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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kennzeichnung einer Vielzahl
von Halbleiterwafern mit Identifikationskennzeichen, die jeweils
einem Halbleiterwafer zugeordnet werden.
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Zur
Herstellung integrierter Schaltungen werden üblicherweise auf Halbleiterwafern
mit verschiedenen elektrischen Eigenschaften versehene Schichten
aufgebracht und jeweils lithographisch strukturiert. Ein lithographischer
Strukturierungsschritt kann darin bestehen, einen photoempfindlichen
Resist aufzutragen, diesen mit einer gewünschten Struktur für die betreffende
Ebene zu belichten und zu entwickeln, sowie anschließend die
somit entstandene Resistmaske in die unterliegende Schicht in einem Ätzschritt
zu übertragen.
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Für den lithographischen
Projektionsschritt eines Schaltungsmusters wird üblicherweise als Belichtungsapparat
ein Waferscanner oder Waferstepper verwendet. Im Projektionsapparat
erfolgt die Belichtung des photoempfindlichen Resists mit elektromagnetischer
Strahlung einer vorherbestimmten Wellenlänge, die beispielsweise im
W-Bereich liegt.
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Jede
einzelne Schicht des Schaltungsmusters wird üblicherweise mit einer speziellen
Maske (auch Reticle genannt) und einer Projektionsoptik auf den
Halbleiterwafer abgebildet. Die Projektionsoptik des Belichtungsapparats
enthält üblicherweise
mehrere Linsen und Blenden und bewirkt häufig eine Reduktion des Schaltungsmusters
bei der Übertragung auf
die Resistschicht.
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Nach
dem Strukturieren der Resistschicht werden in speziellen Fertigungsanlagen
weitere Prozeßschritte
ausgeführt,
wie z.B. Ätzen,
Implantieren, Abscheiden von Schichten oder Polieren von Oberflächen. Zwischen
diesen Prozeßschritten
und am Ende des Herstellungsverfahrens werden häufig Kontrollen ausgeführt, um
die Qualität
der einzelnen Prozeßschritte
kontrollieren zu können.
Um in einem hochvolumigen und produktreichen Fertigungsprozeß einzelne
Halbleiterwafer nachverfolgen zu können, werden üblicherweise
die Halbleiterwafer mit einer eindeutigen Identifikationsnummer
versehen. Dazu wird Bekannterweise ein Strichcode (Barcode) mittels
eines Laserstrahls zu Beginn des Prozeßflusses auf der Rückseite
des Halbleiterwafers angebracht.
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In
einem späteren
Stadium des Herstellungsprozesses, bei dem die Rückseite des Halbleiterwafers
poliert wird, muß das
Strichcode-Muster erneut erzeugt werden. Dies ist beispielsweise
zu Beginn der Metallisierung der Fall, da in diesem sogenannten
Backend-Prozeß die
Rückseite
des Halbleiterwafers poliert bzw. abgeschliffen wird.
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Die
Behandlung der Oberfläche
mit dem energiereichen Laserstrahl erzeugt Einsenkungen, die jedoch
an den Seitenwänden
und am Boden der Einsenkung keine glatten Oberflächen aufweisen. Durch den Laserstrahl
werden oftmals Silizium-Nadeln erzeugt, die sich von der Oberfläche des
Halbleiterwafers lösen
können
und während
nachfolgender Prozeßschritte
zum Ausfall der Schaltung führen
können.
