JPS63283021A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS63283021A JPS63283021A JP62118010A JP11801087A JPS63283021A JP S63283021 A JPS63283021 A JP S63283021A JP 62118010 A JP62118010 A JP 62118010A JP 11801087 A JP11801087 A JP 11801087A JP S63283021 A JPS63283021 A JP S63283021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pattern
- reticle
- stepper
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
くイ）産業上の利用分野
本発明はウェハ等への露光方法の改良に関する。
く口）従来の技術
ウェハの露光は、レチクル上のパターンをステッパーを
用い縮小投影して行なわれている。
用い縮小投影して行なわれている。
第３図にレチクルとウェハの概略配置が示されており、
（１）は光源、り２）は例えは５インチ角のレチクル、
（３）は縮小投影用のレンズ、（４）はウェハである。
（１）は光源、り２）は例えは５インチ角のレチクル、
（３）は縮小投影用のレンズ、（４）はウェハである。
ガラス製の基板を用いたレチクル（２）には、設計の段
階でパターンジェネレータを用い、ウェハ上の各チップ
に投影される現実のパターンを１０倍または５倍等に拡
大したパターンが形成されている。レチクル＜２）に光
源（１）からの光を当て、レンズ（３）でそれを１／１
０または１１５に縮小してウニハク４）に投影すると、
レチクル（２）上のパターンが実際にウェハ（４）に焼
き付けられる。
階でパターンジェネレータを用い、ウェハ上の各チップ
に投影される現実のパターンを１０倍または５倍等に拡
大したパターンが形成されている。レチクル＜２）に光
源（１）からの光を当て、レンズ（３）でそれを１／１
０または１１５に縮小してウニハク４）に投影すると、
レチクル（２）上のパターンが実際にウェハ（４）に焼
き付けられる。
パターンはレンズ（３）から成る光学系を通してウェハ
ステージがステップアンドリピート方式で移動してウェ
ハ（４）上に焼き付けられる。具体的には第４図に示す
如く、同一のパターンが点線で示す順番に従って、横方
向に一列のパターンを形成した後、下方に移動して横方
向操作を繰り返してパターンのアレイを焼き付ける。
ステージがステップアンドリピート方式で移動してウェ
ハ（４）上に焼き付けられる。具体的には第４図に示す
如く、同一のパターンが点線で示す順番に従って、横方
向に一列のパターンを形成した後、下方に移動して横方
向操作を繰り返してパターンのアレイを焼き付ける。
なお衛士したステッパー露光方法は、例えば１最新プロ
セス技術、工業調査会発行、第２６３頁〜第２６４頁に
記載されている。
セス技術、工業調査会発行、第２６３頁〜第２６４頁に
記載されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら斯るステッパー露光方法では、同一のパタ
ーンが順次ウェハ（４）上に焼き付けられるだけであり
、ウェハ（４〉上の各チップへのマーキング等は行なえ
ず、別工程でレーザーマーキング装置を用いてチップへ
のマーキング等を行なうのが常であった。このためレー
ザーマーキング装置は直接ウェハ（４）にレーザーで記
号を書き込むので、シリコン等の発塵を生ずる問題点を
有していた。
ーンが順次ウェハ（４）上に焼き付けられるだけであり
、ウェハ（４〉上の各チップへのマーキング等は行なえ
ず、別工程でレーザーマーキング装置を用いてチップへ
のマーキング等を行なうのが常であった。このためレー
ザーマーキング装置は直接ウェハ（４）にレーザーで記
号を書き込むので、シリコン等の発塵を生ずる問題点を
有していた。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は斯る問題点に鑑みてなされ、ステッパーにマー
キング機能を付加することにより、従来の問題点を改善
した露光方法を実現するものである。
キング機能を付加することにより、従来の問題点を改善
した露光方法を実現するものである。
（ホ）作用
本発明に依れば、ステッパーにマーキング機能を付加す
ることによりステッパー露光時に各チップへのマーキン
グ等を同時に行なえ、その後のマーキング工程を省略で
きる。
ることによりステッパー露光時に各チップへのマーキン
グ等を同時に行なえ、その後のマーキング工程を省略で
きる。
（へ）実施例
以下に第１図および第２図を参照して本発明の一実施例
を詳述する。
を詳述する。
第１図にレチクルとウェハの概略配置が示されており、
（１〉は主光源、（２）はパターンを形成した例えば５
インチ角のレチクル、（３）は縮小投影用のレンズ、（
４）はウェハ、（５）は補助光源、（６）は液晶又はタ
ーレット板より成るマーク表示板、（７）はミラーであ
る。レチクル（２）はガラス製の基板であり、設計の段
階でパターンジェネレータを用い、ウェハ上の各チップ
に投影される現実のパターンを１０倍または５倍に拡大
したパターンが形成されている。レチクル（２）に主光
源からの光を当てて、レンズ（３）でそれを１／１０ま
たは１１５に縮小してウェハ（４）に投影すると、パタ
ーンが実際にウェハ（４）上に焼き付けられる。パター
ンはステッパーを用い、レンズ（３）から成る光学系を
通してウーエハステージがステップアンドリピート方式
で移動してウェハ（４）上に順次焼き付けられて行く。
（１〉は主光源、（２）はパターンを形成した例えば５
インチ角のレチクル、（３）は縮小投影用のレンズ、（
４）はウェハ、（５）は補助光源、（６）は液晶又はタ
ーレット板より成るマーク表示板、（７）はミラーであ
る。レチクル（２）はガラス製の基板であり、設計の段
階でパターンジェネレータを用い、ウェハ上の各チップ
に投影される現実のパターンを１０倍または５倍に拡大
したパターンが形成されている。レチクル（２）に主光
源からの光を当てて、レンズ（３）でそれを１／１０ま
たは１１５に縮小してウェハ（４）に投影すると、パタ
ーンが実際にウェハ（４）上に焼き付けられる。パター
ンはステッパーを用い、レンズ（３）から成る光学系を
通してウーエハステージがステップアンドリピート方式
で移動してウェハ（４）上に順次焼き付けられて行く。
具体的には第２図に示す如く、同一のパターンが横方向
に一列焼き付けられた後、下の列に移動して、再び横方
向に一列に焼き付けて行く。
に一列焼き付けられた後、下の列に移動して、再び横方
向に一列に焼き付けて行く。
３一
本発明の特徴はステッパーにマーキング機能を付加した
ことにある。マーキング機能は補助光源（５）、マーク
表示板（６）およびミラー（７）とで構成され、補助光
源り５）からの光をレンズで収束してマーク表示板（６
）に当てて、マーク表示板（６）のマークを再びレンズ
で収束し、ミラー（７）で方向を変えてからレンズ（３
）を通してウェハ（４）上の所定のチップのコーナーあ
るいはウェハ（４）のコーナー等に投影している。従っ
て第２図に示す如く、ウェハ（４）上の各チップのコー
ナーに例えばＡ。
ことにある。マーキング機能は補助光源（５）、マーク
表示板（６）およびミラー（７）とで構成され、補助光
源り５）からの光をレンズで収束してマーク表示板（６
）に当てて、マーク表示板（６）のマークを再びレンズ
で収束し、ミラー（７）で方向を変えてからレンズ（３
）を通してウェハ（４）上の所定のチップのコーナーあ
るいはウェハ（４）のコーナー等に投影している。従っ
て第２図に示す如く、ウェハ（４）上の各チップのコー
ナーに例えばＡ。
Ｂ、Ｃ・・・・・・Ｏ，Ｐとチップへのマーキングを行
なえる。マーキングには数学、バーコード、アルファベ
ットあるいはほかの記号を用い、チップの識別、ウェハ
マツプ解析、ウェハ内位置依存性、良／不良記録の目的
に用いる。またウェハのコーナーにマーキングする場合
も同様の記号を用い、ウェハの識別、ロットナンバー、
処理設備号機記録の目的に用いる。マーク表示板（６）
にはこれらの目的に対応した記号を表示できる様に制御
されている。なおマーキングはステッパーによる露光と
＝４− 同期しても良く、パターンの投影するチップに同期して
マーキングを投影する。
なえる。マーキングには数学、バーコード、アルファベ
ットあるいはほかの記号を用い、チップの識別、ウェハ
マツプ解析、ウェハ内位置依存性、良／不良記録の目的
に用いる。またウェハのコーナーにマーキングする場合
も同様の記号を用い、ウェハの識別、ロットナンバー、
処理設備号機記録の目的に用いる。マーク表示板（６）
にはこれらの目的に対応した記号を表示できる様に制御
されている。なおマーキングはステッパーによる露光と
＝４− 同期しても良く、パターンの投影するチップに同期して
マーキングを投影する。
クト〉発明の効果
以上に詳述した如く、本発明に依れば、ステッパー露光
時に同時にウェハあるいはチップにマーキングを行なう
ことが可能となり、通常他工程で行なうレーザーマーキ
ングを省略でき、工程を簡略化できる利点を有する。ま
たレーザーマーキングの省略によりシリコン片の発塵を
防止でき、クリーンルームの管理も容易となる利点を有
している。
時に同時にウェハあるいはチップにマーキングを行なう
ことが可能となり、通常他工程で行なうレーザーマーキ
ングを省略でき、工程を簡略化できる利点を有する。ま
たレーザーマーキングの省略によりシリコン片の発塵を
防止でき、クリーンルームの管理も容易となる利点を有
している。
第１図は本発明による露光方法を説明する概略配置図、
第２図は本発明を実施したウェハの上面図、第３図は従
来の露光方法を説明する概略配置図、第４図は従来の方
法を実施したウェハの上面図である。 （１）は主光源、 り２）はレチクル、 （３〉はレ
ンズ、 （４）はウェハ、 り５）は補助光源、 （６
）はマーク表示板、 （７〉はミラーである。 第１図 第２図 第３図 第４図
第２図は本発明を実施したウェハの上面図、第３図は従
来の露光方法を説明する概略配置図、第４図は従来の方
法を実施したウェハの上面図である。 （１）は主光源、 り２）はレチクル、 （３〉はレ
ンズ、 （４）はウェハ、 り５）は補助光源、 （６
）はマーク表示板、 （７〉はミラーである。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）縮小投影用パターンが形成されたレチクルを用い
行または列に沿って前記パターンを順次縮小投影する露
光方法において、前記レチクルと別個にマーク手段を有
し、前記パターンに同期して記号を投影することを特徴
とした露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118010A JPS63283021A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118010A JPS63283021A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283021A true JPS63283021A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14725823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62118010A Pending JPS63283021A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283021A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7842525B2 (en) | 1999-11-24 | 2010-11-30 | Micronic Mydata AB | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
| JP2012098574A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012127995A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012194253A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| US9235127B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-01-12 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107034A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-03 | Hitachi Ltd | Exposure equipment for contraction projection |
| JPS5851513A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
| JPS5916528A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-27 | Kyoritsu Yogyo Genryo Kk | 合成鉱物製造用原料の調製方法 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62118010A patent/JPS63283021A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107034A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-03 | Hitachi Ltd | Exposure equipment for contraction projection |
| JPS5851513A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
| JPS5916528A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-27 | Kyoritsu Yogyo Genryo Kk | 合成鉱物製造用原料の調製方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7842525B2 (en) | 1999-11-24 | 2010-11-30 | Micronic Mydata AB | Method and apparatus for personalization of semiconductor |
| US9235127B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-01-12 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
| US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
| JP2012098574A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012127995A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012194253A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2502939B2 (ja) | 回路パタ―ン露光装置 | |
| KR950003892B1 (ko) | 웨이퍼 묘화장치 | |
| JPH0691003B2 (ja) | レチクル／マスクの検査方法とその検査装置 | |
| US3610750A (en) | Methods and apparatus for photo-optical manufacture of semiconductor products | |
| CN108885393A (zh) | 降低线波度的方法 | |
| JPS63283021A (ja) | 露光方法 | |
| KR20200032260A (ko) | 노광 시스템 정렬 및 교정 방법 | |
| JPS60109228A (ja) | 投影露光装置 | |
| CN100578369C (zh) | 用于投影曝光装置中的自动位置对准装置和位置对准方法 | |
| JPS6058576B2 (ja) | 露光方法及びそれに使用する露光装置 | |
| CN100454146C (zh) | 曝光装置 | |
| JPS62122126A (ja) | 露光方法 | |
| JPH10261559A (ja) | 半導体装置の製造方法および露光装置 | |
| JP3333603B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップ及びその製造方法 | |
| US3782942A (en) | Method for preparing artwork to be used in manufacturing of printed circuits | |
| JPH01191416A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0917719A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JP3259409B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2007109740A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPS62183518A (ja) | 露光装置 | |
| JPS62247372A (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPH07219209A (ja) | フォトマスク | |
| BRACKEN et al. | Microlithography in Semiconductor Device Processing | |
| JPS6345091B2 (ja) | ||
| JPS583299Y2 (ja) | 半導体装置の検査装置 |