KR20200032260A - 노광 시스템 정렬 및 교정 방법 - Google Patents

노광 시스템 정렬 및 교정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200032260A
KR20200032260A KR1020207007825A KR20207007825A KR20200032260A KR 20200032260 A KR20200032260 A KR 20200032260A KR 1020207007825 A KR1020207007825 A KR 1020207007825A KR 20207007825 A KR20207007825 A KR 20207007825A KR 20200032260 A KR20200032260 A KR 20200032260A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
marks
model
positions
alignment
chuck
Prior art date
Application number
KR1020207007825A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102377041B1 (ko
Inventor
테이머 코스쿤
친 종
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20200032260A publication Critical patent/KR20200032260A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102377041B1 publication Critical patent/KR102377041B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

Abstract

일부 실시예들에서, 척 상의 프린팅 플레이트의 제1 층의 정렬을 제공하는 방법들이 제공된다. 예컨대, 일 실시예에서, 척 상의 참조 마크들의 초기 포지션들을 결정하기 위해, 척 상의 참조 마크들의 이미지들이 캡처된다. 그러한 초기 포지션들로부터 참조 모델이 생성된다. 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 이미지들이 캡처되고, 정렬 마크들의 위치들이 결정된다. 정렬 마크들의 포지션들로부터 참조 플레이트 모델이 생성된다. 그런 다음, 참조 모델 및 참조 플레이트 모델로부터 맵핑 모델이 생성된다.

Description

노광 시스템 정렬 및 교정 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 리소그래피에 관한 것으로, 더 구체적으로는 척 상의 프린팅 층의 정렬을 교정하는 것에 관한 것이다.
[0002] 포토리소그래피는 반도체 디바이스들 및 디스플레이 디바이스들(예컨대, 액정 디스플레이(LCD; liquid crystal display)들)의 제조에서 광범위하게 사용된다. 그러나, 리소그래피 노광 동안, 척(척 상에서 노광이 수행됨)은, 반복되는 사용; 응력; 및/또는 툴의 기계적 및/또는 열적 변동들로 인해, 이동될 수 있다. 이러한 변동들은 플레이트들 상에 프린팅되는 패턴들의 포지션 정확도에 영향을 미칠 수 있다. 상이한 툴을 사용하여 프린팅된 플레이트로부터, 툴 상의 프린팅되는 패턴을 복제하려고 할 때, 프린팅되는 패턴들의 위치들은 또한, 부정확할 수 있다.
[0003] 따라서, 툴 상의 프린팅 층들의 정렬에 대해 교정할 필요가 있다.
[0004] 본원의 실시예들은 일반적으로, 리소그래피에 관한 것으로, 더 구체적으로는 척 상의 프린팅 층의 정렬을 교정하는 것에 관한 것이다. 예컨대, 일 실시예에서, 척 상의 참조 마크(reference mark)들의 이미지들을 캡처하고, 그리고 참조 마크들의 초기 위치들을 결정하는 방법이 제공된다. 참조 마크들의 초기 위치들로부터 참조 모델이 생성된다. 참조 플레이트 상의 정렬 마크(alignment mark)들의 이미지들이 캡처된다. 정렬 마크들의 위치들이 결정된다. 정렬 마크들의 위치들로부터 참조 플레이트 모델이 생성된다. 그 후에, 참조 모델 및 참조 플레이트 모델로부터 맵핑 모델이 생성된다.
[0005] 다른 실시예에서, 척 상의 참조 마크들의 초기 위치들로부터 참조 모델을 생성하고, 제1 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 위치들로부터 참조 플레이트 모델을 생성하고, 그리고 참조 모델 및 참조 플레이트 모델로부터 맵핑 모델을 생성하는 방법이 제공된다.
[0006] 또 다른 실시예에서, 척 상의 참조 마크들의 이미지들을 캡처하고, 그리고 척 상의 참조 마크들의 초기 포지션들을 결정하는 방법이 제공된다. 그 후에, 참조 마크들의 초기 포지션들이 메모리에 저장되고, 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 이미지들이 캡처되고, 그리고 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 포지션들이 결정되고 메모리에 저장된다.
[0007] 본원에 설명된 방법과 유사한 특징들을 갖는 다른 방법들, 장치들, 및 시스템들을 포함하는, 본 개시내용의 다른 실시예들이 제공된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본원에 개시된 실시예들로부터 이익을 얻을 수 있는 시스템의 사시도이다.
[0010] 도 2는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 1에 도시된 시스템의 평면도이다.
