JPS5848053A - マスクパタ−ンの間隙発生防止方法 - Google Patents

マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

Info

Publication number
JPS5848053A
JPS5848053A JP56145462A JP14546281A JPS5848053A JP S5848053 A JPS5848053 A JP S5848053A JP 56145462 A JP56145462 A JP 56145462A JP 14546281 A JP14546281 A JP 14546281A JP S5848053 A JPS5848053 A JP S5848053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rectangle
memory
data
mask
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56145462A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6212506B2 (ja
Inventor
Masaaki Hayashi
政昭 林
Shigeru Omori
茂 大森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56145462A priority Critical patent/JPS5848053A/ja
Publication of JPS5848053A publication Critical patent/JPS5848053A/ja
Publication of JPS6212506B2 publication Critical patent/JPS6212506B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マスクパターンの間隙発生防止方法に関し、
特に露光パターンを矩形に分割して蕗九を行なうことに
よってマスクパターンを作成するマスク露光装置におけ
るマスクパターンの間隙発生防止方法に関する。
最近、LSI、ハイブリッドICその他の微細パターン
等のエツチング用マスクを作成するための露光E置とし
てバリアプルアノや一チェア露光装置が用いられている
。該露光装置は露光すべきパターンを複数の矩形に分割
して鱈光全行なうもので、各々の矩形の露光は該矩形を
表わす与えられた矩形データに応じた矩形開口を機誠的
なシャッタによp形成して行ガう。
ところが、このよう々露光装置においては、露光装置の
シャッタ寸法やシャッタ位置合せの機械的精度の限界か
ら、各矩形・母ターンが相接する箇所に例えば1ミクロ
ン程度の間隙が生じる場合があバこのような間隙のある
マスクでLSI等の膜形成を行々9と・ヤターン切れ等
の不良を生じるおそれがある。
このような間隙の発生を防止するため、従来、所望する
マスクの10倍程度の大きさのマスクを上記露光装置に
よって作成し、このマスクを縮少して所望寸法のマスク
を作成することにより上記間隙を吸収し消去していた。
しかし方から、前記従来形においては、所望寸法のマス
クを作成する場合にマスクの縮少等を行なう必要がある
ため、マスク作成に余分の手間を要するという不都合が
あった。
本発明の目的は、前述の従来形における問題点にかんが
み、マスクパターンの間隙発生防止方法において、露光
装置に入力する矩形データを所定の手順により予め補正
しておくという構想にもとづき、マスクの才宿少笠によ
ってマスクパターンの間隙を吸収する手間を省き、簡単
な手順によって自動的かつ確実にマスクパターンの間隙
発生全防止しLSI等の膜形成におけるパターン切れ等
の不具合を除去することにある。
本発明は、M元パターンを矩形に分割し各矩形に対応す
るi4ターンデータにもとづき各矩形ごとに露光を行な
うことによってマスクツ母ターンを作成するマスク露光
装置におけるマスクツ(ターンのの間隙発生防止方法に
おいて、互に相接する矩形の内の第1の矩形の1辺が第
2の矩形の1辺内に含まれる場合には該第1の矩形の該
1片を微少幅だけ外方へ移動する如く該第1の矩形を拡
張し、互に相接する矩形の内の第1の矩形の1辺の1部
と第2の矩形の1辺の1部とが接する場合には相接する
部分の辺を中央に含む微少幅の矩形のパターンデータを
新たに発生することを特徴とする。
以下図面を用いて本発明の1実施例を説明する。
本発明においては、例えば第1図に示すような露光すべ
きパターンを、第2図に示すように矩形A。
B、Cに分割し、各矩形A、B、C’に表わすパターン
データ、例えば各矩形の対角2点を表わす座標データ(
Xl*Yt:Xm+Ys)+ (Xs、Ys:X4r 
Y4)r (Xs、YS: Xs r YS )を前記
のバリアプル・アパチュア籟光装置等の多算元装置に与
えて各矩形ごとに露光を行なう。但し、このよう彦座標
データをそのまま用いて露光を行々うと前述の理由によ
って、第3図のように各矩形A、BまたはB、Cの間に
間隙G1またはG2を生ずるおそれがある。そのため本
発明においては後に詳述する原則によって、第4図点線
のように、短形Bの矩形Aと相接する辺を矩形A側に若
干移動する如く矩形f3f:拡大するように矩形Bの座
