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Gebiet der vorliegenden Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Herstellung von Mikrostrukturen,
etwa von integrierten Schaltungen, und betrifft insbesondere eine Technik
zum Steuern der Justiergenauigkeit und der Musteranordnungsgenauigkeit
während
Lithographieprozessen bei der Herstellung und Strukturierung gestapelter
Materialschichten, die für
die Herstellung von Mikrostrukturelementen verwendet werden.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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Die
Herstellung von Mikrostrukturen, etwa integrierter Schaltungen,
erfordert, dass kleine Gebiete mit präzise gesteuerter Größe in einer
Materialschicht eines geeigneten Substrats, etwa eines Siliziumsubtrats,
eines SOI-(Silizium-auf-Isolator-)Substrat oder anderer geeigneter
Trägermaterialien
gebildet werden. Diese kleinen Gebiete mit genau eingestellter Größe werden
erzeugt, indem die Materialschicht strukturiert wird, wobei Lithographie-, Ätz-Implantations-, Abscheide-,
Oxidationsprozesse und dergleichen ausgeführt werden, wobei typischerweise
mindestens in einer gewissen Phase des Strukturierungsprozesses
eine Maskenschicht über
der Materialschicht gebildet wird, die zu behandeln ist, um diese
kleinen Gebiete zu definieren. Im Allgemeinen kann eine Maskenschicht
aus einer Schicht aus Photolack aufgebaut sein oder kann durch diese
hergestellt werden, die mittels eines lithographischen Prozesses,
etwa typischerweise in Form eines Photolithographieprozesses, strukturiert
wird. Während
des photolithographischen Prozesses wird der Lack auf die Substratoberfläche aufgeschleudert
und dann selektiv mit Ultraviolettstrahlung durch eine entsprechende
Lithographiemaske hindurch, etwa ein Retikel, belichtet, wodurch
das Retikelmuster in die Lackschicht übertragen wird, um darin ein
latentes Bild zu bilden. Nach dem Entwickeln des Photolacks werden,
abhängig
von der Art des Lackes, d. h. Positivlack oder Negativlack, die
belichteten Bereiche oder die nicht belichteten Bereiche abgetragen,
um das erforderliche Muster in der Schicht aus Photolack zu bilden.
Auf der Grundlage dieses Lackmusters werden die eigentlichen Bauteilmuster
durch weitere Fertigungsprozesse, etwa Ätzen, Implantieren, Ausheizprozesse,
und dergleichen hergestellt. Da die Abmessungen der Muster in modernen
integrierten Mikrostrukturbauelementen ständig abnehmen, müssen die
Anlagen, die zum Strukturieren von Bauteilelementen eingesetzt werden,
sehr strenge Auflagen im Hinblick auf die Auflösung und die Überlagerungsgenauigkeit
der beteiligten Herstellungsprozesse erfüllen. In dieser Hinsicht ist
die Auflösung
als ein Maß zu
verstehen, um die konsistente Fähigkeit
anzugeben, um Bilder mit minimaler Größe unter Bedingungen vordefinierter
Fertigungstoleranzen zu erzeugen. Ein wichtiger Faktor bei der Verbesserung
der Auflösung
ist der lithographische Prozess, in welchem die in der Photomaske
oder dem Retikal enthaltenen Muster optisch auf das Substrat mittels
eines optischen Abbildungssystems übertragen werden. Daher werden
große
Anstrengungen unternommen, um ständig
die optischen Eigenschaften des Lithographiesystems, etwa die numerische
Apertur, die Fokustiefe und die Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle
zu verbessern.
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Die
Qualität
der lithographischen Abbildung ist äußerst wichtig bei der Erzeugung
sehr kleiner Strukturgrößen. Von
vergleichbarer Wichtigkeit ist jedoch die Genauigkeit, mit der ein
Bild auf der Oberfläche
des Substrats positioniert werden kann. Typischerweise werden Mikrostrukturen,
etwa integrierte Schaltungen, durch sequenzielles Strukturieren
von Materialschichten hergestellt, wobei Strukturelemente auf aufeinanderfolgende
Materialschichten eine räumliche
Beziehung zueinander aufweisen. Jedes Muster, das in einer nachfolgenden
Materialschicht gebildet wird, muss mit einem entsprechenden Muster,
das in der zuvor strukturierten Materialschicht gebildet ist, innerhalb
spezifizierter Justiertoleranzen ausgerichtet werden. Diese Justiertoleranzen
werden beispielsweise durch Schwankungen im Photolackbild auf dem
Substrat auf Grund von Ungleichförmigkeiten
in Prozessparametern, etwa der Lackdicke, der Ausbacktemperatur,
der Belichtungsdosis und Zeit und den Entwicklungsbedingungen hervorgerufen.
Des weiteren können
Ungleichmäßigkeiten der Ätzprozesse
ebenso zu Schwankungen in den geätzten
Strukturen führen.
Des weiteren besteht eine Unsicherheit bei der Überlagerung des Bildes des
Musters der aktuellen Materialschicht in Bezug auf das geätzte oder
anderweitig definierte Muster der zuvor gebildeten Materialschicht,
wenn das Bild der Photomaske photolithographisch auf das Substrat übertragen
wird. Mehrere Faktoren tragen zu der Eigenschaft des Abbildungssystems
bei, zwei Schichten in nicht idealer Weise zu überlagern, etwa Unregelmäßigkeiten
innerhalb eines Satzes aus Masken, Temperaturunterschiede während unterschiedlicher
Zeitpunkte beim Belichten, ein begrenztes Justiervermögen der
Justieranlage und als ein wesentlicher Beitrag zu Justierfehlern,
Fehler der Belichtungsanlage selbst, etwa Linsenverzerrungen, insbesondere
in Verbindung mit entsprechenden Unregelmäßigkeiten des Retikels. Die
Situa tion wird noch weiter kompliziert, wenn unterschiedliche Belichtungsanlagen
zum Definieren nachfolgender Bauteilschichten eingesetzt werden,
da dann die inhärenten
Fehler in dem Belichtungssystem aus der Belichtungsanlage und dem
Retikel für
die unterschiedlichen Anlagen und unterschiedlichen Retikel variieren können. Obwohl
die gleiche Belichtungsanlage für die
Erzeugung kritischer Bauteilebenen eingesetzt werden könnte, sind
in der Praxis derartige Einschränkungen
im Hinblick auf eine effiziente Gesamtprozesssteuerung in einer
komplexen Fertigungsumgebung nicht möglich, die typischerweise mehrere
Lithographieanlagen und mehrere Retikal für die gleiche Bauteilebene
besitzt. Als Folge davon sind die wesentlichen Kriterien, die die
minimale Strukturgröße bestimmen,
die schließlich
erhalten wird, die Auflösung
zum Erzeugen von Strukturelementen in einzelnen Substratschichten
und der gesamte Überlagerungsfehler,
zu dem die oben erläuterten
Faktoren insbesondere der lithographische Prozess beitragen.
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Es
ist daher wichtig, die Auflösung,
d. h. die Fähigkeit
des zuverlässigen
und reproduzierbaren Erzeugens der minimalen Strukturgröße, was
auch als kritische Abmessung (CD) in einer speziellen Materialschicht
bezeichnet wird, zu überwachen
und kontinuierlich die Überlagerungsgenauigkeit
von Mustern von Materialschichten zu bestimmen, die aufeinanderfolgend
hergestellt und die zueinander justiert wurden. Wenn beispielsweise
eine Verdrahtungsstruktur für
eine integrierte Schaltung hergestellt wird, müssen entsprechende Metallleitungen und
Kontaktdurchführungen,
die zwei gestapelte Metallgebiete verbinden, innerhalb enger Prozessgrenzen
zueinander ausgerichtet sein, da eine deutliche Fehljustierung einen
Kurzschluss zwischen eigentlich nicht verbundenen Leitungen hervorrufen
kann, wodurch möglicherweise
ein nicht behebbarer Bauteildefekt erzeugt wird.
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Bei
der Messung der Überlagerung
werden typischerweise zwei unabhängige
Strukturen, d. h. eine Struktur in jeder zu bildenden Schicht, mittels der
spezifizierten Fertigungsprozesse hergestellt und die Verschiebung
zwischen dem Symmetriezentren wird bestimmt. Häufig werden sogenannte Feld-in-Feld-Marken
verwendet, die konzentrisch in jeder der Schichten strukturiert
und im Hinblick auf ihre Verschiebung mittels eines unabhängigen Messinstruments
gemessen werden, wobei typischerweise 4 bis 5 Positionen innerhalb
eines einzelnen Belichtungsfeldes, die vorzugsweise an den Ecken
des Feldes angeordnet sind, vermessen werden. Jedoch kann eine Diskrepanz
zwischen Überlagerungseigenschaften
in einem einzelnen Chipgebiet oder einem Belichtungsfeld und den
deutlich größeren Strukturen
der Überlagerungsmarken,
die typischerweise in der Schneidelinie des Substrats ange ordnet sind,
beobachtet werden, wodurch Messdaten, die aus dem Objekt in der
Schneidelinie erhalten werden, und damit Steuerungsstrategien, die
auf diesen Messergebnissen beruhen, weniger zuverlässig sind.
