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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes
bei der Übertragung
von Mustern auf ein Substrat.
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Im
Falle hoher Integrationsdichten bzw. sehr geringer Strukturbreiten,
beispielsweise im Bereich der Auflösungsgrenze eines Projektionssystems, kommt
es häufig
zu Abbildungsfehlern bei der Übertragung
von Strukturen von einer Maske auf einen Wafer. Liegen die Strukturelemente
besonders dicht beieinander, so kann es insbesondere auch zu unerwünschten
und unvermeidbaren Lichtbeiträgen
jeweils benachbarter Strukturelemente in der photoempfindlichen
Schicht kommen. Ursächlich
für diese auch
Proximity-Fehler genannten Naheffekte können Lichtstreuungen oder Beugungen
an Chrom- oder anderen Absorberkanten auf der Maske, Linsenimperfektionen,
variierende Resistdicken oder Mikro-Loading-Effekte, etc. sein.
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Die
Abbildungsfehler führen
somit zu Abweichungen zwischen den tatsächlich auf dem Wafer gebildeten
und den an sich vom Designer gemäß dem von
ihm vorgegebenen Layout gewünschten
Größen und
geometrischen Formen von Strukturelementen in dem abzubildenden
Muster. Das Layout wird üblicherweise
in elektronischer Form aus einem Design entsprechend den Erfordernissen
der herzustellenden integrierten Schaltung erstellt und geht aus
einer ebenenweisen Zerlegung des Designs hervor.
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Um
die Abweichungen zu korrigieren wird oftmals eine Korrektur (Optical
Proximity Correction" OPC)
angewendet, bei welcher in dem vorzugebenden Layout die die Größen, Positionen
und geometrischen Formen repräsentierenden
Daten derart modifiziert werden, dass nach der Übertragung auf dem Wafer die Strukturelemente
wie gewünscht
gebildet werden. Es handelt sich damit um eine datentechnische Kompensation
der physikalischen, d.h. optischen und prozesstechnischen Effekte.
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Es
sind zwei grundsätzlich
verschiedene Ansätze
bekannt, mit denen eine Korrektur durchgeführt wird:
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Bei
der regelbasierten OPC-Korrektur werden für Strukturelemente im Layout
jeweils einzeln die konkreten Konstellationen innerhalb des Musters ausgelesen.
Darunter fallen Linienbreiten, Linienabstände, geometrische Formen wie
Linienenden oder -verzweigungen, isolierte oder dichte, periodische Anordnungen
von Strukturelementen, etc. Diese Merkmale sind in einer Tabelle
hinterlegt, durch welche diesen Regeln zugeordnet werden, mit denen Modifikationen
an den jeweiligen Elementen vorgenommen werden. Mit diesem Verfahren
kann das gesamte Layout nach und nach abgefahren und zur Kompensation
der Proximity-Effekte modifiziert werden. Die Regeln werden anhand
von experimentellen Messungen angepasst.
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Bei
der aufwändigeren
simulations- oder modellbasiertem OPC-Korrektur werden die Modifikationen
der betroffenen Strukturelemente mit Hilfe eines Lithographiesimulators
berechnet. Dies ist ein Softwareprogramm, das anhand des vorgegebenen
Layouts den Vorgang der Übertragung
von der Maske, auf welcher das Muster des Layouts gebildet ist,
auf den Wafer simuliert.
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Dieser
Simulation liegt ein sogenanntes OPC-Prozessmodell zugrunde. Das
Modell legt den Abbildungsprozess eindeutig fest. Das Modell wird durch
einen Satz von Modellparametern charakterisiert oder repräsentiert.
Die Modellparameter können Eigenschaften
der optischen Projektion wie auch Eigen schaften des Resists oder
eines Ätzprozesses beschreiben.
Sie sind mit Werten belegt, die in einem nachfolgenden Fitting-Prozess variiert
werden können.
Es ist natürlich
auch möglich,
diese festzuhalten, d.h. nicht für
eine Anpassung freizugeben.
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Die
Modellparameter werden durch Anfitten der Modellergebnisse an experimentelle
Daten bestimmt. Dazu werden auf einer Maske gebildete Testmuster
zunächst
auf einen Wafer übertragen.