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Es
ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Kennzeichnung
einer Vielzahl von Halbleiterwafern zu schaffen, das die obengenannten
Probleme überwindet.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein
Verfahren zur Kennzeichnung einer Vielzahl von Halbleiterwafern
mit Identifikationskennzeichen, die jeweils einem Halbleiterwafer
zugeordnet werden, wobei für
jeden Halbleiterwafer folgende Schritte ausgeführt werden:
- – Bereitstellen
eines Halbleiterwafers mit einem Substrat;
- – Aufbringen
einer Resistschicht auf der Oberseite des Halbleiterwafers;
- – Bereitstellen
eines Projektionsapparats mit einer Projektionsoptik, die Blenden
aufweist, wobei die Blenden so angeordnet werden, daß während einer
photolithographischen Projektion auf der Oberseite des Halbleiterwafers
ein durch die Blenden beschränktes
Belichtungsfeld belichtet wird;
- – Ablegen
des Halbleiterwafers auf einem beweglichen Substrathalter im Projektionsapparat;
- – Bereitstellen
eines Identifikationskennzeichens für den Halbleiterwafer;
- – Bestimmen
einer Binärzahl
aus dem Identifikationskennzeichen;
- – Übertragen
eines flächigen
binär kodierten
Musters, das die Binärzahl
repräsentiert,
auf die Oberseite des Halbleiterwafers, wobei für jedes Bit der Binärzahl, das
einen ersten binären
Zustand aufweist, folgende Schritte ausgeführt werden:
(a) Verschieben
des Substrathalters, um den Halbleiterwafer so auszurichten, daß dem Bit
der Binärzahl
auf der Oberseite des Halbleiterwafers ein durch die Blenden begrenztes
Belichtungsfeld zugeordnet wird,
(b) Belichten des durch die
Blenden begrenzten Belichtungsfelds, um das flächige binär kodierte Muster zu bilden;
und
- – Ätzen der
Resistschicht, um Strukturelemente des binär kodierten Musters zu bilden.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
zeichnet sich dadurch aus, daß die
eindeutige Identifikationsnummer in Form eines binär codierten
Musters auf der Oberfläche
des Halbleiterwafers durch photolithographische Strukturierung aufgebracht
wird. Dadurch werden Ausbeuteverluste oder Beschädigungen des Halbleiterwafers
vermieden, und es können insbesondere
keine Silizium-Nadeln
entstehen.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens wird die photolithographische Projektion im Projektionsapparat
durch eine Belichtung mit einem Waferstepper durchgeführt, wobei
im Waferstepper eine Open-Frame-Belichtung ohne ein Reticle ausgeführt wird.
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Gemäß dieser
Vorgehensweise können Strukturelemente
des binär
kodierten Musters auf der Oberfläche
des Halbleiterwafers photolithographisch strukturiert werden, ohne
eine Maske herstellen zu müssen.
Das Übertragen
des binär
kodierten Musters auf die Resistschicht auf der Oberseite des Halbleiterwafers
erfolgt durch eine Steuerung des Projektionsapparats und des Substrathalters.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens wird das binär
codierte Muster in einem Bereich in einem ein Schaltungsmuster umgebenden
Sägerahmen
angeordnet.
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Gemäß dieser
Vorgehensweise kann die eindeutige Identifikationsnummer an einer
Stelle des Halbleiterwafers positioniert werden, die ohnehin keine
aktiven Schaltungselemente enthält.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens werden die Strukturelemente des binär codierten
Musters in Form einer Matrix angeordnet, wobei jeweils acht Strukturelemente
eine Zeile der Matrix bilden.
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Gemäß dieser
Vorgehensweise kann ein binär
codiertes Muster erzeugt werden, das sich besonders einfach decodieren
läßt.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens erfolgt die Strukturierung der Resistschicht durch Ätzen, das
bei der Bildung einer Metallisierungsebene durchgeführt wird.
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Gemäß dieser
Vorgehensweise ist zur Ausbildung des binär codierten Musters kein spezieller Prozeßschritt
nötig,
da üblicherweise
bei der Strukturierung einer Metallisierungsebene ohnehin ein Ätzschritt
durchgeführt
wird.
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Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
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Die
Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In
der Zeichnung zeigen:
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1 schematisch
einen Halbleiterwafer und einen Projektionsapparat zur Ausübung des
erfindungsgemäßen Verfahrens;
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2 schematisch
die Oberseite des Halbleiterwafers während der Ausführung eines
Prozeßschritts
des erfindungsgemäßen Verfahrens;
und
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3 schematisch
ein binär
kodiertes Muster, wie es durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens
entsteht.