Als Gründe
für diese
Diskrepanz sind Ungenauigkeiten der Lithographieanlage und der für die Abbildung
der entsprechenden Schichten eingesetzten Retikel verantwortlich,
wie dies zuvor dargelegt ist, wobei zusätzlich die Feinstrukturen,
wie sie typischerweise in dem Chipgebiet auftreten, etwa Gateelektroden, STI-Strukturen
(flache Grabenisolationsstrukturen) und dergleichen in einer unterschiedlichen
Weise im Vergleich zu den relativ großen Strukturen abgebildet werden,
wie sie typischerweise zur Erzeugung der Überlagerungsmarkierungen verwendet
werden. Diese struktur- und größenabhängige Eigenschaft mit
unterschiedlicher Art an Überlagerung
wird als Musteranordnungsfehler (PPE) bzw. Musterpositionsfelder
bezeichnet.
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Daher
streben moderne APC-(fortschrittliche Prozesssteuerung-)Strategien
danach, die entsprechenden Fehler auf der Grundlage der Messergebnisse
zu reduzieren, die aus zuvor gemessenen Substraten erhalten werden,
d. h. auf der Grundlage von Messergebnissen, die den Überlagerungsmarkierungen
entsprechen, die in der Schneidelinie angeordnet sind, um die durch
die Messdaten angegebene Abweichung zur Reduzierung des Justierfehlers
für das
nächste
zu bearbeitende Substrat zurückzuspeisen.
APC-Steuerungen besitzen eine vorausschauendes Verhalten, das typischerweise
als modellvorausschauende Steuerung (MPC) bezeichnet wird, was günstig ist,
wenn die Menge an verfügbaren Messdaten
auf Grund von Prozesserfordernissen eingeschränkt ist. Beispielsweise würde Idealerweise eine
große
Anzahl an Überlagerungsmarkierungen über das
gesamte Belichtungsfeld hinweg angeordnet und vermessen, um eine
entsprechende Karte der Überlagerungsfehler
zu erhalten. Jedoch würde dies
deutlich längere
Prozesszeit erfordern, die unter Fertigungsbedingungen nicht verfügbar ist.
Ferner ist das Vorsehen einer entsprechend großen Anzahl an geeigneten Überlagerungsmarkierungen,
die über das
gesamte Belichtungsfeld, d. h. das Retikel, verteilt sind, unter
Umständen
zu entsprechenden Entwurfseinschränkungen für die eigentlichen Produktmuster
führen.
Somit beruhen viele konventionelle APC-Mechanismen auf Messdaten,
die von den Markierungen in der Schneidelinie erhalten werden.
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Zum
Erzeugen geeigneter manipulierter Werte bzw. Steuerungswerte, kann
die gemessene „Überlagerung" in einzelne Justierparameter
unterteilt werden, etwa die Vergrößerung, die Translation, die
Substratdrehung, die Retikeldrehung, die Orthogonalität, und dergleichen.
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Folglich
enthält
ein entsprechendes Prozessrezept für eine Belichtungsanlage zum
Justieren des Bildes eines Retikels in Bezug auf eine spezifizierte
Position des Substrats entsprechende Steuervariablen, die den zuvor
spezifizierten Überlagerungsparametern
entsprechen. Die Steuervariablen können sogenannte Steuereingangswerte
repräsentieren,
d. h. Prozessparameter der Lithographieanlage, die durch die Steuerung
eingestellt werden, um damit spezifizierte Werte für die oben
spezifizierten Überlagerungsparameter
oder gesteuerten Variablen, etwa die Vergrößerung, die X-Translation,
Orthogonalität,
und dergleichen zu erhalten.
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Das
Erzeugen entsprechender „optimierter" Werte zum Steuern
der Justieraktivität
der Belichtungsanlage auf der Grundlage der vier Überlagerungsmarken
an den Ecken ist jedoch unter Umständen nicht repräsentativ
für das
gesamte Belichtungsfeld auf Grund von Ungenauigkeiten im Retikel
und Unterschieden der Linsenverzerrungen zwischen unterschiedlichen
Belichtungsanlagen, wie dies zuvor erläutert ist. Vielmehr kann die
Optimierung im Hinblick auf die Überlagerungsmarkierungen
an den Ecken zu weiteren Positionierfehlern führen, da die Steuerungseinstellungen
auf Grundlage von Messergebnissen an den Ecken den entsprechenden Schwankungen
innerhalb des Belichtungsfeldes überlagert
werden, die auf Grund der oben genannten Gründe ein deutlich anderes Verhalten
aufweisen können,
wobei dadurch selbst eine „Verstärkung" von Positionierfehlern
hervorgerufen werden kann. Daher wird in einigen konventionellen
Strategien vorgeschlagen, die Überlagerungsmessung
in zwei Teile aufzuteilen: a) Messen des konventionellen Überlagerungsmusters
auf Produkten und b) Messen von Mustern innerhalb des Chipgebiets
die den Entwurfsregeln vergleichbare Muster aufweisen, die auf Testsubstraten
unter Anwendung entsprechender Testretikel gebildet sind, aufweisen.
Somit können
spezielle belichtungsfeldinterne Effekte, wie sie zuvor dargelegt
sind, durch diese Verfahren berücksichtigt
werden, die Fehler, die jedoch durch spezielle Ungenauigkeiten von
Produktretikeln und den komplexen Wechselwirkungen mit dem entsprechenden
Abbildungsverhalten der speziellen Belichtungsanlage, die tatsächlich zum
Abbilden einer speziellen Bauteilebene verwendet wird, werden jedoch
durch diese Verfahren nicht berücksichtigt.
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Angesichts
dieser Situation besteht ein Bedarf für eine verbesserte Technik
zum Reduzieren der Überlagerungsfehler,
wobei eines oder mehrere der oben erkannten Probleme vermieden oder
zumindest in der Auswirkung reduziert wird.
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Überblick über die Erfindung
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Im
Allgemeinen richtet sich die vorliegende Erfindung an eine Technik
zum Verbessern des Justierverhaltens in Lithographieanlagen in komplexen Fertigungsumgebungen,
in denen mehrere Retikel oder Photomasken vorgesehen sind, die in
Verbindung mit mehreren Lithographieanlagen eingesetzt werden. Zu
diesem Zweck werden Messdaten mit einem relativ hohen Maß an räumlicher
Abdeckung der entsprechenden Belichtungsfelder, die durch die Photomasken
oder Retikel definiert sind, erzeugt, wobei ein entsprechender Satz
an Messdaten für mehrere
Kombinationen aus Lithographieanlage und Retikel oder Photomaske
erzeugt wird, um damit die Möglichkeit
des Abschätzens
der komplexen Wechselwirkung zwischen anlagenspeziellen Verzerrungssignaturen
und durch die Fertigung hervorgerufener Justier- bzw. Positioniereigenschaften
der entsprechenden Retikel bereitzustellen. Daher kann die entsprechende
Information über
die komplexe Wechselwirkung zwischen den anlagenspezifischen Eigenschaften
und den retikelspezifischen Eigenschaften in die entsprechenden
Messdaten „codiert" werden, die damit
mit höherer
räumlicher
Abdeckung im Vergleich zu typischen Messpositionen zur Abschätzung von Überlagerungseigenschaften
der entsprechenden Bauteilschichten vorgesehen werden können. Daher
können
Steuerungsverfahren zur Reduzierung von Überlagerungsfehlern beim Justieren
von einer Bauteilebene in Bezug auf eine darunter liegende Bauteilebene
auf Basis der konventionellen Überlagerungsmessdaten
beruhen, die in einer effizienten und raschen Weise gesammelt werden
können,
wobei prozessabhängigen
Fluktuationen Rechnung getragen wird, während zusätzlich die komplexen Wechselwirkungen
zwischen Retikel und Anlage, die typischerweise zeitlich stabiler
sind, durch die entsprechenden Messdaten mit einer hohen räumlichen Abdeckung
berücksichtigt
werden können,
die für mehrere
Substrate verwendet werden können,
um nicht in unnötiger
Weise die Gesamtmessung und den Prozess während der Fertigung eigentlicher
Produkte zu komplizieren.
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Gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren das Erzeugen von Überlagerungskorrekturdaten für mehrere
unterschiedliche Kombinationen einer ersten Bauteilschicht und einer
zweiten Bauteilschicht eines Mikrostrukturbauelements, wobei die erste
Bauteilschicht durch eine oder mehrere erste Photomasken und die
zweite Bauteilschicht durch eine oder mehrere zweite Photomasken
definiert ist. Die erste und die zweite Bauteilschicht werden unter Einsatz
mehrerer Lithographieanlagen hergestellt, wobei die Überlagerungskorrekturdaten
aus mehreren ersten Messpositionen innerhalb der ersten und der
zweiten Photomaske ermittelt werden. Das Verfahren umfasst ferner
das Bilden einer ersten Bauteilschicht auf einem ersten Produktsubstrat
unter Anwendung einer der ersten Photomasken und einer der mehreren
Lithographieanlagen. Des weiteren wird eine der zweiten Photomasken,
die in einer der mehreren Lithographieanlagen verwendet wird, zu der
ersten Bauteilschicht, die auf dem ersten Produktsubstrat ausgebildet
ist, unter Anwendung der Überlagerungskorrekturdaten
und von Überlagerungsmessdaten,
die von mehreren zweiten Messpositionen eines zuvor bearbeiteten
Substrats mit darauf gebildeten ersten und zweiten Schichten erhalten werden,
gebildet, wobei die mehreren zweiten Messpositionen weniger sind
als die mehreren ersten Messpositionen.
