JPH05275304A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH05275304A JPH05275304A JP4102228A JP10222892A JPH05275304A JP H05275304 A JPH05275304 A JP H05275304A JP 4102228 A JP4102228 A JP 4102228A JP 10222892 A JP10222892 A JP 10222892A JP H05275304 A JPH05275304 A JP H05275304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wafer
- bar code
- reduction projection
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造工程の工程数を低減し、しかもパ
ーティクルを発生させずにウエハ上に識別情報を形成す
ることができる縮小投影露光装置を提供する。 【構成】 搬送装置１８は、第二のレチクル４を保持
し、レチクルステージ１６上に載置された第一のレチク
ル２に重ね合わさる位置まで搬送する。第一のレチクル
２には原画パターンを形成し、第二のレチクル４にはバ
ーコードを形成している。ウエハ８上の最後の転写領域
に原画パターンを転写するときに、搬送装置１８を動作
させ、光源１２から光を照射することにより、原画パタ
ーンとバーコードがウエハ８上のフォトレジストに転写
される。
ーティクルを発生させずにウエハ上に識別情報を形成す
ることができる縮小投影露光装置を提供する。 【構成】 搬送装置１８は、第二のレチクル４を保持
し、レチクルステージ１６上に載置された第一のレチク
ル２に重ね合わさる位置まで搬送する。第一のレチクル
２には原画パターンを形成し、第二のレチクル４にはバ
ーコードを形成している。ウエハ８上の最後の転写領域
に原画パターンを転写するときに、搬送装置１８を動作
させ、光源１２から光を照射することにより、原画パタ
ーンとバーコードがウエハ８上のフォトレジストに転写
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におい
て使用される縮小投影露光装置に関するものである。
て使用される縮小投影露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】露光装置はウエハ上に集積回路パターン
を形成するものであり、代表的なものとして縮小投影露
光装置がある。縮小投影露光装置は、微細な集積回路パ
ターンを高精度で形成できるので、半導体素子の高集積
化を図るのに重要な装置となっている。
を形成するものであり、代表的なものとして縮小投影露
光装置がある。縮小投影露光装置は、微細な集積回路パ
ターンを高精度で形成できるので、半導体素子の高集積
化を図るのに重要な装置となっている。
【０００３】縮小投影露光装置は、光源からの光をレチ
クルに通し、これを縮小レンズ系で縮小してウエハ上に
投影し、フォトレジストを露光することによって集積回
路パターンを焼き付けるという方式を採用している。こ
の方式では、ウエハ全面をいくつかの転写領域に区分
し、各転写領域ごとに露光することにより、ウエハ全面
を露光する。すなわち、ウエハ上の一定の領域（たとえ
ば１チップ分）に露光を行った後、ステップモータによ
りウエハをステップ移動させて次の領域を露光するとい
う動作を繰り返し、最終的にウエハ全体の露光を行う。
クルに通し、これを縮小レンズ系で縮小してウエハ上に
投影し、フォトレジストを露光することによって集積回
路パターンを焼き付けるという方式を採用している。こ
の方式では、ウエハ全面をいくつかの転写領域に区分
し、各転写領域ごとに露光することにより、ウエハ全面
を露光する。すなわち、ウエハ上の一定の領域（たとえ
ば１チップ分）に露光を行った後、ステップモータによ
りウエハをステップ移動させて次の領域を露光するとい
う動作を繰り返し、最終的にウエハ全体の露光を行う。
【０００４】ところで、ＡＳＩＣ（application specif
ic integrated circuit ）などの少量多品種のＩＣの製
造では、各ウエハごとに異なる処理が施される。しか
し、集積回路パターンは非常に微細なものであるので、
異なる集積回路パターンが焼き付けられたウエハをその
外観から肉眼で識別することは困難である。このため、
各ウエハを識別するために、集積回路パターンが形成さ
れるウエハ表面の所定部分にバーコード等を刻印し、こ
れらの位置や組合せ等でウエハの品質、ロット番号など
を識別するということが行われている。この場合、たと
えばレーザー光をウエハ上の所定部分に照射し、この部
分の非常に限られた領域を溶融して窪みを形成すること
によってバーコード等が刻印される。
