DE60126235T2

DE60126235T2 - Belichtungsverfahren und -system

Info

Publication number: DE60126235T2
Application number: DE60126235T
Authority: DE
Inventors: Intel. Property Group Toshiharu Chyoda-ku Miwa; Intel. Property Group Yasuhiro Chyoda-ku Yoshitake; Intel. Property Group Tetsuya Chyoda-ku Yamazaki
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-12-20
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2007-09-06
Anticipated expiration: 2021-11-09
Also published as: DE60126235D1; TWI238293B; US20020076629A1; US6653032B2; EP1217448B1; US20020100013A1; EP1217448A3; JP2002190443A; US6721940B2; KR20020050150A; EP1217448A2; KR100442516B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen und insbesondere auf ein Verfahren zur Belichtung, bei dem ein Schaltungsmuster auf eine Halbleitervorrichtung übertragen wird.
2. Beschreibung des Stands der Technik
Wenn bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen ein Schaltungsmuster auf ein Substrat-Wafer einer Halbleitervorrichtung (nachstehend als „Wafer" bezeichnet) übertragen wird, sind mehrere Belichtungs- und Ätzschritte nötig. 2 zeigt ein Verfahren zum Übertragen eines Schaltungsmusters auf einen isolierenden Film, der auf dem Wafer gebildet ist. Zuerst wird in einem Belichtungsschritt ein Schaltungsmuster auf eine Photoresist-Schicht auf dem Wafer übertragen. Danach wird in einem Ätzschritt unter Verwendung des in dem Belichtungsschritt gebildeten Photoresist-Musters als Maske ein Schaltungsmuster in dem isolierenden Film auf dem Wafer gebildet. In dem folgenden Belichtungsschritt wird durch einen Aufbringungsprozess eine Photoresist-Schicht auf dem Wafer gebildet, und danach wird in einem Belichtungsprozess das Schaltungsmuster mit einer Belichtungsvorrichtung auf den Photoresist übertragen. Danach wird der belichtete Photoresist in einem Entwicklungsprozess entwickelt, um ein Photoresist-Muster zu bilden.
3 zeigt den Aufbau einer Verkleinerungsprojektions-Belichtungsvorrichtung, die hauptsächlich für den Be lichtungsschritt benutzt wird. Mit dieser Verkleinerungsprojektions-Belichtungsvorrichtung wird ein durch Ätzmetall auf einer so genannten Glasobjektplatte (normalerweise aus Quarzglas) gebildetes Schaltungsmuster durch eine Verkleinerungslinse verkleinernd belichtet, und zwar mit jeweils einem oder mehreren Chips auf einem Wafer. Durch Wechseln der Objektplatte können die zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nötigen Schaltungsmuster auf dem Wafer gebildet werden. Mit der Auflösung des Schaltungsmusters und der Musteranordnung in den Belichtungsschritten ist es möglich, die Belichtungsbedingungen des optischen Projektionssystems der Belichtungsvorrichtung zu optimieren, zum Beispiel die numerische Apertur NA und die Beleuchtungskohärenz σ sowie die Photoresist-Parameter (Art, Dicke usw.).
Um die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung zu erfüllen, müssen nicht nur die Auflösung, sondern auch die Schwankungen der Abmessungen des übertragenen Musters innerhalb bestimmter Toleranzbereiche liegen. Zum Beispiel können Schwankungen der Gate-Abmessung eines Transistors Schwankungen in der Schwellenspannung eines Transistors bewirken, so dass die Variation der Abmessungen des Photoresist-Musters innerhalb eines bestimmten Toleranzbereichs liegen muss. Es gibt viele Ursachen für Schwankungen der Abmessungen des Photoresist-Musters, zum Beispiel Fokusverschiebungen, Abweichungen bei der Herstellung der Schaltungsmuster auf den Objektplatten, Aberrationen der Verkleinerungslinse der Belichtungsvorrichtung oder Schwankungen in den Aufbringungs- oder Entwicklungsprozessen. In der Praxis sind die Schwankungen in der Belichtungsvorrichtung am stärksten, weshalb die Belichtungsenergie und die Abweichung des Fokus bei der Übertragung eines Schaltungsmusters für jede Objektplatte, jeden Belichtungsschritt und jede Belichtungsvorrichtung eingestellt werden, und die Abmessung des Photoresist-Musters des Teils mit der kleinsten Grenze in den Belichtungsschritten (kritische Dimension, nachstehend als „CD" bezeichnet) wird so eingestellt, dass sie innerhalb eines bestimmten Toleranzwertes liegt. Derzeit werden die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung für jede Objektplatte, jeden Belichtungsschritt und jede Belichtungsvorrichtung mit der Funktion zum Messen der CD eines Testwafers berechnet, der mit unterschiedlichen Belichtungsenergien und Fokussierungen belichtet wird (auch als „Funktion zum Extrahieren der Belichtungsbedingungen" bezeichnet). Dabei wird ein Prozessfenster der Belichtungsenergie und des Fokus erzeugt, bei dem die CD-Werte innerhalb eines bestimmten Toleranzwertes liegen, und der Mittelwert dieses Fensters wird als der optimale Wert der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung verwendet. Außerdem gilt, je größer das Fenster ist, desto höher ist die Grenze im Hinblick auf CD-Schwankungen im Belichtungsschritt, so dass das Prozessfenster als ein Bewertungsindex für den Belichtungsschritt verwendet werden kann. 4 zeigt ein Verfahren zur Berechnung der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung mit dem Prozessfenster für den Belichtungsschritt. Das Prozessfenster für die Belichtungsenergie und den Fokus wird berechnet, bei dem die CD-Werte eines Testwafers, der mit veränderter Belichtungsenergie und Fokusabweichung belichtet wird, innerhalb eines bestimmten Toleranzwertes liegen. Hier ist ein Beispiel gezeigt, bei dem sich die Prozessfenster sowie die letztliche optimale Belichtungsenergie und Fokusabweichung für dieselbe Objektplatte abhängig davon unterscheiden, ob die Vorrichtung A oder die Vorrichtung B für den Belichtungsschritt verwendet wird.