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Gemäß einer
weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren das Definieren
einer Karte von Überlagerungsdaten
für mehrere
Lithographieanlagen-Retikel-Kombinationen zur Herstellung einer
ersten Bauteilschicht und justiert dazu einer zweiten Bauteilschicht
eines Mikrostrukturbauelements, wobei entsprechende zwei der Lithographieanlage-Retikel-Kombinationen
verwendet werden, und wobei die Karte auf mehreren ersten räumlich verteilten
Messpositionen beruht. Das Verfahren umfasst ferner das Ermitteln
von Überlagerungsmessdaten
aus einem ersten Produktsubstrat, das darauf ausgebildet die erste
und die zweite Bauteilschicht aufweist, wobei die Überlagerungsmessdaten
von mehreren zweiten räumlich
verteilten Messpositionen ermittelt werden, wobei die mehreren zweiten
Positionen weniger sind als die mehreren ersten Positionen. Schließlich umfasst
das Verfahren das Steuern des Justierens, – in Bezug auf die erste Bauteilschicht,
die auf einem zweiten Produktsubstrat unter Anwendung einer ersten
Lithographieanlage/Retikelkombination gebildet wird, die ein Retikel
für die
erste Bauteilschicht aufweist – einer
zweiten Bauteilschicht, die mittels einer zweiten Lithographieanlage/Retikel-Kombination zu bilden
ist, die ein Retikel für
die zweite Bauteilschicht aufweist, wobei das Steuern auf der Grundlage
der Karte aus Überlagerungsdaten
und den Überlagerungsmessdaten
erfolgt.
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Gemäß einer
noch weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Justiersteuerungssystem eine
Datenbank mit einem entsprechenden Satz aus Überlagerungskorrekturdaten
für jede
von mehreren Lithographieanlagen/Retikel-Kombinationen, wobei mindestens ein
erstes Retikel eine erste Bauteilschicht einer Mikrostruktur definiert
und mindestens ein zweites Retikel eine zweite Bauteilschicht, die
zu der ersten Bauteilschicht zu justieren ist, definiert, wobei
jeder Satz der Überlagerungskorrek turdaten
eine räumlich höhere Abdeckung
eines Belichtungsfelds im Vergleich zu einer räumlichen Abdeckung aufweist,
die von Überlagerungsmessmarken
geliefert wird, die auf jeweils dem ersten und dem zweiten Retikel
gebildet sind. Das Justiersteuerungssystem umfasst ferner eine Steuerung,
die funktionsmäßig mit
der Datenbank verbunden ist, um selektiv einen spezifizierten Satz
aus Überlagerungskorrekturdaten
abzurufen und die ausgebildet ist, Überlagerungsmessdaten, die
von den Überlagerungsmessdaten
zuvor bearbeiteten Substraten erhalten werden, zu empfangen, wobei
die Steuerung ferner ausgebildet ist, Werte für mehrere Justierparameter
auf der Grundlage der Überlagerungsmessdaten
und des spezifizierten Satzes aus Überlagerungskorrekturdaten
bereitzustellen, wobei der spezifizierte Satz einer der Lithographieanlagen
der Kombinationen entspricht, die zur Bildung einer ersten Bauteilschicht
verwendet wird, und einer der Lithographieanlagen entspricht, die
zur Bildung der zweiten Bauteilschicht über der ersten Bauteilschicht
verwendet wird.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Weitere
Vorteile, Aufgaben und Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen in
der folgenden Beschreibung definiert und gehen deutlicher aus der
folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die begleitenden
Zeichnungen hervor, in denen:
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1a schematisch
ein Steuersystem mit einer Datenbank mit entsprechenden Sätzen aus Überlagerungskorrekturdaten
gemäß anschaulicher Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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1b und 1c schematisch
mehrere Lithographie/Retikel-Kombinationen zeigen, die für die Herstellung
einer spezifischen Bauteilschicht verwendet werden;
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1d schematisch
eine Draufsicht mehrerer Belichtungsfelder für eine Kombination zweier aufeinanderfolgender
Bauteilschichten zeigt;
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1e und 1f schematisch
räumlich verteilte
Messpositionen zum Abschätzen
der retikelspezifischen Justier- oder Positioniereigenschaften und
der Verzerrungssignaturen von Lithographieanlagen mit hoher räumlicher
Abdeckung gemäß anschaulicher
Ausführungsformen
zeigen;
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1g schematisch
ein Steuerungsschema gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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1h schematisch
ein Steuerungsschema zum Bestimmen einer zweidimensionalen Karte
bzw. Verteilung von Überlagerungsdaten
gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform
zeigt;
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1i schematisch
die Erzeugung einer zweidimensionalen Karte bzw. Verteilung von Überlagerungsdaten
gemäß weiterer
anschaulicher Ausführungsformen
mit zusätzlichen
Messaktivitäten
zeigt; und
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1j und 1k schematisch
Flussdiagramme darstellen, die einen Prozess zum Ermitteln von Korrekturkoeffizienten
gemäß diverser
anschaulicher Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung darstellen.
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Detaillierte Beschreibung
der Erfindung
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Obwohl
die vorliegende Erfindung mit Bezug zu den Ausführungsformen beschrieben ist,
wie sie in der folgenden detaillierten Beschreibung sowie in den
Zeichnungen dargestellt sind, sollte es selbstverständlich sein,
dass die folgende detaillierte Beschreibung sowie die Zeichnungen
nicht beabsichtigen, die vorliegende Erfindung auf die speziellen
anschaulich offenbarten Ausführungsformen
einzuschränken,
sondern die beschriebenen anschaulichen Ausführungsformen stellen lediglich
beispielhaft die diversen Aspekte der vorliegenden Erfindung dar,
deren Schutzbereich durch die angefügten Patentansprüche definiert
ist.
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Im
Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung eine verbesserte
Technik zum Steuern eines Justierprozesses, wobei Mikrostrukturbauelemente in
einer komplexen Fertigungsumgebung gebildet werden, in der mehrere
Lithographieanlagen in Verbindung mit mehreren Photomasken oder
Retikeln eingesetzt werden. Wie zuvor erläutert ist, werden äußerst anspruchsvolle
Justierprozeduren typischerweise in automatisierter Weise ausgeführt, um
zu versuchen, die Überlagerungsfehler
zwischen den diversen Bauteilebenen bzw. Schich ten zu reduzieren. Da
in komplexen Fertigungsumgebungen anspruchsvolle Anforderungen im
Hinblick auf den Durchsatz zu erfüllen sind, werden aufeinanderfolgende
kritische Bauteilschichten, die ein hohes Maß an Genauigkeit im Hinblick
auf die Justierpräzision
erfordern, nicht notwendigerweise durch die gleiche Lithographieanlage
abgebildet. Folglich kann auf Grund von anlagenspezifischen und
retikelspezifischen Abweichungen die Genauigkeit der Überlagerung
entsprechender Schichtbereiche innerhalb eines Belichtungsfeldes
deutlich von der entsprechenden Retikel-Anlagen-Kombination abhängen, die
zur Herstellung der entsprechenden Bauteilschicht gebildet wird,
wobei entsprechende variierende Ungenauigkeiten nicht in ausreichender
Weise durch etablierte Messprozeduren zum Abschätzen der Überlagerungsgenauigkeit in
Produktsubstraten repräsentiert sind,
da typischerweise nur einige wenige Messpositionen mit entsprechenden Überlagerungsmarken vorgesehen
sind, die typischerweise innerhalb der Schneidelinien benachbart
zu den entsprechenden Belichtungsfeldern angeordnet sind, um nicht
in unnötiger
Weise entsprechende Bauteilmuster zu stören, die über das gesamte Belichtungsfeld
verteilt sind. Folglich können
entsprechende Prozesse zum Steuern des Justiervorganges, selbst
wenn modernste APC-(fortschrittliche Prozesssteuerungs-)Strategien
eingesetzt werden, eine reduzierte Steuerungsqualität aufweisen,
da insbesondere die retikelspezifischen und anlagenspezifischen
systematischen Abweichungen nicht in geeigneter Weise in den Messdaten
repräsentiert
sein können,
die aus den wenigen speziellen Überlagerungsmessmarken gemessen
werden. Die vorliegende Erfindung stellt daher zusätzliche
Messdaten für
interessierende entsprechende Anlagen/Retikel-Kombinationen mit
einer erhöhten
räumlichen
Abdeckung bereit, wobei die entsprechenden Messdaten als zeitlich
stabiler angenommen werden, so dass die entsprechenden Messdaten
für mehrere
Subsubstrate in Verbindung mit den entsprechenden aktualisierten Überlagerungsmessungen
verwendet werden können,
die auf den zugeordneten Überlagerungsmessmarken
beruhen. Somit können
die entsprechenden zusätzlichen Messdaten
mit erhöhter
räumlicher
Abdeckung in effizienter Weise verwendet werden, um in geeigneter Weise
den Steuerungsalgorithmus zu modifizieren, indem beispielsweise
die entsprechenden Sollwerte der entsprechenden Justierparameterwerte
neu eingestellt werden, um damit entsprechende korrigierte Parameterwerte
zu erhalten, in denen die entsprechende Information von anlagenspezifischen
und retikelspezifischen Wechselwirkungen mit hoher räumlicher
Abdeckung „enthalten" ist. Somit kann
die Überlagerungsgenauigkeit
innerhalb entsprechender Belichtungsfelder deutlich verbessert werden,
obwohl während
der tatsächlichen
Steuerungssequenz Rückkopp lungsmessdaten
von einer geringen Anzahl an Messpositionen entsprechend den zugeordneten Überlagerungsmessmarken
erhalten werden.
