JPH04204445A - 露光原版および露光装置 - Google Patents

露光原版および露光装置

Info

Publication number
JPH04204445A
JPH04204445A JP2328922A JP32892290A JPH04204445A JP H04204445 A JPH04204445 A JP H04204445A JP 2328922 A JP2328922 A JP 2328922A JP 32892290 A JP32892290 A JP 32892290A JP H04204445 A JPH04204445 A JP H04204445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
shape memory
memory alloy
light
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2328922A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Kudo
均 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2328922A priority Critical patent/JPH04204445A/ja
Publication of JPH04204445A publication Critical patent/JPH04204445A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、露光原版および露光装置に関し、特に、半導
体装置の製造プロセスにおけるホトリソグラフィに適用
して有効な技術に関する。
〔従来の技術〕
たとえば、半導体装置の製造プロセスでは、周知のホト
リソグラフィの反復によって、半導体基板に所望の回路
構造を転写形成することか行われている。
ところで、このような、ホトリソグラフィ技術に用いら
れる、ホトマスクやレチクルなとの露光原版としては、
たとえば株式会社オーム社、昭和53年3月20日発行
[半導体・IC用語事典」P2S5、などの文献に記載
されているように、ガラス基板などにクロムなとの金属
薄膜からなる遮光膜を所望の転写パターンに被着させた
構造のものか用いられている。
〔発明か解決しようとする課題〕
ところか、上記の従来の露光原版では、1枚当たり1種
類のパターンしか転写てきないため、構造か複雑で、ホ
トリソグラフィの繰り返し数の多い半導体装置の場合に
は、当該繰り返し数分たけ、多数の露光原版を用意する
必要かあり、露光原版の製作や管理運用に多くのコスト
や工数を要するという問題かある。
また、−旦、特定のパターンか形成された露光原版を他
に転用するなとの柔軟な運用かできないという問題もあ
る。
そこで、本発明の目的は、実質的な製作コストの削減お
よび管理運用作業の簡略化を実現することか可能な露光
原版を提供することにある。
本発明の他の目的は、露光工程の所要時間の短縮および
コストの削減か可能な露光装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるてあろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる露光原版は、露光光に対して透
明な基板に所望のパターンの遮光膜を被着してなる露光
原版であって、遮光膜か異なる温度で複数種のパターン
を記憶した形状記憶合金からなるものである。
また、本発明の露光原版は、遮光膜を構成する形状記憶
合金か、露光光に対して透明で、弾性に富む接着剤を介
して基板に被着されてなるものである。
また、本発明の露光原版は、形状記憶合金に複数種のパ
ターンを記憶させる操作か、形状記憶合金の変態温度に
おけるエネルギービームの照射によって基板に被着され
た形状記憶合金に所望のパターンを描画する第1の段階
と、描画後の形状記憶合金を所望の記憶温度に保持して
パターンを記憶させる第2の段階とを繰り返すことて行
われるようにしたものである。
また、本発明になる露光原版は、形状記憶合金に記憶さ
れた複数種のパターンを再生させる所望の温度に基板を
加熱する加熱手段を備えたものである。
本発明になる露光装置は、被露光物か載置される試料台
と、露光光を得る照明光学系と、露光光を所望のパター
ンに透過させる露光原版と、この露光原版を透過した露
光光を被露光物に照射する投影光学系とを備えた露光装
置であって、露光原版の温度を所望の値に制御する温度
制御手段を備えたものである。
また、本発明になる露光装置は、使用する露光原版か、
請求項1,2.3または4記載の露光原版からなるもの
である。
〔作用〕
上記した本発明の露光原版によれば、1枚の露光原版を
用いて、複数種のパターンの露光を行うことかでき、所
望の品種の半導体装置の製造プロセスなとにおいて、用
意し、なければならない露光原版の枚数を大幅に削減す
ることが可能となる。
また、露光装置などに対する露光原版の着脱頻度なとも
減少する。
これにより、露光原版の実質的な製作コストの削減およ
び管理運用作業の簡略化を実現することができる。
また、上記した本発明の露光装置によれば、たとえば、
形状記憶合金によって遮光膜か形成された露光原版の温
度を、複数種の記憶パターンの各々に固在の特定温度に
適宜制御して、当該露光原版に記憶されているパターン
を再生することで、露光原版の交換回数か減少し、当該
交換作業による露光作業の中断頻度か減少するので、露
光工程の所要時間の短縮およびコストの削減を図ること
かできる。
〔実施例1〕 以下、図面を参照しなから、本発明の一実施例である露
光原版および露光装置の一例について詳細に説明する。