ic integrated circuit ）などの少量多品種のＩＣの製
造では、各ウエハごとに異なる処理が施される。しか
し、集積回路パターンは非常に微細なものであるので、
異なる集積回路パターンが焼き付けられたウエハをその
外観から肉眼で識別することは困難である。このため、
各ウエハを識別するために、集積回路パターンが形成さ
れるウエハ表面の所定部分にバーコード等を刻印し、こ
れらの位置や組合せ等でウエハの品質、ロット番号など
を識別するということが行われている。この場合、たと
えばレーザー光をウエハ上の所定部分に照射し、この部
分の非常に限られた領域を溶融して窪みを形成すること
によってバーコード等が刻印される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、露光装置とは別の専用の装置によってバーコード等
を刻印していた。このため、ウエハの表面に集積回路パ
ターンを形成する露光工程のほかに、バーコードを刻印
するための工程が別に必要となり、半導体製造工程全体
の工程数が増えるので、生産性が低下するという問題が
あった。
は、露光装置とは別の専用の装置によってバーコード等
を刻印していた。このため、ウエハの表面に集積回路パ
ターンを形成する露光工程のほかに、バーコードを刻印
するための工程が別に必要となり、半導体製造工程全体
の工程数が増えるので、生産性が低下するという問題が
あった。
【０００６】また、従来のようにレーザー光を照射して
ウエハの所定領域にバーコード等を刻印すると、パーテ
ィクルが発生する。このパーティクルをウエハから取り
除き、ウエハを清潔な状態に維持するのは容易ではな
く、ときには機能に異常が生じて、製品の歩留りが低下
することがあった。
ウエハの所定領域にバーコード等を刻印すると、パーテ
ィクルが発生する。このパーティクルをウエハから取り
除き、ウエハを清潔な状態に維持するのは容易ではな
く、ときには機能に異常が生じて、製品の歩留りが低下
することがあった。
【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、半導体製造工程の工程数を低減し、しかもパー
ティクルを発生させずにウエハ上に識別情報を形成する
ことができる縮小投影露光装置を提供することを目的と
するものである。
であり、半導体製造工程の工程数を低減し、しかもパー
ティクルを発生させずにウエハ上に識別情報を形成する
ことができる縮小投影露光装置を提供することを目的と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、光学系を介して第一レチクルに描かれた
原画パターンをウエハ上に転写する縮小投影露光装置に
おいて、ウエハを識別する情報が描かれた第二レチクル
を搬送する搬送手段を設け、ウエハ上の所定領域を露光
する際に、前記搬送手段を用いて前記第二レチクルを前
記第一レチクルと重ね合わさる位置に搬送し、前記第一
レチクルと前記第二レチクルとを一度に転写することを
特徴とするものである。
めの本発明は、光学系を介して第一レチクルに描かれた
原画パターンをウエハ上に転写する縮小投影露光装置に
おいて、ウエハを識別する情報が描かれた第二レチクル
を搬送する搬送手段を設け、ウエハ上の所定領域を露光
する際に、前記搬送手段を用いて前記第二レチクルを前
記第一レチクルと重ね合わさる位置に搬送し、前記第一
レチクルと前記第二レチクルとを一度に転写することを
特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記の構成によって、識別情報が描か
れた第二レチクルを原画パターンが描かれた第一レチク
ルと重ね合わさる位置に搬送する搬送手段を設けたこと
により、ウエハ上の所定領域を露光する際に、原画パタ
ーンと識別情報とを一度に転写することができる。この
ため、識別情報をウエハ上に作業能率よく転写すること
ができ、しかも従来のように識別情報を刻印するための
特別な工程が不要となる。
れた第二レチクルを原画パターンが描かれた第一レチク
ルと重ね合わさる位置に搬送する搬送手段を設けたこと
により、ウエハ上の所定領域を露光する際に、原画パタ
ーンと識別情報とを一度に転写することができる。この
ため、識別情報をウエハ上に作業能率よく転写すること
ができ、しかも従来のように識別情報を刻印するための
特別な工程が不要となる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例である縮小投影
露光装置の概略構成図である。図２はその縮小投影露光
装置に使用する第一のレチクルの概略正面図、図３はそ
の縮小投影露光装置に使用する第二のレチクルの概略正
面図である。
して説明する。図１は本発明の一実施例である縮小投影
露光装置の概略構成図である。図２はその縮小投影露光
装置に使用する第一のレチクルの概略正面図、図３はそ