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Mit
Bezug zu den begleitenden Zeichnungen werden nunmehr weitere anschauliche
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung detaillierter beschrieben.
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1a zeigt
schematisch eine Fertigungsumgebung 180 mit mehreren Lithographieanlagen 183,
die beliebige moderne Photolithographieanlagen, etwa Einzelbildbelichter,
Anlagen mit schrittweiser Belichtung und Abtastung, und dergleichen
repräsentieren
können,
die in geeigneter Weise ausgebildet sind, ein spezielles Belichtungsfeld
auf eine zuvor ausgebildete Bauteilschicht abzubilden. Ferner sind
mehrere erste Retikel oder Photomasken 181 vorgesehen,
die eine spezielle Bauteilschicht repräsentieren, d. h. die ersten
Retikel oder Photomasken 181 haben darauf ausgebildet ein
entsprechendes Muster, um entsprechende Bauteilstrukturelemente, etwa
Leitungen, Gateelektroden, und dergleichen zu erzeugen. Ferner sind
mindestens mehrere zweite Retikel oder Photomasken 182 vorgesehen,
die ein entsprechendes Muster repräsentieren, das in präziser Weise
zu dem Muster zu justieren ist, das durch die ersten Retikel oder
Photomasken 181 repräsentiert
ist. Es sollte beachtet werden, dass typischerweise mehrere unterschiedliche
Retikel oder Photomasken entsprechend den jeweiligen Bauteilschichten
in der Fertigungsumgebung 180 vorgesehen sind, wobei der
Einfachheit halber weitere Arten an Retikeln oder Photomasken nicht
gezeigt sind. Des weiteren umfasst die Fertigungsumgebung 180 ein
Justiersteuerungssystem 100, das funktionsmäßig mit
den Lithographieanlagen 183 verbunden und ferner ausgebildet
ist, entsprechende Überlagerungsmessdaten
von Substraten 184 zu erhalten, die durch die mehreren
Lithographieanlagen 183 auf der Grundlage der Retikel oder
Photomasken 181, 182 bearbeitet sind. Es ist zu
beachten, dass die Begriffe „Retikel" und „Photomasken" hierin als Synonyme
verwendet werden, wobei zu beachten ist, dass in anspruchsvollen
Anwendungen typischerweise Retikel eingesetzt werden, die ein Belichtungsfeld 185 repräsentieren, das
wiederholt auf die entsprechenden Substrate 184 abzubilden
ist, um entsprechende Mikrostrukturbauelemente darauf zu bilden.
Folglich können
entsprechende Messdaten, die von speziellen Überlagerungsmessmarken 185a,
die beispielsweise im Wesentlichen an den Ecken der entsprechenden
Belichtungsfelder 185 angeordnet sind, erhalten werden, die
von dem System 100 mittels einer entsprechenden Schnittstelle 110 empfangen
werden.
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Des
weiteren umfasst das System 100 eine Datenbank 120,
die Überlagerungskorrekturdaten oder
andere prozessbezogene Daten zur Ermittlung der entsprechenden Überlagerungskorrekturdaten enthalten,
die darin codiert Überlagerungsinformation
enthalten, die sich auf spezielle Wechselwirkungen innerhalb der
Belichtungsfelder zwischen entsprechenden Retikeln 181, 182 und
entsprechenden Lithographieanlagen 183 bezieht. Somit kann
die in der Datenbank 120 gespeicherte Information eine Korrelation
zwischen retikelspezifischen Justier- bzw. Positioniereigenschaften
in Verbindung mit Lithographieanlagen spezifischen Verzerrungssignaturen enthalten.
Die Datenbank 120 und die Schnittstelle 110 sind
mit einer entsprechenden Justiersteuerung 130 verbunden,
die ausgebildet ist, geeignete Justierparameterwerte, etwa Vergrößerung,
Rotation, Translationen in x-Richtung,
Translation in y-Richtung, und dergleichen, auf der Grundlage der
aus der Datenbank 120 und über die Schnittstelle 110 empfangenen
Informationen zu bestimmen. Die entsprechend bestimmten Parameterwerte
für entsprechende
Justierparameter können
einer der Photolithographieanlagen 183 zugeführt werden,
um den Justierprozess, der darin ausgeführt wird, zu optimieren.
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Es
wird nunmehr mit Bezug zu den 1b bis 1d die
Betriebsweise in der Fertigungsumgebung 180 beschrieben.
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1b zeigt
schematisch die mehreren Substrate 184, die durch die mehreren
Lithographieanlagen 183 bearbeitet werden, um eine erste
Bauteilschicht bzw. Ebene 186 auf dem Substrat 184 zu bilden.
Die erste Bauteilschicht 186 kann eine kritische Bauteilschicht
repräsentieren,
etwa eine Schicht mit Metallleitungen oder anderen Bauteilgebieten,
zu der andere Kontakte in präziser
Weise zu justieren sind. Während
der Bearbeitung der Substrate 184 können einzelne Substrate oder
Gruppen aus Substraten einer oder mehreren der Lithographieanlagen 183 zugeführt werden,
die ferner mit entsprechenden Retikeln aus den mehreren Retikeln 181 versehen
sind, die als Retikel Ri1 bis Riy
bezeichnet sind, wobei die erste Bauteilschicht 186 eine spezielle
Bauteilschicht i repräsentieren
soll. Abhängig
von der Komplexität
der Fertigungsumgebung 180 und dem entsprechenden Disponierschema
werden mehrere Lithographieanlagen, die als S1 bis Sx bezeichnet
sind, verwendet, um die entsprechende erste Schicht 186 zu
bilden, wobei, wie zuvor erläutert
ist, die entsprechenden Eigenschaften der Strukturelemente in der
ersten Schicht 186 deutlich von anlagenspezifischen und
retikelspezifischen Eigenschaften, etwa den fertigungsspezifischen
Justiereigenschaften, d. h. der tatsächlichen Position von Bauteilmustern
innerhalb des ent sprechenden Retikels, und dergleichen, abhängen können. Anlagenspezifische
Verzerrungssignaturen können
als ortsabhängiges
Abbildungsverhalten der entsprechenden Lithographieanlage verstanden
werden, das unter den einzelnen Lithographieanlagen unterschiedlich
sein kann. Zu beachten ist, dass diese anlagenspezifischen und retikelspezifischen
Eigenschaften zeitlich variieren können, wobei eine entsprechende Abweichung
deutlich geringer ist im Vergleich zu anderen Beiträgen, die
den Justierprozess beeinflussen, der vor dem eigentlichen Belichten
der entsprechenden Substrate 184 mittels der entsprechenden Retikel 181 auszuführen ist.
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1c zeigt
schematisch das Substrat 184 in einem fortgeschrittenen
Prozessstadium, wobei die Substrate auf der darauf ausgebildeten
ersten Bauteilschicht 186 durch die mehreren Lithographieanlagen 183 oder
zumindest einen Teil davon zu bearbeiten sind auf der Grundlage
der zweiten Retikel 182 oder zumindest einige der zweiten
Retikel 182, die als Rj1–RjZ bezeichnet sind, um eine zweite Bauteilschicht 187 zu
erhalten. Somit wird die zweite Bauteilschicht 187 auf
der entsprechenden ersten Schicht 186 mit einem erforderlichen
hohen Maß an Überlagerungsgenauigkeit
gebildet. Auch in diesem Falle kann eine entsprechende Wechselwirkung
zwischen den entsprechenden retikelspezifischen Justiereigenschaften
und den entsprechenden Anlagenverzerrungssignaturen zu entsprechenden
charakteristischen Überlagerungs-
und Positionierfehlern der zweiten Schichten 187 in Bezug
auf die ersten Schichten 186 führen, da die entsprechende
Musterverzerrung, die durch entsprechende Lithographieanlagen/Retikel-Paare
hervorgerufen wird, den entsprechenden Musterverzerrungen überlagert
wird, die durch die entsprechenden Lithographieanlagen/Retikel-Paare
hervorgerufen werden, die zur Herstellung der zweiten Schichten 187 verwendet werden,
als die Schicht j bezeichnet wird. In dem vorliegenden Beispiel,
das zuvor beschrieben ist, kann man annehmen, dass die Schichten
i und j, d. h. die Schichten 186 und 187, kritische
Bauteilschichten repräsentieren
können,
so dass die Justierung der zweiten Schicht 187 zu der ersten
Schicht 186 mit hoher Präzision auszuführen ist.
Folglich können
gemäß der vorliegenden
Erfindung die entsprechenden anlagenspezifischen und retikelspezifischen
Eigenschaften ermittelt werden, indem entsprechende Messdaten bereitgestellt
werden, die ein hohes Maß an
räumlicher
Abdeckung für
ein entsprechendes Belichtungsfeld 185 bieten, um damit
Information über das
Maß an
Musterverzerrung zu erhalten, die durch ein entsprechendes Paar
aus Lithographieanlage/Retikel erzeugt wird. Folglich kann während des Justierprozesses,
der durch das System 100 während des Bearbeitens der Substrate 184 gemäß 1c gesteuert
wird, diese zusätzliche
Information verwendet werden, um entsprechende Parameterwerte für den Justierprozess
zu ermitteln, um damit die Überlagerungsgenauigkeit über das
gesamte Belichtungsfeld 185 hinweg zu verbessern.