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Im
folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren
für eine
Kennzeichnung eines Halbleiterwafers erläutert, die während einer
Metallisierung der mit einem Schaltungsmuster versehenen Oberfläche des
Halbleiterwafers auf der Substratseite aufgebracht wird. Das erfindungsgemäße Verfahren
erweist sich bei der Kennzeichnung in fortgeschrittenen Bearbeitungsstadien
bei der lithographischen Strukturierung höherer Schichten (Back-End-Of-Line-Prozeß), bei
dem beispielsweise Metallschichten aufgebracht werden, als besonders
vorteilhaft. Zu Beginn der Back-End-Prozesse wird oftmals eine Polierung der
Waferrückseite
durchgeführt,
wodurch die in der Technik dort üblicherweise
mit einem Laserschreiber aufgebrachte, Kennzeichnung unleserlich
wird und nicht mehr zu verwenden ist. Es ist im Rahmen der Erfindung
aber auch vorgesehen, den Halbleiterwafer zu einem anderen Zeitpunkt
im Prozeßfluß der Halbleiterfabrikation,
beispielsweise zu Beginn des Prozeßflusses, mit einem Identifikationskennzeichen zu
versehen.
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In 1 ist
schematisch der auf einem Substrathalter 1 abgelegte Halbleiterwafer 2 in
einem Projektionsapparat 3 gezeigt. Auf der Oberseite des Halbleiterwafers 2 wird
eine lichtempfindliche Resistschicht 4 aufgebracht. Der
Projektionsapparat 3 umfaßt eine Projektionsoptik 15,
die durch eine oder mehrere Linsen gebildet wird, und die in der
Lage ist, elektromagnetische Strahlung einer Lichtquelle 16 auf
die Oberseite des Halbleiterwafers 2 in ein Belichtungsfeld
zu projizieren. Weiters umfaßt
der Projektionsapparat 3 Blenden 6, die das von
der Projektionsoptik 15 auf die Oberseite des Halbleiterwafers 1 projizierte
Licht auf ein Belichtungsfeld bestimmter Größe begrenzen. In 1 sind
schematisch zwei jeweils paarweise angeordnete Blenden 6 gezeigt,
die oberhalb und unterhalb der Projektionsoptik angeordnet werden.
Die paarweise angeordneten Blenden 6 sind verschiebbar
ausgeführt,
um eine Änderung
der Größe des Belichtungsfeldes
zu ermöglichen.
Es sei an dieser Stelle erwähnt,
daß die
in 1 gezeigt Anordnung nur einen prinzipiellen Aufbau
zeigt, ein tatsächlich
bei einer photolithographischen Strukturierung zu verwendender Projektionsapparat
weist noch andere optische Elemente, wie z.B. eine Illuminationsoptik
für ein
Reticle, oder auch weitere Blenden, wie z.B. Ringblenden, auf.
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Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Kennzeichnung einer Vielzahl von Halbleiterwafern mit Identifikationskennzeichen
wird jedem Halbleiterwafer ein Identifikationskennzeichen zugeordnet.
Für jeden
Halbleiterwafer werden unter Bezug auf 1 die nachfolgend
beschriebenen Schritte ausgeführt.
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In
einem ersten Schritt wird der Halbleiterwafer 2 bereitgestellt.
Der Halbleiterwafer 2 wird beispielsweise von einer vorherigen
Prozeßstufe übergeben,
bei der der Halbleiterwafer auf der Oberseite in der vorherigen
Prozeßstufe
zumindest teilweise mit einem Schaltungsmuster versehen wurde.
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Im
nächsten
Schritt wird auf die Oberseite des Halbleiterwafers 2 eine
Resistschicht 4 aufgebracht. Das Aufbringen der Resistschicht 4 erfolgt beispielsweise
durch Aufschleudern eines photoempfindlichen Lacks, wobei üblicherweise
zuvor eine antireflektierende Schicht (nicht gezeigt) aufgebracht wird.
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Im
nächsten
Schritt wird der Projektionsapparat 3 bereitgestellt. Während einer
photolithographischen Projektion wird das Belichtungsfeld des Projektionsapparats 3 mit
Blenden 6 begrenzt. Dadurch läßt sich die Größe des Belichtungsfeldes
festlegen, ohne beispielsweise ein Reticle zu verwenden.
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Die
photolithographische Projektion wird in dem Projektionsapparat 3 mit
der Lichtquelle 16 durchgeführt, wobei z.B. die 365 nm
i-Linie einer Quecksilberlampe verwendet wird. Der Projektionsapparat 3 wird
entweder speziell für
die Strukturierung der Resistschicht 4 bereitgestellt,
es kann aber auch ein zur weiteren Verarbeitung, beispielsweise zur
Strukturierung einer Metallschicht, vorgesehene Projektionsapparat 3 verwendet
werden.
