JPS61284910A - 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法Info
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- JPS61284910A JPS61284910A JP60125686A JP12568685A JPS61284910A JP S61284910 A JPS61284910 A JP S61284910A JP 60125686 A JP60125686 A JP 60125686A JP 12568685 A JP12568685 A JP 12568685A JP S61284910 A JPS61284910 A JP S61284910A
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- Japan
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- manufacturing
- mask
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- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は．半導体装置調造用基板（フォトマスク用ガラ
スおよび半導体ウェハを含む）およびこの基板を利用し
た半導体装置製造方法に関する。
スおよび半導体ウェハを含む）およびこの基板を利用し
た半導体装置製造方法に関する。
従来，集積回路の製造に際して必要なフォトマスク用ガ
ラス（ガラスマスク）を製作する場合、マスク材料（写
真乾板あるいはハードブランク）に対する各製造工程（
コピーワーク，マスク検査など）と並行してマスク製作
上の規格とｉ処理上の取扱い方法とか処理後のマスク検
査基準などを記載した仕様シートを製造現場に流し、こ
のシートを操作員が見て処理内容等を判断している。同
様に、集積回路製造に際して。
ラス（ガラスマスク）を製作する場合、マスク材料（写
真乾板あるいはハードブランク）に対する各製造工程（
コピーワーク，マスク検査など）と並行してマスク製作
上の規格とｉ処理上の取扱い方法とか処理後のマスク検
査基準などを記載した仕様シートを製造現場に流し、こ
のシートを操作員が見て処理内容等を判断している。同
様に、集積回路製造に際して。
半導体ウェハに対する各製造工程でのプロセス条件等に
ついてもシートに記載したものを別に用意し、これを各
製造工程と並行して製造現場に流している。
ついてもシートに記載したものを別に用意し、これを各
製造工程と並行して製造現場に流している。
しかし、上述したように基板（ガラスマスクあるいは半
導体ウェハ）と別のシートとを必らず１組として流すこ
とによって各工程での処理が可能になるということは、
上記シートが紛失したシ、シートと基板との組合せが間
違ったシ。
導体ウェハ）と別のシートとを必らず１組として流すこ
とによって各工程での処理が可能になるということは、
上記シートが紛失したシ、シートと基板との組合せが間
違ったシ。
シートに記載された内容を操作員が見間違うなどのおそ
れがあるので、基板の生産性が低く。
れがあるので、基板の生産性が低く。
製造歩留シが低下するなどの問題がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので。
各製造工程での製造条件等を確実、正確に認識でき、生
産性の向上、製造歩留シの向上を図シ得る半導体装置製
造用基板を提供するものであシ、さらに半導体装置の製
造に際して半導体装置の生産性の向上＞’ＪＪ造歩留夛
の向上を図シ得る半導体装置製造方法を提供するもので
ある。
産性の向上、製造歩留シの向上を図シ得る半導体装置製
造用基板を提供するものであシ、さらに半導体装置の製
造に際して半導体装置の生産性の向上＞’ＪＪ造歩留夛
の向上を図シ得る半導体装置製造方法を提供するもので
ある。
即ち１本発明の半導体装置製造用基板は、ガラスマスク
または半導体ウェハであって、その実パターン有効領域
外または有効チップ領域外に製造上の条件等を表わす参
考情報がパターニング形成されていることを特徴とする
ものである。
または半導体ウェハであって、その実パターン有効領域
外または有効チップ領域外に製造上の条件等を表わす参
考情報がパターニング形成されていることを特徴とする
ものである。
これによって、基板の各製造工程で製造条件等を確実、
正確に認識することが可能にな）。
正確に認識することが可能にな）。
基板の生産性、製造歩留シの向上に寄与するようになる
。
。
また１本発明の半導体装置製造方法は、前記参考情報が
パターニング形成されたガラスマスクまたは半導体ウェ
ハを使用する半導体装置製造工程において、上記し青情
報に基いて工程処理を行なうことを特徴とするものであ
る。
パターニング形成されたガラスマスクまたは半導体ウェ
ハを使用する半導体装置製造工程において、上記し青情
報に基いて工程処理を行なうことを特徴とするものであ
る。
これによって、半導体装置製造工程での製造条件等を該
当するガラスマスクあるいは半導体ウェハから直接に、
確実かつ正確に認識できるようになシ、工程処理の条件
等を正確に設定することが可能になシ、最終的には半導
体装置の生産性、製造歩留シの向上に寄与するようにな
る。
当するガラスマスクあるいは半導体ウェハから直接に、
確実かつ正確に認識できるようになシ、工程処理の条件
等を正確に設定することが可能になシ、最終的には半導
体装置の生産性、製造歩留シの向上に寄与するようにな