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1d zeigt
schematisch ein entsprechendes Belichtungsfeld 185, d.
h. einen Teil eines entsprechenden Substrats 184 mit den
darauf gebildeten Schichten i und j, die durch ein entsprechendes Paar
aus Lithographieanlage/Retikel entsprechend dem Prozessablauf in
der Fertigungsumgebung 180 geschaffen wurden. Wie zuvor
erläutert
ist, kann die Justiersteuerung auf der Grundlage entsprechender Messdaten
bewerkstelligt werden, die von den entsprechenden zugeordneten Überlagerungsmessmarken 185a von
zuvor bearbeiteten Substraten gewonnen werden, wodurch effizient
Prozessinformation im Hinblick auf die Prozesseigenschaften geliefert wird,
die auf der Grundlage der Überlagerungsmarke 185a „erfasst" werden kann. In
dem gezeigten Beispiel wurde das Belichtungsfeld 185, d.
h. die gestapelten Schichtbereiche der Schichten 186 und 187 für das betrachtete
Substrat, durch die Lithographieanlage S1 unter Verwendung des Retikel 1 für die erste
Schicht 186 und durch die Lithographieanlage S1 unter Verwendung
des Retikels R3 die Bildung der zweiten Schicht 187 hergestellt.
Somit kann ein entsprechender Satz aus Korrekturdaten für diese Anlagen/Retikel-Kombinationen
aus der Datenbank 120 abgerufen werden, um die geeigneten
Parameterwerte für
den Justierprozess für
das in 1d gezeigte Substrat bereitzustellen.
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1e zeigt
schematisch die Retikel 181 und 182, die ausgebildet
sind, entsprechende retikelspezifische Informationen mit einem hohen
Maß an räumlicher
Abdeckung gemäß anschaulicher
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung bereitzustellen. Die Retikel 181 können entsprechende Messpositionen 181a aufweisen,
die durch geeignet gestaltete Marken repräsentiert sind, die deutlich
unterschiedliche Abmessungen und eine unterschiedliche Konfiguration
im Vergleich zu den speziellen Überlagerungsmessmarken 185a aufweisen.
Beispielsweise kann eine entsprechende Marke mit einer deutlich
reduzierten Größe im Vergleich
zu den Messmarken 185a an mehreren Positionen über das gesamte
Belichtungsfeld 185 hinweg vorgesehen werden, wobei eine
unerwünschte
Störung
eigentlicher Bauteilmuster der entsprechenden Schicht, die durch
die Retikel 181 repräsentiert
ist, im Wesentlichen vermieden wird. In anderen anschaulichen Ausführungsformen
werden die entsprechenden mehreren Messpositionen 181a auf
der Grundlage eigentlicher Bauteilmuster definiert, wenn geeignete
Messverfahren zum Bestimmen entsprechender Positio nier- oder Justiereigenschaften
für diese
zugeordneten Bauteilmuster verfügbar
sind. In diesem Falle können
Retikel mit standardmäßiger Gestaltung
in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden.
Entsprechende Messdaten auf der Grundlage der mehreren Messpositionen 181a können für alle interessierenden
Retikel 181 verwendet werden, d. h. für alle Retikel 181,
die tatsächlich
in der Fertigungsumgebung 180 verwendet werden. Das anschauliche
Muster aus Messpositionen 181a ist lediglich ein anschauliches
Beispiel, da die Anzahl und die Struktur der Position 181a in
Abhängigkeit der
speziellen Anwendung variieren kann.
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In ähnlicher
Weise können
entsprechende Messpositionen 182a für die mehreren zweiten Retikel 182 definiert
werden, um die entsprechenden Justiereigenschaften des Retikels 182 zu
ermitteln. Auch in diesem Falle können die Positionen 182a durch
speziell gestaltete Marken repräsentiert
sein, die in effizienter Weise in Verbindung mit standardmäßigen Messverfahren
zur Abschätzung
von Justiereigenschaften von Retikeln verwendet werden können und/oder
es können
spezielle Bauteilmuster eingesetzt werden, wie dies zuvor erläutert ist.
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1f zeigt
schematisch die Lithographieanlagen 183 während eines
Prozesses zum Erzeugen entsprechender Verzerrungssignaturen oder
anderer anlagenspezifischer Eigenschaften. Zu diesem Zweck können spezielle
Testsubstrate oder spezielle Produktsubstrate vorbereitet und im
Hinblick auf eine Verzerrung von entsprechenden Mustern, die darauf gebildet
sind, vermessen werden, um eine entsprechende Signatur, d. h. ein
charakteristisches Verhalten, des Abbildungsverhaltens der entsprechenden Belichtungsanlage
zu ermitteln. Es können
jedoch auch andere Messtechniken eingesetzt werden, die das Bestimmen
von Abbildungseigenschaften der entsprechenden Belichtungsanlage
an mehreren speziellen Messpositionen innerhalb eines entsprechenden
Belichtungsfeldes, das durch die Belichtungsanlage erzeugt wird,
ermöglichen.
Das Erzeugen entsprechender Messdaten mit einer hohen räumlichen
Abdeckung für
ein entsprechendes Belichtungsfeld durch Sammeln von entsprechenden Retikeldaten
unabhängig
von entsprechenden Anlagendaten, wie dies beispielsweise mit Bezug
zu den 1e und 1f beschrieben
ist, kann für
ein hohes Maß an
Flexibilität
beim geeigneten Aktualisieren oder Anpassen der entsprechenden Überlagerungskorrekturdaten
an die Datenbank 120 sorgen. Wenn beispielsweise ein neues
Retikel in der Fertigungsumgebung 180 eingeführt wird,
kann das entsprechende Retikel in geeigneter Weise auf der Grundlage
der zuvor beschriebenen Verfahren gemes sen werden, und ein entsprechender
Satz an Korrekturdaten kann für
eine gewünschte
Kombination aus Belichtungsanlage/Retikel auf der Grundlage der
neu gewonnenen Retikeldaten und der zuvor erhaltenen Anlagendaten
ermittelt werden. Das gleiche gilt für die Lithographieanlagen 183,
wobei ebenso entsprechende Anlagendaten bei einer Neuinstallation,
einer Wartung und dergleichen gewonnen werden können, oder in anderen Fällen können während entsprechender
Wartezeiten in der Fertigungsumgebung 180 entsprechende
Anlagendaten erzeugt werden, um damit die entsprechenden Datenbankeinträge zu aktualisieren.
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In
anderen anschaulichen Ausführungsformen
werden die entsprechenden Messdaten mit hoher räumlicher Abdeckung erhalten,
indem entsprechende Paare aus Retikel/Belichtungsanlagen gebildet
werden und entsprechende Überlagerungsdaten an
einer Vielzahl von Positionen innerhalb des entsprechenden Belichtungsfeldes,
etwa den Positionen 181a, 182a (siehe 2c) bestimmt werden, wodurch möglicherweise
die Zuverlässigkeit
der entsprechenden Messdaten erhöht
wird. In noch anderen anschaulichen Ausführungsformen können entsprechende Überlagerungsfehler
innerhalb des Belichtungsfeldes mit hoher räumlicher Abdeckung auf der
Grundlage tatsächlich
gebildeter erster und zweiter Bauteilbereiche, etwa die Schichten
i und j, wie sie zuvor beschrieben sind, für beliebige Kombinationen aus
Retikel und interessierender Belichtungsanlage bestimmt werden.
Obwohl ein erhöhter
Messaufwand zu betreiben ist, um die entsprechenden Überlagerungsfehlerdaten
für eine
gewünschte
Kombination aus Lithographieanlage/Retikel/Schicht-Paaren zu ermitteln,
kann die Genauigkeit und damit die Zuverlässigkeit der entsprechenden
Messdaten noch weiter gesteigert werden.
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Mit
Bezug zu den 1g bis 1k werden entsprechende
Steuerungsstrategien, die von dem Steuerungssystem 100,
wie es in 1a gezeigt ist, ausgeführt werden,
nunmehr detaillierter mit Bezug zu weiteren anschaulichen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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1g zeigt
schematisch ein Steuerungsschema des Systems 100. In diesem
Schema wird angenommen, dass die Messdaten 101, die für die Justiersteuerung 130 verfügbar sind,
in zwei Anteile aufgeteilt sind, wie dies zuvor erläutert ist.
D. h., die Messdaten 101 umfassen entsprechende „linieninterne" Messdaten, die in
einer standardmäßigen Weise
auf der Grundlage der entsprechenden zugeordneten Überlagerungsmessmarken,
etwa die Marken 185a, ermittelt werden, die auch als „vier Ecken" Messergebnisse bezeichnet
werden. Diese Messergebnisse können
entsprechende Fluktuationen in dem Fertigungsprozess, etwa eine
Scheibenverzerrung, Temperaturvariationen, und dergleichen repräsentieren,
die die Eckenbereiche der entsprechenden Belichtungsfelder in im
Wesentlichen ähnlicher Weise
wie zentrale Bereiche davon beeinflussen. Im Gegensatz dazu kann
ein weiterer Anteil der Messdaten 101 entsprechende Komponenten
mit geringerer zeitlicher Fluktuation enthalten, die als „zeitlich konstant" bezeichnet werden,
wobei beachtet werden sollte, dass dennoch eine Schwankung von Einflüssen, die
die entsprechenden „konstanten" Messdaten bestimmen,
dennoch auftreten kann, jedoch mit einem deutlich geringeren Ausmaß im Vergleich zu
den „vier
Ecken" Messdaten.