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Der
Halbleiterwafer 2 wird während dieser Phase des Herstellungsprozesses
auf dem Substrathalter 1 im Projektionsapparat 3 abgelegt.
Der Substrathalter ermöglicht
es, den Halbleiterwafer relativ zur Projektionsoptik 15 zu
verschieben und auszurichten. Üblicherweise
wird das Verschieben des Substrathalters in einem Betriebszustand
mit kleinen Schrittweiten (sogenannter Mikro-Stepping-Mode) durchgeführt, um
eine genaue Positionierung des Halbleiterwafers 2 zu ermöglichen.
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Im
nächsten
Schritt wird das Identifikationskennzeichen für diesen Halbleiterwafer 2 bereitgestellt.
Das Identifikationskennzeichen wird beispielsweise in Form einer
eindeutigen Identifikationsnummer, einer alphanumerischen Zeichenkette
oder eine aus mehreren Informationsfeldern zusammengesetzte Zahl
ausgebildet.
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Das
Bereitstellen der eindeutigen Identifikationsnummer kann aber auch
durch den Wert eines Zählers
erfolgen, der in dem Projektionsapparat 3 erzeugt wird.
Dazu muß der
Projektionsapparat so gesteuert werden, daß jeder neu eintreffende Halbleiterwafer
den Wert dieses Zählers
erhöht,
so daß sich eine
eindeutige Identifikationsnummer ergibt.
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Die
Identifikationsnummer kann sich auch aus mehreren Bestandteilen
zusammensetzen, die weitere Informationen, wie z.B. eine für eine bestimmte
Herstellungsserie charakteristische Losnummer, enthält. Es ist
im Rahmen der Erfindung aber auch vorgesehen, daß die dem Halbleiterwafer 2 eindeutig
zugeordnete Identifikationsnummer dem Projektionsapparat von einem
anderen Gerät,
beispielsweise einer zentralen Prozeßsteuerung oder eines Eingabeterminals
für einen
Operator, zugeführt
wird.
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Im
nächsten
Schritt wird die eindeutige Identifikationsnummer einer Binärzahl zugeordnet.
Diese Zuordnung umfaßt
für eine
Identifikationsnummer die Bestimmung des Binärwerts. Bei einer alphanumerischen
Zeichenkette kann beispielsweise ein nach dem ASCII System zugeordneter
Zahlenwert in eine binäre
Darstellung umgewandelt werden oder über eine Tabelle, die z.B.
auf einer ASCII-Tabelle beruht, bereitgestellt werden.
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Die
Binärzahl
ist Ausgangspunkt für
ein binär kodiertes
Muster, das nachfolgend auf die Resistschicht 4 auf der
Oberseite des Halbleiterwafers 2 mittels photolithographischer
Projektion in einzelne Belichtungsfelder übertragen wird.
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Dazu
wird für
jedes Bit der Binärzahl,
das einen ersten binären
Zustand aufweist, der Substrathalter 1 verschoben, um den
Halbleiterwafer so auszurichten, daß dem Bit der Binärzahl auf
der Oberseite des Halbleiterwafers ein durch die Blenden begrenztes
Belichtungsfeld zugeordnet wird, das anschließend belichtet wird, um das
flächige
binär kodierte
Muster 5 zu bilden.
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Die
photolithographische Projektion im Projektionsapparat 3 wird
dabei vorzugsweise durch eine Belichtung mit einem Wafer-Stepper
durchgeführt,
wobei im Wafer-Stepper eine Open-Frame-Belichtung
ohne ein Reticle ausgeführt
wird.
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Dadurch
kann die Belichtung der Resistschicht 4 mit dem binär kodierten
Muster 5 in dem Projektionsapparat 3 mittels einer
automatischen Steuerung erfolgen, die in Abhängigkeit der Identifikationsnummer
oder des Identifikationskennzeichens bzw. des daraus abgeleiteten
binären
Zahlenwerts eine Belichtung in entsprechenden Belichtungsfeldern
ausführt,
um das binär
codierte Muster 5 zu bilden. Das Verschieben des Substrathalters 1 erfolgt
dann ebenfalls mittels einer automatischen Steuerung, wobei sukzessive
der Halbleiterwafer in die Positionen der einzelnen Belichtungsfelder
verschoben wird, die dem ersten binären Zustand entsprechen.
