JPH02962A - フォトマスクの作成方法 - Google Patents
フォトマスクの作成方法Info
- Publication number
- JPH02962A JPH02962A JP63127309A JP12730988A JPH02962A JP H02962 A JPH02962 A JP H02962A JP 63127309 A JP63127309 A JP 63127309A JP 12730988 A JP12730988 A JP 12730988A JP H02962 A JPH02962 A JP H02962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- quality
- quality information
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造工程にて使用されるフォトマ
スク作成方法に関するものである。
スク作成方法に関するものである。
フォトマスクは半導体素子製造工程には不可欠で、デバ
イスの高集積化、高精度化に伴なって高精度になりつつ
ある。最近ではフォトマスクの製造は電子ビーム露光装
置を用いて行なわれておりその精度は増々向上している
。ここで従来のフォトマスクの作成方法を第５図を用い
て説明する。
イスの高集積化、高精度化に伴なって高精度になりつつ
ある。最近ではフォトマスクの製造は電子ビーム露光装
置を用いて行なわれておりその精度は増々向上している
。ここで従来のフォトマスクの作成方法を第５図を用い
て説明する。
フォトマスクの作成方法は通常の写真製版工程と同じ様
に形成され、ガラス基板ｆｉｌ上に被着された金属クロ
ム薄膜上にレジストを被着し所望部分のみを電子ビーム
露光装置を用いて描画想像しレジストパタンを得る。そ
のレジストパターンをマスクにしてエツチングすると、
所望のデバイスのパターン（２）が形成される。この製
造工程において欠陥の発生は不可避であり、各マスク毎
にその欠陥の種類が異なり欠陥数もまちまちである。更
に、これらのフォトマスクを使用していくと、洗浄など
により欠陥個数が増加する。
に形成され、ガラス基板ｆｉｌ上に被着された金属クロ
ム薄膜上にレジストを被着し所望部分のみを電子ビーム
露光装置を用いて描画想像しレジストパタンを得る。そ
のレジストパターンをマスクにしてエツチングすると、
所望のデバイスのパターン（２）が形成される。この製
造工程において欠陥の発生は不可避であり、各マスク毎
にその欠陥の種類が異なり欠陥数もまちまちである。更
に、これらのフォトマスクを使用していくと、洗浄など
により欠陥個数が増加する。
ところが、従来ではこれらの欠陥個数の管理は別の台帳
などでなされることが多く、どれ程の欠陥がありどれ程
増加したかが不明確であり、また寸法測定値においても
規格値内に入りているフォトマスクを出荷してはいるが
、寸法値がマスク毎に全て異なり転写の隙の露光条件を
決定するのが難かしいなどの問題点があった。
などでなされることが多く、どれ程の欠陥がありどれ程
増加したかが不明確であり、また寸法測定値においても
規格値内に入りているフォトマスクを出荷してはいるが
、寸法値がマスク毎に全て異なり転写の隙の露光条件を
決定するのが難かしいなどの問題点があった。
本発明は以上の様な問題点を除去するためになされたも
ので、フォトマスク作成中あるいは使用中の寸法値や欠
陥データなどの品質情報をフォトマスク内に記録したも
ので、これによりより精度の高いデバイスを作成してい
くことを目的としたものである。
ので、フォトマスク作成中あるいは使用中の寸法値や欠
陥データなどの品質情報をフォトマスク内に記録したも
ので、これによりより精度の高いデバイスを作成してい
くことを目的としたものである。
この発明に係るフォトマスクの作成方法は、フォトマス
クを作成あるいは使用中のフォトマスクの品質情報をフ
ォトマスクの実デバイス中あるいは実デバイス以外の有
効エリア外に記録するようになしたものである。
クを作成あるいは使用中のフォトマスクの品質情報をフ
ォトマスクの実デバイス中あるいは実デバイス以外の有
効エリア外に記録するようになしたものである。
本発明によればフォトマスクの品質が各フォトマスク毎
に記録されているので半導体ウェハに転写する際にフォ
トマスクの品質をチエツクしまた把握した上で使用でき
るのでデバイスの形成上有利な点が多く歩留りの向上と
なる。
に記録されているので半導体ウェハに転写する際にフォ
トマスクの品質をチエツクしまた把握した上で使用でき
るのでデバイスの形成上有利な点が多く歩留りの向上と
なる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。ガ
ラス基板＋１１上に金属クロム薄膜を被着させ、その上
にレジストを塗布し所望部分のみを電子ビーム露光装置
を用いて描画想像しレジストパターンを得る。この際、
有効エリア外に品質情報を記録するパターン（３）をも
描画しておく。第２図はこの情報記録パターン（３）の
一実施例を示す拡大説明図である０次に、レジストパタ
ンをマスクにしてエツチングし所望のパターン（２）を
得る。バクーン形成後は所定の検査を行なうが、まず素
子寸法測定を行ない例えば１０μｍのパターンに対し±
０．１μｍ、±０．２μｍ、±０．３μｍの規格に入っ
ているかの判別を行ない、＋０．１μｍの規格に入って
いれば第２図に示すように＋０．１ ｐ ｍの（５）の
ところにＣ１の残し、パターン（４）を作成しておきそ
のパターンをレーザ修正機でパターンを抜き（５）を、