[0011] 도 3은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 정렬 마크들을 포함하는 참조 플레이트 및 참조 마크들을 갖는 척의 평면도를 도시한다.
[0012] 도 4는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척, 및 척 상의 블랭크 플레이트의 평면도를 도시한다.
[0013] 도 5a는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척 상의 참조 플레이트의 예를 도시한다.
[0014] 도 5b는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 5a에 도시된 구성에 기반하는 정정 모델(correction model)을 사용하여 척 상에 프린팅된 플레이트의 예를 도시한다.
[0015] 도 6a는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척 상의 참조 플레이트의 예를 도시한다.
[0016] 도 6b는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 5a에 도시된 구성에 기반하는 정정 모델을 사용하여 척 상에 프린팅된 플레이트의 예를 도시한다.
[0017] 도 7은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척 상의 블랭크 플레이트의 정렬을 위한 프로세싱 유닛의 하이-레벨 블록 다이어그램의 실시예를 도시한다.
[0018] 도 8은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트 상의 제1 층을 척과 정렬시키는 방법의 실시예를 도시한다.
[0019] 도 9는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트 상의 제1 층을 척과 정렬시키는 방법의 실시예를 도시한다.
[0020] 도 10은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트 상의 제1 층을 척과 정렬시키는 방법의 실시예를 도시한다.
[0021] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다.
[0022] 하기의 설명에서, 본 개시내용의 보다 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부사항들이 기술되어 있다. 그러나, 당업자들에게 명백할 바와 같이, 상이한 구성들을 사용하는 다양한 변경들이 본 자료의 범위로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있다. 다른 경우들에서, 본 자료를 모호하게 하는 것을 회피하기 위해, 잘 알려진 특징들은 설명되지 않았다. 따라서, 본 개시내용은 본 명세서에 도시된 특정 예시적인 실시예들에 제한되는 것으로 간주되지 않으며, 그러한 모든 대안 실시예들은 첨부된 청구범위의 범위에 포함되는 것으로 의도된다.
[0023] 애플리케이션 패널들, 기판들 및 웨이퍼들은 본 명세서에서 상호교환가능하게 설명된다. 본원에 개시된 실시예들은, 스테이지 상의 참조 마크들 및 참조 플레이트 상의 정렬 마크들을 활용한다. 본원에 개시된 참조 마크들 및 정렬 마크들은, 스테이지 상의 제1 프린팅 층의 오정렬을 정정하는 데 사용될 수 있다.
[0024] 요약하면, 본원에 설명되는 실시예들은 일반적으로, 초기 참조 마크들과 후속적으로 측정되는 참조 마크들 사이의; 그리고/또는 초기 정렬 마크들과 후속적으로 측정되는 정렬 마크들 사이의 차이들을 획득하는 것에 관한 것이다.
[0025] 도 1은 본원에 개시된 실시예들로부터 이익을 얻을 수 있는 시스템(100)의 사시도이다. 시스템(100)은 베이스 프레임(base frame)(110), 슬래브(slab)(120), 2개 이상의 스테이지들(131)(예컨대, 스테이지들(1311 및 1312), 및 프로세싱 장치(160)를 포함한다. 척(130)(즉, 척(1301 및 1302))은 각각의 개개의 스테이지(131) 상에 놓인다. 베이스 프레임(110)은 제조 설비의 바닥 상에 놓일 수 있고, 슬래브(120)를 지지할 수 있다. 패시브 에어 아이솔레이터(passive air isolator)들(112)이 베이스 프레임(110)과 슬래브(120) 사이에 포지셔닝될 수 있다. 슬래브(120)는 화강암(granite)의 모놀리식 피스(monolithic piece)일 수 있고, 2개 이상의 스테이지들(130)이 슬래브(120) 상에 배치될 수 있다. 척들(130) 상의 기판들(140)은 2개 이상의 스테이지들(131) 각각에 의해 지지될 수 있다. 복수의 리프트 핀들(도시되지 않음)이 척들(130)을 관통하여 연장될 수 있게 하기 위해, 복수의 홀들(도시되지 않음)이 척들(130)에 형성될 수 있다. 리프트 핀들은, 이를테면, 하나 이상의 이송 로봇들(도시되지 않음)로부터 기판(140)을 수용하기 위해, 연장된 포지션으로 상승할 수 있다. 하나 이상의 이송 로봇들은 2개 이상의 척들(130)로부터 기판(140)을 로딩(load) 및 언로딩(unload)하는 데 사용될 수 있다.