Auf Grund des relativ stabilen Verhaltens der entsprechenden Messdaten können diese über ausgedehnte
Prozesszeiträume verwendet
werden, wodurch der Gesamtmessaufwand nicht unnötig erhöht wird, während dennoch eine deutliche
Verbesserung der Prozessqualität
der entsprechenden Justierprozesse erreicht wird. Auf der Grundlage
der entsprechenden „stabilen
bzw. konstanten" Messdaten
können
geeignete Überlagerungskorrekturdaten
ermittelt und in der Datenbank 120 gespeichert werden.
Der Einfachheit halber werden derartige Daten als „Ganzfeld"-Überlagerungsdaten
bezeichnet, um anzuzeigen, dass die entsprechenden Messdaten eine
hohe räumliche
Abdeckung in Bezug auf das Belichtungsfeld im Vergleich zu den „vier Ecken" Messdaten besitzen.
Somit werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen die entsprechenden „Ganzfeldüberlagerungsdaten" eine entsprechende
Karte bzw. Verteilung aufweisen, die als OVLi, j(X, Y; k, l) 140 bezeichnet
ist, die die entsprechenden Anlagen und retikelspezifischen Eigenschaften
für die
speziellen Bauteilschichten i, j und die anlagenspezifischen Retikel-Paare
(k, l) enthalten können.
Die entsprechende Karte der Überlagerungsdaten
kann in Form eines entsprechenden „Gitters" aus Datenwerten vorgesehen werden,
die eine spezielle Überlagerungseigenschaft
kennzeichnen, etwa einen Überlagerungsfehler
an der speziellen Position (x, y), wobei die entsprechenden Datenwerte
auf der Grundlage von tatsächlichen
Messergebnissen in Verbindung mit Interpolation erzeugt werden können, wenn
ein höheres
Maß an
räumlicher Auflösung für die entsprechenden
Werte erforderlich ist, beispielsweise um die entsprechenden Berechnungen
während
des Steuerungsprozesses auszuführen.
In anderen anschaulichen Ausführungsformen
werden die entsprechenden „Ganzfeld"-Messdaten entsprechend
einer geeigneten Technik verarbeitet, etwa Prozesse, wie sie nachfolgend
detaillierter beschrieben werden, um geeignete Korrekturwerte zu
erhalten, die in der Datenbank 120 gespeichert werden können und
die direkt als entsprechende Offsetwerte für Sollwerte für einen
entsprechenden Steuerungsalgorithmus verwendet werden können, der
in der Justiersteuerung 130 implementiert ist.
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Somit
kann während
des Betriebs des Systems 100 die Justiersteuerung 130,
die in Form eines modernen APC-Systems vorgesehen sein kann, die entsprechenden „vier Ecken" Messdaten von der Schnittstelle 110 empfangen
und kann geeignete Daten aus der Datenbank 120 abrufen,
beispielsweise in Form einer Überlagerungsdatenkarte,
wie sie zuvor erläutert
ist, oder in einer anderen geeigneten manipulierten Form oder sogar
in Form der anfänglich
erzeugten Messdaten mit hoher räumlicher
Abdeckung, wobei die Daten der Datenbank 120 die Anlagen/Retikel-Kombinationen
betreffen, die für
die Schichten i, j verwendet wurden. Auf der Grundlage dieser zweier
Datensätze
kann die Steuerung 130 geeignete Parameterwerte für Justierparameter
bereitstellen, wobei in einer anschaulichen Ausführungsform die entsprechenden
Sollwerte äquivalent sind
zu der entsprechenden Differenz zwischen tatsächlich gemessenen Überlagerungsfehlern,
die aus den „vier
Ecken" Messdaten
gewonnen wurden, und der entsprechende Sollwert kann gemäß einem
Offset eingestellt werden, der durch die „stabilen" Messdaten bestimmt ist, wodurch die
darin codierte Information in den entsprechenden Steuerungsalgorithmus,
der von der Justiersteuerung 130 ausgeführt wird, eingebracht wird.
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1h zeigt
schematisch einen Prozessablauf zum Erhalten der Karte bzw. Verteilung
an Überlagerungsdaten 140 gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform kann die „stabile" Messinformation,
d. h. der Anteil der Messdaten 101, der die anlagen- und
retikelspezifischen Eigenschaften betrifft, unabhängig für die Retikel
und die Lithographieanlagen erhalten werden, wie dies beispielsweise
mit Bezug zu 1c erläutert ist. Somit werden im
Block 141 Retikelpositioniereigenschaften für ein beliebiges
gewünschtes
kritisches Retikel bestimmt, beispielsweise für jedes Retikel, das in der
Fertigungsumgebung 180 für eine spezielle Bauteilschicht
verwendet wird. In Bezug auf eine geeignete Strategie zum Ermitteln
der gewünschten
Information mit einem erforderlichen Maß an räumlicher Abdeckung des entsprechenden
Retikels sei auf die Ausführungsformen
verwiesen, die mit Bezug zu 1c beschrieben
sind. Gemäß Block 142 wird
eine „Ganzfelddarstellung", die auch als RETi(x,
y; l) bezeichnet ist, für
jedes Retikel l für
eine spezifische Bauteilschicht i ermittelt, wobei zu beachten ist,
dass die „Ganzfeld"-Darstellung eine
Karte dicht benachbarter Datenpunkte repräsentieren kann, die Messwerte
repräsentieren
können,
wenn eine entsprechende große
Anzahl an Messwerte verfügbar
ist, oder diese können
entsprechende berechnete oder interpolierte Datenpunkte repräsentieren,
wobei das Maß an
Auflösung
der entsprechenden Karte auf der Grundlage von Prozesserfordernissen
ausgewählt
werden kann. In ähnlicher
Weise kann im Block 143 eine entsprechende Linsenverzerrungssignatur
oder eine andere Eigenschaft einer interessierenden Belichtungsanlage
bestimmt werden, wie dies beispielsweise zuvor mit Bezug zu 1d beschrieben
ist. Im Block 144 wird eine „Ganzfeld"-Verzerungsdarstellung D(x, y; k) für jede interessierende
Belichtungsanlage K bestimmt, wobei in einer anschaulichen Ausführungsform
die Verzerrungsdarstellung oder Karte D auf der Grundlage verfügbarerer
Modelle des Justierprozesses ermittelt werden kann. Beispielsweise
beschreibt Gleichung 1 dx =
Tx + Mxx – Rxy + ex
dy = Ty + Myy – Ryy + ey (Gleichung 1)ein
Intra-Feld-Modell für
Systeme mit Schritt- und Abtastungsbelichtung, wobei entsprechende
Justierparameter einen Satz aus Überlagerungsmessdaten
an einer entsprechenden Messposition (x, y) beschreiben, wobei die
entsprechenden Parameter T, M, R und e entsprechende Parameter:
Translation, Vergrößerung,
Rotation und einen Restfehler in der entsprechenden Richtung, die
durch den Index angegeben ist, repräsentieren. Somit können auf
Grundlage der entsprechenden Messdaten dx,
dy und unter Anwendung geeigneter Optimierungsverfahren,
etwa die Technik der kleinsten Quadrate, die Restpositionierfehler
ex, ey bestimmt
werden und können
die entsprechende Verzerrung D für
die Belichtungsanlage k an der Messstelle (x, y) repräsentieren.
Die entsprechende „Ganzfeld"-Darstellung RET
und D können
gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform kombiniert
werden, um entsprechende feldinterne Gesamtüberlagerungsdaten zu ermitteln,
wobei beide Komponenten gemäß der folgenden
Gleichung addiert werden können: RETi(x, y; l)M + D(x, y; k) = OVLi(x, y; l, k) (Gleichung 2)wobei
OVLi(x, y; l, k) den gesamten Positionierfehler innerhalb des Feldes
in der Schicht i, der durch das Retikel l und die Belichtungsanlage
k hervorgerufen wird, angibt. Der Einfachheit halber können entsprechende
Kombinationen aus Belichtungsanlage/Retikel (l, k) durch den Index
Ci angegeben werden, wobei Ci C1, ..., CN gilt, wobei N die Gesamtzahl
an interessierenden Kombinationen angibt. Auf der Grundlage des
entsprechenden Gesamtpositionierfehlers für jede Schicht kann ein „nicht
korrigierbarer" Überlagerungsfehler ermittelt
werden, um damit die Karte 140 zu bestimmen, wie dies auch
in 1g gezeigt ist. Zu diesem Zweck werden in einer
anschaulichen Ausführungsform
die entsprechenden Gesamtpositionierfehler gemäß Gleichung (2) für zwei aufeinanderfolgende
interessierende Schichten subtrahiert. Beispielsweise kann die anfänglich ausgebildete
Schicht, die als Schicht i angegeben ist, als eine Referenzschicht
mit einem gewissen Maß an
Positionierfehler betrachtet werden, wie dies durch die entsprechende
Karte OVLi(x, y; Ci) beschrieben ist, da im Prinzip Positionierfehler
der „Referenzschicht" i reduziert werden
kann, wenn die nächste
Schicht j einen entsprechenden Positionierfehler in der gleichen Richtung
an einer speziellen Position (x, y) erzeugt. Folglich kann durch
Definieren eines entsprechenden Unterschieds zwischen diesen beiden
Beiträgen in
beiden Schichten i, j ein entsprechender „nicht korrigierbarer" Positionierfehler
definiert werden, der in Form der Karte 140 bereitgestellt
werden kann. Wie zuvor erläutert
ist, kann der Prozessablauf, wie er in den 1e und 1f beschrieben
ist, für
ein hohes Maß an
Flexibilität
beim separaten Ermitteln entsprechender „Ganzfeld"-Darstellungen für die interessierenden Retikel
und für
die entsprechenden Verzerrungseigenschaften von interessierenden
Belichtungsanlagen sorgen. Da ferner die entsprechende Sammlung
der entsprechenden Messdaten in einer äußerst entkoppelten Weise durchgeführt werden kann,
können
die entsprechenden Messaktivitäten effizient
im Hinblick auf die Gesamtprozesserfordernisse in der Fertigungsumgebung 180 koordiniert werden.