第1図fa)〜(e)は、本発明の一実施例である露光
原版の製造工程の一例を工程順に模式的に示す説明図で
あり、第2図および第3図は、それぞれ、本実施例の露
光原版の略断面図および平面図である。
本実施例の露光原版lOは、露光光に対して透明なガラ
ス基板11と、このガラス基板11に、接着膜12を介
して被着された形状記憶合金膜13とを備えている。
接着膜12は、露光光に対して透明であるとともに、ガ
ラス基板IIの平面方向における形状記憶合金膜13の
変位を容易ならしめるような適度の弾性を有している。
また、ガラス基板11における形状記憶合金膜13の被
着面には、当該形状記憶合金膜13の被着領域を取り囲
むように配置された枠材14を介して透明なペリクル1
5が被着されており、形状記憶合金膜13に対する異物
の付着を防止している。
ここで、本実施例の形状記憶合金膜13には、たとえば
、第1図(al〜(e)に示される工程で、複数のパタ
ーンか記憶される。
すなわち、まず、ガラス基板11の上に、接着膜12を
介して形状記憶合金膜13を被着させる(同図(a))
次に、形状記憶合金膜13の変態温度(記憶したパター
ンを後に再現させる温度)の範囲内にした状懇で、たと
えば電子線なとの二不ルギヒームEを照射し、形状記憶
合金膜13に対して所望のパターン+3aを描画形成す
る(同図(b))。
さらに、こうして所望のパターン+3aか描画された形
状記憶合金膜13を、記憶温度に加熱または冷却して、
前述の描画パターン13aを記憶させる(同図(C))
その後、温度を変化させるなとして、形状記憶合金膜1
3を、パターン描画前の状懸にする(同図(d))。
そして、記憶させるべきパターン13a、パターン+3
b、パターン!3c、、、の数だけ、適宜設定温度を変
化させなから同図(bl〜(dlの工程を繰り返す。こ
れにより、形状記憶合金膜13には、互いに異なる温度
て再現される複数のパターンか記憶される。
こうして、形状記憶合金膜13に対して複数のパターン
を記憶させた後、枠材14を介してペリクル15を装着
する(同図(e))。
次に、こうして製作された露光原版Ioを用いる露光装
置20の構成の一例を、第4図などを参照しなから説明
する。
水平面内なとにおいて移動自在な試料台21の上には、
ホトレジストなどが表面に塗布された半導体基板22か
載置される。
この試料台21の上方には、下側から順に、投影光学系
23.マスクステージ24.照明光学系25、露光光P
を放射する光源26か、相互に光軸か一致するように配
置されている。マスクステージ24には、前述の露光原
版loかセットされている。
この場合、マスクステージ24には、当該マスクステー
ジ24にセットされる露光原版10の温度を所望の値に
制御する温度開園手段24aが配置されている。
以下、本実施例の露光原版10および露光装置20の作
用の一例について説明する。
まず、マスクステージ24に、試料台2!に載置されて
いる半導体基板22に転写すべき複数のパターンを記憶
した露光原版1oを装填し、光軸に対する位置決めを行
う。
さらに、マスクステージ24に設けられた温度制御手段
24aによって、露光原版lOの温度を目的のパターン
に応じた所望の値に設定し、これにより、形状記憶合金
膜13は、たとえば当該設定温度に対応して記憶されて
いたパターン13aを再現する。
一方、試料台21には、前記パターン13aを転写すべ
き、ホトリソグラフィの特定の露光段階にある半導体基
板22が載置される。
次に、試料台21を適宜移動/停止させ、半導体基板2
2の所望の部位を投影光学系23の光軸上に位置決めす
る。この状懸で、光源26から放射される露光光Pを、
照明光学系25を介して露光原版10のパターン13a
を透過させ、さらに当該露光原版lOを所定のパターン
13aに透過した露光光Pを投影光学系23を介して半
導体基板22に照射する。
これにより、半導体基板22の表面に塗布されている図
示しないホトレジストかパターン13aに感光する。以
降は、試料台21を適宜移動停止させなから、同様の操
作を繰り返しくステップアントリピート)、半導体基板
22のほぼ全領域に所定のパターン13aを反復転写す
る。
次に、他の露光段階の半導体基板22を露光処理する場
合には、マスクステージ24の温度制御手段24aによ
り、露光原版IOの温度を他の特定の値に変化させ、当
該温度に対応して記憶されていた他のパターン+3bを
形状記憶合金膜13によって再現し、前述のような露光
作業を遂行する。
すなわち、本実施例の露光原版lOおよび露光装置20
の場合には、複数のパターン13a−130が露光原版
lOに異なる温度で記憶され、当該露光原版10の温度
を適宜変化させるたけてこれらの複数のパターンの任意
の一つを形状記憶合金膜13に再現することが可能であ
る。
このため転写すべきパターンの異なる複数の露光段階の
各々について露光原版IOを用意する必要かなく、製作
すべき露光原版lOの枚数か大幅に削減され、特定の製
品品種の製造に要する露光原版10の実質的な製造コス
トか減少するとともに、管理運用作業か簡略化される。
また、露光原版10を交換することなく、露光装置20
に露光原版10を装着したままで、複数の露光段階毎に
おける露光作業を遂行できるので、露光作業が頻繁に中
断されることかなくなり、露光工程の所要時間の短縮お
よびコストの削減を実現することができる。
〔実施例2〕 第5図は本発明の他の実施例である露光原版lOaの構
成の一例を模式的に示す略平面図である。
この実施例2の場合には、露光原版10a自体に、当該
露光原版10aの温度を制御する手段か設けられている
ところが前記実施例1の場合と異なる。
すなわち、露光原版10aのガラス基板11には、中央
部に設けられた形状記憶合金膜13を取り囲むように温
度制御部材16と、当該温度制御部材16に電力を供給
するための複数の給電端子17か配置されている。
温度1lIJ御部材16は、たとえば給電端子17から
得られる電力による、電気抵抗加熱やペルチェ効果など
を利用した冷却によって、露光原版10a全体の温度制
御を行うものである。
そして、このような温度制御部材16による露光原版1
0aの任意の温度制御によって、当該露光原版10aを
構成する形状記憶合金膜I3に記憶されている複数のパ
ターンの個別的な再現か行われる。
このように、本実施例2の露光原版10aの場合にも、
前記実施例1の露光原版10の場合と同様の効果を得る
ことかできる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、露光原版やn光装置の構造は前述の各実施例
に例示したものに限らない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になる露光原版によれば、1枚の露光
原版によって、複数種のパターンの露光を行うことかで
き、所望の品種の半導体装置の製造プロセスなどにおい
て、用意しなければならない露光原版の枚数を大幅に削
減することか可能となる。また、露光装置などに対する
露光原版の着脱頻度なとも減少する。
これにより、露光原版の実質的な製作コストの削減およ
び管理運用作業の簡略化を実現することかできる。
また、本発明の露光装置によれば、たとえば、形状記憶
合金によって遮光膜か形成された露光原版の温度を、複
数種の記憶パターンの各々に固有の特定温度に適宜制御
して、当該露光原版に記憶されているパターンを再生す
ることで、露光原版の交換回数か減少し、当該交換作業
による露光作業の中断頻度が減少するので、露光工程の
所要暗闇の短縮およびコストの削減を図ることかできる
【図面の簡単な説明】
第1図(al〜(elは、本発明の実施例1である露光
原版の製造工程の一例を工程順に模式的に示す説明図、 第2図は、本発明の実施例1である露光原版の略断面図
、 第3図は、本発明の実施例1である露光原版の平面図、 第4図は、本発明の一実施例である露光装置の構成の一
例を模式的に示す側面図、 第5図は、本発明の実施例2である露光原版の略平面図
である。 10.10a・・・露光原版、11・・・ガラス基板、
12・・・接着膜、13・・・形状記憶合金膜、13a
〜13C・・・パターン、14・・・枠材、15・・・
ペリクル、16・・・温度制御部材、17・・・給電端
子、2o・・・露光装置、21・・・試料台、22・・
・半導体基板、23・・・投影光学系、24・・・マス
クステージ、24a・・・温度制御手段、25・・・照
明光学系、26・・・光源、P・・・露光光、E・・・
エネルギビーム。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第1図 第2図 榎 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、露光光に対して透明な基板に所望のパターンの遮光
    膜を被着してなる露光原版であって、前記遮光膜か、異
    なる温度で複数種の前記パターンを記憶した形状記憶合
    金からなることを特徴とする露光原版。 2、前記遮光膜を構成する前記形状記憶合金か、前記露
    光光に対して透明で、弾性に富む接着剤を介して前記基
    板に被着されてなることを特徴とする請求項1記載の露
    光原版。 3、前記形状記憶合金に複数種の前記パターンを記憶さ
    せる操作か、前記形状記憶合金の変態温度におけるエネ
    ルギービームの照射によって前記基板に被着された前記
    形状記憶合金に所望の前記パターンを描画する第1の段
    階と、描画後の前記形状記憶合金を所望の記憶温度に保
    持して前記パターンを記憶させる第2の段階とを繰り返
    すことで行われることを特徴とする請求項1または2記
    載の露光原版。 4、前記形状記憶合金に記憶された複数種の前記パター
    ンを再生させる所望の温度に前記基板を加熱する加熱手
    段を備えたことを特徴とする請求項1、2または3記載
    の露光原版。 5、被露光物が載置される試料台と、露光光を得る照明
    光学系と、前記露光光を所望のパターンに透過させる露
    光原版と、この露光原版を透過した前記露光光を前記被
    露光物に照射する投影光学系とを備えた露光装置であっ
    て、前記露光原版の温度を所望の値に制御する温度制御
    手段を備えたことを特徴とする露光装置。 6、前記露光原版か、請求項1、2、3または4記載の
    露光原版からなることを特徴とする請求項5記載の露光
    装置。
JP2328922A 1990-11-30 1990-11-30 露光原版および露光装置 Pending JPH04204445A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2328922A JPH04204445A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 露光原版および露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2328922A JPH04204445A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 露光原版および露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04204445A true JPH04204445A (ja) 1992-07-24

Family

ID=18215593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2328922A Pending JPH04204445A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 露光原版および露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04204445A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108205239A (zh) * 2018-01-03 2018-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种压印模板及其制作方法、压印方法
CN108535953A (zh) * 2018-03-29 2018-09-14 上海华力集成电路制造有限公司 光刻掩模版

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108205239A (zh) * 2018-01-03 2018-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种压印模板及其制作方法、压印方法
CN108535953A (zh) * 2018-03-29 2018-09-14 上海华力集成电路制造有限公司 光刻掩模版

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI411523B (zh) 壓印設備和製造產品的方法
JPH10112579A (ja) レジスト露光方法及びその露光装置
JP6679328B2 (ja) インプリント装置、制御方法及び物品の製造方法
JP2002075817A (ja) ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置
CN104820343B (zh) 光刻装置、光刻系统和物品的制造方法
US20060192933A1 (en) Multiple exposure apparatus and multiple exposure method using the same
JPH04204445A (ja) 露光原版および露光装置
JPH09199393A (ja) 一括マスク搭載ホルダ構造
JPH08227851A (ja) ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム
CN104950582B (zh) 一种边缘曝光系统和边缘曝光方法
US20080311314A1 (en) Multiple tools using a single data processing unit
JP2000338649A (ja) プリント基板の製造装置および製造方法
JPH10261559A (ja) 半導体装置の製造方法および露光装置
JP2007035706A (ja) 搬送装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP3770959B2 (ja) 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法
JP2002373845A (ja) 電子線露光方法及び電子線露光装置
KR20000011336A (ko) 집적회로제조용반주문형레티클제조시스템및그방법
JP3894979B2 (ja) 露光装置
US7170578B2 (en) Pattern control system
JP2886408B2 (ja) 両面パターン形成方法
JPS60221757A (ja) 露光用マスク
KR100564216B1 (ko) 액정표시장치용 노광장치 및 그것을 사용한 노광방법
US8547526B2 (en) Photolithography systems and associated methods of selective die exposure
JPH0513303A (ja) 縮少投影露光装置
KR100608449B1 (ko) 반도체 소자의 노광 시스템