Es werden die dabei gebildeten Strukturelemente mit Messmikroskopen
detailliert ausgemessen. Die Messwerte – typischerweise einige hundert – werden
dann unter Anpassung der Werte für
die freigegebenen Modellparameter angefittet. Die der Simulation
zu Grunde liegenden, angenommenen physikalischen Zusammenhänge, in
welche die Modellparameter als Variablen eingehen, bleiben als solche
unverändert.
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Die
eigentliche OPC-Korrektur wird nun anhand des Modells in Iterationsschritten
durchgeführt. Das
jeweils korrigierte Layout wird zur Berechnung eines neuen, abgebildeten
Musters herangezogen. Das abgebildete Muster wird mit dem gewünschten Muster
(z.B. das ursprüngliche
Layout) verglichen, woraus dann eine neue Korrektur berechnet wird.
Da einzelne Korrekturanpassungen mit anderen wechselwirken können, so
dass immer noch Abweichungen bestehen, kann wieder ein nächster Iterationsschritt
notwendig werden. Erst bei befriedigender Übereinstimmung zwischen dem
gewünschten
und einem simulierten Layout werden die Iterationen beendet.
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Es
ist nun aber nicht immer möglich,
mit dem OPC-Prozessmodell den optischen Abbildungsprozess des Layouts
auf der Maske auf den Wafer mit ausreichender Genauigkeit zu beschreiben.
Als besonderer Fall sei die Berechnung der Korrek turen für Layouts
hervorgehoben, die Kontaktlochmustern entsprechen. Besitzen die
Kontaktlöcher
eine unterschiedliche Größe, so können diese
nicht gleichzeitig mit gleicher Präzision simuliert und damit
korrigiert werden. Ursächlich
hierfür
sind insbesondere Effekte aus dem Metrologiebereich, also solche
Effekte, die bei der experimentellen Messung des vorab tatsächlich abgebildeten
Testmusters auftreten. Es kommen darüber hinaus auch Masken- oder
Resisteffekte als Ursache in Frage.
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Als
ein weiteres Beispiel läßt sich
die Korrektur von Linienenden anführen. Die gerade bei Linienbreiten
im Bereich der Auflösungsgrenze
des Projektionssystems auftretende Verkürzung der Linienenden kann
häufig
nicht gleichzeitig mit diesen Linienbreiten mit ausreichender Genauigkeit
im Rahmen eines OPC-Prozessmodells simuliert werden, insbesondere
dann, wenn viele unterschiedliche Linienbreiten vorliegen.
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Eine
auf diesem ungenauen Modell basierende Korrektur liefert daher gleichermaßen fehlerhafte
Ergebnisse. Demzufolge sind bis zu einer detaillierten Untersuchung
und anschließenden
Behebung bzw. Berücksichtigung
dieser bisher außerhalb des
Modells liegenden Effekte weiterhin Abweichungen zwischen gewünschten
und tatsächlich
abgebildeten Strukturelementen zu erwarten.
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Bisher
hatte man einen Restfehler bei der OPC-Korrektur für ausgewählte Strukturklassen
und damit Abweichungen vom gewünschten
Muster bei der Übertragung
auf den Wafer akzeptiert.
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Es
ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein OPC-Korrekturverfahren
bereitzustellen, mit dem die Qualität der Korrektur verbessert
wird. Es ist insbesondere eine Aufgabe, für Layouts mit Strukturelementen
unterschiedlicher Größe, Form
und gegenseitigen Abständen
simultan eine hohe Übereinstimmung
zwischen gewünschten
und tatsächlich
erzieltem Ergebnis für
die Projektion auf dem Wafer zu erzielen.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch ein Verfahren zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes
bei der Übertragung
von Mustern auf ein Substrat, umfassend die Schritte: Vorgeben des
elektronisch gespeicherten Musters, das wenigstens ein erstes und ein
zweites Strukturelement aufweist, Vorgeben einer Regel, mit welcher
beliebige Strukturelemente in Abhängigkeit von ihrer geometrischen
Form, Länge, Breite
oder ihrem Abstand zu einem benachbarten, weiteren Strukturelement
ausgewählt
und in Klassen eingeteilt werden, Anwenden der Regel auf das Muster,
so dass das erste Strukturelement einer ersten Klasse und das zweite
Strukturelement einer zweiten Klasse von Strukturelementen jeweils
durch regelbasierte Auswahl zugeordnet wird, Anwenden eines ersten
Simulationsmodells zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes,
das durch einen ersten Satz von Modellparametern repräsentiert
ist, auf das Strukturelement der ersten Klasse, Anwenden eines zweiten
Simulationsmodells zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes, das durch
einen zweiten Satz von Modellparametern repräsentiert ist, auf das Strukturelement
der zweiten Klasse, so dass das erste Strukturelement und das zweite
Strukturelement jeweils in ihrer geometrischen Form und Größe angepasst
werden, wobei der erste und der zweite Satz von Modellparametern
unterschiedlich gewählt
werden, Abspeichern des Musters mit den zur Korrektur des optischen
Proximity-Effektes
angepassten Strukturelementen und Übertragen des abgespeicherten Musters
auf das Substrat.
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Die
Aufgabe wird außerdem
gelöst
durch ein Verfahren zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes
bei der Übertragung
von Mustern auf ein Substrat, umfassend die Schritte: Vorgeben des
elektronisch gespeicherten Musters, das wenigstens ein erstes und
ein zweites Strukturelement aufweist, Vorgeben einer Regel, mit
welcher das Muster in wenigstens ein erstes und ein zweites, jeweils
zusammenhängendes
Teilmuster eingeteilt werden kann, Anwenden der Regel auf das Muster
zur Zerlegung in die beiden Teilmuster derart, dass das erste Strukturelement
in dem ersten Teilmuster und das zweite Strukturelement in dem zweiten
Teilmuster angeordnet ist, Anwenden eines ersten Simulationsmodells zur
Korrektur des optischen Proximity-Effektes, das durch einen ersten
Satz von Modellparametern repräsentiert
ist, auf das Strukturelement in dem ersten Teilmuster, Anwenden
eines zweiten Simulationsmodells zur Korrektur des optischen Proximity-Effektes, das
durch einen zweiten Satz von Modellparametern repräsentiert
ist, auf das Strukturelement in dem zweiten Teilmuster, so dass
das erste Strukturelement und das zweite Strukturelement jeweils
in ihrer geometrischen Form und Größe angepasst werden, wobei
der erste und der zweite Satz von Modellparametern unterschiedlich
gewählt
werden, Abspeichern des Musters mit den zur Korrektur des optischen
Proximity-Effektes angepassten Strukturelementen und Übertragen
des abgespeicherten Musters auf das Substrat.
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Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen sind den abhängigen Ansprüchen zu
entnehmen.
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Die
vorgeschlagenen Lösungen
entsprechen einander bis auf den Unterschied, dass im ersten Fall Strukturklassen,
im zweiten Fall Teilmuster bzw. Layoutbereiche mit unterschiedlichen
OPC-Prozessmodellen korrigiert werden. Soweit die Teilmuster jeweils aus
Strukturelementen einer bestimmten Strukturklasse zusammengesetzt
sind, besteht Übereinstimmung
zwischen beiden vorgeschlagenen Lösungen.
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Mit
einer Strukturklasse werden Strukturelemente in Klassen einer festgelegten
geometrischen Form und Größe unterteilt.
Für eine
durch eine minimal herstellbare Strukturbreite gekennzeichnete Technologie – z.B. die
70 nm-Technologie – werden beispielsweise
Kontaktlochgeometrien gleicher Breite aber unterschiedlicher Länge entsprechend
ihrer Länge
unterteilt. Klassen entstehen vor allem dadurch, dass im Layout
nicht beliebige Längen
für Kontaktlöcher erstellt
werden, sondern vielmehr rasterartig verfügbare Längen wie 100 nm, 200 nm, 300 nm,
etc. festgelegt werden. Strukturelemente einer Strukturklasse, auf
die gerade eines der beiden OPC-Modelle angewandt wird, können zusammenhängend oder
weit verteilt im Layout vorliegen.
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Mit
einem Teilmuster oder Layoutbereich werden in diesem Dokument sowohl
funktionell als räumlich
zusammenhängende
Bereiche im Layout bezeichnet. Insbesondere Anordnungen mit gitterartigen
angeordneten oder sich periodisch wiederholenden Strukturelementen
fallen darunter. Teilmuster oder Layoutbereiche können auch
durch eine gemeinsame Regel definiert sein, etwa eine für den Bereich
geltende maximale oder minimale Strukturbreite oder ein entsprechender
maximal oder minimal zulässiger
Strukturabstand, der nur für
diesen Bereich gilt bzw. vorliegt.
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Wichtiger
Gesichtspunkt ist, dass anhand einer Regel eine eindeutige Auswahl – beispielsweise über einen
sogenannten Design-Rule-Check (DRC) – genau der Elemente einer
vorab bestimmten Strukturklasse oder eines vorab bestimmten Teilmus ters aus
dem Gesamtmuster stattfindet, andere Elemente dagegen zunächst nicht
ausgewählt
werden. Eine Auswahl kann aber auch über speziell markierte Flächen – etwa eines
im hierarchischen Dateiformat vorliegenden sogenannten Marking Layers – vorgenommen
werden.
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Die
Regel entspricht somit einer solchen, wie sie für die regelbasierte OPC-Korrektur üblicherweise
eingesetzt wird. Sie wird vorliegend an einem elektronisch gespeicherten
Muster ausgeführt.
Das Muster kann als Layout zum Beispiel in dem hierarchischen GDS
II-Format vorliegen.
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Für die regelbasiert
ausgewählten
Strukturelemente einer ersten Strukturklasse oder eines ersten Teilmusters
wird nun ein erstes OPC-Prozessmodell verwendet. Das erste OPC-Prozessmodell ist durch
einen ersten Satz von Modellparametern gekennzeichnet. Genauer gesagt,
es ist durch eine erste Kombination von Werten für die Modellparameter gekennzeichnet.
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Anhand
der gleichen Regel oder einer weiteren Regel werden auch Strukturelemente
einer zweiten Klasse oder eines zweiten Teilmusters ausgewählt, die
von den Elementen der ersten Klasse oder des ersten Teilmusters
verschieden sind. Es kann sich auch einfach um die von der gleichen
Regel nicht ausgewählten
Restelemente des Gesamtmusters handeln, deren Gemeinsamkeit darin
besteht, nicht zur ersten Strukturklasse oder zum ersten Teilmuster
zu gehören.
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Für diese
zweite Klasse oder das zweite Teilmuster wird ein zweites OPC-Prozessmodell
ausgewählt.
Dessen Wertekombination für
die Modellparameter unterscheidet sich von derjenigen des Modells der
ersten Klasse bzw. des ersten Teilmusters. Der Unterschied im Wert
eines einzigen Modellparameters kann ausreichen.
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Die
Werte für
die Modellparameter sind durch individuelles Anpassen an experimentelle
Daten auf die jeweiligen Klassen oder Teilmuster optimiert. Für die beiden
Klassen oder Muster werden nun getrennt OPC-Korrekturiterationen
durchgeführt, wobei
jeweils das entsprechende OPC-Prozessmodell verwendet wird.
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Der
Vorteil entsteht dadurch, dass vorab für die jeweiligen Strukturklassen
bzw. Teilmuster voneinander unabhängige Fitting-Prozeduren durchgeführt werden
können.
Die Probleme eines einheitlichen Prozessmodells können dabei
dadurch reduziert werden, dass die Genauigkeit der Korrektur bei Verwendung
verschiedener OPC-Prozessmodelle verbessert wird. Für eine Teilmenge
der Designstrukturen kann ein OPC-Modell mit kleinerem Restfehler gebildet
werden.
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Das
Gewicht der Effekte, die durch bisher nicht berücksichtigte Einflüsse wie
Resist- oder andere Prozesseffekte entstehen, tritt dadurch zurück, wenn
sie in geringem Maße
auch weiter fortbestehen. Auch fernreichweitige optische Effekte
wie die sogenannten Flares, die kaum im OPC-Prozessmodell zu berücksichtigen
sind, können
dadurch in ihrem nachteilhaften Einfluss wenigstens reduziert werden.
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Das
Resultat ist eine Verbesserung der Genauigkeit der OPC-Korrektur und damit
eine Erhöhung
der Qualität
der Abbildung des Layouts auf den Wafer. Dies führt wiederum zu einer Erhöhung der Ausbeute
(yield).
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Die
Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer
Zeichnung näher
erläutert
werden. Darin zeigen:
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1 in
einem Flussdiagramm beispielhaft den Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens;
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2 eine
Testmaske mit darauf angeordneten Kontaktlochelementen unterschiedlicher
Strukturklassen;
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3 eine
Testmaske mit darauf angeordneten Strukturelementen unterschiedlicher
Teilmuster;
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4–6 die
Ergebnisse einer Simulation der Projektion von Kontaktlöchern auf
einen Wafer im Vergleich mit experimentell ermittelten Messergebnissen:
mit einheitlichem OPC-Prozessmodell (4), mit
separatem Modell für
Doppelkontaktlochelemente (5) und mit
separatem Modell für sonstige
Kontaktlochelemente (6).
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1 zeigt
in einem Flussdiagramm beispielhaft den Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Es wird zunächst
ein Layout zur Herstellung einer Maskenebene vorgegeben (Schritt 102).
Das Layout wurde beispielsweise vorab aus dem Gesamtdesign einer
integrierten Schaltung extrahiert.
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Der
Anwendung des weiteren Verfahrens liegt die Kenntnis zu Grunde,
dass das konkrete Layout Probleme bei der Projektion von einer Maske
auf einen Wafer aufwirft. Insbesondere wurde die Erfahrung gemacht,
dass die bisher mit einem einheitlichem Modell OPC-korrigierten
Strukturen in ihren Dimensionen nicht mit den ursprünglich vorgesehenen Dimensionen übereinstimmen.
Es liegt dabei insbesondere ein Layout vor, das Strukturelemente
mit kritischen Breiten und gegenseitigen Abständen aufweist, die jedoch in
ihrer Form oder Dichte über
das Layout hinweg erheblich variieren.
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In
diesem Beispiel handelt es sich um eine Kontaktlochebene, die Kontaktlochelemente
gleicher Breite aber unterschiedlicher Länge und Dichte im Hinblick
auf Abstände
zu benachbarten Kontaktlochelementen aufweist.
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In
einem weiteren Schritt 104 wird eine Regel vorgegeben,
die die Kontaktlochelemente nach dem Kriterium der Länge und/oder
der Dichte der Anordnung einteilen kann. In 2 sind einige
der Kontaktlochanordnungen dargestellt, wie sie auf einer Maske 10 in
einem gemeinsamen Layout gebildet sind. Anhand der Regel können im
zugehörigen
elektronisch gespeicherten Layout die Abstände S, SS, SL, die (kritischen)
Breiten W, WL, die Längen
L und die Gitterperioden PL (pitches) bestimmt werden. Typische CAD-Programme
(CAD: Computer Aided design) besitzen eine Implementierung von Software-Routinen, mit
denen die Kontaktlochelemente erkannt und die entsprechenden Dimensionen
bestimmt werden können.
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Im
vorliegenden Beispiel werden „Doppelkontaktlochelemente", d.h. Kontaktlochelemente
einer bestimmten Längenklasse,
durch die in Schritt 104 vorgegebene Regel erkannt und
im Layout ausgemessen.
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In
Schritt 106 wird die Regel entsprechend auf das Layout
angewandt. Längere „Doppelkontaktlochelemente" 211–215 werden
dazu erkannt, ausgewählt
und einer ersten Strukturklasse 20 zugeordnet. Alle anderen
Kontaktlochelemente 221–225, die nicht in
die Längenklasse
der Doppelkontaktlochelemente fallen (in diesem Beispiel die kürzeren „Einfachkontaktlochele mente", werden einer zweiten Strukturklasse 22 zugeordnet
(2).
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2 zeigt
eine Testmaske 10. Um ein oder mehrere OPC-Modelle für den nächsten Schritt
zu erstellen, wird vorab das Layout mit den Strukturelementen der
verschiedenen Längenklassen
auf der Testmaske 10 ausgebildet, d.h. in ein Maskenschreiber-fähiges Format
umgewandelt und auf einer mit einem Resist beschichteten Maske gezeichnet. Schematisch
dargestellt sind im oberen Teil der Maske 10 Testmuster
der Doppelkontaktlochelemente 211–215 und im unteren
Teil der Maske 10 Testmuster der Einfachkontaktlochelemente 221–225.
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Die
Testmuster sind jeweils mit ihrer in Fachkreisen bekannten englischsprachigen
Bezeichnung versehen: „1D-chain", „line environment", „chequerboard
environment", „T-layout", „2Darray". Die Ausrichtung
der ein Kontaktlochelement umgebenden weiteren Elemente und deren
Abstand zum Kontaktlochelement könne
sich erheblich auf die Abbildungseigenschaften auswirken. Die Ausrichtung
der einzeln bezeichneten Testmuster auf der Maske 10 bzw. der
gegenseitige Abstand untereinander spielt dagegen in diesem Beispiel
keine Rolle.
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Mit
der Maske 10 wird in einem Belichtungsgerät ein Substrat
belichtet. Die auf das Substrat übertragenen
Strukturelemente, d.h. Kontaktlochelemente, werden anschließend einem
Messmikroskop zugeführt
und dort vermessen. Es werden beispielsweise die in 2 bezeichneten
Größen W, L,
S, SS, SL, etc. gemessen.
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Beim
Stand der Technik wurden nun für
das Modell sämtliche
Messwerte W, L, S, SS, SL etc. für das
Fitting der Modellparameter herangezogen. Diese Fitting-Prozedur
beinhaltet eine Optimierung der Modellparameter, z.B, derart, dass
die Abweichungen der gemessenen Einzelwerte von den aus einer Simulation
mit den zu optimierenden Modellparametern gewonnenen Werten in einem
x2-Test minimiert werden.
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Das
Ergebnis ist in dem Diagramm der 4 zu sehen.
Aufgetragen ist die Abweichung zwischen der gemessenen und der simulierten
Länge der
Kontaktlochelemente (y-Achse). Auf der x-Achse sind in Gruppen zusammengefasst
die einzelnen Testmuster aufgetragen, für die die Abweichungen ermittelt wurden.
Für jedes
Testmuster wurden die Größen W, L,
S, SS, SL auch als Eingangsparameter variiert, so dass für ein Testmustertyp
mehrere Abweichungswerte bestimmt werden konnten.
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Die
Messpunkte für
die im einzelnen in 2 bezeichneten Testmuster sind
durch Pfeile markiert. Die Ergebnisse für die Klasse der Doppelkontaktlochelemente
weichen für
den Satz letztendlich angefitteter Modellparameter deutlich von
denjenigen der „Einfachkontaktelemente„ und sonstigen
Kontakte ab. Der mittlere quadratische Fehler diese einheitlichen
OPC-Modells beträgt 3,4 nm.
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Die 5 und 6 zeigen
dagegen das erfindungsgemäße Vorgehen:
die entsprechenden Ergebnisse der durch Anwenden der Regel in die
Strukturklasse 20 eingeteilten Doppelkontaktlochelemente 221–225 sind
in 6 aufgetragen. Die Ergebnisse für die getrennt
davon simulierten und angefitteten Einfachkontakt-lochelemente 221–225 der
Strukturklasse 22 sind in 5 aufgetragen.
Der jeweils ermittelte mittlere quadratische Fehler von 2,8 nm (Strukturklasse 20)
bzw. 2,1 nm (Strukturklasse 22) ist gegenüber dem
einheitlichen Modell des Standes der Technik erheblich reduziert.
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Die
beiden getrennt an ihren experimentellen Daten optimierten Sätze von
Modellparametern repräsentieren
nun zwei verschiedene OPC-Modelle 202, 204, die
aber beide demselben Gesamtlayout zugeordnet werden.
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In
weiteren, getrennt durchzuführenden Schritten 108, 110 werden
die beiden getrennt berechneten OPC-Modelle 202, 204 zur
Durchführung der
OPC-Korrektur angewandt. Es werden dabei im demselben Layout aber
jeweils nur die betroffenen Kontaktlochelemente korrigiert, d.h.
mit Vorhalten (bias) oder sogenannten Hammerheads versehen. D.h.,
Einfachkontaktelemente 221–225 des Layouts werden
nicht durch das OPC-Verfahren nach Schritt 108 korrigiert,
bei dem das für
die Doppelkontaktlochelemente optimierte OPC-Modell 202 für die Simulation
zugrunde gelegt wird. Sie werden vielmehr nur gemäß dem OPC-Verfahren nach Schritt 110 korrigiert,
dem das zugehörige
OPC-Modell 204 zugrunde liegt.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
der Erfindung betrifft die Verwendung eines jeweils separaten OPC-Prozessmodells
für die
Korrektur von Linienenden bei der simulationsbasierten OPC Korrektur.