る。
以下１図面を参照して本発明に係る半導体装置製造用基
板について詳細に説明する。
板について詳細に説明する。
第１図は半導体装置製造用のガラスマスク１を示してお
フ、このガラスマスク１上の中央部には本来的に必要な
マスクパターンを形成するための実パターン有効領域２
が確保されておシ、この有効領域２の周囲に位置する余
白領域３の一部にマスク名称４のほかに参考情報５がパ
ターニング形成されている。即ち、上記参考情報５は、
ガラスマスク１の製造上必要な条件とか規格値であシ、
さらにはマスク検査後に２いてはパターン寸法値の規格
（設計目標値）からのずれ量αなどである。また、これ
らの参考情報５は、後工程で自動認識が容易となるよう
に。
フ、このガラスマスク１上の中央部には本来的に必要な
マスクパターンを形成するための実パターン有効領域２
が確保されておシ、この有効領域２の周囲に位置する余
白領域３の一部にマスク名称４のほかに参考情報５がパ
ターニング形成されている。即ち、上記参考情報５は、
ガラスマスク１の製造上必要な条件とか規格値であシ、
さらにはマスク検査後に２いてはパターン寸法値の規格
（設計目標値）からのずれ量αなどである。また、これ
らの参考情報５は、後工程で自動認識が容易となるよう
に。
たとえば第３図に示すようにバーコード化されると共に
必要に応じて後工程で操作員が認識し得るように英数字
が付加されたパターンとして表示されるものであ）、た
とえば電子ビーム露光装置により上記参考情報のパター
ンを発生させ、マスクブランク上にビーム露光してパタ
ーニングすることによシ形成することができる。
必要に応じて後工程で操作員が認識し得るように英数字
が付加されたパターンとして表示されるものであ）、た
とえば電子ビーム露光装置により上記参考情報のパター
ンを発生させ、マスクブランク上にビーム露光してパタ
ーニングすることによシ形成することができる。
上記ガラスマスクによれば、その製造上必要つ）
な条件とか規格値とがマスク検査結果などの参考情報が
実パターン有効領域外に直接書き込まれているので、従
来必要とした別シートを省略でき、各製造工程での参考
情報の管理が単純化され、情報管理を正確、確実に行な
うことが可能になるので、その生産性の向上、製造歩留
夛の向上が可能になる。
実パターン有効領域外に直接書き込まれているので、従
来必要とした別シートを省略でき、各製造工程での参考
情報の管理が単純化され、情報管理を正確、確実に行な
うことが可能になるので、その生産性の向上、製造歩留
夛の向上が可能になる。
同様に、第２図に示すように半導体ウニ八６上の実効チ
ップ領域７外の余白領域８にブロセス薬件等の参考情報
をビーム露光によシバターニング形成しておくことによ
シ、上記と同様にその生産性の向上、製造歩留シの向上
を図ることが可能になる。
ップ領域７外の余白領域８にブロセス薬件等の参考情報
をビーム露光によシバターニング形成しておくことによ
シ、上記と同様にその生産性の向上、製造歩留シの向上
を図ることが可能になる。
次に、前記したような本発明に係る基板を利用して半導
体装置を製造する方法の一実施例として、半導体ウェハ
上にガラスマスクのパターンを露光する工程について第
４図を参照して説明する。この工程においては、ガラス
マスク１に書き込まれているマスク検査結果情報である
パターン寸法規格値からのずれ量αを露光装置でバーコ
ード等認識部によル自動的に読み取り、このずれ量αに
見合うだけ基準露光量Ｅｘｐを補正して最適量となるよ
うに自動的にフィードバック制御を行なうことによって
、半導体ウエノ・６上に所定のパターン寸法が得られる
ように自動最適量制御方式によるプロセス制御を行なう
ことが可能になる。このように、半導体装置製造工程で
の製造条件等を該当する基板から直接に、確実かつ正確
に認識できるので、工程処理ゐ生′意性がよくなシ、各
工程での品質制御がよくなシ、結果として高品質の半導
体装置を高歩留りで量産することが可能になる。
体装置を製造する方法の一実施例として、半導体ウェハ
上にガラスマスクのパターンを露光する工程について第
４図を参照して説明する。この工程においては、ガラス
マスク１に書き込まれているマスク検査結果情報である
パターン寸法規格値からのずれ量αを露光装置でバーコ
ード等認識部によル自動的に読み取り、このずれ量αに
見合うだけ基準露光量Ｅｘｐを補正して最適量となるよ
うに自動的にフィードバック制御を行なうことによって
、半導体ウエノ・６上に所定のパターン寸法が得られる
ように自動最適量制御方式によるプロセス制御を行なう
ことが可能になる。このように、半導体装置製造工程で
の製造条件等を該当する基板から直接に、確実かつ正確
に認識できるので、工程処理ゐ生′意性がよくなシ、各
工程での品質制御がよくなシ、結果として高品質の半導
体装置を高歩留りで量産することが可能になる。
上述したように本発明によれば、基板に所要の参考情報
をパターニング形成しているので。
をパターニング形成しているので。
各製造工程で製造条件等を確実、正確に認識でき、生産
性の向上、製造歩留シの向上を図シ得る半導体装置製造
用基板を提供できる。さらに、半導体装置の製造に際し
て上記基板を使用し、その参考情報を利用することによ
って半導体装置の生産性の向上、製造歩留ルの向上を図
シ得る半導体装置製造方法を提供できる。
性の向上、製造歩留シの向上を図シ得る半導体装置製造
用基板を提供できる。さらに、半導体装置の製造に際し
て上記基板を使用し、その参考情報を利用することによ
って半導体装置の生産性の向上、製造歩留ルの向上を図
シ得る半導体装置製造方法を提供できる。
