JPS626259A - フオトマスク基板 - Google Patents
フオトマスク基板Info
- Publication number
- JPS626259A JPS626259A JP60147494A JP14749485A JPS626259A JP S626259 A JPS626259 A JP S626259A JP 60147494 A JP60147494 A JP 60147494A JP 14749485 A JP14749485 A JP 14749485A JP S626259 A JPS626259 A JP S626259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variation
- plate thickness
- substrate
- mask
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はフォトマスク基板に関するものである。
〈従来の技術〉
ＩＣ又ｕＬＳＩのパターンをウェハに転写する際に用い
られるフォトマスクは、普通ガラス基板上に真空蒸着法
又はスパッタリング法で成膜された厚さ６００〜８００
λのクロム膜（クロムｊ［又は酸化クロム／クロム２層
構造）をフォトリソグラフィを用いてエツチングするこ
とによシ微細なパターンが形成される。そして、フォト
マスクは、ウェハプロセスのアライメント工程で使用さ
れ、所定のウェハ枚数を処理した後は、洗浄されて、パ
ターン欠陥数が決められた範囲内であれば、再びアライ
メント工程で使用するという風に繰シ返し使用される。
られるフォトマスクは、普通ガラス基板上に真空蒸着法
又はスパッタリング法で成膜された厚さ６００〜８００
λのクロム膜（クロムｊ［又は酸化クロム／クロム２層
構造）をフォトリソグラフィを用いてエツチングするこ
とによシ微細なパターンが形成される。そして、フォト
マスクは、ウェハプロセスのアライメント工程で使用さ
れ、所定のウェハ枚数を処理した後は、洗浄されて、パ
ターン欠陥数が決められた範囲内であれば、再びアライ
メント工程で使用するという風に繰シ返し使用される。
マスクパターンをウェハに焼き付ける方式には、ウェハ
とマスクが接触するコンタクト方式と、非接触のプロジ
ェクション方式とがあるが、コンタクト方式ではウェハ
とマスクの間にはさまれた異物等によるマスクパターン
の破損、プロジェクション方式では、ウェハとマスクは
接触しないものの、物理的なスクラブ洗浄又は高圧水ジ
ェット洗浄、さらに高温強酸等の化学洗浄によりマスク
パターンがダメージを受け、アライメント工程で繰シ返
し使用していくと、ついには、決められた個数以上の欠
陥個数になってしまい、ある回数で、フォトマスクの寿
命になってしまう。
とマスクが接触するコンタクト方式と、非接触のプロジ
ェクション方式とがあるが、コンタクト方式ではウェハ
とマスクの間にはさまれた異物等によるマスクパターン
の破損、プロジェクション方式では、ウェハとマスクは
接触しないものの、物理的なスクラブ洗浄又は高圧水ジ
ェット洗浄、さらに高温強酸等の化学洗浄によりマスク
パターンがダメージを受け、アライメント工程で繰シ返
し使用していくと、ついには、決められた個数以上の欠
陥個数になってしまい、ある回数で、フォトマスクの寿
命になってしまう。
これらアライメント工程で繰り返し使用されて寿命にな
ったフォトマスクや、フォトマスク作製時に不良になっ
たものを含めて、使用不可能なマスクは、従来は廃棄さ
れるのが普通であった。しかし、最近では、パターンの
微細化、高集積化が進ンタ結果、フォトマスクのガラス
基板も合成石鳥英の様な高精度材料が使用され、基板自
体が高価なため、そのまま廃棄しているのでは、非常な
ぜいたくをしていることになり、ＬＳＩのコスト競争を
勝ち抜く上で、この様なぜいたくは許されない状況にな
ってきている。
ったフォトマスクや、フォトマスク作製時に不良になっ
たものを含めて、使用不可能なマスクは、従来は廃棄さ
れるのが普通であった。しかし、最近では、パターンの
微細化、高集積化が進ンタ結果、フォトマスクのガラス
基板も合成石鳥英の様な高精度材料が使用され、基板自
体が高価なため、そのまま廃棄しているのでは、非常な
ぜいたくをしていることになり、ＬＳＩのコスト競争を
勝ち抜く上で、この様なぜいたくは許されない状況にな
ってきている。
そこで、パターン不良となったフォトマスクのクロム膜
をはがし、基板を再度数十ミクロン研摩して、キズの入
った層を取υ除き、再び膜付けを行なって、フォトマス
クとして利用する基板のリサイクルが現在では普通に行
なわれる様になっている。
をはがし、基板を再度数十ミクロン研摩して、キズの入
った層を取υ除き、再び膜付けを行なって、フォトマス
クとして利用する基板のリサイクルが現在では普通に行
なわれる様になっている。
リサイクルは、ガラス基板の板厚が所定の範囲にある間
は何回でも行なうことができ、研摩回数をこなして、板
厚が所定の下限を越えた時はじめて、そのガラス基板は
廃棄されることになる。例えば、現在の６インチ角以下
のサイズの基板板厚規格は、 ２．３±０．１ｎであシ
、２．２ｆｆか下限厚となる。このリサイクル回数は、
