JPH05275310A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体製造工程の工程数を低減し、しかもパ
ーティクルを発生させずに半導体ウエハ上に識別情報を
形成することができる半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 通常は、図１（ａ）に示すように露光装置の
レチクルステージ上に設けたブラインド１８ａ〜１８ｄ
を原画パターンが描かれたレチクル２上の領域に合わせ
て拡げて、露光を行う。ウエハ上の最後の転写領域に原
画パターン３４を転写するときに、図１（ｂ）に示すよ
うにブラインド１８ｂをバーコード３６が形成されたレ
チクル２上の領域まで拡げる。この状態で光源から光を
照射することにより、原画パターン３４とバーコード３
６をウエハ上のフォトレジストに転写する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、所定のパターンを半導
体ウエハ上に転写する半導体装置の製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】露光装置はウエハ上に集積回路パターン
を形成するものであり、代表的なものとして縮小投影露
光装置がある。縮小投影露光装置は、微細な集積回路パ
ターンを高精度で形成できるので、半導体素子の高集積
化を図るのに重要な装置となっている。

【０００３】縮小投影露光装置は、光源からの光をレチ
クルに通し、これを縮小レンズ系で縮小してウエハ上に
投影し、フォトレジストを露光することによって集積回
路パターンを焼き付けるという方式を採用している。こ
の方式では、ウエハ全面をいくつかの転写領域に区分
し、各転写領域ごとに露光することにより、ウエハ全面
を露光する。すなわち、ウエハ上の一定の領域（たとえ
ば１チップ分）に露光を行った後、ステップモータによ
りウエハをステップ移動させて次の領域を露光するとい
う動作を繰り返し、最終的にウエハ全体の露光を行う。

【０００４】ところで、ＡＳＩＣ（application specif
ic integrated circuit ）などの少量多品種のＩＣの製
造では、各ウエハごとに異なる処理が施される。しか
し、集積回路パターンは非常に微細なものであるので、
異なる集積回路パターンが焼き付けられたウエハをその
外観から肉眼で識別することは困難である。このため、
各ウエハを識別するために、集積回路パターンが形成さ
れるウエハ表面の所定部分にバーコード等を刻印し、こ
れらの位置や組合せ等でウエハの品質、ロット番号など
を識別するということが行われている。この場合、たと
えばレーザー光をウエハ上の所定部分に照射し、この部
分の非常に限られた領域を溶融して窪みを形成すること
によってバーコード等が刻印される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、露光装置とは別の専用の装置によってバーコード等
を刻印していた。このため、ウエハの表面に集積回路パ
ターンを形成する露光工程のほかに、バーコードを刻印
するための工程が別に必要となり、半導体製造工程全体
の工程数が増えるので、生産性が低下するという問題が
あった。

【０００６】また、従来のようにレーザー光を照射して
ウエハの所定領域にバーコード等を刻印すると、パーテ
ィクルが発生する。このパーティクルをウエハから取り
除き、ウエハを清潔な状態に維持するのは容易ではな
く、ときには機能に異常が生じて、製品の歩留りが低下
することがあった。

【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、半導体製造工程の工程数を低減し、しかもパー
ティクルを発生させずに半導体ウエハ上に識別情報を形
成することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、ブラインドを介して原画パターンが描か
れたレチクル上の所定領域に光を照射し、前記原画パタ
ーンを縮小して半導体ウエハ上に転写する半導体装置の
製造方法において、前記レチクル上であって、前記原画
パターンが描かれた領域とは別の領域に半導体ウエハを
識別する識別情報を描き、半導体ウエハの通常領域を露
光するときには、前記ブラインドにより前記識別情報が
描かれた領域を覆って、前記原画パターンを半導体ウエ
ハ上に転写し、半導体ウエハの所定領域を露光するとき
には、前記ブラインドを動かして前記識別情報が描かれ
た領域を露出させて、前記原画パターンと前記識別情報
とを一度に半導体ウエハ上に転写することを特徴とする
ものである。