[0026] 기판(140)은, 예컨대 석영으로 제조될 수 있고, 평판 디스플레이(flat panel display)의 부분으로서 사용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판(140)은 다른 재료들, 이를테면, 유리로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(140)은 기판(140) 상에 형성된 포토레지스트 층(photoresist layer)을 가질 수 있다. 포토레지스트는 방사선(radiation)에 민감하고, 포지티브 포토레지스트(positive photoresist) 또는 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)일 수 있으며, 이는, 패턴이 포토레지스트 내에 기록된 후에 방사선에 노광된 포토레지스트의 부분들이 포토레지스트에 도포된 포토레지스트 현상액(photoresist developer)에 대해 각각 가용성 또는 불용성이 될 것이라는 것을 의미한다. 포토레지스트의 화학적 조성은 포토레지스트가 포지티브 포토레지스트일지 네거티브 포토레지스트일지를 결정한다. 예컨대, 포토레지스트는, 디아조나프토퀴논, 페놀 포름알데히드 수지, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(메틸 글루타리마이드) 및 SU-8 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 기판(140)의 표면 상에 패턴이 생성되어 전자 회로소자를 형성할 수 있다.
[0027] 시스템(100)은 한 쌍의 지지부들(122) 및 한 쌍의 트랙들(124)을 더 포함할 수 있다. 한 쌍의 지지부들(122)은 슬래브(120) 상에 배치될 수 있다. 슬래브(120) 및 한 쌍의 지지부들(122)은 단일 피스의 재료일 수 있다. 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 지지부들(122)에 의해 지지될 수 있다. 2개 이상의 스테이지들(131)은 트랙들(124)을 따라 X-방향으로 이동할 수 있다. 일 실시예에서, 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 평행한 자기 채널들이다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 트랙들(124) 중 각각의 트랙(124)은 선형이다. 다른 실시예들에서, 트랙(124)은 비선형 형상을 가질 수 있다. 위치 정보를 제어기(도시되지 않음)에 제공하기 위해, 인코더(126)가 각각의 스테이지(130)에 커플링될 수 있다.
[0028] 프로세싱 장치(160)는 지지부(162) 및 프로세싱 유닛(164)을 포함할 수 있다. 지지부(162)는 슬래브(120) 상에 배치될 수 있고, 2개 이상의 스테이지들(131)이 프로세싱 유닛(164) 아래로 지나가게 하기 위한 개구(166)를 포함할 수 있다. 프로세싱 유닛(164)은 지지부(162)에 의해 지지될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 유닛(164)은 포토리소그래피 프로세스에서 포토레지스트를 노광시키도록 구성된 패턴 생성기(pattern generator)이다.
[0029] 일부 실시예들에서, 패턴 생성기는 마스크리스 리소그래피 프로세스(maskless lithography process)를 수행하도록 구성될 수 있다. 프로세싱 유닛(164)은 복수의 이미지 투영 장치들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 유닛(164)은 84개의 이미지 투영 장치들을 포함할 수 있다. 각각의 이미지 투영 장치는 케이스(case)(165) 내에 배치된다. 프로세싱 장치(160)는 마스크리스 직접 패터닝(maskless direct patterning)을 수행하는 데 활용될 수 있다.
[0030] 동작 동안, 2개 이상의 스테이지들(131) 중 하나는 도 1에 도시된 바와 같은 로딩 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로, X-방향으로 이동한다. 프로세싱 포지션은, 스테이지(131)가 프로세싱 유닛(164) 아래를 지나갈 때의 스테이지(131)의 하나 이상의 포지션들을 지칭할 수 있다. 동작 동안, 2개 이상의 스테이지들(131)은 복수의 에어 베어링(air bearing)들(도시되지 않음)에 의해 리프팅될 수 있고, 한 쌍의 트랙들(124)을 따라 로딩 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로 이동할 수 있다. 복수의 수직 가이드 에어 베어링들(도시되지 않음)은, 스테이지(131)의 이동을 안정화시키기 위해, 각각의 스테이지(131)에 커플링되고, 각각의 지지부(122)의 내측 벽(128)에 인접하게 포지셔닝될 수 있다. 2개 이상의 스테이지들(131) 각각은 또한, 기판(140)을 프로세싱 및/또는 인덱싱(indexing)하기 위해 트랙(150)을 따라 이동함으로써 Y-방향으로 이동할 수 있다. 2개 이상의 스테이지들(131) 각각은 독립적으로 동작할 수 있고, 하나의 방향으로는 기판(140)을 스캐닝하고 그리고 다른 방향으로는 스테핑(step)할 수 있다. 일부 실시예들에서, 2개 이상의 스테이지들(131) 중 하나가 기판(140)을 스캐닝할 때, 2개 이상의 스테이지들(131) 중 다른 하나는 노광된 기판을 언로딩하고, 노광될 다음 기판을 로딩한다.
[0031] 계측 시스템(metrology system)은, 복수의 이미지 투영 장치들 각각이 포토레지스트로 커버된 기판(photoresist covered substrate)에 기록되는 패턴들을 정확하게 로케이팅할 수 있도록, 2개 이상의 스테이지들(131) 각각 상의 척들(130)의 X 및 Y 측방향 포지션 좌표들을 실시간으로 측정한다. 계측 시스템은 또한, 수직 축 또는 Z-축에 대한 2개 이상의 스테이지들(131) 상의 척들(130) 각각의 각도 포지션의 실시간 측정을 제공한다. 각도 포지션 측정은 서보 메커니즘(servo mechanism)에 의한 스캐닝 동안에 각도 포지션을 일정하게 유지하는 데 사용될 수 있거나, 기판(140) 상에 기록되는 패턴들의 포지션들에 정정들을 적용하는 데 사용될 수 있다.
[0032] 도 2는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 1에 도시된 시스템(100)의 평면도이다. 도 2에서, 척들(1301) 각각은 다수의 정렬 구역들을 포함한다. 예컨대, 척(1302)은, X-축에 대해 실질적으로 평행한 정렬 구역들(2021 및 2022)(총괄하여 "정렬 구역들(202)"); 및 Y-축에 대해 실질적으로 평행한 정렬 구역들(2041 및 2042)(총괄하여 "정렬 구역들(204)")을 포함한다. 정렬 구역들(202 및 204) 각각은 복수의 참조 마크들(도시되지 않음)을 포함한다.
[0033] 도 2에서, 브리지들(206)에 의해 지지되는 눈(eye)들(208)을 노출시키기 위해 케이스(165)가 제거되었다. 예시적인 목적들을 위해, 3개의 브리지들(206)이 도시된다. 그러나, 다른 실시예들에서, 시스템(100)은 상이한 수의 브리지들(206)을 포함한다. 브리지들(206)은 눈들(208)을 지지하는 데 사용된다. 브리지들(206) 각각 아래에는 눈들(2081, ..., 2084, ..., 및 20811)(총괄하여 "눈들(208)")의 컬럼이 있다. 도 2는 단지 예시적인 목적들을 위해 11개의 눈들(208)을 포함하는 것으로 컬럼을 도시한다. 다른 실시예들에서, 각각의 브리지(206) 아래의 눈들(208)의 수는 11개 이외의 수이다. 눈들(208)은 또한, 본원에서 "카메라들(208)"로 지칭된다.
[0034] 눈들(208)은, 프로세싱 유닛(164)이 참조 마크들 각각에 대한 위치 정보를 계산 및 저장할 수 있도록, 정렬 구역들(202 및 204)의 참조 마크들(도시되지 않음)의 이미지들을 캡처하는 데 사용된다. 눈들(208)은 또한, 프로세싱 유닛(164)이 정렬 마크들 각각에 대한 위치 정보를 계산 및 저장할 수 있도록, "참조 플레이트"(도 2에 도시되지 않음) 상의 정렬 마크들의 이미지들을 캡처하는 데 사용된다. 눈들(208)은 "스캐닝 및 스테핑(scan and step)"방식으로, 또는 스테이지(131)를 지정된 참조 마크(304, 308) 및 정렬 마크(310) 위치들로 직접적으로 이동시킴으로써, 이미지들을 캡처한다. 예컨대, "스캐닝 및 스테핑" 동작에서, 척(130)이 X-방향으로 이동함에 따라, 하나의 라인이 눈(208)에 의해 스캐닝되고, 그런 다음 Y-방향에서의 "스테핑"은 이전에 스캐닝된 라인에 인접한 라인을 스캐닝하는 인접한 눈(208)에 대해 이루어진다.
[0035] 정렬 구역들(202 및 204)은 총 4개의 구역들을 포함하지만, 4개의 구역들 모두가 스캐닝될 필요는 없다. 다양한 실시예들에서, 참조 마크들(도 2에 도시되지 않음)에 대한 이미지들 및 위치 정보를 획득하기 위해, 하나의 정렬 구역(202) 및 하나의 정렬 구역(204)만이 스캐닝되도록, 그러한 참조 마크들이 척(130) 상에 배치된다.
[0036] 도 3은 본원에 개시된 실시예들에 따른 척(130) 및 참조 플레이트(300)의 평면도를 도시한다. 척(130)은 정렬 구역들(2021, 2022, 및 2041)을 포함한다. 간략성을 위해, 정렬 구역(2042)은 도 3에 도시되어 있지 않다. 척(130) 및 참조 플레이트(300)가 X-방향으로 이동함에 따라, 척(130) 및 참조 플레이트(300)는 결국 눈들(208) 아래를 지나간다. 척(130)이 눈들(208) 아래를 지나감에 따라, 정렬 구역(2041)의 참조 마크들(308)의 이미지들이 동시에 캡처된다. 단지 예시적 목적들을 위해, 정렬 구역(2041)은 9개의 참조 마크들을 갖는 것으로 도시된다. 도 3을 도시하는 데 있어서 간략성을 위해, 참조 마크들(308) 중 단지 3개의 참조 마크들(308)(즉, 3081, 3082, 및 3088)만이 리드-라인 및 엘리먼트 번호를 포함하고; 단지 3개의 눈들(208)(즉, 눈들(2081, 2085, 및 2089)에 대한 시야("FOV(field of view)")가 참조 마크들(308) 위에 도시된다. 예시적 목적들을 위해, 정렬 구역(2021)은 5개의 정렬 마크들(302)을 포함하는 것으로 도시된다. 그러나, 간략성을 위해, 참조 마크들(302) 중 단지 2개의 참조 마크들(302)(즉, 3021 및 3025)만이 리드-라인들 및 엘리먼트 번호들을 포함한다. 또한 예시적 목적들을 위해, 정렬 구역(2022)은 5개의 정렬 마크들(304)을 포함하는 것으로 도시된다. 그러나, 간략성을 위해, 참조 마크들(304) 중 단지 3개의 참조 마크들(304)(즉, 3041, 3044, 및 3045)만이 리드-라인들 및 엘리먼트 번호들을 포함한다.
[0037] 도 3에서, 참조 마크들(302, 304, 및 308)은 복수의 "+" 부호들로서 도시된다. 예시적 목적들을 위해, 참조 마크들(302; 304; 및 308) 및 눈들(208)은 동일한 피치를 갖는다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "피치"는, 참조 마크들(302, 304, 및 308)과 눈들(208) 사이의 분리로서 정의된다.
[0038] 단지 예시적인 목적들을 위해, 정렬 마크들(310)의 이미지들 및 위치들을 캡처하기 전에 참조 마크들(302; 304; 및 308)의 이미지들 및 위치들을 캡처하는 것이 설명된다. 그러나, 참조 마크들(302; 304; 및 308)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정이, 정렬 마크들(310)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정 전에 발생하는지 여부에 대한 시간적 제한은 없다. 다시 말해, 참조 마크들(302; 304; 및 308)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정은 또한, 정렬 마크들(310)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정과 동시에 발생할 수 있거나; 또는 참조 마크들(302; 304; 및 308)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정은 정렬 마크들(310)에 대한 이미지들의 캡처 및 위치들의 결정 후에 발생할 수 있다.
[0039] 그 후에, 일 실시예에서, 눈들(208)은 정렬 구역(2021 및/또는 2022)을 스캐닝한다. 예컨대, 눈들(208)은, 정렬 구역(2022)이 눈들(208) 아래를 지나감에 따라 참조 마크들(304)을 순차적으로 스캐닝한다. 참조 마크들(3041 및 3044)이 눈들(208) 아래를 지나감에 따라, 리드-라인들(3061 및 3062)은 눈들(208)의 FOV를 도시한다.
[0040] 스테이지(130)의 최상부 상의 참조 플레이트(300)는, 척(130)이 이동함에 따라, X-방향으로 이동한다. 척(130)이 눈들(208) 아래를 지나감에 따라, 참조 플레이트(300)도 또한 눈들(208) 아래를 지나간다. 참조 플레이트(300)는 적어도 하나의 정렬 마크(310)를 포함한다. 예시적인 목적들을 위해, 참조 플레이트(300)는 정렬 마크들(3101, 3102, 3104, 3103, 3105, 3106, 3107, 3108 및 3109)(총괄하여 본원에서 "정렬 마크들(310)"로 지칭됨)을 포함한다. 정렬 마크들(310) 각각은 결국 눈들(208)의 FOV(312) 내에 속하게 된다. 참조 플레이트(300)가 눈들(208)의 아래를 지나갈 때, FOV(314)는 눈들(208)의 FOV를 나타내며, FOV 내에는 정렬 마크(310)가 없다.
[0041] 일 실시예에서, 참조 플레이트(300)는, 후속적으로 사용되는 플레이트들에 사용하기 위해, 척(130) 상의 참조 마크들(302, 304 및/또는 308)의 교정에 대해 허용가능한 것으로 간주된다. 참조 플레이트(300)는, "참조 플레이트 모델"을 생성함으로써, 참조 마크들(304, 308)을 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)에 대해 교정하는 데 사용된다. 다른 실시예에서, 참조 플레이트(300)는 툴 상에서 사용된(또는 사용을 위해 의도된) 플레이트이며, 상이한 툴 상에 프린팅된 플레이트들에 대한 정정 모델에서 사용될 수 있다.
[0042] 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)이 스캐닝 및 캡처된 후에, 참조 플레이트(300)는 제거된다. 프로세싱 유닛(164)은, 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 위치들을 계산하고; 정정 모델(아래에서 더 상세하게 설명됨)을 생성한다. 일 실시예에서, 프로세싱 유닛(164)은, FOV의 중심에 대해 FOV 내의 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 포지션을 발견하기 위해 이미지 프로세싱 알고리즘(들)을 적용함으로써, 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 위치들을 결정한다. FOV의 중심으로부터 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 각각의 중심까지의 거리는, 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 공칭 위치로부터의 편차를 제공한다. 이미지 프로세싱 알고리즘들의 예들은, "상관 방법(correlation method)", "에지 검출 방법(edge detection method)" 또는 에지 검출 방법과 상관 방법의 조합을 포함할 수 있다(그러나 이에 제한되지 않음). 참조 마크들(304, 308); 정렬 마크들(310); 및 정정 모델의 위치들은 메모리(704)에 저장될 수 있다.
[0043] 정정 모델은 후속적인 플레이트들의 프린팅 동안 사용된다. 도 4는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척(130) 상의 블랭크 플레이트(400)의 평면도를 도시한다. 도 4는 눈들(208) 아래를 지나가는 척(130) 및 블랭크 플레이트(400)를 도시한다. 눈들(208)은, 블랭크 플레이트(400) 상에서의 제1 층의 프린팅 전에, 프린팅 동안 그리고/또는 프린팅 후에, 참조 마크들(304, 308)의 새로운 이미지들을 캡처할 수 있다. 제1 층이, 미리 결정된 수(예컨대, 5개)의 블랭크 플레이트들(400) 상에 프린팅된 후에, 참조 마크들(304, 308)의 위치들(참조 마크들(304, 308)의 새로운 이미지들로부터 계산됨)은, 척(130)의 이동 특징이 변화되었는지 여부를 결정하는 데 사용될 수 있다.
[0044] 도 5a는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척(130) 상의 참조 플레이트(300)의 예를 도시한다. 눈들(208)은 척(130) 상의 참조 마크들(304, 308) 및 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)을 캡처한다. 프로세싱 유닛(164)에 의한 일부 계산들 후에, 정렬 마크들(310)을 통과하는 라인(504)의 배향이, 참조 마크들(304)을 통과하는 라인(502)의 배향과 상이하다는 것이 결정된다. 예시적으로, 피치의 차이는, 참조 마크들(304)을 통과하는 수평 라인(502) 및 정렬 마크들(310)을 통과하는 라인(504)으로부터 형성되는 각도(500)로서 도시된다. 참조 마크들(304, 308)이 척(130) 상에 적절하게 포지셔닝되어 있지만, 정렬 마크들(310)의 위치는, 참조 플레이트(300)가 약간의 직교성 오차를 갖는다는 것을 표시하는데, 왜냐하면 라인(504)과 라인(508) 사이의 각도가 90°가 아니기 때문이다. 참조 마크들(308)을 통과하는 라인(506)과 정렬 마크들(310)을 통과하는 라인(508)은 실질적으로 평행하며, 이는 Y-축에 대한 정렬, 및 Y-축에 대한 회전이 거의 또는 전혀 없다는 것을 표시한다.
[0045] 도 5b는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 5a에 도시된 구성에 기반하는 정정 모델을 사용하여 척(130) 상에서 프린팅된 플레이트(400)의 예를 도시한다. 정정 모델은 블랭크 플레이트(400)에 대한 변환(transformation)을 제공한다. 본원에서 사용되는 "변환"은, 참조 플레이트(300)의 프린팅 특징들을 카피함으로써, 포지션 측정 데이터를, 정렬 마크들(310) 및 참조 마크들(304, 308)로부터(적어도 하나의 참조 플레이트(300)로부터), 후속적으로 프린팅되는 플레이트(즉, 블랭크 플레이트(400))로 변환하는 프로세스로서 정의된다. 도 5b에서, 참조 마크들(304) 및 정렬 마크들(310)의 이미지들은, 참조 마크들(304)이 적절하게 포지셔닝되어 있다는 것, 프린팅되는 플레이트(310)에 적절한 회전이 적용되어 있다는 것, 및 정정 모델이 정확하다는 것을 표시한다.
[0046] 도 6a는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척(130) 상의 참조 플레이트(300)의 다른 예를 도시한다. 눈들(208)은 척(130) 상의 참조 마크들(304, 308) 및 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)의 이미지들을 캡처한다. 프로세싱 유닛(164)에 의한 일부 계산들 후에, 정렬 마크들(310)의 피치가 참조 마크들(304, 308)의 피치와 상이하다는 결정이 이루어진다. 예시적으로, 피치의 차이는, 참조 마크들(304)을 통과하는 수평 라인 및 정렬 마크들(310)을 통과하는 라인으로부터 형성되는 각도(500)로서 도시된다. 정렬 마크들(310)의 위치는, 참조 플레이트(300)가 X-축에 대해 약간 회전되었음을 표시한다.
[0047] 도 6b는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 도 6a에 도시된 구성에 기반하는 정정 모델을 사용하여 척(130) 상에서 프린팅된 플레이트(400)의 예를 도시한다. 다수의 플레이트들이 프린팅된 후에, 눈들(208)은 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 새로운 이미지들을 캡처한다. 새로운 이미지들로부터 계산된 위치들과, 메모리에 저장된, 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 위치들을 비교하는 것은, 참조 마크들(304)이, 이전에 저장된 위치들로부터 시프트되었음을 나타낸다.
[0048] 도 7은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 척(130) 상의 블랭크 플레이트(400)의 정렬을 위한 프로세싱 유닛(164)의 하이-레벨 블록 다이어그램의 실시예를 도시한다. 예컨대, 프로세싱 유닛(164)은 도 8 및 도 9의 방법들을 수행하는 데 사용하기에 적합하다. 도 7의 프로세싱 유닛(164)은, 제어 프로그램들, 측정 데이터 등을 저장하기 위한 메모리(704)뿐만 아니라 프로세서(710)를 포함한다.
[0049] 다양한 실시예들에서, 메모리(704)는 또한, 본원에 설명된 실시예들을 수행함으로써, 프린팅되는 플레이트 상의 제1 층과 척(130)의 정렬을 위한 정정 모델을 생성하기 위한 프로그램들(예컨대, "제1 층 정렬 모듈(first layer alignment module)"(712)로서 도시됨)을 포함한다. 메모리(704)는 마스크 설계들을 위한 프로그램들(도시되지 않음)을 포함한다. 일 실시예에서, 마스크 설계에 관한 파일들은 그래픽 데이터 시스템 파일들(예컨대, "GDS")에 저장된다. 그러나, 파일들은 그래픽 데이터를 제공하는 임의의 포맷(format)일 수 있다. 명령될 때, 이러한 프로그램들은, 어떤 미러들이 미사용 광을 광 덤프로 투과시키는지 및 어떤 미러들이 정정 모델(들)에 기반하여 기판을 조명하는지를 결정한다.
[0050] 프로세서(710)는, 메모리(704)에 저장된 소프트웨어 루틴들(706)을 실행하는 것을 돕는 회로들뿐만 아니라 전력 공급부들, 클록 회로들, 캐시 메모리 등과 같은 지원 회로소자(708)와 협력한다. 이와 같이, 소프트웨어 프로세스들로서 본원에서 논의된 프로세스 단계들 중 일부는 저장 디바이스(예컨대, 광학 드라이브, 플로피 드라이브, 디스크 드라이브 등)로부터 로딩되고, 메모리(704) 내에서 구현되며, 프로세서(710)에 의해 동작될 수 있는 것으로 고려된다. 따라서, 본 자료의 다양한 단계들 및 방법들은 컴퓨터 판독가능 매체 상에 저장될 수 있다. 프로세싱 유닛(164)은 또한, 프로세싱 유닛(164)과 통신하는 다양한 기능 엘리먼트들 사이에 인터페이스를 형성하는 입력-출력 회로소자(702)를 포함한다.
