく認識パターンが形成でき、また露光装置が１つの光
源で構成できるため、シリコン屑等の汚染による製品歩
留の低下を防止し、ウェーハまたはチップのそれぞれを
確実に識別でき製品の信頼性を確保し、露光装置の管理
工数を節減できる効果がある。
【００１３】図６は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。本発明の第２の実施例は、図６に示すように、図１
に示す第１の実施例の文字，数値や記号にて構成される
認識文字パターン１３をバーコードで構成される認識バ
ーコードパターン２１に代え、フォトマスク基板２０上
にクロムと酸化クロムで回路パターンが形成された製品
チップパターン１９とこの製品チップパターン１９の領
域外に認識バーコードパターン２１を形成した例であ
る。このフォトマスクを用いた露光装置での認識バーコ
ード、パターン２１のウェーハ上への転写は第１の実施
例と同じであり、転写された認識パターンをバーコード
読み取り機にて読み取り識別する。
る。本発明の第２の実施例は、図６に示すように、図１
に示す第１の実施例の文字，数値や記号にて構成される
認識文字パターン１３をバーコードで構成される認識バ
ーコードパターン２１に代え、フォトマスク基板２０上
にクロムと酸化クロムで回路パターンが形成された製品
チップパターン１９とこの製品チップパターン１９の領
域外に認識バーコードパターン２１を形成した例であ
る。このフォトマスクを用いた露光装置での認識バーコ
ード、パターン２１のウェーハ上への転写は第１の実施
例と同じであり、転写された認識パターンをバーコード
読み取り機にて読み取り識別する。
【００１４】第２の実施例はバーコードを用いて読み取
るので、第１の実施例よりも識別精度を高めることがで
きるという効果がある。
るので、第１の実施例よりも識別精度を高めることがで
きるという効果がある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、回路パタ
ーンが形成された領域外に文字，数字，記号を含む認識
文字パターンまたはバーコードで構成される認識バーコ
ードパターンを設け、露光装置のフォトマスク・ブライ
ンドを用いてウェーハ上の回路パターンの領域外に製品
チップまたはウェーハのそれぞれを確実に識別する認識
パターンを構成して転写することにより、発塵による製
品の歩留低下と露光装置の複雑化による管理工数の増大
を防止し安価で信頼性の高い半導体装置が容易に得られ
るという効果がある。
ーンが形成された領域外に文字，数字，記号を含む認識
文字パターンまたはバーコードで構成される認識バーコ
ードパターンを設け、露光装置のフォトマスク・ブライ
ンドを用いてウェーハ上の回路パターンの領域外に製品
チップまたはウェーハのそれぞれを確実に識別する認識
パターンを構成して転写することにより、発塵による製
品の歩留低下と露光装置の複雑化による管理工数の増大
を防止し安価で信頼性の高い半導体装置が容易に得られ
るという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図である。
【図２】図１のフォトマスクを用いた露光装置の動作を
説明する光学系の概略構成図である。
説明する光学系の概略構成図である。
【図３】図１のフォトマスクを用いて転写した認識パタ
ーンの第１の例の平面図である。
ーンの第１の例の平面図である。
【図４】図１のフォトマスクを用いて転写した認識パタ
ーンの第２の例の平面図である。
ーンの第２の例の平面図である。
【図５】図１のフォトマスクを用いて転写した認識パタ
ーンの第３の例の平面図である。
ーンの第３の例の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例の平面図である。
【図７】従来のマーキング装置の一例の概略構成図であ
る。
る。
【図８】従来の認識パターンを露光するための機構を付
加した露光装置の一例の概略構成図である。
加した露光装置の一例の概略構成図である。
１，７，１８，２３，２５，２９ ウェーハ ２ レーザ発光部 ３ レーザ光 ４，１４ 光源 ５，１６ フォトマスク ６，１７ 縮小投影レンズ ８ 補助光源 ９ マーク表示版板 １０ ミラー １１，１９ 製品チップパターン １２，２０ フォトマスク基板 １３ 認識文字パターン １５ フォトマスク・ブラインド ２１ 認識バーコードパターン ２２，２６，２８ 製品チップ ２４，２７，３０ 認識パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 光を出す光源と、この光源から出た光の
照射する位置を選択し照射面積を変えるフォトマスク・
ブラインドと、前記照射面積を縮小投影する縮小投影レ
ンズとを備えた露光装置を用いて半導体ウェーハ上に所
定の回路パターンを転写し半導体チップを形成するフォ
トマスクにおいて、前記回路パターンが形成された領域
外に読取り可能なパターンを設け、前記フォトマスク・
ブラインドを用いて前記半導体ウェーハ上の前記回路パ
ターンの領域外に前記半導体ウェーハまたは前記半導体
チップのそれぞれを識別する認識パターンを構成し転写
することを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記読取り可能なパターンが文字，数
字，記号を含む認識文字パターンであることを特徴とす
る請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項３】 前記読取り可能なパータンがバーコード
によって構成される認識バーコードパターンであること
を特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900794A JPH07219209A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900794A JPH07219209A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219209A true JPH07219209A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11708605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP900794A Pending JPH07219209A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07219209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2004294770A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法及び露光システム |
| JP2007328042A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP900794A patent/JPH07219209A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2004294770A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法及び露光システム |
| JP4694102B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2011-06-08 | 大日本印刷株式会社 | 露光方法 |
| JP2007328042A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981201 |