の縮小投影露光装置に使用する第二のレチクルの概略正
面図である。
【００１１】図１に示す縮小投影露光装置は、光源１２
と、照明レンズ系１４と、第一のレチクル２を載置する
レチクルステージ１６と、第二のレチクル４を搬送する
ための搬送装置１８と、縮小レンズ系２２と、ウエハ８
を載置するウエハステージ２４とを備えるものである。
と、照明レンズ系１４と、第一のレチクル２を載置する
レチクルステージ１６と、第二のレチクル４を搬送する
ための搬送装置１８と、縮小レンズ系２２と、ウエハ８
を載置するウエハステージ２４とを備えるものである。
【００１２】光源１２には超高圧水銀灯を用い、ｇ線又
はｉ線を使用する。また、照明レンズ系１４は光源１２
からの光をできるだけ多く通して一定方向に投光するも
のであり、縮小レンズ系２２は第一のレチクル２に描か
れた原画パターンを１／５〜１／１０に縮小し、ウエハ
ステージ２４上のウエハ８に投影転写するものである。
はｉ線を使用する。また、照明レンズ系１４は光源１２
からの光をできるだけ多く通して一定方向に投光するも
のであり、縮小レンズ系２２は第一のレチクル２に描か
れた原画パターンを１／５〜１／１０に縮小し、ウエハ
ステージ２４上のウエハ８に投影転写するものである。
【００１３】本実施例では二つのレチクルを使用する。
第一のレチクル２には、図２に示すように、ガラス基板
３２ａ上に集積回路パターンの原寸法の５〜１０倍の原
画パターン３４が形成されている。この原画パターン３
４は耐久性のある薄膜で形成され、遮光機能を持ってい
る。通常、遮光膜としてはクロムが用いられる。また、
図２の一点鎖線で示す正方形の領域内が転写可能な範囲
であるが、原画パターン３４は上側の広い領域Ａ内に形
成される。下側の狭い領域Ｂはガラス基板３２ａをあら
わにした未加工状態のままである。
第一のレチクル２には、図２に示すように、ガラス基板
３２ａ上に集積回路パターンの原寸法の５〜１０倍の原
画パターン３４が形成されている。この原画パターン３
４は耐久性のある薄膜で形成され、遮光機能を持ってい
る。通常、遮光膜としてはクロムが用いられる。また、
図２の一点鎖線で示す正方形の領域内が転写可能な範囲
であるが、原画パターン３４は上側の広い領域Ａ内に形
成される。下側の狭い領域Ｂはガラス基板３２ａをあら
わにした未加工状態のままである。
【００１４】第二のレチクル４はウエハ８上にバーコー
ド３６を転写するためのものであり、第一のレチクル２
と同サイズのガラス基板３２ｂを使用する。また、図３
に示す一点鎖線の領域、領域Ａ及び領域Ｂの各サイズは
第一のレチクル２のものと同じである。第二のレチクル
４では、バーコード３６を遮光膜で領域Ｂ内に形成し、
領域Ａは未加工状態にしておく。
ド３６を転写するためのものであり、第一のレチクル２
と同サイズのガラス基板３２ｂを使用する。また、図３
に示す一点鎖線の領域、領域Ａ及び領域Ｂの各サイズは
第一のレチクル２のものと同じである。第二のレチクル
４では、バーコード３６を遮光膜で領域Ｂ内に形成し、
領域Ａは未加工状態にしておく。
【００１５】レチクルステージ１６は第一のレチクル２
を載置するものであり、自動位置決めを行うために二次
元平面内で移動可能に構成されている。また、ウエハス
テージ２４も二次元平面内で移動可能であり、図示しな
いステップモータにより載置されたウエハ８を一定距離
だけ移動する。ウエハ８上には、ウエハステージ２４に
より一定距離送くられるごとにパターンが転写される。
を載置するものであり、自動位置決めを行うために二次
元平面内で移動可能に構成されている。また、ウエハス
テージ２４も二次元平面内で移動可能であり、図示しな
いステップモータにより載置されたウエハ８を一定距離
だけ移動する。ウエハ８上には、ウエハステージ２４に
より一定距離送くられるごとにパターンが転写される。
【００１６】搬送装置１８は第二のレチクル４専用の搬
送装置であり、第二のレチクル４を保持して第一のレチ
クル２に重ね合わさる位置まで搬送する。このとき、第
一及び第二のレチクルの領域Ａと領域Ｂとが正確に一致
するように調整される。また、本実施例では、原画パタ
ーン３４をウエハの最後の転写領域に転写する際に、搬
送装置１８を動作させる。
送装置であり、第二のレチクル４を保持して第一のレチ
クル２に重ね合わさる位置まで搬送する。このとき、第
一及び第二のレチクルの領域Ａと領域Ｂとが正確に一致
するように調整される。また、本実施例では、原画パタ
ーン３４をウエハの最後の転写領域に転写する際に、搬
送装置１８を動作させる。
【００１７】次に、本実施例の縮小投影露光装置におい
て、ウエハ上に原画パターン及びバーコードを転写する
動作を説明する。
て、ウエハ上に原画パターン及びバーコードを転写する
動作を説明する。
【００１８】まず、第一のレチクル２をレチクルステー
ジ１６上に載置し、第二のレチクル４を搬送装置１８の
所定位置にセットする。そして、第一のレチクル２の位