品質情報として記録する。次に、これらの測定値の平均
をとりその平均値がどのレベルに入っているかの判定を
行ない＋０．１μｍ内であれば＋０．１μｍの（６）と
ころのｇパターンをレーザ修正機によってパターンを抜
き同様の品質情報として記録する。
ラス基板＋１１上に金属クロム薄膜を被着させ、その上
にレジストを塗布し所望部分のみを電子ビーム露光装置
を用いて描画想像しレジストパターンを得る。この際、
有効エリア外に品質情報を記録するパターン（３）をも
描画しておく。第２図はこの情報記録パターン（３）の
一実施例を示す拡大説明図である０次に、レジストパタ
ンをマスクにしてエツチングし所望のパターン（２）を
得る。バクーン形成後は所定の検査を行なうが、まず素
子寸法測定を行ない例えば１０μｍのパターンに対し±
０．１μｍ、±０．２μｍ、±０．３μｍの規格に入っ
ているかの判別を行ない、＋０．１μｍの規格に入って
いれば第２図に示すように＋０．１ ｐ ｍの（５）の
ところにＣ１の残し、パターン（４）を作成しておきそ
のパターンをレーザ修正機でパターンを抜き（５）を、
品質情報として記録する。次に、これらの測定値の平均
をとりその平均値がどのレベルに入っているかの判定を
行ない＋０．１μｍ内であれば＋０．１μｍの（６）と
ころのｇパターンをレーザ修正機によってパターンを抜
き同様の品質情報として記録する。
その後、欠陥検査装置を用い欠陥数と欠陥種類を前述同
様（３）のパターン部のＣｒパターンをレーザ修正機に
よってパターンを抜き（７）を品質情報として記録する
。ここでは例としてＡ、Ｂ、Ｃの欠陥が三個の場合の例
を示した。
様（３）のパターン部のＣｒパターンをレーザ修正機に
よってパターンを抜き（７）を品質情報として記録する
。ここでは例としてＡ、Ｂ、Ｃの欠陥が三個の場合の例
を示した。
この様にして作成されたフォトマスクはウェハプロセス
に手渡され写真製版工程に使用される。
に手渡され写真製版工程に使用される。
この場合、寸法情報がフォトマスク自身に記録されてお
り、どれ程の寸法シフトが設計値より起きているかがフ
ォトマスクを観案するのみで判別できる。
り、どれ程の寸法シフトが設計値より起きているかがフ
ォトマスクを観案するのみで判別できる。
この寸法情報を元にして露光条件を設定でき、最適露光
条件が判明しウェハ上のレジストパターンが最適化され
高精度化が可能となる。一方、欠陥数と種類が記録され
ているフォトマスクを使用することにより、欠陥数を知
った上で転写できるため、後工程の欠陥に対して有力な
情報となる。
条件が判明しウェハ上のレジストパターンが最適化され
高精度化が可能となる。一方、欠陥数と種類が記録され
ているフォトマスクを使用することにより、欠陥数を知
った上で転写できるため、後工程の欠陥に対して有力な
情報となる。
また、欠陥数はフォトマスクを使用し洗浄していく毎に
増加していく、この欠陥数を更にこのフォトマスクに記
録していくことによりフォトマスクの寿命が一目にして
判別できフォトマスクの管理が容易となる。
増加していく、この欠陥数を更にこのフォトマスクに記
録していくことによりフォトマスクの寿命が一目にして
判別できフォトマスクの管理が容易となる。
以上本発明の一実施例について説明したが、他の実施例
について第３図をもとに説明する。フォトマスクの作成
方法は前述した方法と同様であるが、欠陥数を各デバイ
スのチップ（８）に記録する。
について第３図をもとに説明する。フォトマスクの作成
方法は前述した方法と同様であるが、欠陥数を各デバイ
スのチップ（８）に記録する。
欠陥検査後特に致命的な欠陥と思われるものについては
そのチップは不良になると思われるが、欠陥の種類によ
っては不良にはならずテスト工程にて良品になることも
ある。これらを防止する上でも明らかに致命的な欠陥と
思われるチップ（９）にはチップ内の特定個所のパター
ンをレーザ修正機などでパターンを抜き０ｍのチップの
判別をしておく。
そのチップは不良になると思われるが、欠陥の種類によ
っては不良にはならずテスト工程にて良品になることも
ある。これらを防止する上でも明らかに致命的な欠陥と
思われるチップ（９）にはチップ内の特定個所のパター
ンをレーザ修正機などでパターンを抜き０ｍのチップの
判別をしておく。
上記実施例においてはフォトマスクの上部に品質情報を
Ｃｒパターンを抜く方法について述べたが、バーコード
（第４図（ａ））による方法でもよく、またフォトマス
クの側面に情報を記録する方法（第４図（ｂ））でもよ
い、また、品質情報を直接印字（第４図（Ｃ））に記録
する方法でもよく同様の効果を奏する。また、上記実施
例では欠陥数、ａ類寸法値について記録する様にしたが
、これに限ったものではなく電子ビーム露光精度データ
でもよく、またトータルピッチデータでもよく同様の効
果を奏する。デバイス上に記録する方法においても欠陥
情報に限ったものではなく他の重要な品質情報でもよく
同様の効果を奏する。この方法によリウエハ内の欠陥に
よる不良チップが判別でき出荷が防止する。
Ｃｒパターンを抜く方法について述べたが、バーコード
（第４図（ａ））による方法でもよく、またフォトマス
クの側面に情報を記録する方法（第４図（ｂ））でもよ
い、また、品質情報を直接印字（第４図（Ｃ））に記録
する方法でもよく同様の効果を奏する。また、上記実施
例では欠陥数、ａ類寸法値について記録する様にしたが
、これに限ったものではなく電子ビーム露光精度データ
でもよく、またトータルピッチデータでもよく同様の効
果を奏する。デバイス上に記録する方法においても欠陥
情報に限ったものではなく他の重要な品質情報でもよく
同様の効果を奏する。この方法によリウエハ内の欠陥に