基板の初期板厚やアライメント後のフォトマスクのダメ
ージの入シ具合で変わるが、大体４〜１０回のリサイク
ルが行なわれるのが普通である。
は何回でも行なうことができ、研摩回数をこなして、板
厚が所定の下限を越えた時はじめて、そのガラス基板は
廃棄されることになる。例えば、現在の６インチ角以下
のサイズの基板板厚規格は、 ２．３±０．１ｎであシ
、２．２ｆｆか下限厚となる。このリサイクル回数は、
基板の初期板厚やアライメント後のフォトマスクのダメ
ージの入シ具合で変わるが、大体４〜１０回のリサイク
ルが行なわれるのが普通である。
再研摩にかけるマスク基板は、研摩によって板厚が所定
の板厚下限よシ薄くならないか一枚一枚検査器でチェッ
クされ、研摩によって板厚スペックからはずれてしまう
ことが明らかなものは、事前に除外する様になっている
。
の板厚下限よシ薄くならないか一枚一枚検査器でチェッ
クされ、研摩によって板厚スペックからはずれてしまう
ことが明らかなものは、事前に除外する様になっている
。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、この板厚をそろえる作業は、一枚一枚行なわ
れるため、非常に面倒なものであり、またスペックをは
ずれるものも測定しなければならず、この手間だけでも
かなシの割合になっている。
れるため、非常に面倒なものであり、またスペックをは
ずれるものも測定しなければならず、この手間だけでも
かなシの割合になっている。
本発明は、基板リサイクルを行なう時の板厚チェックの
手間を軽減すると共に、リサイク／ｌ／を行なっている
マスク基板があと何回くらいリサイクル可能かの目安を
与え、且つ、リサイクル不可能のところまで板厚が薄く
なっているものを、測定することなくふるい分けられる
ようにすることを目的としてなされたものである。
手間を軽減すると共に、リサイク／ｌ／を行なっている
マスク基板があと何回くらいリサイクル可能かの目安を
与え、且つ、リサイクル不可能のところまで板厚が薄く
なっているものを、測定することなくふるい分けられる
ようにすることを目的としてなされたものである。
〈問題点を解決するための手段〉
すなわち、マスク基板のコーナーの一部等を浅い角度で
斜め研摩しておき、板厚が減少するにつれて研摩部分が
次第に小さくなっていくようにすることで、微小な板厚
変化を一目見てわかる様にしたものである。
斜め研摩しておき、板厚が減少するにつれて研摩部分が
次第に小さくなっていくようにすることで、微小な板厚
変化を一目見てわかる様にしたものである。
〈作 用〉
再生研摩は普通−回に２０〜３０ミクロン程度行なうが
、板厚の変化はダイヤルゲージやマイクロメータで測定
しなければわからないオーダである。しかし、マスク基
板のコーナーを例えば１゜の角度で研摩して、斜面部を
設けておけば、１００ミクロン（０，１ｆｌ）の変化は
、約５０倍の５ｆｌの斜面部の変化となって表われ、−
回の研摩での２０〜３０ミクロンの板厚変化は１〜１．
５ｆｌの斜面部変化となシ、十分肉眼で判断することが
できる。
、板厚の変化はダイヤルゲージやマイクロメータで測定
しなければわからないオーダである。しかし、マスク基
板のコーナーを例えば１゜の角度で研摩して、斜面部を
設けておけば、１００ミクロン（０，１ｆｌ）の変化は
、約５０倍の５ｆｌの斜面部の変化となって表われ、−
回の研摩での２０〜３０ミクロンの板厚変化は１〜１．
５ｆｌの斜面部変化となシ、十分肉眼で判断することが
できる。
〈実施例〉
研摩は普通両面ラッピングで行なわれるため、上記斜面
部は両面に付け、斜面部が無くなった時点でリサイクル
不可能と判断する様にする。また、場合によっては、斜
面部に例えば１ｆｌ間隔の目盛をつけることによシ、よ
シ板厚変化を見易くできることになる。
部は両面に付け、斜面部が無くなった時点でリサイクル
不可能と判断する様にする。また、場合によっては、斜
面部に例えば１ｆｌ間隔の目盛をつけることによシ、よ
シ板厚変化を見易くできることになる。
第１図に、上記構成としたフォトマスク基板（ガラス基
板）１を示す。２が斜面部であり、目盛３（例えば１ｆ
ｌ間隔）が付されている。Ａ部の断面を第２図に示す。
板）１を示す。２が斜面部であり、目盛３（例えば１ｆ
ｌ間隔）が付されている。Ａ部の断面を第２図に示す。
４は研摩角度（例えば１°、この角度が浅いほど板厚変
化が大きく出る）、５は板厚下限である。
化が大きく出る）、５は板厚下限である。
なお、片面研摩のときは、片面だけに上記斜面部を設け
たシ、１つのコーナーだけで々く、４つのコーナーに斜
面部を設けて、板厚の研摩ばらつきも見ることができ、
リサイクル可能、不可能をこの４つの斜面部の残シ具合
で判断することもできる。
たシ、１つのコーナーだけで々く、４つのコーナーに斜
面部を設けて、板厚の研摩ばらつきも見ることができ、
リサイクル可能、不可能をこの４つの斜面部の残シ具合
で判断することもできる。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によシ、マスク基板
リサイクルに於ける板厚チェックの手間を大幅に減らす
ことができるものである。
リサイクルに於ける板厚チェックの手間を大幅に減らす