Andererseits erhöht sich bei der Fertigung für die Herstellung kleiner Lose von Halbleitervorrichtungen mit mehreren Produkten die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter, die für jede Objektplatte, jeden Belichtungsschritt und jede Belichtungsvorrichtung ausgeführt wird, so dass sich die TAT (Ge samtverfahrenszeit) für neu angeschaffte Halbleitervorrichtungen ebenfalls erhöht. Daher ist es möglich, die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter durch Fixieren der für jede Art von Halbleitervorrichtung verwendeten Belichtungsvorrichtungen zu verringern, wobei jedoch Schwankungen im effektiven Betriebsfaktor der Belichtungsvorrichtungen auftreten, die zu einem geringeren Durchsatz aller Belichtungsschritte führen.
Als eine Möglichkeit zur Lösung dieses Problems haben zum Beispiel Aida et al. (Electronic Information Society, Introduction into Response Surface Functions For Statistical Design of Optical Lithography Processes, 1996) ein Verfahren zur Erzeugung der Wirkungsflächenfunktionen der CD-Werte mit der Belichtungsenergie, der Fokusabweichung und den Belichtungsparametern des optischen Projektionssystems (numerische Apertur NA und Beleuchtungskohärenz σ) als Variablen und zur Berechnung der Belichtungsenergie und Fokusabweichung aus diesen Wirkungsflächenfunktionen vorgeschlagen.
Zur Erhöhung des effektiven Betriebsfaktors der Fertigungsanlage ist ein System zum automatischen Auswählen und Zuweisen von Anlagen entsprechend dem effektiven Betriebsfaktor der Fertigungsanlage, auch als „Dispatch-Kontrolle" bezeichnet, auf der Grundlage bestimmter Regeln wie zum Beispiel „FIFO" oder „Lieferzeit hat Priorität" implementiert worden (zum Beispiel „Siview", IBM Japan) und wird zum Zuweisen von Belichtungsvorrichtungen verwendet.
Weiter wird in JP H11-267952A ein Fertigungssteuerungssystem vorgeschlagen, bei dem die Produktionsschwankungen in jedem Schritt verringert sind und die Qualität und Ausbeute verbessert sind.
Bei der Fertigung für die Herstellung kleiner Lose von Halbleitervorrichtungen mit mehreren Produkten wie zum Beispiel System-LSIs sind die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter für jede Objektplatte, jeden Belichtungsschritt und jede Belichtungsvorrichtung bei der Herstellung neuer Produkte und die TAT (Gesamtverfahrenszeit) für die Produkte höher als bei Massenprodukten wie etwa Speicherbauteilen. Durch Fixieren der für jede Art von Halbleitervorrichtung verwendeten Belichtungsvorrichtungen kann die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter verringert werden, aber dies verursacht Schwankungen im effektiven Betriebsfaktor und führt zu einem geringeren Durchsatz aller Belichtungsschritte.
Bei dem von Aida et al. wie vorstehend beschrieben vorgeschlagenen Ansatz zur Berechnung der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung ist es möglich, die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung aufgrund von Unterschieden in den Belichtungsparametern des optischen Projektionssystems zu berechnen. Bei der Berechnung der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung für mehrere Belichtungsvorrichtungen gibt es jedoch Geräteunterschiede zwischen den Belichtungsvorrichtungen, zum Beispiel unterschiedliche Aberrationen der Projektionslinsen, so dass die Wirkungsflächenfunktionen für jede Belichtungsvorrichtung erzeugt und korrigiert werden müssen. Außerdem werden die Informationen über die Schaltungsmuster nicht berücksichtigt, so dass es nicht möglich ist, Schwankungen der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung zu korrigieren, die vom Schaltungsmuster abhängig sind.
In Dispatch-Kontrollsystemen, die in der Praxis eingesetzt werden, können die verwendeten Vorrichtungen auf der Grundlage der Betriebsbedingungen und der Prozessinformationen der aktuellen Fertigungsanlage zugewiesen werden, aber die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter kann nicht verringert werden, so dass es nicht möglich ist, Belichtungsvorrichtungen zuzuweisen, bei denen die Einstellung der Belichtungsparameter noch nicht durchgeführt worden ist, und sie können nicht in Reaktion auf die Erhöhung der TAT von Halbleiter vorrichtungen verwendet werden, die durch die Erhöhung der Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsbedingungen für die Herstellung kleiner Lose mit mehreren Produkten verursacht wird.
In JP H11-267952A wird eine Kombination von Fertigungsvorrichtungen anhand von Verarbeitungsdaten bestimmt, wobei eine maschinelle Bearbeitung ausgeführt wird, so dass dieser Ansatz nicht verwendet werden kann, weil keine Verarbeitungsdaten für neu angeschaffte Halbleitervorrichtungen vorliegen.
Wenn die Miniaturisierung der Vorrichtungsmuster weiter fortschreitet, auch unter denselben Beleuchtungsbedingungen, schwanken darüber hinaus die Prozessfenster abhängig von Geräteunterschieden zwischen den Belichtungsvorrichtungen aufgrund von Aberrationen der Projektionslinsen der Belichtungsvorrichtungen, so dass sich die Produktionsausbeute der Halbleitervorrichtungen aufgrund der Unterschiede zwischen den Belichtungsvorrichtungen verändert. Bei der Bildung sehr detaillierter Schaltungsmuster ist es erforderlich, die Belichtung nach Vergleichen der Prozessfenster mehrerer Belichtungsvorrichtungen durchzuführen und eine Belichtungsvorrichtung mit einem großen Prozessfenster auszuwählen, um die Ausbeute zu verbessern. In ihrem Artikel „Reducing CD Variation via Statistically Matching Steppers" in „Proceedings of the SPIE", Vol. 1261, 5. März 1990, beschreiben C. Lee et al. eine Untersuchung zur Verringerung der Variabilität der Linienbreite bei der Herstellung von integrierten Schaltungen. Sie schlagen eine Einbeziehung einer individuellen Belichtungskorrektur in die Software jedes bei der Herstellung verwendeten Steppers vor, beschreiben jedoch keine Belichtungs- und Entwicklungssimulation oder die Berechnung von Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus.