よる不良チップが判別でき出荷が防止する。
この様にしてフォトマスクの品質情報をフォトマスク上
に記録したのでフォトマスクの品質が迅速にかつ正確に
把握できこのためウェハプロセスにおいて高精度なデバ
イスが作成でき歩留りも向上できる大きな利点を有する
。
に記録したのでフォトマスクの品質が迅速にかつ正確に
把握できこのためウェハプロセスにおいて高精度なデバ
イスが作成でき歩留りも向上できる大きな利点を有する
。
第１図は本発明によるフォトマスクの外観図、第２図は
品質情報を示す拡大説明図、第３図はデバイスチップ内
に品質情報を示す図、第４図ｆａｔ〜ｆｃ）は本発明の
他の実施例の情報表示例を示す図、第５図は従来のフォ
トマスクである。 図において、＋１１はガラス基手反、（２）はレジスト
パターン、（３）は情報記録パターン（４）はパターン
抜き部、１５＋ ＋６＋ ＋７１ Ｑ［Ｉはパターン表
示部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第３図 第２＠ 第４図 第５図 （自発）
品質情報を示す拡大説明図、第３図はデバイスチップ内
に品質情報を示す図、第４図ｆａｔ〜ｆｃ）は本発明の
他の実施例の情報表示例を示す図、第５図は従来のフォ
トマスクである。 図において、＋１１はガラス基手反、（２）はレジスト
パターン、（３）は情報記録パターン（４）はパターン
抜き部、１５＋ ＋６＋ ＋７１ Ｑ［Ｉはパターン表
示部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第３図 第２＠ 第４図 第５図 （自発）
Claims (1)
- フォトマスクを作成あるいは使用中のフォトマスクの品
質情報をフォトマスクの実デバイスチップ中あるいは実
デバイス以外の有効エリア外に記録することを特徴とす
るフォトマスクの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127309A JPH02962A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | フォトマスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127309A JPH02962A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | フォトマスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02962A true JPH02962A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=14956759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127309A Pending JPH02962A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | フォトマスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02962A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2009048185A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Hoya Corp | フォトマスク情報の取得方法、フォトマスクの品質表示方法、電子デバイスの製造支援方法、電子デバイスの製造方法及びフォトマスク製品 |
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
| JP2010079305A (ja) * | 2009-11-20 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2015179788A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 透明基板 |
| US9538301B2 (en) | 2010-11-24 | 2017-01-03 | Koninklijke Philips N.V. | Device comprising a plurality of audio sensors and a method of operating the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284910A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Toshiba Corp | 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 |
| JPS6275532A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Toshiba Corp | 基板の製造方法 |
| JPS6241145B2 (ja) * | 1981-11-17 | 1987-09-01 | Shin Meiwa Ind Co Ltd |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127309A patent/JPH02962A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6241145B2 (ja) * | 1981-11-17 | 1987-09-01 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | |
| JPS61284910A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Toshiba Corp | 半導体装置製造用基板および半導体装置製造方法 |
| JPS6275532A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Toshiba Corp | 基板の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116533A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2009048185A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Hoya Corp | フォトマスク情報の取得方法、フォトマスクの品質表示方法、電子デバイスの製造支援方法、電子デバイスの製造方法及びフォトマスク製品 |
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
| JP2010079305A (ja) * | 2009-11-20 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法 |
| US9538301B2 (en) | 2010-11-24 | 2017-01-03 | Koninklijke Philips N.V. | Device comprising a plurality of audio sensors and a method of operating the same |
| JP2015179788A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 透明基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100774048B1 (ko) | 포토마스크의 제조방법, 포토마스크 블랭크의 제조방법 및포토마스크의 재생방법 | |
| JP2004289110A (ja) | 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板 | |
| JP7500828B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| US5043586A (en) | Planarized, reusable calibration grids | |
| US4105468A (en) | Method for removing defects from chromium and chromium oxide photomasks | |
| JPH02962A (ja) | フォトマスクの作成方法 | |
| JP5526631B2 (ja) | 位相シフトマスクの修正方法および修正された位相シフトマスク、並びに位相シフトマスクの製造方法 | |
| US7070888B2 (en) | Method of selecting photomask blank substrates | |
| US5169488A (en) | Method of forming planarized, reusable calibration grids | |
| JP3377006B2 (ja) | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 | |
| JP4170569B2 (ja) | 基板選択装置 | |
| JP3650055B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPWO2020095959A1 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2013089691A (ja) | 反射型マスクの欠陥修正方法および製造方法 | |
| US7422828B1 (en) | Mask CD measurement monitor outside of the pellicle area | |
| JPS6131610B2 (ja) | ||
| JPS626259A (ja) | フオトマスク基板 | |
| WO2024004843A1 (ja) | 薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0258777B2 (ja) | ||
| JPWO2019078205A1 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH10335210A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2004029403A (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク並びに露光方法 | |
| CN114779595A (zh) | 红外探测器拼接基板制备方法 | |
| JPS6111461B2 (ja) | ||
| JP2003263707A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |