DE10392540T5

DE10392540T5 - Verfahren zum Korrigieren einer Maske

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Publication number: DE10392540T5
Application number: DE10392540T
Authority: DE
Inventors: Ken Ozawa
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-02-17
Filing date: 2003-12-19
Publication date: 2005-12-29
Also published as: US20050164095A1; JP4192618B2; US20090035667A1; JP2004246223A; KR20050099457A; TWI238923B; WO2004072735A1; CN1325993C; CN1692311A; US7438996B2; US7879513B2; TW200424753A; KR101059265B1

Abstract

Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske unter Verwendung eines Korrekturverfahrens mit dem optischen Nahanordnungseffekt, wobei dieses Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske die folgenden Schritte aufweist:
– Herstellen einer Testmaske, die als Maske zum Entnehmen des Funktionsmodells fungiert, das dazu erforderlich ist, das Korrekturverfahren mit optischem Nahanordnungseffekt anzuwenden;
– Übertragen eines Maskenmusters der Testmaske auf einen Wafer und Messen der Abmessungen des übertragenen Musters;
– Erhalten eines Funktionsmodells (das als Prozessmodell bezeichnet wird), das es ermöglicht, dass ein Simulationsergebnis der Abmessungen des auf den Wafer übertragenen Musters der Fotomaske mit einem Messergebnis übereinstimmt, das im Schritt des Übertragens und Messens erhalten wurde;
– Erhalten eines Maskenmusters unter Verwendung des Prozessmodells, für das ein übertragenes Muster mit einem konzipierten Muster übereinstimmt, und Erzeugen von Maskendaten entsprechend dem erhaltenen Maskenmuster;
– Herstellen einer korrigierten Maske entsprechend den erzeugten Maskendaten; und
– Einstellen einer Belichtungsbedingung zum Erzielen einer numerischen...

Description

Verfahren zum Korrigieren einer Maske
Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske unter Verwendung eines OPC(Optical Proximity Correction = optische Näheeffektkorrektur)-Verfahrens, insbesondere ein Maskenkorrekturverfahren zum Beseitigen eines möglichst großen Unterschieds zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich eines Fehlers der Linienbreite abhängig von einem groben/dichten Muster.
Hintergrundbildende Technik
Während Halbleiterbauteile miniaturisiert und hoch integriert werden, wird ihr Schaltungsmuster miniaturisiert. Wenn ein Schaltungsmuster miniaturisiert wird, wird bei einem optischen Lithografieprozess zum Strukturieren eines Halbleiterbauteils die erforderliche Auflösung hoch. Im Ergebnis wird die NA eines optischen Projektionssystems einer Belichtungsvorrichtung groß. Die Wellenlänge einer Belichtungslichtquelle wird kurz.
Die Auflösung (R) bei optischer Lithografie ist durch die folgende Rayleigh-Formel bestimmt: R = k1x{λ/(NA)} (1)wobei λ die Wellenlänge des Belichtungslichts repräsentiert; NA die numerische Apertur der Belichtungsvorrichtung repräsentiert; k1 eine Konstante repräsentiert, die von Bedingungen usw. der optischen Lithografie abhängt.
Wenn die erforderliche Auflösung (R) hoch wird, wird es schwierig, die gewünschte Auflösung zu erzielen, da der Faktor k1 niedrig wird.
Außerdem wurde die erforderliche Auflösung hoch, da das Funktionsvermögen und die Integration von Halbleiterbauteilen in den letzten Jahren hoch wurden. Im Ergebnis wird optische Lithografie in einem Bereich mit kleinem k1-Wert ausgeführt, d. h., es wird eine Niedrig-k1-Lithografie ausgeführt.
Bei Niedrig-k1-Lithografie beeinflusst der Maskenherstellfehler einer Fotomaske in starker Weise die Linienbreite eines Musters (nachfolgend als kritische Abmessung (CD) bezeichnet) eines auf einen Wafer übertragenen Übertragungsmusters.
Demgemäß wird bei Niedrig-k1-Lithografie bei einer Belichtungsvorrichtung Schräglicht verwendet. Als Fotomaske wird eine Phasenschiebemaske verwendet. Außerdem wird zum Korrigieren des optischen Nahanordnungseffekts eine OPC (Korrektur des optischen Nahanordnungseffekts) verwendet, die eine Vorkorrektur der Abmessungen und der Form einer Maske vornimmt und diese verformt.
Bei einer OPC-Korrektur wird, wie dies später beschrieben wird, aus einem Übertragungsergebnis von einer Prozessmodell-Entnahmemaske ein Prozessmodell entnommen. Ein korrigierter Maskenwert wird entsprechend dem Prozessmodell erzielt. Eine korrigierte Maske wird entsprechend dem erzielten Maskenkorrekturwert hergestellt.
Als Faktor, der die Hervorheberate des Einflusses des Musterabmessungsfehlers einer Fotomaske (Masken-CD-Fehler) auf den Abmessungsfehler eines auf einen Wafer übertragenen Übertragungsmusters (Wafer-CD-Fehler) repräsentiert, wird allgemein ein MEF (Maskenfehler-Verstärkungsfaktor) verwendet, der durch die folgende Formel (2) gegeben ist: MEF = Wafer-CD-Fehler/(Masken-CD-Fehler/M) (2)wobei M eine Projektionsverkleinerung einer Belichtungsvorrichtung repräsentiert. M hat bei einer zum Herstellen eines Halbleiterbauteils verwendeten Belichtungsvorrichtung typischerweise den Wert 5 oder 4.
Bei Niedrig-k1-Lithografie, wie sie in den letzten Jahren verwendet wird, wird der durch die Formel (2) für ein kritisches Muster berechnete MEF 2 bis 3. Anders gesagt, beeinflusst bei Niedrig-k1-Lithografie der Abmessungsfehler eines Musters einer Fotomaske stark die Abmessungen eines auf einen Wafer übertragenen Übertragungsmusters. So wird der Einfluss eines Abmessungsfehlers des Musters einer Fotomaske gegenüber einem übertragenen Muster groß.
Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf die 8 ein herkömmliches OPC-Korrekturverfahren für eine Maske beschrieben. Die 8 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen einer Prozedur eines herkömmlichen OPC-Korrekturverfahrens für eine Maske.
Als Allererstes wird, wie es in der 8 dargestellt ist, in einem Schritt S₁ eine Maske zum Entnehmen eines Prozessmodells, d. h. eine Testmaske, hergestellt. Das Prozessmodell ist ein Funktionsmodell, gemäß dem ein Simulationsergebnis eines übertragenen Musters einer Fotomaske unter Verwendung eines Funktionsmodells zum Messergebnis eines übertragenen Musters einer Testmaske passt. Testmasken werden so hergestellt, dass Testmuster mit verschiedenen Formen, Abmessungen und Schrittweiten, die ein Schaltungsmuster eines tatsächlichen Bauteils repräsentieren, auf Testmasken platziert werden.
Anschließend geht der Ablauf zu einem Testmuster-Übertragungsschritt, einem Schritt S₂, weiter. Im Schritt S₂ werden Prozessbedingungen wie eine Belichtungsbedingung für die Belichtungsvorrichtung, eine Resist-Prozessbedingung und eine Ätz-Prozessbedingung eingestellt. Eine Testmaske wird unter den eingestellten Prozessbedingungen auf einen Wafer übertragen. Es wird die übertragene Testmaske verarbeitet. Das Übertragungsmuster wird auf dem Wafer ausgebildet.
Danach werden, in einem Schritt S₃, die Musterabmessungen des auf dem Wafer ausgebildeten Übertragungsmusters durch ein REM (Rasterelektronenmikroskop) oder dergleichen gemessen. Anschließend wird in einem Prozessmodell-Entnahmeschritt, einem Schritt S₄, ein Prozessmodell entsprechend den Messwerten der Musterabmessungen erzeugt.
Anschließend wird in einem Korrigierte-Maske-Herstellschritt, einem Schritt S₅, ein korrigiertes Maskenmuster, das es ermöglicht, nach dem Übertragen und Verarbeiten der Testmaske entsprechend dem Prozessmodell zu erzielen (zu entnehmen). Eine korrigierte Maske wird entsprechend dem korrigierten Maskenmuster erzeugt.
Durch die vorigen Schritte kann eine korrigierte Maske, die durch OPC korrigiert wurde, d. h. eine Produktmaske, hergestellt werden.
So wird die OPC-Korrektur durch die folgenden Schritte ausgeführt: Herstellen einer Testmaske → Übertragen → Messung von Abmessungen → Entnahme eines Prozessmodells → Erhalten korrigierter Maskenwerte → Herstellen einer korrigierten Maske (Produktmaske). Das übertragene Muster wird mit der korrigierten Maske gemessen. Im Ergebnis wird die korrigierte Maske bewertet. So wird die OPC-Korrektur für eine Maske durch komplizierte Schritte ausgeführt.
Eine herkömmliche OPC-Korrektur für eine Maske ist z. B. in der japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2002-122977, S. 2–3 beschrieben.
Bei der in den letzten Jahren verwendeten Niedrig-k1-Lithografie wird der Einfluss eines Abmessungsfehlers eines Musters, wie er bei der Herstellung einer Maske auftritt, sehr groß, da ein Maskenmuster genauer als bisher übertragen werden sollte.
Andererseits ist es sehr schwierig, ein Maskenmuster einer Fotomaske entsprechend dem zugehörigen Design herzustellen. Die Abmessungen einer Maske enthalten immer einen Musterabmessungsfehler (Toleranz). Insbesondere ist ein zu lösendes Problem die Abhängigkeit eines groben/dichten Musters oder eines Fehlers einer Leitungsbreite abhängig von einem groben/dichten Muster.
Wie es in der 1 dargestellt ist, unterscheidet sich selbst dann, wenn Soll-Linienbreiten von Maskenmustern von Fotomasken gleich sind, der Abmessungsfehler von Mustern dichter Linien von demjenigen eines Musters isolierter Linien. Es besteht die Tendenz, dass der Abmessungsfehler eines Musters dichter Linien größer als derjenige eines Musters isolierter Linien ist.
Zum Beispiel ist, wie es in Proc. SPIE VOL. 4754 (2002), S. 196–204, "Advanced pattern correction method for fabricating highly accurate reticles" beschrieben ist, eine Abmessungsschwankungs-Grob/Dicht-Charakteristik, d. h. der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster zu berücksichtigen, obwohl der Abmessungsfehler eines Musters einer Maske hauptsächlich von einem Zeichnungsfehler eines Maskenmusters und einem Ätzfehler in einem Ätzschritt herrühren, der nach einem Strukturierschritt und einem Entwicklungsschritt ausgeführt wird.
Ein Zeichnungsfehler bei der Herstellung einer Maske wird durch EB(Elektronenstrahl)-Belichtungsmengenkorrektur korrigiert. Ein Fehler durch einen nach einem Zeichnungsschritt und einem Entwicklungsschritt ausgeführten Ätzvorgang an einem Substrat wird durch eine Musterkorrektur korrigiert. Jedoch ist es schwierig, einen Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster vollständig zu kontrollieren.
Als herkömmliche Fotomaskenspezifikationen existieren die mittlere Abmessungstoleranz (mittlere Abweichung vom Sollwert) und die Gleichmäßigkeit der Linienbreite in einer Ebene. Jedoch ist der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster in einer Roadmap wie ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) nicht genannt.
Jedoch beeinflusst, wie es nachfolgend beschrieben wird, ein Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Maske stark den Fehler einer übertragenen CD in einem Übertragungsmuster.
Bisher wurden, in einem Schritt optischer Lithografie, Abmessungsfehlern von Mustern von Fotomasken keine große Aufmerksamkeit geschenkt. Jedoch ist bei der heutzutage verwendeten Niedrig-k1-Lithografie zu berücksichtigen, dass zwei entsprechend denselben Spezifikationen hergestellte Fotomasken übertragene CDs mit Übertragungsmustern aufweisen, die stark voneinander verschieden sind.
Dies, da ein kleiner Unterschied zwischen zwei Fotomasken hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster durch einen großen MEF bei der in den letzten Jahren verwendeten Niedrig-k1-Lithografie verstärkt wird.
Eine Charakteristik einer übertragenen CD bei Variation der Musterschrittweite eines Maskenmusters, d. h. ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen einer Musterschrittweite und einer übertragenen CD anzeigt, wird als OPE(Optical Proximity Effect = optischer Nahanordnungseffekt)-Kurve bezeichnet. Diese Charakteristik ist eine von Grunddaten, aus denen ein Maskenkorrekturwert erhalten wird.
Demgemäß wird eine OPE-Kurve als Grunddatenwert, gemäß dem eine Maske korrigiert wird, sowohl durch den optischen Nahanordnungseffekt als auch den Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beeinflusst.
Wie oben beschrieben, enthalten sowohl ein Maskenmuster einer Testmaske als auch ein Maskenmuster einer korrigierten Maske einen Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Maske. Demgemäß wird der Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich eines Fehlers der Linienbreite in Abhängig von einem Grob/Dicht-Muster bedeutend.
Im Prozessmodell-Entnahmeschritt, dem Schritt S4, wird ein Prozessmodell entnommen, wobei davon ausgegangen wird, dass eine Testmaske entsprechend ihrem Design erzeugt wurde. Jedoch enthält ein Maskenmuster einer Testmaske tatsächlich einen Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster. Demgemäß pflanzt sich, da ein erzeugtes Prozessmodell einen Muster-Abmessungsfehler enthält, ein Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske, entsprechend einem Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Maske, auf ein Prozessmodell fort.
Wenn eine korrigierte Maske mit demselben Fehler abhängig von einem Grob/Dicht-Muster wie bei einer Testmaske hergestellt werden kann, kann der übertragene CD-Fehler der korrigierten Maske auf beinahe null gesenkt werden. Tatsächlich liegt jedoch der Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich eines Fehlers der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster unvermeidlich im Bereich eines Herstellfehlers. Es ist bekannt, dass beim Übertragen einer korrigierten Maske der Unterschied zwischen den Masken durch den MEF verstärkt wird, wie es oben beschrieben ist.
Demgemäß beeinflusst der Unterschied zwischen einem Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske und dem Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer korrigierten Maske, d. h. der Unterschied zwischen Masken, die Bearbeitungsabmessungen des Musters, betreffend das die korrigierte Maske, übertragen wird. Im Ergebnis tritt im übertragenen Muster ein nicht vernachlässigbarer Fehler, d. h. ein Restfehler der korrigierten Maske, auf.
Im Ergebnis wird es schwierig, ein Übertragungsmuster mit hoher Steuerungsgenauigkeit der Musterabmessungen zu erhalten.
Jedoch wird beim herkömmlichen Maskenkorrekturverfahren unter Verwendung von OPC der Unterschied zwischen Masken nicht speziell berücksichtigt. Wenn ein Prozessmodell durch eine Testmaske erzeugt wird und eine entsprechend dem Prozessmodell korrigierte Fotomaske hergestellt wird, kann der Ein fluss des Unterschieds zwischen der Testmaske und der korrigierten Fotomaske hinsichtlich des Fehlers der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster nicht entfernt werden. Der Unterschied zwischen den Masken besteht als Fehlerelement für den gemäß OPC korrigierten Fehler. So wird es schwierig, die Korrekturgenauigkeit zu verbessern.
Daher ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske, d. h. ein Verfahren zum Verwalten der Herstellung einer Maske zu schaffen, das es ermöglicht, den Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster zu verringern, wenn die Fotomasken durch eine Korrektur mittels des optischen Nahanordnungseffekts korrigiert werden.
Offenbarung der Erfindung
Der Erfinder hat über das Folgende nachgedacht. Anders gesagt, wird zum Minimieren des Unterschieds zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich einer von grob/dicht abhängigen Linienbreite als Testmaske eine solche Maske verwendet, die als von grob/dicht abhängige Linienbreite einen Mittelwert eines Herstellfehlers aufweist.
Außerdem wird innerhalb des Bereichs, in dem eine Prozesstoleranz, für die eine korrigierte Maske übertragen wird, nicht beeinträchtigt wird, der NA- und/oder der σ-Wert einer Belichtungsvorrichtung so fein eingestellt, dass eine OPE-Kurve kontrolliert verläuft und der Unterschied zwischen Masken hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster angepasst ist. Im Ergebnis kann ein Restfehler hinsichtlich einer OPE-Kurve herab gedrückt werden, wenn eine korrigierte Maske übertragen wird. Bei diesem Beispiel repräsentiert σ einen Kohärenzfaktor, und es besteht die Beziehung σ = NA des Beleuchtungssystems/NA der Objektseite einer Projektionslinse.
Aus dem Vorstehenden hat der Erfinder ein Verfahren zum Verbessern der Korrekturgenauigkeit bei OPC durch Feineinstellen des NA- oder des σ-Werts einer Belichtungsvorrichtung, durch Übereinstimmungsherstellung betreffend eine Testmaske und eine korrigierte Maske sowie durch Entfernen des Unterschieds zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster erdacht.
Außerdem hat der Erfinder geklärt, dass das erzielte Konzept für ein simuliertes und ein experimentelles Ergebnis effektiv ist. Schließlich hat der Erfinder ein erfindungsgemäßes Verfahren erfunden.
Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, ist, entsprechend dem vorstehenden Konzept, das erfindungsgemäße Verfahren zum Korrigieren einer Maske ein Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske unter Verwendung eines Korrekturverfahrens mit optischem Nahanordnungseffekt.
Das Verfahren zum Korrigieren einer Maske weist die folgenden Schritte auf:

– Herstellen einer Testmaske, die als Maske zum Entnehmen eines Funktionsmodells fungiert, das dazu erforderlich ist, das Korrekturverfahren mit optischem Nahanordnungseffekt anzuwenden, so dass eine von grob/dicht abhängige Linienbreite einem vorbestimmten Niveau entspricht oder niedriger ist und einem Mittelwert eines Herstellfehlers entspricht;
– Übertragen eines Maskenmusters der Testmaske auf einen Wafer und Messen der Abmessungen des übertragenen Musters;
– Erhalten eines Funktionsmodells (das als Prozessmodell bezeichnet wird), das es ermöglicht, dass ein Simulationsergebnis zu den Abmessungen des übertragenen Musters der Fotomaske auf dem Wafer mit einem im Messschritt erhaltenen Messergebnis übereinstimmt;
– Erhalten eines Maskenmusters, für das ein übertragenes Muster mit einem unter Verwendung des Prozessmodells konzipierten Musters übereinstimmt, und Erzeugen von Maskendaten entsprechend dem erhaltenen Maskenmuster;
– Herstellen einer korrigierten Maske entsprechend den erzeugten Maskendaten unter einer Herstellbedingung, bei der der Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der korrigierten Maske mit dem der Testmaske in einem vorbestimmten Bereich übereinstimmt; und
– Erhalten der numerischen Apertur (NA) und/oder eines Kohärenzfaktors (σ) einer Belichtungsvorrichtung in solcher Weise, dass eine OPE-Charakteristik in einem vorbestimmten Bereich von Musterschrittweiten flach wird, wenn die korrigierte Maske übertragen wird.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird beim Übertragen einer korrigierten Maske die numerische Apertur (NA) und/oder der Kohärenzfaktor (σ) einer Belichtungsvorrichtung erhalten, die es ermöglichen, dass eine OPE-Charakteristik innerhalb eines vorbestimmten Bereichs von Musterschrittweiten flach wird. Wenn die Maske bei diesen Bedingungen belichtet wird, kann der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich eines Fehlers der Linienbreite in Abhängig von einem Grob/Dicht-Muster, der von der Herstellung einer Maske herrührt, in einen vorbestimmten Bereich herab gedrückt werden.
Wenn bei diesem Beispiel eine ringförmige Beleuchtung ausgeführt wird, besteht σ aus einem inneren σ-Wert und einem äußeren σ-Wert. Der innere σ-Wert entspricht dem σ-Wert innerhalb einer ringförmigen Lichtquelle, wohingegen der äuße re σ-Wert dem σ-Wert außerhalb derselben entspricht.
Im Testmaske-Herstellschritt gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird eine Testmaske unter Maskenherstellbedingungen hergestellt, bei denen ein Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske innerhalb eines zulässigen Bereichs eingeschränkt werden kann, wobei der Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster ein Mittelwert des Herstellfehlers ist. Die Maskenherstellbedingungen für die Testmaske werden durch Versuch oder eine Simulationsberechnung erhalten. Demgemäß kann als Testmaske eine Maske verwendet werden, bei der der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster in den zulässigen Bereich eingeschränkt ist, wobei es sich um einen Mittelwert des Herstellfehlers handelt.
In einem Herstellschritt für eine korrigierte Maske wird eine korrigierte Maske unter Maskenherstellbedingungen hergestellt, bei denen sich der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster im vorbestimmten Bereich befindet. Die Maskenherstellbedingungen für die korrigierte Maske werden durch Versuch oder eine Simulationsberechnung erhalten. Da Maskendaten aus einem Prozessmodell entnommen werden und die korrigierte Maske bei den Maskenherstellbedingungen entsprechend den Maskendaten hergestellt wird, kann das meiste an Einfluss durch den Unterschied zwischen den Masken beseitigt werden.
Außerdem wird im Belichtungsbedingungen-Einstellschritt der Einfluss des Unterschieds zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster entsprechend dem Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmas ke aufgehoben. So werden der NA- und der σ-Wert der Belichtungsvorrichtung so fein eingestellt, dass die OPE-Kurve, hinsichtlich der die korrigierte Maske übertragen wird, am flachsten wird. So kann der Unterschied zwischen der korrigierten Maske und der Testmaske, wie er im Herstellschritt für die korrigierte Maske geringfügig existiert, beseitigt werden.
Das Grundkonzept des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das folgende:

(1) Um dafür zu sorgen, dass der Herstellfehler der Maske aufgrund eines Grob/Dicht-Musters niedriger als ein zulässiges Niveau ist, wird ein zulässiger Bereich für den Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske eingestellt. Außerdem wird als Testmaske eine Maske mit einem Fehler in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster, der ein Mittelwert des Herstellfehlers ist, verwendet. So kann ein Abmessungsfehler eines Musters, der sich aufgrund eines Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske auf ein auf einen Wafer übertragenes Muster fortpflanzt, auf ein zulässiges Niveau eingeschränkt werden.
(2) Der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske wird mit dem einer korrigierten Maske innerhalb eines vorbestimmten Bereichs zur Übereinstimmung gebracht. So wird der Fehler der Linienbreite in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster der korrigierten Maske als Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske innerhalb des vorbestimmten Bereichs reproduziert. Im Ergebnis kann ein Abmessungsfehler eines Musters auf einem Wafer aufgrund des Unterschieds zwischen Masken in den vorbestimmten Bereich eingeschränkt werden.
(3) Gemäß dem Punkt (2) ergibt sich, obwohl der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer korrigierten Maske mit dem Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske innerhalb eines vorbestimmten Bereichs übereinstimmt, ein geringfügiger Unterschied zwischen der korrigierten Maske und der Testmaske hinsichtlich des Fehlers in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster. So wird der NA- und/oder der σ-Wert einer Belichtungsvorrichtung so eingestellt, dass die Testmaske und die korrigierte Maske übereinstimmen und der Restunterschied zwischen den Masken null wird. Außerdem kann, als Ergebnis von (2), wenn der Restunterschied zwischen den Masken entfernt wird, der Abmessungsfehler des übertragenen Musters auf dem Wafer weiter verringert werden.

Als Nächstes wird das vorstehende Grundkonzept detailliert beschrieben.
Beschreibung von (1)
Wie oben beschrieben, tritt beim Herstellen einer Testmaske ein Abmessungsfehler eines Musters abhängig davon auf, ob ein Muster grob oder dicht ist. Wenn eine Testmaske strukturiert wird, ist die Ätzrate von Quarz, der ein Maskensubstrat bildet, in einem dichten Bereich mit dichten Linien (Bereich dichter Linien) niedriger als in einem Isolationsbereich mit isolierten Linien (Bereich isolierter Linien). Im Ergebnis besteht die Tendenz, dass, wie es in der 1 dargestellt ist, die Linienbreite eines Musters im dichten Bereich größer als die im Isolationsbereich ist.
Die 1 ist ein Kurvenbild, das eine typische Beziehung zwischen einer weiten/engen Schrittweite und einem Herstellfehler einer Maske zeigt. In der 1 ist ein Herstellfeh ler einer Maske auf solche Weise gemessen, dass die Linienbreite des Linienmusters fixiert ist und die Musterschrittweite von einer engen auf eine weite Schrittweite variiert ist.
Der Einfachheit halber werden, unter Bezugnahme auf die 2, übertragene CDs von Fotomasken mit enger Schrittweite (dichten Linien) und Isolationsschrittweite (isolierte Linien) beschrieben. Die 2 ist ein Kurvenbild, das eine Beziehung zwischen einer Musterschrittweite und einer übertragenen CD zeigt, wobei als Parameter der Fehler einer Linienbreite in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht-Muster verwendet ist. Das Diagramm (1) ist ein OPE-Diagramm für den Fall, dass der Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist. Anders gesagt, repräsentiert das Diagramm (1) einen zu extrahierenden optischen Nahanordnungseffekt. Das Diagramm (2) ist ein OPE-Diagramm für den Fall, dass eine Maske mit einem Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster übertragen wird.
In den Kurvenbildern ist der Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster durch die folgende Formel ausgedrückt: ΔM = DE – IE mit D_E: Herstellfehler einer Maske mit dichter Schrittweite
I_E: Herstellfehler einer Maske mit Isolationsschrittweite
Wenn das OPE-Diagramm (1) und das OPE-Diagramm (2), wie sie in der 2 dargestellt sind, verglichen werden, ist die übertragene CD bei dichter Schrittweite dann, wenn der Fehler einer Linienbreite in Abhängigkeit von einem Grob/Dicht- Muster ΔM ist, um MEFd × ΔM größer als die übertragene CD bei dichter Schrittweite, wenn der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist. Anders gesagt, wird die übertragene CD im Vergleich zum Fall ΔM = 0 um MEFd × ΔM vergrößert. In diesem Fall repräsentiert MEFd den MEF für den Fall, dass ein Muster über eine dichte Schrittweite verfügt.
Demgemäß weist, da die OPE-Kurve (2) der Testmaske mit einem Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster von der OPE-Kurve (1) einer idealen Maske ohne Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster abweicht, die erstere einen Fehler auf.
Demgemäß enthält, wenn die Testmaske einen Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster aufweist, der berechnete korrigierte Wert der Maske einen Fehler. Der Fehler pflanzt sich auf die Abmessungen eines übertragenen Musters einer korrigierten Maske fort.
Die 3 ist ein Kurvenbild, das den Einfluss eines Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske über einem Abmessungsfehler einer übertragenen CD einer korrigierten Maske zeigt. Die 3 zeigt ein Simulationsergebnis für einen übertragenen CD-Fehler einer korrigierten Maske für den Fall, dass der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist. Die Simulation wird unter den folgenden Bedingungen ausgeführt:

– Maske: Halbton-Phasenschiebemaske mit einem Transmissionsvermögen von 6 %.
– Muster der Testmaske – Ideale Maske: isolierte Linien mit einer Breite von 140 nm und dichte Linien mit einer Breite von 140 nm und einer Schrittweite von 260 nm. – Echte Maske: isolierte Linien mit einer Breite von 140 nm und dichte Linien mit einer Breite von 140 nm + ΔM sowie einer Schrittweite von 260 nm.

3

– Sollwert der übertragenen CD: isolierte Linie mit einer Breite von 110 nm und dichten Linien mit einer Breite von 110 nm und einer Schrittweite von 260 nm.
– Belichtungsbedingungen: Belichtungslicht/ArF, NA = 0,60, σ = 0,75; 2/3-Ringform