Wenn beispielsweise eine Aktualisierung der „stabilen" Überlagerungskorrekturdaten
erforderlich ist, kann ein entsprechender Messprozess in Bezug auf
die Anlagenauslastung, die relative Verfügbarkeit, und dergleichen ausgeführt werden,
ohne den Gesamtprozessablauf in der Umgebung 180 negativ zu
beeinflussen.
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1i zeigt
schematisch einen Prozessablauf, in welchem die entsprechende Karte
aus Überlagerungsdaten 140 in
einer „direkteren" Weise vermittelt
wird, indem eine entsprechende Menge an Überlagerungsdaten erzeugt wird.
In der in 1i gezeigten anschaulichen Ausführungsform
kann eine entsprechende reduzierte Karte OVL*i, j(x, y; Cn) direkt
für alle
interessierenden Schichtkombinationen und für alle interessierenden Anlagen/Retikel-Paare gemessen
werden. Zu diesem Zweck werden die entsprechenden Retikel und Anlagen
beim Herstellen der entsprechenden Bauteilschichten i, j verwendet und
die entsprechenden Überlagerungsfehler
können
in mehreren Innerfeldpositionen (x, y) bestimmt werden, wobei abhängig von
der Dicke der Messpunkte eine geeignete Datenbearbeitung ausgeführt werden
kann, beispielsweise eine Interpolation und dergleichen, um die „Ganzfeld"-Karte 140 mit
der gewünschten
räumlichen
Auflösung
zu ermitteln. Wie zuvor mit Bezug zu 1d erläutert ist,
kann die Karte 145 in anderen anschaulichen Ausführungsformen durch
direktes Messen des resultierenden Gesamtpositionierfehlers OVLi(x,
y; Cn), OVLj(x, y; Cn) für jede
interessierende Schicht i, j erzeugt werden, und die entsprechende
Karte 145 kann erhalten werden, indem die entsprechenden
Schichtbeiträge
substrahiert werden, d. h. OVLj(x, y; Cn) – OVLi(x, y; Cn), wie dies
zuvor mit der Karte 140 beschrieben ist. Auf diese Weise
kann eine bessere Genauigkeit der entsprechenden Überlagerungsdaten 140 erreicht
werden, wobei der Aufwand an Messaktivitäten, die erforderlich ist,
lediglich geringfügig
zunimmt.
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Mit
Bezug zu den 1j und 1k werden entsprechende
Prozessabläufe
gemäß weiterer
anschaulicher Ausführungsformen
beschrieben, in denen entsprechende Korrekturwerte für die Justierparameter,
die von der Justiersteuerung 130 bereitgestellt werden,
auf der Grundlage der „Ganzfeld"-Überlagerungsdaten 140 erhalten
werden.
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In 1j werden
die „Ganzfeld"-Überlagerungsdaten 140 des
Blocks 150, beispielsweise die Karte OVLi,j(x, y; Cn),
wobei Cn eine der Kombinationen eines Retikels l und einer Anlage
k repräsentiert,
im Block 151 ermittelt werden, um die entsprechenden „vier Ecken" Überlagerungsfehlerwerte an den
entsprechenden Messpositionen zu bestimmen, an denen ebenso entsprechende „vier Ecken"-Messdaten auf der
Grundlage entsprechender spezieller Überlagerungsmessmarken, etwa
die Marken 185a, erhalten werden. Eine entsprechende Messposition kann
bezeichnet werden als (x-Ecke, y-Ecke). Es sollte jedoch beachtet
werden, dass die entsprechenden tatsächlichen Messpositionen in
Abhängigkeit von
den Positionen der entsprechenden zugeordneten Überlagerungsmessmarken variieren
können.
Im Block 152 werden entsprechende Parameterwerte für die entsprechenden
Justierparameter auf der Grundlage eines entsprechenden Modells
und den entsprechenden Überlagerungsfehlerwerten,
die im Schritt 151 bestimmt werden, ermittelt. Beispielsweise
wird ein entsprechendes Modell, wie es typischerweise in der Justiersteuerung 130 für das Bestimmen aktualisierter
Parameterwerte für
die entsprechenden Parameter angewendet wird, eingesetzt, wobei die
entsprechenden „Messwerte" durch die entsprechenden „vier Ecken"-Daten repräsentiert
sind, die im Schritt 151 erzeugt werden. Beispielsweise
kann ein entsprechendes Modell und eine entsprechende Optimierungstechnik,
wie sie zuvor mit Bezug zu Gleichung (1) beschrieben ist, angewendet
werden, um einen entsprechenden Parameterwert zu ermitteln.
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Im
Block 153 wird ein entsprechender Prozess ausgeführt, um
geeignete Parameterwerte zu erhalten, wobei das Modellieren auf
der Grundlage der „Ganzfeld"-Überlagerungsfehlerwerte 140 erfolgt,
um entsprechende Parameterwerte zu erhalten, die den Einfluss der
feldinternen Eigenschaften auf den entsprechenden Prozess zum Erhalten
aktualisierter Parameterwerte repräsentieren. Beispielsweise können entsprechende
Parameterwerte für mehrere
Innerfeldpositionen berechnet werden, und die entsprechenden Parameterwerte
können
in geeigneter Weise gemittelt werden. In anderen Fällen wird
eine gewünschte
Mittelung der eingespeisten „Messdaten" ausgeführt, d.
h. die Karte 140 kann über
einen spezifizierten Bereich oder über das gesamte Belichtungsfeld
gemittelt werden, wodurch die eingespeisten „Messdaten" für
den Modellierungsprozess erzeugt werden und danach kann der Modellierungsprozess
auf der Grundlage der gemittelten Eingangsdaten ausgeführt werden.
In jedem Falle können
sich die entsprechenden Parameterwerte, die in den Blöcken 152 und 153 erhalten
werden, voneinander unterscheiden, da die Parameterwerte, die im
Block 152 erhalten werden, die entsprechenden Überlagerungseigenschaften
an lediglich einigen wenigen Positionen wiedergeben, etwa an den
vier Eckenpositionen, während
die im Block 153 ermittelten Parameterwerte einen wesentlichen
Anteil der Information berücksichtigen,
die in der Karte 140 enthalten ist, die selbst auf mehreren
Innerfeldmessdaten beruht. Folglich beschreibt die Differenz zwischen den „vier Ecken"-Parameterwerten des Blocks 152 und
den „Ganzfeld"-Parameterwerten
des Blocks 153 die Wirkung der anlagen- und retikelspezifischen Eigenschaften
auf den betrachteten Steuerungsalgorithmus, der auf der Grundlage
der reduzierten Anzahl an Messpositionen, d. h. „vier Ecken"-Positionen, ausgeführt wird.
Folglich kann auf der Grundlage der entsprechenden Parameterwerte
ein geeigneter Offset für
den eigentlichen Steuerungsprozess ermittelt werden, um damit die
Nichtberücksichtigung von
feldinternen Effekten während
des eigentlichen Justiersteuerungsprozesses zu kompensieren. Somit wird
im Block 154 ein geeigneter Korrekturwert für jeden
von der Justiersteuerung 130 verwendeten Parameter ermittelt.
Beispielsweise wird in einer anschaulichen Ausführungsform die Differenz der
entsprechenden Parameterwerte, die in den Blöcken 152 und 153 ermittelt
werden, als ein entsprechender Korrekturwert verwendet. Gleichung
(3) zeigt ein repräsentatives
Beispiel für
einen Justierparameter, etwa die x-Translation, wobei ein entsprechender Offsetwert
Txcorr auf der Grundlage der entsprechenden
Parameterwerte berechnet wird, die im Block 153 erhalten
werden, d. h. in Gleichung (3) der erste Term auf der rechten Seite
und der entsprechende Parameterwert, der im Block 152 erhalten
wird, d. h. der zweite Term in Gleichung (3). Txcorr = Tx(OVLj,
i(x, y)) – Tx(OVLj, i(x-Ecke, y-Ecke)) (Gleichung 3)
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Somit
kann während
des Betriebs des Justiersystems 100 die Steuerung 130 den
entsprechenden korrigierten Parameterwert aus der Datenbank 120 abrufen
oder die Steuerung 130 kann die entsprechenden Schritte
der Blöcke 151 bis 154 zu
einem geeigneten Zeitpunkt auf der Grundlage von geeigneten Überlagerungsdaten
mit einer hohen räumlichen
Abdeckung, etwa der Überlagerungskarte 140 ausführen. Es
sollte beachtet werden, dass die entsprechenden Aktivitäten zum
Erhalten der geeigneten Parameterwertkorrekturen zu einer beliebigen Zeit
ausgeführt
werden können,
sobald entsprechende Messdaten mit der hohen räumlichen Abdeckung verfügbar sind.