ことができるものである。
なお、上記に於いては、角マスクについて説明したが、
一部で使用されている丸マスクについても応用でき、円
周部の一部やファセットの一部を利用して、斜面部を形
成できることは明らかである。
一部で使用されている丸マスクについても応用でき、円
周部の一部やファセットの一部を利用して、斜面部を形
成できることは明らかである。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図に
於けるＡ部の断面図である。 符号の説明 １：フォトマスク基板（ガラス基板）、 ２：斜面部、
３：目盛、 ４：研摩角度、 ５：板厚下限。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 Ａｌ１５餠旬口 第２図
於けるＡ部の断面図である。 符号の説明 １：フォトマスク基板（ガラス基板）、 ２：斜面部、
３：目盛、 ４：研摩角度、 ５：板厚下限。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 Ａｌ１５餠旬口 第２図
Claims (1)
- １、表面の一部に斜面部を設け、板厚変化を上記斜面部
の形状変化によって表示する構成としたことを特徴とす
るフォトマスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147494A JPS626259A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | フオトマスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147494A JPS626259A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | フオトマスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626259A true JPS626259A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15431653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147494A Pending JPS626259A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | フオトマスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS626259A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003208A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスクブランクス |
| AU2004253807B2 (en) * | 2003-07-07 | 2010-09-02 | Dong Buk Trading Co., Ltd. | Container for liquid plant nutrients |
| WO2014050700A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 大日本印刷株式会社 | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク |
| JP2018106147A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用のマスクブランク用基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP60147494A patent/JPS626259A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2004253807B2 (en) * | 2003-07-07 | 2010-09-02 | Dong Buk Trading Co., Ltd. | Container for liquid plant nutrients |
| JP2008003208A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスクブランクス |
| WO2014050700A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 大日本印刷株式会社 | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク |
| JP2018106147A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用のマスクブランク用基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法 |
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