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In 2 ist
beispielhaft gezeigt, wie die Binärzahl durch sukzessives Verschieben
des Substrathalters 1 und Belichten mittels des Projektionsapparates 3 auf
die Resistschicht 4 als binär kodiertes Muster 5 übertragen
wird. Die Identifikationsnummer beträgt in diesem Beispiel 3506977498.
Die der Identifikationsnummer zugeordnete Binärzahl weist eine Länge von
insgesamt 32 Bit auf. Das binär
kodierte Muster wird in Form einer 4 × 8 Matrix auf die Resistschicht 4,
wobei eine Zeile der Matrix einem Byte der Binärzahl zugeordnet wird. In binärer Darstellung weist
das erste (niederwertigste) Byte der Binärzahl einen Wert von 11011010
auf. Für
jedes Bit der Binärzahl,
das einem ersten binären
Zustand entspricht, der in diesem Beispiel mit einer logischen Eins gleichgesetzt
wird, erfolgt sukzessive eine Belichtung in einem durch die Blenden
des Projektionsapparats begrenzten Belichtungsfeld. In diesem Beispiel
werden für
das erste Byte der Binärzahl
Belichtungen für das
zweite, vierte fünfte,
siebte und achte Bit ausgeführt,
da diese den Wert logisch Eins aufweisen.
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Der
Halbleiterwafer 2 wird relativ zur Projektionsoptik 15 auf
dem Substrathalter 1 entlang einer ersten Strecke 20 verschoben.
An der Belichtungsposition 21, die dem zweiten Bit zugeordnet
ist und in 2 mit einem Kreis markiert ist,
wird eine Belichtung im Belichtungsfeld 21' durchgeführt. Anschließend wird
der Halbleiterwafer auf die Belichtungsposition 22, die
dem vierten Bit entspricht, ausgerichtet, und es wird eine Belichtung
im Belichtungsfeld 22' durchgeführt. Die
Blenden 6 des Projektionsapparats 3 sind während jeder
dieser Belichtung so weit geschlossen, daß nur das auf eine bestimmte
Größe reduzierte
Belichtungsfeld 21', 22' auf der Resistschicht 4 mit
elektromagnetischer Strahlung der Lichtquelle 16 beleuchtet
wird. Dieser Vorgang wiederholt sich, wie in 2 gezeigt
ist, entlang des Verschiebepfads 24, bis an allen weiteren
Belichtungspositionen 26, die einer logischen Eins zugeordnet sind,
die weiteren Belichtungsfelder 26' auf die Resistschicht 4 projiziert
wurden.
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Nachfolgend
wird die Resistschicht 4 durch Ätzen strukturiert, um Strukturelemente
des binär
kodierten Musters 5 zu bilden. Damit ergibt sich das in 3 gezeigte
Muster 5 auf der Oberseite des Halbleiterwafers 2.
Gemäß 3 werden
die Belichtungsfelder durch Steuerung der Blenden 6 so
gewählt,
daß alle
Strukturelemente die gleiche Größe aufweisen,
wobei benachbarte Strukturelemente ohne Zwischenraum nebeneinander
liegend angeordnet sind.
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In
der Ausführungsform
gemäß 3 werden
die Strukturelemente des binär
kodierten Musters 5 in Form einer im wesentlichen rechteckigen Struktur
ausgeführt.
Die rechteckige Struktur des Strukturelements 10 wird durch
Steuerung der Blenden 6 des Projektionsapparates 3 so
ausgeführt,
daß das
Strukturelement 10 eine Außenabmessung von ungefähr 10 μm Länge 12 und
20 μm Breite 14 aufweist.
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Die
oberste Zeile der Matrix stellt das niederwertigste Byte der Identifikationsnummer
dar, wobei die niederwertigste Bit an der rechten Seite angeordnet
ist. Für
diese Zeile ergibt sich dann ein binärer Wert von 11011010, was
einem Dezimalwert von 218 entspricht. Entsprechend können auch
die anderen Zeilen der Matrix der Identifikationsnummer zugeordnet
werden.
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Es
ist im Rahmen der Erfindung auch vorgesehen, daß der Ätzschritt bei dem zur Bildung
von Metallisierungsebenen ohnehin notwendigen Ätzen durchgeführt wird.