US-A-6049660 beschreibt eine Belichtungs- und Entwicklungssimulation zum theoretischen Verständnis des Belich tungsprozesses, aber nicht das Auswählen eines Steppers auf der Grundlage dieser Simulation.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Daher ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Verfahrens zur Belichtung von Halbleitervorrichtungen und eines Belichtungssystems für Halbleitervorrichtungen mit einer Einrichtung zur Berechnung der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung, die sich je nach der Aberration der Projektionslinsen der Belichtungsvorrichtungen ändern, und einer Einrichtung zum Zuweisen einer für die Belichtung verwendeten Belichtungsvorrichtung auf der Grundlage der berechneten Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus. Dieses Ziel wird mit dem Verfahren und dem System nach den Ansprüchen 1 und 5 erreicht. Die abhängigen Ansprüche beziehen sich auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine erste Datenbank mit Aberrationsinformationen (zum Beispiel Zernike-Koeffizienten) von Projektionslinsen für mehrere Belichtungsvorrichtungen, eine zweite Datenbank mit Prozessspezifikationsinformationen wie etwa den Belichtungsparametern (zum Beispiel Belichtungswellenlänge, numerische Apertur NA der Linsen, Beleuchtungskohärenz σ), Photoresist-Parametern (zum Beispiel Art, Dicke und Entwicklungszeit) und CD-Toleranzwerten für die Belichtungsschritte zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, eine dritte Datenbank mit Schaltungsmusterinformationen für die Belichtungsschritte zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, eine vierte Datenbank mit Steuerungsregeln für die Belichtungsvorrichtungen, eine fünfte Datenbank, in der die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung für die Schritte auf den mehreren Belichtungsvorrichtungen gespeichert sind, einen Belichtungsparameterberech nungsabschnitt zur Berechnung der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung und einen Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt zum Auswählen einer Belichtungsvorrichtung für den Belichtungsschritt aufgrund der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus der mehreren Belichtungsvorrichtungen und der Steuerungsregeln für die Belichtungsvorrichtung und zur Durchführung der Belichtung.
Der Belichtungsparameterberechnungsabschnitt führt folgende Schritte durch:
(1) einen Schritt zum Nachsehen der Belichtungsparameter des optischen Projektionssystems für die Belichtung und der Photoresist-Parameter,
(2) einen Schritt zum Nachsehen der Schaltungsmusterinformationen für die Belichtung,
(3) einen Schritt zum Nachsehen der Aberrationsinformationen für die Projektionslinse der Belichtungsvorrichtung und
(4) einen Schritt zur Berechnung der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung für die Belichtung mit einem optischen Entwicklungssimulator aufgrund der in den Schritten (1) bis (3) ermittelten Informationen.
Durch Ausführen der Schritte (1) bis (4) in dieser Reihenfolge wird es möglich, die Belichtungsenergie und die Fokusabweichung unter Berücksichtigung der Schwankungen der Prozessfenster aufgrund von Aberrationen der Projektionslinsen der Belichtungsvorrichtungen zu berechnen, ohne die Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter auszuführen.
Der Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt führt folgende Schritte durch:
(5) einen Schritt zum Nachsehen der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus für mehrere Belichtungsvorrichtungen, die vom Belichtungsparameterberechnungsabschnitt berechnet worden sind,
(6) einen Schritt zum Nachsehen der Steuerungsregeln für die Belichtungsvorrichtungen und
(7) einen Schritt zum Auswählen einer Belichtungsvorrichtung aufgrund der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der Steuerungsregeln.
Durch Ausführen der Schritte (5) bis (7) in dieser Reihenfolge wird es möglich, Belichtungsprozesse mit Belichtungsvorrichtungen unter Berücksichtigung der Prozessfenster und des Betriebszustands der Vorrichtung durchzuführen.
Daher können die Belichtungsenergie und die Fokusabweichung, die je nach Aberration der Projektionslinse der Belichtungsvorrichtung schwanken, bestimmt werden, ohne die Funktion zum Extrahieren der Belichtungsparameter auszuführen. Weiter wird es möglich, die Ausbeute der Halbleitervorrichtungen zu verbessern, indem unter mehreren Belichtungsvorrichtungen eine Belichtungsvorrichtung mit einem großen Prozessfenster ausgewählt wird.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 zeigt ein Blockdiagramm einer ersten Ausführungsform eines Verfahrens zur Belichtung von Halbleitervorrichtungen nach der vorliegenden Erfindung und eines Systems hierfür.
2 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Musterübertragungsverfahrens für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
3 zeigt ein Diagramm mit dem Aufbau einer Verkleinerungsprojektions-Belichtungsvorrichtung;
4 zeigt ein Diagramm eines Verfahrens zur Berechnung der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung.
5 zeigt ein Diagramm der Schwankungen der Prozessfenster aufgrund von unterschiedlichen Aberrationen der Projektionslinsen.
6 zeigt ein Diagramm eines Verfahrens zur Berechnung der Aberrationen der Projektionslinsen.
7 zeigt ein Ablaufdiagramm für ein Verfahren zur Berechnung der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung nach der vorliegenden Erfindung.
8 zeigt ein Ablaufdiagramm für ein Verfahren nach der vorliegenden Erfindung zur Durchführung einer Belichtung durch Auswählen einer Belichtungsvorrichtung, bei der die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus groß sind.
9 zeigt ein Diagramm mit einem Beispiel einer Ausgabemaske der Berechnungsergebnisse für die Belichtungsvorrichtung, Objektplatte, Belichtungsenergie und Fokusabweichung nach der vorliegenden Erfindung.