Folglich kann der entsprechende Korrekturwert selbst oder eine Zwischenstufe
davon in der Datenbank 120 gespeichert sein und kann von der
Steuerung 130 abgerufen werden, wenn dies für das Ausführen einer
entsprechenden Steuerungsaktivität
erforderlich ist.
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1k zeigt
schematisch einen Prozessablauf zum Ermitteln geeigneter Korrekturwerte
für die Justierparameter
gemäß einer
noch weiteren anschaulichen Ausführungsform.
Auch in diesem Falle beruht der Prozess auf einer geeigneten Überlagerungsdatenkarte,
etwa der Karte 140, wie sie in den 1g, 1h und 1j beschrieben
ist. Auf der Grundlage der entsprechenden „Ganzfeld"-Überlagerungskarte 140 werden
im Block 155 die entsprechenden Werte als Eingangswerte
für ein
entsprechendes Modell zum Bestimmen entsprechender Parameterwerte
verwendet, wie dies beispielsweise mit Bezug zu dem Block 153 aus 1j gezeigt
ist. Beispielsweise kann das Modell, wie es mit Gleichung (1) beschrieben
ist, in Verbindung mit einer geeigneten Optimierungstechnik eingesetzt
werden, um die entsprechenden Werte der Justierparameter zu erhalten.
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Im
Block 156 werden entsprechende Überlagerungsfehlerreste, etwa
die Reste ex, ey,
wie sie mit Bezug zu Gleichung (1) erläutert sind, auf der Grundlage
der Parameterwerte, die im Block 155 erhalten werden, und
den entsprechenden „Ganzfeld"-Überlagerungsdaten 140 bestimmt.
Somit können
die entsprechenden Reste, die im Block 156 ermittelt werden,
die entsprechenden Überlagerungsfehler
repräsentieren,
die noch vorhanden sind, nachdem „optimale" Parameterwerte auf der Grundlage der
entsprechenden eingespeisten „Messdaten" vorhanden sind,
die den Beitrag der entsprechenden Retikel und verwendeten Lithographieanlagen
repräsentieren. Somit
kann im Block 157 diese „nicht korrigierbare" Basis aus Überlagerungsfehlern
den entsprechenden „vier
Ecken" Messpositionen überlagert
werden, indem beispielsweise die entsprechenden Reste von den entsprechenden
vier Ecken Überlagerungswerten
subtrahiert werden, die auf der Grundlage der Überlagerungskarte 140 ermittelt
wurden, wie dies beispielsweise in 1j im
Block 151 beschrieben ist. Es werden somit modifizierte „vier Ecken" Überlagerungswerte erhalten,
in denen die entsprechenden feldinternen Beiträge berücksichtigt sind. Auf der Grundlage
der entsprechenden modifizierten „vier Ecken"-Werte des Blocks 157 können entsprechende
Parameterwerte im Block 152a ermittelt werden, der im Wesentlichen
dem Block 152 in 1j entspricht,
wobei jedoch die modifizierten „vier Ecken"-Daten verwendet
werden. Folglich können sich
die entsprechenden Parameterwerte, die im Block 152a erhalten
werden, von den entsprechenden Parameterwerten des Blocks 152 unterscheiden, da
die entsprechenden Innerfeldbeiträge in höherem Maße im Vergleich zu den Parameterwerten
des Blocks 152 enthalten sind. Danach kann der Block 154 ausgeführt werden,
wie er auch mit Bezug zu 1j erläutert ist,
um geeignete Korrekturwerte zu ermitteln, beispielsweise entsprechende
Differenzen der entsprechenden Parameterwerte des Blocks 152a und
des Blocks 155. Somit können
in dieser anschaulichen Ausführungsform
die Innerfeldkomponenten für
das Bestimmen der entsprechenden Korrekturwerte mit einer geringeren
Abhängigkeit
von entsprechenden Steuerungsalgorithmen, d. h. von entsprechenden
Optimierungsverfahren, berücksichtigt
werden.
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Es
gilt also: die vorliegende Erfindung stellt eine verbesserte Technik
zum Steuern von Justierprozessen bereit, die auszuführen sind,
wenn aufeinanderfolgende Bauteilschichten von Mikrostrukturbauelementen
auf der Grundlage mehrerer Belichtungsanlagen und mehrerer Retikel
hergestellt werden, wobei ein oder mehrere Retikel der gleichen
Art für
eine entsprechende erste Bauteilschicht und wobei ein oder mehrere äquivalente
Retikel für
die zweite Bauteilschicht verwendet werden können. Während in konventionellen Verfahren
typischerweise moderne APC-Strategien auf der Grundlage von Überlagerungsmessdaten
ausgeführt
werden, die eine moderat geringe räumliche Abdeckung der entsprechenden
Belichtungsfelder bieten, da beispielsweise lediglich einige wenige
Positionen innerhalb eines Belichtungsfeld der Messung unterliegen,
wobei ein gedämpfter
gleitender Durchschnitt verwendet wird, um zu versuchen, die Differenz
zwischen den tatsächlich
verwendeten Parameterwerten und entsprechenden Sollwerten zu minimieren,
werden in der vorliegenden Erfindung Effekte innerhalb des Belichtungsfelds
berücksichtigt,
die durch anlagenspezifische und retikelspezifische Beiträge hervorgerufen
werden, indem geeignete Korrek turwerte für jeden der Justierparameter
bereitgestellt werden. Da entsprechende anlagenspezifische und retikelspezifische
Beiträge
zeitlich relativ stabil sein können,
müssen
entsprechende Messungen lediglich mit geringer Häufigkeit ausgeführt werden,
wodurch nicht in unnötiger
Weise der Gesamtmessaufwand zum Erhalten er erforderlichen feldinternen
Messdaten erhöht
wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Ermitteln
der entsprechenden Messdaten mit einer hohen räumlichen Abdeckung im Vergleich
zu den standardmäßigen Messdaten
auf der Grundlage konventioneller Überlagerungsmarkierungen separat für die interessierenden
Belichtungsanlagen und die entsprechenden Retikel ausgeführt, wobei
ein hohes Maß an
Flexibilität
im Hinblick auf prozessinterne Erfordernisse in Bezug auf die Anlagenverfügbarkeit, die
Retikelverfügbarkeit,
das Einführen
neuerer Retikel und Anlagen, Änderungen
in der Anlagenkonfiguration, und dergleichen geschaffen wird. In
anderen Fällen
wird ein hohes Maß an
Genauigkeit und Zuverlässigkeit
der entsprechenden feldinternen Messdaten erreicht, indem direkt
Wechselwirkungen zwischen der Anlagenverzerrungssignatur und den
entsprechenden intrinsischen Retikeleigenschaften gemessen werden.
Somit kann die entsprechende gegenseitige Wechselwirkung mit hoher
Genauigkeit dargestellt werden, wodurch auch äußert zuverlässige Korrekturwerte für die entsprechenden
Justierparameter bereitgestellt werden. Während des Justiervorganges
können
die standardmäßigen Messdaten von
der entsprechenden Steuerung empfangen werden, die gemäß der vorliegenden
Erfindung zusätzlich
auf eine entsprechende Datenband zum Ermitteln der entsprechenden
Korrekturwerte für
die entsprechenden Anlagen/Retikel-Paare zugreift, die bei der Herstellung
der entsprechenden Bauteilschichten beteiligt sind. Da die entsprechenden
Korrekturwerte für
eine beliebige gewünschte
Kombination verfügbar sein
können,
können
selbst äußerst komplexe
Prozesssituationen durch die entsprechenden Datenbankeinträge abgedeckt
werden, wobei ein hohes Maß an
Flexibilität
erreicht wird, da die entsprechende Datenbank in effizienter Weise
im Hinblick auf eine neue Prozesssituation erweitert werden kann, die
beispielsweise auftritt, wenn ein zusätzliches Retikel, eine neue
Belichtungsanlage, und dergleichen in die entsprechende Fertigungsumgebung
eingeführt
wird. Da das entsprechende Bestimmen der jeweiligen Parameterkorrekturwerte
im Wesentlichen von dem tatsächlichen
Steuerungsprozess während einer
Produktionssituation entkoppelt sein kann, werden negative Einflüsse auf
das Leistungsverhalten des Steuerungsprozesses in Bezug auf die
Arbeitsgeschwindigkeit im Wesentlichen vermieden. Folglich kann
auf der Grundlage der entsprechenden Korrekturwerte für die einzelnen
Justierparameter der entsprechende Steuerungsalgorithmus modifiziert werden,
indem die entsprechenden Sollwerte verschoben werden, wobei die
entsprechen de Verschiebung oder der Offset den Einfluss der feldinternen Beiträge zu den Überlagerungsfehlern
und Positionierfehlern repräsentieren
kann.
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Weitere
Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Erfindung werden
für den
Fachmann angesichts dieser Beschreibung offenkundig. Daher ist diese
Beschreibung als lediglich anschaulich und für die Zwecke gedacht, dem Fachmann
die allgemeine Art und Weise des Ausführens der vorliegenden Erfindung
zu vermitteln. Selbstverständlich
sind die hierin gezeigten und beschriebenen Formen als die gegenwärtig bevorzugten
Ausführungsformen
zu betrachten.