Ein bei der Simulation angenommener Prozess gilt für einen standardmäßigen ArF-Resist mit einem Kontrast γ von 10 und einer Diffusionslänge von 30 nm.
Die 4 ist eine Tabelle, die Rechenergebnisse für das in der 3 dargestellte Diagramm zeigt. Die 4 zeigt das Rechenergebnis einer Simulation übertragener CD-Fehler korrigierter Masken für den Fall, dass Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster von Testmasken variieren.
Die 3 und 4 zeigen, dass selbst dann, wenn der Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist, die Linienbreite der korrigierten Maske nicht 127 nm wird (Linienbreite eines Musters mit einer Schrittweite von 160 nm der korrigierten Maske, wie dann berechnet, wenn der Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske null ist). Stattdessen tritt ein kleiner Fehler entsprechend dem Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske auf. Wenn die korrigierte Maske übertragen wird, wird der kleine Fehler durch den MEF verstärkt. Demgemäß ist es, wie es aus der 3 erkennbar ist, deutlich, dass sich für die Linienbreite des auf den Wafer übertragenen Musters ein nicht vernachlässigbarer Fehler ergibt.
Es wird davon ausgegangen, dass dann, wenn der Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske relativ groß ist, die Linearität des Maskenkorrektursystems nicht völlig erhalten bleibt.
Beschreibung zu (2)
Wie es in der 1 dargestellt ist, ist es, da der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers der Linienbreite abhängig vom Grob/Dicht-Muster durch den MEF verstärkt wird und die Linienbreite des übertragenen Musters der korrigierten Maske beeinflusst, wesentlich, den Unterschied zwischen den Masken zu handhaben.
Anders gesagt, ist es, um eine korrigierte Maske herzustellen, erforderlich, den Unterschied zwischen den Masken auf Grundlage des Fehlers der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske zu handhaben. Außerdem ist es, wenn der Herstellfehler berücksichtigt wird, wünschenswert, dass der von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske abhängige Fehler ein Mittelwert des Herstellfehlers ist.
Beschreibung zu (3)
Die 5 zeigt ein Simulationsergebnis übertragener CDs zweier Masken, die eine ideale Maske (Maske A), bei der der Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist, und eine nahezu reale Maske sind, bei der ΔM auf einem Wafer 2 nm beträgt (Maske B). Für die Maske A und B wird mit einer Testmaske, bei der der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster null ist, ein Prozessmodell entnommen. Wie es in der 9 dargestellt ist, werden, nachdem die korrigierte Maske übertragen wurde, die Linienabmessungen der korrigierten Maske für jede Schrittweite unter der Bedingung berechnet, dass die Durchgangsloch-Schrittweite 110 nm ist. Die 9 ist ein Kurvenbild, das einen korrigierten Wert einer Maske hinsichtlich der Durchgangsloch-Schrittweite zeigt.
Unter Annahme einer Maske mit einem Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster vom Wert Null (Maske A) und einer Maske mit einem Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster vom Wert 2 nm (Maske B) werden die übertragenen CDs berechnet. Die 10 zeigt den Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster für die zur Auswertung verwendete Maske B.
Die 5 zeigt, dass im Anfangszustand, in dem die Schrittweite klein ist, die OPE-Kurve der Maske B stark von derjenigen der Maske abweicht, da der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Maske durch den MEF hinsichtlich jeder Schrittweite und Linienbreite vergrößert wird. Es ist deutlich, dass dann, wenn die Schrittweite groß wird, d. h., wenn sie ungefähr 500 nm überschreitet, die OPE-Kurve der Maske A beinahe mit derjenigen der Maske B übereinstimmt.
Wenn die numerische Apertur (NA) der Belichtungsvorrichtung geringfügig variiert wird, sie z. B. von 0,60 auf 0,58 geändert wird, kann die OPE-Kurve der Maske B mit derjenigen der Maske A in Übereinstimmung gebracht werden.
Die 6 zeigt ein Kurvenbild eines Simulationsergebnisses, gemäß dem Masken durch Feinabstimmen der NA der Belichtungsvorrichtung zur Übereinstimmung gebracht werden. Die 6 zeigt OPE-Kurven der Masken A und B, die mit NA = 0,59 und 0,58 belichtet wurden, sowie OPE-Kurven der Maske A und der Maske B, die mit NA = 0,60 belichtet wurden.
Aus der 6 ist es deutlich, dass dann, wenn die NA geringfügig variiert wird, der Unterschied zwischen der Maske A und der Maske B hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beinahe beseitigt werden kann.
Wie oben beschrieben, kann beim erfindungsgemäßen Verfahren, wenn mindestens einer der Werte NA und σ geringfügig variiert wird, der Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beseitigt werden, abweichend von einem herkömmlichen Maskenkorrekturverfahren unter Verwendung einer OPC.
Demgemäß kann der Abmessungsfehler eines Übertragungsmusters auf einem Wafer aufgrund eines Unterschieds zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster merklich verringert werden.
Kurze Beschreibung von Zeichnungen
1 ist ein Kurvenbild, das eine typische Beziehung zwischen weiten und engen Schrittweiten und einem Herstellfehler einer Maske zeigt.
2 ist ein Kurvenbild, das schematisch eine Beziehung zwischen einer Musterschrittweite und einer übertragenen CD zeigt, wobei als Parameter der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Maske verwendet wird, d. h. ein sogenanntes OPE-Diagramm.
3 ist ein Kurvenbild, das den Einfluss des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Testmaske über einer übertragenen CD einer übertragenen, korrigierten Maske zeigt.
4 ist eine Tabelle zu Daten des in der 3 dargestellten Kurvenbilds.
5 zeigt OPE-Kurven von Simulationsergebnissen übertragener CDs für zwei korrigierte Masken, nämlich eine ideale Maske (Maske A), bei der der Fehler ΔM einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster für eine korrigierte Maske null ist und eine nahezu reale Maske (Maske B), für die ΔM den Wert 2 nm hat.
6 zeigt OPE-Kurven von Simulationsergebnissen, gemäß denen Masken durch Feineinstellung der NA einer Belichtungsvorrichtung zur Übereinstimmung gebracht sind.
7 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen einer Prozedur eines Maskenkorrekturverfahrens gemäß einer Ausführungsform.
8 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen einer Prozedur eines herkömmlichen Maskenkorrekturverfahrens.
9 ist ein Kurvenbild, das Abmessungen einer Maske zeigt, für die eine OPC abhängig von der Beziehung zwischen einer Schrittweite und einer CD einer korrigierten Maske ausgeführt wurde.
10 ist ein Kurvenbild, das einen Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer Maske B (auf einem Wafer) zeigt.
Beste Art zum Ausführen der Erfindung
Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Ausführungsform der Erfindung praxisgerecht und detailliert beschrieben.
Ausführungsform
Die Ausführungsform ist ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Maskenkorrekturverfahrens. Die 7 ist ein Flussdiagramm, das eine Prozedur des Maskenkorrekturverfahrens gemäß der Ausführungsform zeigt.
Als Allererstes wird in einem Testmasken-Herstellschritt, einem Schritt S1 eine Testmaske hergestellt. Die Testmaske ist eine Maske, die als Maske zum Entnehmen eines Prozessmodells entsprechend einer Korrektur gemäß dem optischen Nahanordnungseffekt entspricht. Wenn die Testmaske hergestellt wird, wird ein Zulässigkeitsbereich für den Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster entsprechend einem in der 3 dargestellten Analyseergebnis eingestellt. Danach wird eine Maskenherstellbedingung so eingestellt, dass der Fehler der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske in den zulässigen Bereich eingeschränkt ist. Die Testmaske wird mit den Maskenherstellbedingungen hergestellt.
Die Maskenherstellbedingungen, mit denen die Testmaske hergestellt wird, sind dieselben wie Maskenherstellbedingungen, gemäß denen der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster einer im Schritt S5 hergestellten korrigierten Maske in den zulässigen Bereich eingeschränkt ist. Anders gesagt, ist es bevorzugt, dass der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster ein Zwischenwert des Herstellfehlers ist.
Danach geht der Ablauf zu einem Testmaske-Übertragungsschritt, einem Schritt S2 weiter. Im Schritt S2 wird ein Maskenmuster der Testmaske unter denselben Übertragungsbedingungen wie bei einer echten Fotomaske auf einen Wafer übertragen.
Danach geht der Ablauf zu einem Übertragungswafer-Messschritt, einem Schritt S3, weiter. Im Schritt S3 werden die Abmessungen des auf den Wafer übertragenen Übertragungsmusters durch ein CD-REM oder dergleichen gemessen.
Danach geht der Ablauf zu einem Prozessmodell-Entnahmeschritt, einem Schritt S4, weiter. Im Schritt S4 wird ein Funktionsmodell, d. h. ein sogenanntes Prozessmodell, entnommen oder erhalten, gemäß dem ein Simulationsergebnis eines übertragenen Musters eines Maskenmusters einer Fotomaske unter Verwendung eines Universal-OPC-Simulators zum Messergebnis im Schritt S3 passt. So wird das übertragene Muster des Maskenmusters der Fotomaske, das entsprechend dem Prozessmodell durch den Universal-OPC-Simulator simuliert wurde, zum übertragenen Muster, das dem im Schritt S3 erzielten Messergebnis entspricht.
Danach geht der Ablauf zu einem Maskenkorrekturschritt, einem Schritt S5 weiter. Im Schritt S5 wird unter Verwendung des im Schritt S4 durch den oben genannten Universalsimulator erhaltenen Prozessmodells ein zu einem konzipierten Muster passendes Maskenmuster erhalten. Im Ergebnis werden CAD- Maskendaten für die herzustellende Maske erzeugt.
Danach geht der Ablauf zu einem Korrigierte-Maske-Herstellschritt, einem Schritt S5, weiter. Im Schritt S5 wird eine korrigierte Maske entsprechend den erzeugten CAD-Maskendaten hergestellt.
Wenn eine korrigierte Maske hergestellt wird, erfolgt dies unter Maskenherstellbedingungen, gemäß denen der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der korrigierten Maske zum Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske innerhalb eines vorbestimmten Bereichs passt.
Danach geht der Ablauf zu einem Korrigierte-Maske-Übertragungsschritt, einem Schritt S7, weiter. Im Schritt S7 werden OPE-Kurven dadurch angepasst, dass die Belichtungsbedingungen der Belichtungsvorrichtung eingestellt werden.
Da die Testmaske und die korrigierte Maske unter den vorgenannten Maskenherstellbedingungen hergestellt werden, unterscheidet sich, obwohl Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Masken innerhalb des vorbestimmten Bereichs übereinstimmen, der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske geringfügig von dem der korrigierten Maske, da sich aufgrund der Reproduzierbarkeit des optischen Lithografieprozesses ein Unterschied zwischen den Masken hinsichtlich des Fehlers der Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster ergibt.
So wird in einem Schritt S₇ durch geringfügiges Variieren der numerischen Apertur (NA) und des Kohärenzfaktors (σin, σout) der Belichtungsvorrichtung innerhalb eines zulässigen Bereichs einer Lithografietoleranz aus einer Fokussiertoleranz und einer Belichtungsmengentoleranz die korrigierte Maske übertragen. Im Ergebnis werden Belichtungsbedingungen in solcher Weise erzielt, dass die OPE-Kurve der übertragenen CD in Bezug auf weite und enge Schrittweiten flach wird.
Wenn die korrigierte Maske entsprechend den erhaltenen Belichtungsbedingungen übertragen wird, kann der Unterschied zwischen den Masken hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beinahe beseitigt werden.
Gemäß der Erfindung wird, wenn die durch das OPC-Verfahren korrigierte Maske übertragen wird, mindestens einer der Werte der numerischen Apertur (NA) und des Kohärenzfaktors (σ) der Belichtungsvorrichtung erhalten, der es ermöglicht, dass die OPE-Charakteristik im vorbestimmten Bereich der Musterschrittweite flach ist. Die Maske wird bei den erhaltenen Bedingungen belichtet. Im Ergebnis kann der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster, der sich aus der Herstellung von Masken ergibt, in den vorbestimmten Bereich herab gedrückt werden.
Wenn mit den Maskenherstellbedingungen, gemäß denen ein Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske in den zulässigen Bereich eingeschränkt wird, eine Testmaske hergestellt wird und diese verwendet wird, wird unter Verwendung derselben ein Prozessmodell entnommen, und die Linienbreite der korrigierten Maske wird entsprechend dem Prozessmodell berechnet, wodurch der Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster des übertragenen Musters der korrigierten Maske in den zulässigen Bereich eingeschränkt werden kann.
Wenn eine Maske mit den Maskenherstellbedingungen hergestellt wird, gemäß denen der Unterschied zwischen der Test maske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster in den zulässigen Bereich eingeschränkt wird, kann der größte Teil des Unterschieds zwischen der Testmaske und der korrigieren Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beseitigt werden.
Außerdem wird im Belichtungsbedingungen-Einstellschritt mindestens einer der Werte NA und σ der Belichtungsvorrichtung geringfügig so variiert, dass die Prozesstoleranz nicht beeinträchtigt ist, und wenn die korrigierte Maske übertragen wird, wird ein Restfehler der OPE-Kurve für alle Schrittweiten minimal. Demgemäß kann, wenn die Testmaske und die korrigierte Maske auf Grundlage des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske in Übereinstimmung gebracht werden und der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske hinsichtlich des Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster beseitigt wird, der Unterschied beseitigt werden, der im Herstellschritt der korrigierten Maske geringfügig zwischen den Masken vorliegt. So kann die Korrekturgenauigkeit der Maske merklich verbessert werden.
ZUSAMMENFASSUNG
Es ist ein Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske geschaffen, das es ermöglicht, den Unterschied zwischen einer Testmaske und einer korrigierten Maske hinsichtlich eines Fehlers einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster zu verringern, wenn die Maskenmuster durch eine Korrektur mittels des optischen Nahanordnungseffekts korrigiert werden.
Das vorliegende Verfahren besteht aus Folgendem: Herstellen einer Testmaske, die als Maske zum Entnehmen eines Prozessmodells zum Anwenden eines Korrekturverfahrens mit optischem Nahanordnungseffekt wirkt (s1); übertragen und Messen der Abmessungen des unter Verwendung der Testmaske übertragenen Musters (s2 und s3); Erhalten eines Funktionsmodells (das als Prozessmodell bezeichnet wird), bei dem ein Simulationsergebnis des übertragenen Musters eines Maskenmusters der Fotomaske unter Verwendung eines Funktionsmodells zum Messergebnis passt (s4); Erhalten eines Maskenmusters unter Verwendung des Prozessmodells, für das ein übertragenes Muster zu einem konzipierten Muster passt, und Erzeugen von Maskendaten entsprechend dem Erhaltenen Maskenmuster (s5); Herstellen einer korrigierten Maske entsprechend den erzeugten Maskendaten (s5); und Einstellen einer Belichtungsbedingung, bei der eine OPE-Charakteristik hinsichtlich weiter und enger Schrittweiten flach wird, durch Einstellen der numerischen Apertur (NA) und/oder des Kohärenzfaktors (σ) einer Belichtungsvorrichtung, wenn die korrigierte Maske übertragen wird.
7