10 zeigt ein Blockdiagramm einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
11 zeigt ein Blockdiagramm einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
12 zeigt ein Diagramm eines Verfahrens zum Auswählen einer Belichtungsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachstehend werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen beschrieben.
1 zeigt ein Blockdiagramm mit dem Gesamtaufbau nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 1 besteht eine Belichtungsvorrichtungsgruppe 1 aus mindestens zwei Belichtungsvorrichtungen 2. Die Belichtungsvorrichtungen 2 sind Vorrichtungen mit einem optischen Projektionssystem für die Musterübertragung. Die Belichtungsvorrichtungsgruppe 1 ist mit einer Datenberechnungsstation 3 verbunden, die einen Berechnungsabschnitt 4 für die Belichtungsparameter (das heißt Belichtungsenergie und Fokusabweichung), einen Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5, eine Ein-/Ausgabeschnittstelle 6 und einen Datenbankabschnitt 7 aufweist. Darüber hinaus ist die Belichtungsvorrichtungsgruppe 1 mit einem Fertigungssteuerungssystem 10 zur Steuerung der gesamten Halbleitervorrichtungs-Fertigungsanlage verbunden. Bei der Belichtung können der Typ der Halbleitervorrichtung, der Prozessschritt und der Wafername zum Beispiel durch Lesen einer auf dem Wafer vorgesehenen Seriennummer eingegeben und über ein Netzwerk von dem Fertigungssteuerungssystem 10 gesendet werden.
Ein Objektplattensatz 8, der aus mindestens zwei Objektplatten 9 besteht, ist mit der Datenberechnungsstation 3 und dem Fertigungssteuerungssystem 10 verbunden. Der Typ der Halbleitervorrichtung, für den die Objektplatten verwendet werden, und der Belichtungsschritt können zum Beispiel durch Lesen einer Seriennummer auf der Objektplatte eingegeben und über ein Netzwerk von dem Fertigungssteuerungssystem 10 erhalten werden. Es ist auch möglich, dass es mehrere Objektplatten für denselben Halbleitervorrichtungstyp oder Belichtungsschritt gibt.
Der Datenbankabschnitt 7 umfasst eine Projektionslinsenaberrationsdatenbank 71, in der die Projektionslinsen-Aberrationsinformationen (zum Beispiel die Zernike-Koeffizienten) für die Belichtungsvorrichtungen gespeichert sind, eine Prozessspezifikationsdatenbank 72, in der die Belichtungsparameter (wie zum Beispiel die Belichtungswellenlänge, numerische Apertur NA der Linse und Beleuchtungskohärenz σ) des optischen Projektionssystems und die Photoresist-Parameter (wie zum Beispiel die Art, Dicke und Entwicklungszeit) für die verschiedenen Belichtungsschritte der Halbleitervorrichtung gespeichert sind, eine Objektplatten-Schaltungsmusterdatenbank 73, in der die Objektplatten-Schaltungsmusterinformationen wie zum Beispiel das Schaltungsmuster für die Halbleitervorrichtung und die Messergebnisse von Fertigungsabweichungen der Objektplatten gespeichert sind, eine Steuerungsregeldatenbank 74, in der die Steuerungsregeln zum Auswählen der für die Belichtung verwendeten Belichtungsvorrichtung gespeichert sind, und eine Belichtungsparameterdatenbank 75, in der die Belichtungsparameter (wie zum Beispiel die Belichtungsenergie und Fokusabweichung) für jede Belichtungsvorrichtung 2 und jeden Belichtungsschritt der Halbleitervorrichtung gespeichert sind. In Reaktion auf Anfragen vom Belichtungsparameterberechnungsabschnitt 4 und vom Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5 werden die relevanten Daten über die Ein-/Ausgabeschnittstelle 6 nachgesehen, und die Daten, die als Antwort auf die Anfrage dienen, werden an den Belichtungsparameterberechnungsabschnitt 4 oder den Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5 gesendet.
Basierend auf den vom Datenbankabschnitt 7 erhaltenen Daten und mit einem optischen Entwicklungssimulator berechnet der Belichtungsparameterberechnungsabschnitt 4 die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung bei der Durchführung der Belichtung mit den Belichtungsvorrichtungen 2. Die Ergebnisse dieser Berechnung werden über die Ein-/Ausgabeschnittstelle 8 in der Belichtungsparameterdatenbank 75 des Datenbankabschnitts 7 gespeichert. Hierbei bedeutet „Grenze" den Bereich der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung, der innerhalb der Spezifikation der CD liegt, und die Einheit für die Grenze der Belichtungsenergie ist die Lichtmenge, während die Einheit für die Fokusabweichung die Tischbewegungsentfernung ist. Werden die Grenzen überschritten, liegt die CD außerhalb der Spezifikationen und es treten Fehler in der Halbleitervorrichtung auf. Darüber hinaus ist die Mitte des Bereichs der Belichtungsenergie die optimale Belichtungsenergie, und die Mitte des Bereichs der Fokusabweichung ist die optimale Fokusabweichung.
Basierend auf den vom Datenbankabschnitt 7 erhaltenen Daten wählt der Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5 eine Belichtungsvorrichtung und eine Objektplatte zur Durchführung der Belichtung aus der Belichtungsvorrichtungsgruppe 1 und dem Objektplattensatz 8 aus, und die Be lichtungsparameter (Belichtungsenergie und Fokusabweichung) werden über die Ein-/Ausgabeschnittstelle 8 an die Belichtungsvorrichtungen 2 gesendet.
Der Fertigungssteuerungsabschnitt 10 überwacht den Betriebszustand der Belichtungsvorrichtungen 2 in der Belichtungsvorrichtungsgruppe 1 und der Objektplatten 9 im Objektplattensatz 8 sowie die Prozessinformationen für den Wafer und sendet Antwortdaten in Reaktion auf Anfragen vom Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5.