置合わせ作業が終了した後、光源１２から光を照射する
と、第一のレチクル２上に形成された原画パターン３４
が縮小レンズ系２２で１／５〜１／１０に縮小されて、
ウエハ８上のフォトレジストが露光される。本装置で
は、一回に１チップ分しか露光できないので、ウエハス
テージ２４をその平面上で順次自動的に移動させること
によりウエハ８全体を露光する。
ジ１６上に載置し、第二のレチクル４を搬送装置１８の
所定位置にセットする。そして、第一のレチクル２の位
置合わせ作業が終了した後、光源１２から光を照射する
と、第一のレチクル２上に形成された原画パターン３４
が縮小レンズ系２２で１／５〜１／１０に縮小されて、
ウエハ８上のフォトレジストが露光される。本装置で
は、一回に１チップ分しか露光できないので、ウエハス
テージ２４をその平面上で順次自動的に移動させること
によりウエハ８全体を露光する。
【００１９】そして、ウエハ８上の最後の転写領域に原
画パターン３４を転写するときに、搬送装置１８を動作
させ、第二のレチクル４をレチクルステージ１６上に載
置された第一のレチクル２と重ね合わさる位置まで搬送
する。そして、第一及び第二のレチクルの領域Ａと領域
Ｂとを正確に一致させる。この状態で光源１２から光を
照射すると、第一のレチクル２に描かれた原画パターン
３４と第二のレチクル４に描かれたバーコード３６がウ
エハ８上のフォトレジストに転写される。
画パターン３４を転写するときに、搬送装置１８を動作
させ、第二のレチクル４をレチクルステージ１６上に載
置された第一のレチクル２と重ね合わさる位置まで搬送
する。そして、第一及び第二のレチクルの領域Ａと領域
Ｂとを正確に一致させる。この状態で光源１２から光を
照射すると、第一のレチクル２に描かれた原画パターン
３４と第二のレチクル４に描かれたバーコード３６がウ
エハ８上のフォトレジストに転写される。
【００２０】このように、ウエハ８の表面にバーコード
３６を形成したため、後にバーコードリーダ等で自動的
にバーコード３６を読み取ることによって、ウエハ８に
関する必要な情報を得ることができる。
３６を形成したため、後にバーコードリーダ等で自動的
にバーコード３６を読み取ることによって、ウエハ８に
関する必要な情報を得ることができる。
【００２１】本実施例では、搬送装置を用いてバーコー
ドが描かれた第二のレチクルを第一のレチクルと重ね合
わさる位置に搬送することにより、たとえばウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンを転写するときに、第一
のレチクルに描かれた原画パターンと第二のレチクルに
描かれたバーコードとを一度に転写することができる。
このため、従来のようにバーコードを刻印するための別
工程を必要としないので、半導体製造工程全体の工程数
を削減することができ、しかも原画パターンとバーコー
ドとを一度に転写できるので、能率よく容易にバーコー
ドをウエハ上に転写することができる。したがって、本
実施例によれば生産性の向上を図ることができる。
ドが描かれた第二のレチクルを第一のレチクルと重ね合
わさる位置に搬送することにより、たとえばウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンを転写するときに、第一
のレチクルに描かれた原画パターンと第二のレチクルに
描かれたバーコードとを一度に転写することができる。
このため、従来のようにバーコードを刻印するための別
工程を必要としないので、半導体製造工程全体の工程数
を削減することができ、しかも原画パターンとバーコー
ドとを一度に転写できるので、能率よく容易にバーコー
ドをウエハ上に転写することができる。したがって、本
実施例によれば生産性の向上を図ることができる。
【００２２】また、縮小投影露光装置を用いてバーコー
ドをウエハ上に転写するため、レーザー光を使用する場
合のようにパーティクルの発生が問題とならない。この
ため、ウエハを清潔な状態で製造することができ、パー
ティクルによる機能異常が生じることもないので、製造
歩留りの低下を防止することができる。
ドをウエハ上に転写するため、レーザー光を使用する場
合のようにパーティクルの発生が問題とならない。この
ため、ウエハを清潔な状態で製造することができ、パー
ティクルによる機能異常が生じることもないので、製造
歩留りの低下を防止することができる。
【００２３】尚、本発明は、上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンと一緒にバーコードを転
写する場合について説明したが、バーコードをバーコー
ドリーダで読み取り可能な領域に転写するのであれば、
アライメントマークを形成する最初の露光時に、又は途
中の露光時においてバーコードを転写してもよい。これ
により、上記の実施例と同様の作用・効果を発揮させる