Claims

Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske unter Verwendung eines Korrekturverfahrens mit dem optischen Nahanordnungseffekt, wobei dieses Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske die folgenden Schritte aufweist: – Herstellen einer Testmaske, die als Maske zum Entnehmen des Funktionsmodells fungiert, das dazu erforderlich ist, das Korrekturverfahren mit optischem Nahanordnungseffekt anzuwenden; – Übertragen eines Maskenmusters der Testmaske auf einen Wafer und Messen der Abmessungen des übertragenen Musters; – Erhalten eines Funktionsmodells (das als Prozessmodell bezeichnet wird), das es ermöglicht, dass ein Simulationsergebnis der Abmessungen des auf den Wafer übertragenen Musters der Fotomaske mit einem Messergebnis übereinstimmt, das im Schritt des Übertragens und Messens erhalten wurde; – Erhalten eines Maskenmusters unter Verwendung des Prozessmodells, für das ein übertragenes Muster mit einem konzipierten Muster übereinstimmt, und Erzeugen von Maskendaten entsprechend dem erhaltenen Maskenmuster; – Herstellen einer korrigierten Maske entsprechend den erzeugten Maskendaten; und – Einstellen einer Belichtungsbedingung zum Erzielen einer numerischen Apertur (NA) und/oder eines Kohärenzfaktors (σ) einer Belichtungsvorrichtung in solcher Weise, dass eine OPE-Charakteristik in einem vorbestimmten Bereich einer Musterschrittweite flach wird, wenn die korrigierte Maske übertragen wird.
Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske nach Anspruch 1, bei dem im Schritt zum Herstellen einer Testmaske dieselbe mit Maskenherstellbedingungen hergestellt wird, gemäß denen ein Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster der Testmaske in einen zulässigen Bereich eingeschränkt werden kann.
Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem im Schritt des Herstellens einer korrigierten Maske dieselbe mit Maskenherstellbedingungen hergestellt wird, gemäß denen der Unterschied zwischen der Testmaske und der korrigierten Maske in Bezug auf einen Fehler einer Linienbreite abhängig von einem Grob/Dicht-Muster im vorbestimmten Bereich liegt.
Verfahren zum Korrigieren einer Fotomaske nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem im Schritt des Einstellens der Belichtungsbedingung der NA- und/oder der σ-Wert einer Belichtungsvorrichtung so eingestellt wird, dass die OPE-Kurve, gemäß der die korrigierte Maske übertragen wird, über alle Schrittweiten die flachste wird, und dass der Unterschied zwischen der korrigierten Maske und der Testmaske hinsichtlich des Fehlers abhängig von einem Grob/Dicht-Muster verringert ist.