5 zeigt die Schwankung der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung aufgrund unterschiedlicher Aberrationen der Projektionslinsen in der Simulation mit einem optischen Entwicklungssimulator. Im Falle der sphärischen Aberration schwankt der optimale Wert der Fokusabweichung stärker als ohne Aberrationen. Ohne Aberration muss die Belichtungsvorrichtung um eine Abweichung von 0,1 μm korrigiert werden, und bei einer Aberration von 0,05 λ muss die Belichtungsvorrichtung um eine Abweichung von 0,2 μm korrigiert werden.
6 zeigt ein Verfahren zur Messung der Aberration einer Projektionslinse.

(1) Zunächst wird ein Aberrationsmessmuster gebildet, um Positionsabweichungen zu erzeugen, die eine Aberrationsbelichtung über eine Fokussiermikrolinse bewirken.
(2) Danach wird ein Referenzmuster gebildet, das sich mit dem Aberrationsmessmuster überlappt, so dass keine Positionsabweichungen erzeugt werden, die Aberrationen verursachen.
(3) Danach wird die Verschiebung zwischen dem Referenzmuster und dem Aberrationsmessmuster je nach Höhe des Linsenbildes gemessen.
(4) Aus der Verschiebung zwischen dem Referenzmuster und dem Aberrationsmessmuster in der Linsenebene ist es möglich, die Wellenfrontaberrationen zu berechnen, und aus den erhaltenen Wellenfrontaberrationen lassen sich die Zernike-Koeffizienten berechnen.

Bei dieser Ausführungsform werden die Zernike-Koeffizienten in der Datenbank als die Aberrationsinformationen der Projektionslinse gespeichert.
7 zeigt ein Ablaufdiagramm des Verfahrens zur Berechnung der Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie der optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung. Zuerst werden in Schritt 101 der Typ der zu verarbeitenden Halbleitervorrichtung und der Belichtungsschritt aus dem Fertigungssteuerungssystem erhalten. In Schritt 102 werden der in Schritt 101 erhaltene Typ der Halbleitervorrichtung, die für den Belichtungsschritt verwendete Belichtungsvorrichtung und die Objektplatteninformationen aus dem Fertigungssteuerungssystem erhalten, und eine Liste von Belichtungsvorrichtungen und Objektplatten wird erzeugt. In Schritt 103 werden die Belichtungsvorrichtung und die Objektplatte, mit der die Verarbeitung durchgeführt wird, als Ausgangswert in der Liste der Belichtungsvorrichtungen und Objektplatten eingestellt. In Schritt 104 werden die Belichtungsparameter, die Photoresist-Parameter und die CD-Toleranzen aus der Schrittspezifikationsdatenbank abgerufen. Danach werden in Schritt 105 die Schaltungsmusterinformationen der Objektplatte für die Verarbeitung nachgesehen. Die Objektplatten-Schaltungsmusterinformationen umfassen den Typ der Objektplatte (im Allgemeinen Phasenverschiebung, Levenson usw.), die Musterabmessungen, das Musterlayout (wiederholend, isoliert), die Musterfertigungsabweichungen usw. In Schritt 106 werden die Aberrationsfunktionen der Projektionslinse der für den Prozess verwendeten Belichtungsvorrichtung in der Projektionslinsenaberrationsdatenbank nachgesehen. In Schritt 107 wird basierend auf den in den Schritten 104 bis 106 nachgesehenen Daten der Bereich der Belichtungsenergie und des Fokus, die noch innerhalb des CD-Toleranzwertes liegen, mit einem Belichtungs-/Entwicklungssimulator berechnet, und ein Prozessfenster wird erzeugt. Dabei wird mit den Aberrationsfunktionen der Projektionslinse die Wellenfrontaberration der Projektionslinse mit dem Belichtungs-/Entwicklungssimulator erzeugt. Danach wird die der Wellenfrontaberration der Projektionslinse entsprechende Schaltungsmusterform für unterschiedliche Belichtungsenergien und Fokusabweichungen erzeugt, und die CD-Werte werden berechnet.
In Schritt 108 werden zur Bestimmung der Mitte des in Schritt 107 berechneten Prozessfensters die optimale Belichtungsenergie und die Fokusabweichung berechnet, und unter Zusammenfassung nach Typ der Halbleitervorrichtung, Belichtungsschritt, Belichtungsvorrichtung und Objektplatte in der Belichtungsparameterdatenbank werden die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung gespeichert. In Schritt 109 wird bestimmt, ob die verarbeitete Belichtungsvorrichtung die letzte in der Liste der Belichtungsvorrichtungen ist. Ist sie nicht die letzte, wird die verarbeitete Belichtungsvorrichtung in Schritt 110 aktualisiert, und der Prozess wird ab Schritt 106 wiederholt. Ist sie die letzte, wird in Schritt 111 bestimmt, ob die zu verarbeitende Objektplatte die letzte ist. Ist sie nicht die letzte, wird die verarbeitete Belichtungsvorrichtung auf den Ausgangswert zurückgesetzt, die verarbeitete Objektplatte wird aktualisiert, und der Prozess wird ab Schritt 105 wiederholt. Ist sie die letzte, wird der Prozess beendet.
8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Durchführung einer Belichtung durch Auswählen einer Belichtungsvorrichtung, bei der die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus groß sind. Zuerst werden in Schritt 201 der Typ der Halbleitervorrichtung für die Belichtung und der Belichtungsschritt aus dem Fertigungssteuerungssystem erhalten. In Schritt 202 werden die Betriebsinformationen mehrerer Belichtungsvorrichtungen aus dem Fertigungssteuerungssystem erhalten. Die Betriebsinformationen einer Belichtungsvorrichtung umfassen die Betriebsbedingungen der Belichtungsvorrichtung und die Prozessinformationen der Halbleitervorrichtung für den nächsten Prozess. In Schritt 203 werden der Typ der Halbleitervorrichtung für die Verarbeitung, der in Schritt 201 erhalten wurde, die Benutzungsbedingungen der für den Belichtungsschritt verwendeten Objektplatte und der anschließende Benutzungsplan aus dem Fertigungssteuerungssystem erhalten. In Schritt 204 werden die Dispatch-Regeln der Halbleitervorrichtung für die Belichtung nachgesehen. In den Dispatch-Regeln sind die Prioritätsregeln für jede auf den Produktionsfortschritt angewendete Halbleitervorrichtung und die Zuweisung der Maschinen entsprechend den Auftragsbedingungen und den Ausbeutebedingungen des Herstellungsprozesses zum Beispiel im Wenn-dann-Format definiert. In Schritt 205 wird das Prozessfenster des Belichtungsschritts für die Belichtung mit mehreren Belichtungsvorrichtungen nachgesehen. In Schritt 206 wird die Belichtungsvorrichtung, die die Belichtung durchführt, auf der Grundlage der in Schritt 204 erhaltenen Dispatch-Regeln berechnet. Bei einer Halbleitervorrichtung, für die in den Dispatch-Regeln definiert ist, dass die Ausbeute wichtig ist, erfolgt die Zuweisung zum Beispiel unter Berücksichtigung einer Vorrichtung und einer Objektplatte, bei denen der Bereich des Prozessfensters gleich oder größer als der Toleranzwert im Belichtungsschritt ist, unabhängig von den Betriebsbedingungen der Belichtungsvorrichtungen und den Benutzungsbedingungen der Objektplatten, wodurch die Ausbeute verbessert wird. Mit Dispatch-Regeln, die sowohl den Produktionsfortschritt als auch die Ausbeute berücksichtigen, werden die Priorität der Belichtungsvorrichtung und der Objektplatte bezogen auf den Produktionsfortschritt und die Priorität der Belichtungsvorrichtung und der Objektplatte bezogen auf die Ausbeute gewichtet, und die Belichtungsvorrichtung und die Objektplatte mit der höchsten Gesamtpriorität werden zugewiesen. In Schritt 207 werden die optimalen Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung mit der in Schritt 206 berechneten Kombination von Belichtungsvorrichtung und Objektplatte nachgese hen. In Schritt 208 wird die Belichtung mit der in den Schritten 206 und 207 berechneten Belichtungsvorrichtung, Objektplatte, Belichtungsenergie und Fokusabweichung durchgeführt.
12 zeigt ein Dispatch-Verfahren, das sowohl den Produktionsfortschritt als auch die Ausbeute in Schritt 206 in 8 berücksichtigt. Im Hinblick auf den Produktionsfortschritt wird der Bewertungsindex P1 der verwendeten Belichtungsvorrichtung je nach den Betriebsbedingungen der Belichtungsvorrichtung, den Benutzungsbedingungen der Objektplatte und der Lieferzeit der zu verarbeitenden Halbleitervorrichtung berechnet.
Wenn die Halbleitervorrichtung die Belichtung erreicht hat, wird die zur Belichtung für jede Halbleitervorrichtung verwendete Belichtungsvorrichtung aus der aus mehreren Belichtungsvorrichtungen bestehenden Belichtungsvorrichtungsgruppe ausgewählt. Dabei vergleicht, wenn die Priorität auf den Lieferzeiten liegt, das Verfahren zum Zuweisen der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen die Anzahl der verbleibenden Tage bis zur Lieferung der anderen Halbleitervorrichtungen, die auf Belichtung warten, und die der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen und entscheidet über die Prioritätsposition der zu belichtenden Halbleitervorrichtungen, wobei die Halbleitervorrichtungen mit weniger verbleibenden Tagen Priorität erhalten. Danach werden in der Reihenfolge der höchsten Prioritätsposition die Betriebsbedingungen der Belichtungsvorrichtung und die Benutzungsbedingungen der Objektplatte bestimmt, und wenn eine Benutzung möglich ist, wird die Belichtung durchgeführt. Wenn die Belichtungsvorrichtung und die Objektplatte nicht verwendet werden können, wird eine Reservierung vorgenommen, und die Belichtung wird ausgeführt, sobald die Benutzung möglich ist. Die Zeit, bis die Belichtungsprozesse mit den verschiedenen Belichtungsvorrichtungen abgeschlossen sind, wird zum Beispiel addiert, und der Bewertungsindex P1 der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen wird aus der Länge dieser Zeit berechnet. Wenn zum Beispiel der Bewertungsindex P1 für die verschiedenen Belichtungsvorrichtungen durch Zahlen von 0 bis 10 ausgedrückt ist, werden die Belichtungsvorrichtungen in der Reihenfolge der Zeit bis zum Ende der Verarbeitung angeordnet, und der durch Dividieren der Prioritätsposition durch die Gesamtzahl der Vorrichtungen erhaltene Wert wird verwendet. In diesem Fall ist die Priorität höher, je größer der Index ist. Es ist auch möglich, im Voraus den Zeitbereich bis zur Fertigstellung einzeln für jeden Index zu bestimmen und den Index entsprechend diesem Bereich einzustellen. Hier ist ein Verfahren zum Zuweisen der Belichtungsvorrichtungen zur Durchführung der Belichtung der Halbleitervorrichtungen entsprechend den Lieferzeiten und den Benutzungsbedingungen der Belichtungsvorrichtungen und Objektplatten erläutert worden, aber das Zuweisen der Belichtungsvorrichtungen kann in gleicher Weise nicht nur im Hinblick auf die Lieferung, sondern auch im Hinblick auf andere Aspekte wie zum Beispiel die verbleibende Anzahl von Schritten erfolgen oder ob es einen Vorgang zur Reproduktion der Halbleitervorrichtungen gibt.