【０００９】

【作用】本発明は上記の構成によって、原画パターンが
描かれた領域とは別のレチクル上の領域に半導体ウエハ
を識別する識別情報を描き、半導体ウエハ上の所定領域
を露光する際に、ブラインドを動かして識別情報が描か
れた領域を露出させることにより、原画パターンと識別
情報とを半導体ウエハ上に一度に転写することができ
る。このため、識別情報を半導体ウエハ上に作業能率よ
く転写することができ、しかも従来のような識別情報を
刻印するための特別な工程が不要となる。

【００１０】

【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施
例である半導体装置の製造方法を説明するための図、図
２はその半導体装置の製造方法において使用する縮小投
影露光装置の概略構成図、図３はその縮小投影露光装置
に用いるレチクルの概略正面図である。

【００１１】図２に示す縮小投影露光装置は、光源１２
と、照明レンズ系１４と、レチクル２を載置するレチク
ルステージ１６と、ブラインド１８ａ〜１８ｄと、縮小
レンズ系２２と、ウエハ４を載置するウエハステージ２
４とを備えるものである。

【００１２】光源１２には超高圧水銀灯を用い、ｇ線又
はｉ線を使用する。また、照明レンズ系１４は光源１２
からの光をできるだけ多く通して一定方向に投光するも
のであり、縮小レンズ系２２はレチクル２に描かれた原
画パターンを１／５〜１／１０に縮小し、ウエハステー
ジ２４上のウエハ４に投影転写するものである。

【００１３】本実施例で使用するレチクル２には、図３
に示すように、ガラス基板３２上に集積回路パターンの
原寸法の５〜１０倍の原画パターン３４が一点鎖線で示
す正方形の領域Ａ内に形成されている。この原画パター
ン３４は耐久性のある薄膜で形成され、遮光機能を持っ
ている。通常、遮光膜としてはクロムが用いられる。ま
た、領域Ａの下方の点線で示す領域Ｂには、ウエハを識
別する情報を表すバーコード３６が遮光膜で形成されて
いる。

【００１４】レチクルステージ１６はレチクル２を載置
するものであり、自動位置決めを行うために二次元平面
内で移動可能に構成されている。また、ウエハステージ
２４も二次元平面内で移動可能であり、図示しないステ
ップモータにより載置されたウエハ４を一定距離だけ移
動する。ウエハ４上には、ウエハステージ２４により一
定距離送くられるごとにパターンが転写される。

【００１５】レチクルステージ１６の上部には四つのブ
ラインド１８ａ〜１８ｄがあり、それぞれ、図１（ａ）
に示すようにレチクル２の正面から見たときにその上下
左右に設けられている。各ブラインド１８ａ〜１８ｂを
移動させることにより、光源１２から発した光がレチク
ル２上に照射する領域を調整することができる。尚、通
常領域を露光するときには、ブラインド１８ａ〜１８ｄ
を、原画パターン３４が形成されたレチクル２上の領域
Ａの境界に合わせておく。

【００１６】次に、本実施例においてウエハ上に原画パ
ターン及びバーコードを形成する方法を説明する。

【００１７】まず、レチクル２をレチクルステージ１６
上に載置し、レチクル２の位置合わせ作業を行う。そし
て、通常領域を露光するときには、図１（ａ）に示すよ
うにブラインド１８ａ〜１８ｄをレチクル２上の領域Ａ
に合わせた後、光源１２から光を照射すると、レチクル
２上に形成された原画パターン３４が縮小レンズ系２２
で１／５〜１／１０に縮小されて、ウエハ４上のフォト
レジストが露光される。本装置では、一回に１チップ分
しか露光できないので、ウエハステージ２４をその平面
上で順次自動的に移動させることによりウエハ４全体を
露光する。

【００１８】そして、ウエハ４上の最後の転写領域（所
定領域）に原画パターン３４を転写するときに、図１
（ｂ）に示すように、ブラインド１８ｂを動かして、バ
ーコード３６が形成されたレチクル２上の領域Ｂまで拡
げる。この状態で光源１２から光を照射すると、レチク
ル２に描かれた原画パターン３４とバーコード３６がウ
エハ４上のフォトレジストに転写される。