Dadurch wird, wie nachfolgend erläutert wird, die Komplexität des Prozesses
nicht erhöht.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
setzt in diesem Fall bei einem Halbleiterwafer 2 an, auf
dessen Oberseite eine Metallschicht abgeschieden wurde. Auf die
Resistschicht 4 wird, wie oben beschrieben, das binäre Muster
mittels photolithographischer Projektion übertragen. Darüber hinaus
wird die Resistschicht 4 mit dem zur Strukturierung der
Metallschicht vorgesehenen Schaltungsmuster belichtet und anschließend geätzt. Gemäß dieser
Ausführungsform
wird das binär
kodierte Muster 5 zusammen mit dem Schaltungsmuster in
einem einzigen Schritt durch Ätzen
strukturiert.
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Nach
dem Strukturieren der Resistschicht 4 erfolgt das Übertragen
der Resiststruktur der Resistschicht 4 auf die Metallschicht
des Halbleiterwafers, beispielsweise durch Ätzen. Die eindeutige Identifikationsnummer
ist dann als erhabene Struktur auf der Metallschicht ausgebildet.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
wurde am Beispiel des Aufbringens einer eindeutigen Identifikationsnummer
während
der Bildung einer Metallschicht beschrieben. Die Belichtung der
Strukturelemente 10 des die Identifikationsnummer repräsentierenden
Musters 5 erfolgt mit einem Wafer-Stepper, dessen Beleuchtungsfeld
durch Blenden auf einen Bereich von etwa 10 μm Länge und 20 μm Breite eingeschränkt wurde.
Das nachfolgende Ätzen
kann zusammen mit dem bei der Ausbildung der Me tallisierungsebene
durchzuführendem Ätzschritt
ausgeführt werden,
ohne zusätzliche
Geräte
oder weitere Prozeßschritte
zu einem Herstellungsverfahren hinzufügen zu müssen.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
kann auch zu Beginn des Herstellungsprozesses angewendet werden.
Dabei wird wiederum ein binär
kodiertes Muster 5 auf einer Resistschicht 4 ausgebildet,
die nachfolgend geätzt
wird. Das Muster wird anschließend
auf den Halbleiterwafer 2 übertragen. Je nach Prozeßführung wird
das binär
kodierte Muster 5 entweder als erhabene Struktur oder in
Form von Gräben
bzw. Kontaktlöchern
ausgeführt.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform wird
der Substrathalter so verschoben, daß das binär kodierten Muster 5 in
einem ein Schaltungsmuster umgebenden Sägerahmen angeordnet wird. Dadurch
wird die eindeutige Identifikationsnummer an einer Stelle des Halbleiterwafers 2 positioniert,
die keine aktiven Schaltungselemente der herzustellenden integrierten
Schaltung enthält.
Darüber
hinaus werden im Bereich des Sägerahmens
häufig
Teststrukturen oder Overlay-Marken angebracht, die zusammen mit
dem binär
kodierten Muster 5 mit einem Mikroskop ausgelesen und beispielsweise
einer Qualitätskontrolle
zugeführt
werden können.
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Durch
das erfindungsgemäße Verfahren
wird die Bildung der bei der üblichen
Kennzeichnung von Halbleiterwafern mit Laserstrahl-Schreibgeräten von Silizium-Nadeln
nahezu verhindert, so daß sich
eine erhöhte
Ausbeute der herzustellenden Schaltung ergibt. Darüber hinaus
kann die Verwendung der Laserstrahl-Schreibgeräte vollständig entfallen, so daß deren
Kosten eingespart werden.
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- 1
- Substrathalter
- 2
- Halbleiterwafer
- 3
- Projektionsapparat
- 4
- Resistschicht
- 5
- Muster
- 6
- Blenden
- 10
- Strukturelement
- 12
- Länge
- 14
- Breite
- 15
- Projektionsoptik
- 16
- Lichtquelle
- 20
- erste
Strecke
- 21
- erste
Belichtungsposition
- 21'
- erstes
Belichtungsfeld
- 22
- zweites
Belichtungsposition
- 22'
- zweites
Belichtungsfeld
- 23
- zweite
Strecke
- 24
- Verschiebepfad
- 26
- weitere
Belichtungsposition
- 26'
- weiteres
Belichtungsfeld