第１図は本発明の半導体装置製造用基板の一実施例に係
るガラスマスクを示す平面図、第２図は同じく他の実施
例に係る半導体クエハを示す平面図、第３図は第１図中
のパターニングされた参考情報の一例を示すパターン図
、第４図は半導体ウェハ上にガラスマスクのパターンを
露光する工程を説明するための図である。 １・・・ガラスマスク、２・・・実パターン有効領域。 ３．８・・・余白領域、５・・・参考情報、６・・・半
導体ウェハ、７・・・有効チップ領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図
るガラスマスクを示す平面図、第２図は同じく他の実施
例に係る半導体クエハを示す平面図、第３図は第１図中
のパターニングされた参考情報の一例を示すパターン図
、第４図は半導体ウェハ上にガラスマスクのパターンを
露光する工程を説明するための図である。 １・・・ガラスマスク、２・・・実パターン有効領域。 ３．８・・・余白領域、５・・・参考情報、６・・・半
導体ウェハ、７・・・有効チップ領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図
Claims (4)
- （１）半導体装置製造用のガラスマスクまたは半導体ウ
ェハであつて、その実パターン有効領域外または有効チ
ップ領域外に製造上の条件等を表わす参考情報がパター
ニング形成されていることを特徴とする半導体装置製造
用基板。 - （２）前記ガラスマスク上の参考情報にはマスク製造規
格に対するマスク検査の結果が含まれていることを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造
用基板。 - （３）半導体装置製造用のガラスマスクまたは半導体ウ
ェハにおける実パターン有効領域外または有効チップ領
域外に製造上の条件等を表わす参考情報をパターニング
形成し、上記ガラスマスクまたは半導体ウェハを使用す
る半導体装置製造工程において前記参考情報に基いて工
程処理を行なうことを特徴とする半導体装置製造方法。 - （４）前記参考情報を読取り装置により自動的に読み取
り、この読み取り情報に基いて自動的に工程処理の条件
等を設定するようにしたことを特徴とする前記特許請求
の範囲第３項記載の半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125686A JPS61284910A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125686A JPS61284910A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284910A true JPS61284910A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14916170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60125686A Pending JPS61284910A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284910A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02962A (ja) * | 1988-05-25 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの作成方法 |
| US5003251A (en) * | 1989-09-12 | 1991-03-26 | Grumman Aerospace Corporation | Bar code reader for printed circuit board |
| KR970048915A (ko) * | 1995-12-14 | 1997-07-29 | 김광호 | 소자이름이 형성되어 있는 포토마스크 |
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2010079305A (ja) * | 2009-11-20 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP60125686A patent/JPS61284910A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02962A (ja) * | 1988-05-25 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの作成方法 |
| US5003251A (en) * | 1989-09-12 | 1991-03-26 | Grumman Aerospace Corporation | Bar code reader for printed circuit board |
| KR970048915A (ko) * | 1995-12-14 | 1997-07-29 | 김광호 | 소자이름이 형성되어 있는 포토마스크 |
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2010079305A (ja) * | 2009-11-20 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
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