Es sind darunter nicht Korrekturen der Linienbreiten zu verstehen,
sondern vielmehr solche Korrekturen, welche die oftmals auftretende
Verkürzung
von Linienenden kompensieren. Mit ihr kann gemäß der Erfindung eine solche
Kompensation an Linienenden mit einer Einteilung der Linienelemente
in Strukturklassen erfolgen. Gesichtspunkte der Klasseneinteilung zum
Zweck der individuell angepasste OPC-Modelle sind dabei die Linienbreite
oder der Abstand des Endes zu weiteren Linien.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
betrifft die Verwendung separater OPC Modelle zur Korrektur langreichweitiger
Effekte für
ausgewählte
Layoutbereiche bzw. Teilmuster. Ein Beispiel ist in 3 zu
sehen. Langreichweitige Effekte mit Reichweiten von mehr als 1 μm, wie etwa
der Einfluß von
Streulicht (sog. Flares) können
auf herkömmliche
Weise mit einem einzigen OPC-Prozessmodell, mit dem typische Reichweiten
im Bereich von wenigen μm
simuliert werden, nicht korrigiert werden. Durch eine Aufteilung
des Layouts in Bereiche mit unterschiedlichem Streulichteinfluß und entsprechender
OPC-Korrektur mit separaten OPC Modellen ist somit auch eine Korrektur
von langreichweitigen Effekte möglich.
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Das
in 3 gezeigte Beispiel betrifft eine Maskenebene
zur Herstellung von aktiven Gebieten in einem Speicherbaustein.
Da im Bereich des Speicherzellenfeldes 31 im Mittel weniger
Licht durch die Maske gelangt, im Zuleitungs- und Peripheriebereich 33 aber
umso mehr, ist der äußere Bereich 32 des Feldes
vom Streulicht der Peripherie stärker
betroffen als das Innere des Speicherzellenfeldes. Mit der regelbasierten
Auswahl (Schritt 106) kann daher eine vorteilhafte Gruppierung
in Teilmuster 31–33 vorgenommen
werden, für
welche unterschiedliche OPC-Prozessmodelle gebildet werden.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
der Erfindung sieht vor, separate OPC-Prozessmodelle für Layoutbereiche
mit verschiedenem Untergrund einzurichten. Beispielhaft sei genannt
die regelbasierte Auswahl von Gateelektroden je nachdem, ob sie über aktiven
Gebieten oder Isolationsgräben
gebildet sind.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
sieht den Einsatz separater OPC-Prozessmodelle für verschiedene Proximity- bzw.
Linearity-Bereiche eines Layouts vor. Dazu gehört die Auswahl von Strukturelementen
nach dem Gesichtspunkt der Strukturbreite, d.h. lokaler Design-Regeln.
So kann etwa – beim
Beispiel des Speicherbausteins der 3 bleibend – jeweils
ein separates OPC-Prozessmodell für den Zellbereich (array edge),
den Randbereich (core) mit dem MUX-Spalt (MUX: Abkürzung für Mul-tiplex) und die weitere
Logikverdrahtung (periphery) vorgesehen werden.
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- 10
- Maske
- 20,
- 22 Strukturklassen
- 30–32
- Teilmuster
- 102
- Vorgeben
eines Layouts
- 104
- Vorgeben
einer Regel
- 106
- regelbasierte
Auswahl
- 108
- OPC-Korrektur
mit erstem Modell
- 110
- OPC-Korrektur
mit zweitem Modell
- 202
- erstes
OPC-Prozessmodell
- 204
- zweites
OPC-Prozessmodell
- 211–215
- Strukturelemente
der ersten Klasse
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- „Doppelkontaktlochelemente"
- 221–225
- Strukturelemente
der zweiten Klasse
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- „Einfachkontaktlochelemente"