【００１９】このように、ウエハ４の表面にバーコード
３６を形成したため、後にバーコードリーダ等で自動的
にバーコード３６を読み取ることによって、ウエハ４に
関する必要な情報を得ることができる。

【００２０】本実施例では、レチクルに原画パターンと
共にバーコードを形成し、たとえばウエハ上の最後の転
写領域に原画パターンを転写するときに、ブラインドを
バーコードが描かれた領域まで拡げることにより、レチ
クルに描かれた原画パターンとバーコードとをウエハ上
に一度に転写することができる。このため、従来のよう
なバーコードを刻印するための別工程を必要としないの
で、半導体製造工程全体の工程数を削減することがで
き、しかも原画パターンとバーコードとを一度に転写で
きるので、能率よく容易にバーコードをウエハ上に転写
することができる。したがって、本実施例によれば生産
性の向上を図ることができる。

【００２１】また、露光工程時にバーコードをウエハ上
に転写するため、レーザー光を使用する場合のようにパ
ーティクルの発生が問題とならない。このため、ウエハ
を清潔な状態で製造することができ、パーティクルによ
る機能異常が生じることもないので、製造歩留りの低下
を防止することができる。

【００２２】尚、本発明は、上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンと一緒にバーコードを転
写する場合について説明したが、バーコードをバーコー
ドリーダで読み取り可能な領域に転写するのであれば、
アライメントマークを形成する最初の露光時に、又は途
中の露光時においてバーコードを転写してもよい。これ
により、上記の実施例と同様の作用・効果を発揮させる
ことができる。

【００２３】また、上記の実施例では、ウエハを識別す
る情報を表すものとしてバーコードを用いた場合につい
て説明したが、バーコードでなくとも後に機械によって
読み取り可能なもの、たとえば数字等であれば、上記の
実施例と同様の作用・効果を発揮させることができる。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
画パターンが描かれた領域とは別のレチクル上の領域に
半導体ウエハを識別する識別情報を描き、半導体ウエハ
の所定領域を露光するときに、ブラインドを動かして識
別情報が描かれた領域を露出させて、原画パターンと識
別情報とを一度に半導体ウエハ上に転写することによ
り、能率よく識別情報を半導体ウエハ上に転写すること
ができるので、生産性の向上を図ることができ、しかも
レーザー光を用いた識別情報を刻印するための特別な工
程を必要としないので、工程数を削減し、パーティクル
の発生による製造歩留りの低下を防止することができる
半導体装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の一実施例である半導体装置の
製造方法において通常のブラインド状態を示す図、
（ｂ）はその半導体装置の製造方法においてウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンを転写する際にブライン
ドを拡げた状態を示す図である。

【図２】その半導体装置の製造方法において使用する縮
小投影露光装置の概略構成図である。

【図３】その縮小投影露光装置に用いるレチクルの概略
正面図である。

【符号の説明】

２ レチクル ４ ウエハ １２ 光源 １４ 照明レンズ系 １６ レチクルステージ １８ａ〜１８ｄ ブラインド ２２ 縮小レンズ系 ２４ ウエハステージ ３２ ガラス基板 ３４ 原画パターン ３６ バーコード

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ブラインドを介して原画パターンが描か
   れたレチクル上の所定領域に光を照射し、前記原画パタ
   ーンを縮小して半導体ウエハ上に転写する半導体装置の
   製造方法において、前記レチクル上であって、前記原画
   パターンが描かれた領域とは別の領域に半導体ウエハを
   識別する識別情報を描き、半導体ウエハの通常領域を露
   光するときには、前記ブラインドにより前記識別情報が
   描かれた領域を覆って、前記原画パターンを半導体ウエ
   ハ上に転写し、半導体ウエハの所定領域を露光するとき
   には、前記ブラインドを動かして前記識別情報が描かれ
   た領域を露出させて、前記原画パターンと前記識別情報
   とを一度に半導体ウエハ上に転写することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。