標データを補正し、矩形A、B間に間隙G1が生ずるこ
とを防止している。また、矩形1部C間の間隙G2は両
矩形B、Cの相接する部分の辺を含む、第4図斜線で示
されるよう々、新たな矩形りを追加してM元することV
Cよって防止している。
第5図は、本発明の方法’(r実施するためのパターン
データ処理装置を示す。同図の装b−は、各処理段階に
おける)9ターンデータ全記憶するためのメモリ1 、
2 、3、メモリ1に記憶されたノ母ターンデータを認
識し矩形分割に必要なデータを作成する認識回路4、メ
七り2に記憶されたパターンデータを矩形分割する分割
回路5、比較回路6、第1補正回路7、第2補正回路8
および変換回路9を具備する。
第5図の・母ターンデータ処理装置の動作を説明する。
メモリ1にはコンピュータ等で自動発生されるかあるい
はディジタイザ等で作成された入カバターンデータD工
Nが入力され記憶される。該入力A! ター ンデータ
DINは例えば第1図の露光パターンにおける各折点の
座標ヲ表わすデータとして与えられる。次に、認識回路
4においてメモリ1に記憶された座標データから矩形分
割に必要なデータが認識され抽出されてメモリ2に記憶
される。
すなわち第2図に示すような各矩形の対角2点の座標デ
ータXI * Yl :X! + Yz ;Xs # 
YS :X41Y4 :Xs 、 Yll :X−、y
sが認識されメモリ2に記憶される。さらに、メモリ2
に記憶された座標データは分割回路5において第2図の
各矩形A。
B、Cごとに分割整理されてメモリ3に記憶される。す
なわちメモリ3に記憶される座標データは矩形A・・・
・・・XI +YtおよびX2.Yll矩形B・・・・
・・Xs、YsおよびX 4 t Y 4矩形C・・・
・・・Xs 、 YSおよびXa 、 Ysのように矩
形ごとに分類記憶される。
このようにしてメモリ3に記憶された座標データは比較
回路6に読み出され、補正が必要かどうかおよび補正の
種類が判断される。よシ詳細に説明すると、比較回路6
はメモリ3に記憶された各矩形の座標データを互に比較
し相接する9目形があるかどうか(例えばX座標値が一
致するかどうか)を判断するとともに、相接する矩形の
イ[]接する辺の状態を判断する。すなわち、第2図に
おける矩形A、Hのように一方の矩形Bの辺が他方の矩
形Aの辺に含1わでいる場合(Yl≦Y3≦Y2゜Y1
≦Y4≦Y2の場合)は第1補正回路7に各座標データ
および補正指令信号を入力する。これに対して、第2図
における矩形B、Cのように、一方のケ(1形Bの辺が
他方の矩形Cの辺と互に部分的に重なり合っている場合
(Ys≦Y6≦Ya 、 Ys≦Ys≦Y6の場合)は
第2補正回路8に各座標データおよび補正指令信号を入
力する。
第1補正回路7は、矩形Bの左辺全第4図矢印の如く、
す々わち矩形Bの左辺を微少幅だけ左方へ移動する如く
、矩形Bを点線のように拡張する。
この場合の拡張幅は崖光装置のシャッタの位献合せ精度
等から予想される最大幅の間隙を補正できる値とされる
3、第1補正回路7は、このようにして拡張された矩形
Bの新たな座標データX3’ 、 Ys:X4.Y4)
eメモリ3に入力し、矩形Bの元の座標データ(Xs 
、Y3 :X4 、 Y4 )と置きかえ記憶させる。
第2補正回路8は、矩形B、Cの互に重なり合う部分の
辺を中央に含む前記と同様の微少幅の矩形りを新たに発
生させ、該矩形りの座標データ(Xテ、Ys:Xs、Y
s)をメモリ3に新たに書き込む。
このようにして、メモリ3には矩形A1拡張された矩形
B1矩形Cおよび追加された矩形りの座標データが記憶
され、変換回路9においてこれらの座標データが露光装
置に適した出力データ1)OUTに変換されてg光装置
に入力される。
なお、上述においては露光パターンをY軸すなわち図面
縦方向の軸に沿って矩形・臂ターンに分割する場合につ
き説明したが、本発明はこれに限らずX軸すなわち図面
横方向の軸に沿って分割を行左うことができることは明
らかである。
上述のように、本発明によれば、露光装置に入力される
露光データを予め補正しておくことによシ、マスクの縮
少等によってマスクツやターンの間隙を吸収する手間が
省かれ、簡単な手順によって自動的かつ確実にマスクツ
臂ターンの間隙発生を防止することができ、LSI等の
膜生成におけるパターン切れ等の不具合を除去すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、露光すべきパターンの1例を示すパターン図
、 第2図は、第1図のパターンの矩形分割の方法の1例を
示すパターン図、 第3図は、各矩形の間に間隙を生じた状態を示すノやタ
ーン図、 第4図は、本発明の1実施例に係る間隙発生防止方法を
説明するためのパターン図、そして第5図は、本発明の
1実施例に係る間隙発生防止方法を行なうためのパター
ンデータ処理装置を示すブロック回路図でるる。 1 、2 、3・・・メモリ、4・・・認識回路、5・
・・分割回路、6・・・比較回路、7・・・第1補正回
路、8・・・第2補正回路、9・・・変換回路。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士  青 木   朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内田幸男 弁理士  山 口 昭 之

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 露光パターンを矩形に分割し各矩形に対応するパターン
    データにもとづき各矩形ごとに露光を行なうことによっ
    てマスクツ9ターンを作成するマスク露光装置における
    マスクパターンの間隙発生防止方法において、互に相接
    する矩形の内の第1の矩形の1辺が第2の矩形の1辺内
    に含まれる場合には該第1の矩形の該」片を微少幅だけ
    外方へ移動する如く該第1の矩形を拡張し、互に相接す
    る矩形の内の第1の矩形の1辺の1部と第2の矩形の1
    辺の1部とが接する場合には相接する部分の辺を中央に
    含む微少幅の矩形のパターンデータを新たに発生するこ
    とを特徴とするマスクパターンの間隙発生防止方法。
JP56145462A 1981-09-17 1981-09-17 マスクパタ−ンの間隙発生防止方法 Granted JPS5848053A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56145462A JPS5848053A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56145462A JPS5848053A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5848053A true JPS5848053A (ja) 1983-03-19
JPS6212506B2 JPS6212506B2 (ja) 1987-03-19

Family

ID=15385791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56145462A Granted JPS5848053A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 マスクパタ−ンの間隙発生防止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5848053A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218650A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Canon Inc パタ−ン露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218650A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Canon Inc パタ−ン露光方法
JPH0585895B2 (ja) * 1984-04-16 1993-12-09 Canon Kk

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6212506B2 (ja) 1987-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100475621B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치, 그 제조 방법 및 마스크의 제작방법
US6340542B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a photomask, and a master mask
US8119308B2 (en) Photomask, apparatus for manufacturing semiconductor device having the photomask, and method of manufacturing semiconductor device using the photomask
JP4047725B2 (ja) レチクル/マスク書き込みのためのデータ管理方法
WO2008033879A2 (en) Method for achieving compliant sub-resolution assist features
US11763057B2 (en) Critical dimension uniformity
US20050257188A1 (en) Pattern correcting method, mask making method, method of manufacturing semiconductor device, pattern correction system, and computer-readable recording medium having pattern correction program recorded therein
CN115034170A (zh) 形成电路布局图的方法及系统与产生单元布局的方法
JP2001296645A (ja) ホトマスク並びに光近接効果補正用データの処理方法及び装置
KR20010039544A (ko) 반도체 집적 회로의 노광 방법 및 노광 장치
US20040029024A1 (en) Exposure method, mask fabrication method, fabrication method of semiconductor device, and exposure apparatus
JP3998458B2 (ja) 波長に依存しないリソグラフィ用の露光パターン生成方法及び露光パターン生成装置
US6622297B2 (en) Pattern correcting method and pattern verifying method
JPS6298724A (ja) 電子線描画装置
JPS5848053A (ja) マスクパタ−ンの間隙発生防止方法
US20100042967A1 (en) Meef reduction by elongation of square shapes
JPH06168869A (ja) 電子線描画方法及びその装置
JP3119202B2 (ja) マスクパターン自動発生方法およびマスク
JP4562934B2 (ja) フォトマスクデータのopc補正処理の検証方法
KR20080018039A (ko) 오프 그리드 방지를 위한 opc 처리방법
JP3592098B2 (ja) マスクパターン作成方法および装置
JP3057580B2 (ja) 露光装置及びこれを用いたレイアウトデータの作成方法
JPH02139911A (ja) レチクル作成方法
JPH1187223A (ja) 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
JP2000138159A (ja) マスクパターン作成方法および装置