ことができる。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ウエハ上の
最後の転写領域に原画パターンと一緒にバーコードを転
写する場合について説明したが、バーコードをバーコー
ドリーダで読み取り可能な領域に転写するのであれば、
アライメントマークを形成する最初の露光時に、又は途
中の露光時においてバーコードを転写してもよい。これ
により、上記の実施例と同様の作用・効果を発揮させる
ことができる。
【００２４】また、上記の実施例では、ウエハを識別す
る情報を表すものとしてバーコードを用いた場合につい
て説明したが、バーコードでなくとも後に機械によって
読み取り可能なもの、たとえば数字等であれば、上記の
実施例と同様の作用・効果を発揮させることができる。
る情報を表すものとしてバーコードを用いた場合につい
て説明したが、バーコードでなくとも後に機械によって
読み取り可能なもの、たとえば数字等であれば、上記の
実施例と同様の作用・効果を発揮させることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、識
別情報が描かれた第二レチクルを原画パターンが描かれ
た第一レチクルと重ね合わさる位置に搬送する搬送手段
を設けたことにより、ウエハ上の所定領域を露光する際
に、原画パターンと識別情報とを一度に転写することが
できるため、能率よく識別情報をウエハ上に転写するこ
とができるので、生産性の向上を図ることができ、しか
もレーザー光を用いた識別情報を刻印するための特別な
工程を必要としないので、工程数を削減し、パーティク
ルの発生による製造歩留りの低下を防止することができ
る縮小投影露光装置を提供することができる。
別情報が描かれた第二レチクルを原画パターンが描かれ
た第一レチクルと重ね合わさる位置に搬送する搬送手段
を設けたことにより、ウエハ上の所定領域を露光する際
に、原画パターンと識別情報とを一度に転写することが
できるため、能率よく識別情報をウエハ上に転写するこ
とができるので、生産性の向上を図ることができ、しか
もレーザー光を用いた識別情報を刻印するための特別な
工程を必要としないので、工程数を削減し、パーティク
ルの発生による製造歩留りの低下を防止することができ
る縮小投影露光装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である縮小投影露光装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】その縮小投影露光装置に使用する第一のレチク
ルの概略正面図である。
ルの概略正面図である。
【図３】その縮小投影露光装置に使用する第二のレチク
ルの概略正面図である。
ルの概略正面図である。
２ 第一のレチクル ４ 第二のレチクル ８ ウエハ １２ 光源 １４ 照明レンズ系 １６ レチクルステージ １８ 搬送装置 ２２ 縮小レンズ系 ２４ ウエハステージ ３２ａ，３２ｂ ガラス基板 ３４ 原画パターン ３６ バーコード
Claims (1)
- 【請求項１】 光学系を介して第一レチクルに描かれた
原画パターンをウエハ上に転写する縮小投影露光装置に
おいて、ウエハを識別する情報が描かれた第二レチクル
を搬送する搬送手段を設け、ウエハ上の所定領域を露光
する際に、前記搬送手段を用いて前記第二レチクルを前
記第一レチクルと重ね合わさる位置に搬送し、前記第一
レチクルと前記第二レチクルとを一度に転写することを
特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102228A JPH05275304A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102228A JPH05275304A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275304A true JPH05275304A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14321800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4102228A Withdrawn JPH05275304A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275304A (ja) |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4102228A patent/JPH05275304A/ja not_active Withdrawn
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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