Andererseits werden im Hinblick auf die Ausbeute die Bewertungsindizes P2 der verwendeten Belichtungsvorrichtungen entsprechend der Größe des Prozessfensters der Belichtungsvorrichtungen (Grenzen der Belichtungsenergie und Fokusabweichung) berechnet. Die Gesamtbewertungsindizes P werden berechnet, indem der im Hinblick auf den Produktionsfortschritt berechnete Bewertungsindex P1 und der im Hinblick auf die Ausbeute berechnete Bewertungsindex P2 durch Gewichtung mit Wichtungsfunktionen gemäß der Definition in den Dispatch-Regeln berechnet werden, und die Belichtungsvorrichtung, die tatsächlich verwendet wird, ist die mit dem größten Bewertungsindex P.
Nachstehend wird ein Verfahren zum Einstellen der Wichtungsfunktionen erläutert. Im Allgemeinen wird die geplante Fertigstellungszeit der Belichtungsschritte im Voraus fest gelegt, basierend auf der Lieferzeit der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen. Die Bewertungsindizes P1 werden basierend auf der Zeit bis zum Abschluss der Belichtungsprozesse berechnet, so dass die Grenze für die Lieferzeit in dem Belichtungsschritt für den nächsten Belichtungsprozess durch Berechnung der Differenz zwischen diesen beiden Werten bestimmt wird. Ist dieser Wert positiv, kann der Belichtungsprozess früher als geplant abgeschlossen werden; ist er hingegen negativ, wird die Belichtung später als geplant abgeschlossen. Darüber hinaus werden die Bewertungsindizes P2 bestimmt, indem die Größe des Prozessfensters berechnet wird, und wenn das Prozessfenster klein ist, hat dies Einfluss auf die Ausbeute. Die Relation zwischen dem Prozessfenster und der Ausbeute kann aus den Ergebnissen der Untersuchung von Proben früherer Halbleitervorrichtungen bestimmt werden. Dabei wird die erzielbare Anzahl von Chips getrennt für jede Belichtungsprozess-Abschlusszeit der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen berechnet. Der Bewertungsindex P1 wird stärker gewichtet, wenn es kein Problem ist, wenn die Anzahl der erzielbaren Chips der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen niedrig ist, wie durch Subtrahieren der Anzahl der bereits produzierten Chips von der Anzahl der bestellten Chips und Vergleichen dieser Anzahl mit der Anzahl der erzielbaren Chips der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen bestimmt wird. Im Gegensatz dazu wird, wenn eine maximale Anzahl von erzielbaren Chips der zuzuweisenden Halbleitervorrichtungen benötigt wird, der Bewertungsindex P2 stärker gewichtet. Als Beispiel sei die Zuweisung betrachtet, wenn es eine Halbleitervorrichtung 1 mit einem Bewertungsindex P1 von 1 und einem Bewertungsindex P2 von 2 gibt und eine Halbleitervorrichtung 2 mit einem Bewertungsindex P1 von 2 und einem Bewertungsindex P2 von 1. Wenn genügend Spielraum bis zur Lieferzeit der zuzuweisenden Halbleitervorrichtung bleibt, wird die Belichtungsvorrichtung mit dem höchsten Gesamtindex P als die Belichtungsvorrichtung zugewiesen, mit der die zugewiesene Halbleitervorrichtung verarbeitet wird, und der Belichtungsprozess wird ausgeführt. Wenn die Belichtungsvorrichtung und die Objektplatte derzeit verwendet werden, wird eine Reservierung für die Belichtungsvorrichtung und die Objektplatte vorgenommen, und der Prozess wird ausgeführt, wenn sie zur Benutzung frei sind. Weiter wird, wenn die zugewiesene Belichtungsvorrichtung aufgrund einer Störung oder dergleichen nicht verwendet werden kann, die Belichtungsvorrichtung mit dem nächstgrößten Gesamtindex zugewiesen.
9 zeigt ein Diagramm mit einem Beispiel einer Ausgabemaske der Berechnungsergebnisse für die Belichtungsvorrichtung, Objektplatte, Belichtungsenergie und Fokusabweichung in den Schritten 207 und 208 in 8. Angezeigt werden der Name der Halbleitervorrichtung, der Belichtungsschritt, die Belichtungsvorrichtung, die den Belichtungsprozess ausführt, der Name der Objektplatte, die Belichtungsenergie und die Fokusabweichung. Es ist zu beachten, dass die Ausgabemaske auf der Belichtungsvorrichtung, einem Ausgabeterminal des Fertigungssteuerungssystems oder einem speziellen Ausgabeterminal ausgegeben wird.
10 zeigt ein Blockdiagramm einer zweiten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung. Gleiche Elemente wie in 1 sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Bei dieser Ausführungsform ist die Datenberechnungsstation 3 mit dem Datenbankabschnitt 7, dem Belichtungsparameterberechnungsabschnitt 4 und dem Belichtungsvorrichtungszuweisungsabschnitt 5 in das Fertigungssteuerungssystem 10 eingebaut, und alle Prozesse werden ausgeführt.
11 zeigt ein Blockdiagramm einer dritten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung. Gleiche Elemente wie in 1 sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Bei dieser Ausführungsform ist die Datenberechnungsstation 3 mit dem Datenbankabschnitt 7, dem Belichtungsparameterberechnungsabschnitt 4 und dem Belichtungsvorrichtungs zuweisungsabschnitt 5 in jede der Belichtungsvorrichtungen 2 eingebaut, und alle Prozesse werden ausgeführt.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind für den Fall der Anwendung der vorliegenden Erfindung auf Belichtungsvorrichtungen bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen erläutert worden, aber die vorliegende Erfindung ist nicht speziell auf die Herstellung von Halbleitervorrichtungen beschränkt und kann in gleicher Weise für Herstellungsverfahren mit Projektionsbelichtungsvorrichtungen angewendet werden.
Die vorliegende Erfindung weist eine Funktion zur Berechnung der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung auf, die für jede Belichtungsvorrichtung in den Belichtungsschritten für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung von zuvor mit einem optischen Entwicklungssimulator erhaltenen Projektionslinsenaberrationen der Belichtungsvorrichtungen entsprechend den Belichtungsparametern des optischen Projektionssystems, Photoresist-Parametern und Schaltungsmusterinformationen eingestellt werden, so dass bei der Belichtung der Halbleitervorrichtung mit mehreren Belichtungsvorrichtungen die Häufigkeit der Ausführung der Funktion zum Extrahieren der Belichtungsbedingungen durch Berechnen der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung für jeden Belichtungsschritt und jede Belichtungsvorrichtung mit Testwafern verringert werden kann, die Betriebseffizienz der Belichtungsvorrichtungen verbessert werden kann und die TAT der Halbleitervorrichtungen verkürzt werden kann.
Darüber hinaus weist sie eine Funktion zur Ausführung der Belichtung mit der Belichtungsvorrichtung von mehreren Belichtungsvorrichtungen auf, die ein großes Prozessfenster aufweist, so dass durch den Belichtungsschritt verursachte Defekte bei der Herstellung neuer Halbleitervorrichtungen verringert werden können und die Ausbeute verbessert werden kann.

Claims

Verfahren zur Belichtung einer Halbleitervorrichtung, auf die ein vorbestimmtes Muster übertragen wird, aufweisend: einen Schritt zum Lesen von Belichtungsparametern, Photoresist-Parametern, Schaltungsmusterinformationen und Aberrationsinformationen von in Belichtungsvorrichtungen (1, 2, 8, 9) verwendeten Projektionslinsen aus einer Datenbank (7), zur Ausführung der Übertragung des Musters, einen Schritt zur Ausführung einer Belichtungs- und Entwicklungssimulation aufgrund der Belichtungsparameter, Photoresist-Parameter, Schaltungsmusterinformationen und der Aberrationsinformationen der Projektionslinsen, für die Übertragung des Musters, einen Schritt zur Berechnung von Grenzen für die Belichtungsenergie und den Fokus sowie von optimalen Werten der Belichtungsenergie und einer Fokusabweichung aufgrund der Belichtungs- und Entwicklungssimulation, und einen Schritt zur Ausführung der Belichtung unter Verwendung einer der Belichtungsvorrichtungen, für die die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus eine vorbestimmte Toleranz erfüllen, aufgrund des Schritts zur Berechnung der Grenzen.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend: einen Schritt zur Berechnung einer Zuweisungs-Prioritätsreihenfolge von Belichtungsvorrichtungen (1, 2, 8, 9) unter Verwendung der im Berechnungsschritt berechneten Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus der Belichtungsvorrichtungen, und einen Belichtungsvorrichtungs-Zuweisungsschritt zum Auswählen einer im Belichtungsschritt verwendeten Belichtungsvorrichtung aufgrund der Prioritätsreihenfolge der Belichtungsvorrichtungen.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Belichtungsparameter-Berechnungsschritt mittels eines Belichtungs- und Entwicklungssimulators Bereiche der Belichtungsenergie und des Fokus bestimmt, in denen sich Variationen des übertragenen Musters innerhalb eines vorbestimmten Bereichs befinden, und deren Mittelwerte als optimale Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung nimmt.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Belichtungsvorrichtungs-Zuweisungsschritt folgendes umfaßt: (1) einen Schritt zur Berechnung einer Zuweisungs-Prioritätsreihenfolge der jeweiligen Belichtungsvorrichtungen (1, 2, 8, 9) aufgrund von Auftragsbedingungen von Halbleitervorrichtungen und aufgrund von Informationen über den Produktionsstand einer Halbleiterfertigungslinie, (2) einen Schritt zur Berechnung einer Zuweisungs-Prioritätsreihenfolge aus Grenzen für die Belichtungsenergie und den Fokus, die im Belichtungsparameter-Berechnungsschritt berechnet wurden, und (3) einen Schritt zur Berechnung einer Zuweisungs-Prioritätsreihenfolge in einem Prozeß unter Verwendung von den Halbleitervorrichtungen zugeordneten Gewichtungsfunktionen entsprechend den Zuweisungs-Prioritätsreihenfolgen der Belichtungsvorrichtungen, die in (1) und (2) berechnet wurden.
System zur Belichtung einer Halbleitervorrichtung, auf die ein vorbestimmtes Muster übertragen wird, aufweisend: eine Datenbank (7), die Belichtungsparameter, Photoresist-Parameter, Schaltungsmusterinformationen und Aberrationsinformationen von Projektionslinsen, die in Belichtungsvorrichtungen (1, 2, 8, 9) verwendet werden, zur Ausführung der Übertragung des Musters speichert, eine Berechnungsvorrichtung (4, 5), die zur Ausführung einer Belichtungs- und Entwicklungssimulation aufgrund der Belichtungsparameter, Photoresist-Parameter, Schaltungsmusterinformationen und Aberrationsinformationen der Projektionslinsen für die Übertragung des Musters und zur Berechnung von Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus sowie von optimalen Werten der Belichtungsenergie und einer Fokusabweichung eingerichtet ist, und eine Vorrichtung (6), die eingerichtet ist, eine der Belichtungsvorrichtungen, für die die Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus eine vorbestimmte Toleranz erfüllen, zur Ausführung der Belichtung anzuweisen.
System nach Anspruch 5, wobei die Berechnungsvorrichtung (4, 5) eine Zuweisungs-Prioritätsreihenfolge der Belichtungsvorrichtungen (1, 2, 8, 9) unter Verwendung der berechneten Grenzen der Belichtungsenergie und des Fokus der Belichtungsvorrichtungen berechnet und wobei die zur Belichtung verwendete Belichtungsvorrichtung aufgrund der Prioritätsreihenfolge der Belichtungsvorrichtungen ausgewählt wird.
System nach Anspruch 5, wobei die Berechnungsvorrichtung (4, 5) mittels eines Belichtungs- und Entwicklungssimulators Bereiche der Belichtungsenergie und des Fokus berechnet, innerhalb der sich Variationen des übertragenen Musters innerhalb eines vorbestimmten Bereichs befinden, und deren Mittelwerte als optimale Werte der Belichtungsenergie und der Fokusabweichung nimmt.