[0051] 도 7이 본 개시내용에 따른 다양한 제어 기능들을 수행하도록 프로그래밍된 프로세싱 유닛(164)을 도시하지만, 컴퓨터라는 용어는 당해 기술분야에서 컴퓨터들로 지칭되는 그러한 집적 회로들로만 제한되지 않고, 광범위하게 컴퓨터들, 프로세서들, 마이크로제어기들, 마이크로컴퓨터들, 프로그램가능 로직 제어기들, 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit)들, 및 다른 프로그램가능 회로들을 지칭하며, 이러한 용어들은 본원에서 상호교환가능하게 사용된다. 또한, 하나의 프로세싱 유닛(164)이 도시되지만, 그 도시는 간결성을 위한 것이다. 본원에 설명된 방법들 각각은 별도의 컴퓨터들에서 활용될 수 있다는 것이 인지된다.
[0052] 도 8은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트(400)를 척(130)과 정렬시키는 방법(800)의 실시예를 도시한다. 블록(802)에서, 눈들(208)은 척(130) 상의 참조 마크들(304, 308)의 이미지들을 캡처한다. 블록(804)에서, 캡처된 이미지들은, 참조 마크들(304, 308)의 초기 위치들을 결정하기 위해 프로세싱 유닛(164)에 의해 사용된다. 블록(806)에서, 참조 마크들(304, 308)의 초기 위치들로부터 참조 모델이 생성된다. 참조 모델은 축(예컨대, X-축)에 대한 참조 마크들(304, 308)의 회전 및/또는 배향을 포함한다. 예컨대, 참조 마크들(304)이 X-축에 대해 5° 회전되는 경우, 회전의 역(inverse)이 적용된다. 이러한 예에서, 참조 모델은 정정(correction)으로서 -5°를 포함할 것이다. 참조 모델은 또한, 참조 마크들(304, 308) 사이의 분리 및/또는 참조 마크들(304)과 참조 마크들(308) 사이의 각도에 의해 정의되는 스케일링과 같은 다른 변동들을 포함할 수 있다.
[0053] 블록(808)에서, 눈들(208)은 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)의 이미지들을 캡처한다. 블록(810)에서, 프로세싱 유닛(164)은 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)의 위치들을 결정하기 위해 소프트웨어를 활용한다. 블록(812)에서, 정렬 마크들(310)의 위치들로부터 참조 플레이트 모델이 생성된다. 참조 마크들(304, 308)에 대한 참조 플레이트(300)의 회전 및/또는 배향이 참조 플레이트 모델에서 설명된다. 예컨대, 참조 플레이트(300)가 X-축에 대해 10° 회전되는 경우, 참조 플레이트 모델은 다른 플레이트들을 프린팅하기 위해 동일한 10° 회전을 포함한다. 블록(814)에서, 참조 모델 및 참조 플레이트 모델에 기반하여, 맵핑 모델이 생성된다.
[0054] 예컨대, 도 5a에서, 정렬 마크들(310)의 위치는, X-축에 대한 참조 플레이트(300)의 일부 회전이 있음을 표시한다. 참조 마크들(304, 308)의 위치들은, 참조 마크들(304, 308)이 적절하게 포지셔닝되었고 그리고 X-축 및 Y-축에 대해 실질적으로 평행하다는 것을 표시한다. 도 5a에서, 참조 모델은 제로이다. 그러나, 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)은, 정렬 마크들(310)의 중심을 통해 가로 지르는 라인(504)이 X-축에 대해 각도를 생성하는 방식으로, 시프트된다. 예로서, 이 각도가 1°인 경우, 맵핑 모델은, 동일한 마크 시프트(도 5b에 도시된 바와 같음)를 생성하기 위해 후속적인 플레이트들을 프린팅하기 위하여(참조 플레이트 모델로부터) 동일한 1° 회전을 포함한다.
[0055] 도 9는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트(400)를 척(130)과 정렬시키는 방법(900)의 실시예를 도시한다. 블록(902)에서, 척(130) 상의 참조 마크들(304, 308)의 초기 위치들로부터 참조 모델이 생성된다. 참조 마크들(304, 308)은 메모리(704)로부터 리트리브될 수 있고, 제1 층 정렬 모듈(712)은 참조 모델을 생성하는 데 사용될 수 있다.
[0056] 블록(904)에서, 참조 플레이트(300) 상에 로케이팅된 정렬 마크들(310)의 위치들로부터 참조 플레이트 모델이 생성된다. 참조 플레이트 모델은, 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크(310)의 위치들에서의 회전, 시프트, 및/또는 왜곡을 따른다(즉, 모방함). 블록(906)에서, 참조 모델 및 참조 플레이트 모델로부터, 맵핑 모델이 생성된다.
[0057] 도 10은 본원에 개시된 실시예들에 따른, 프린팅 플레이트(400)를 척(130)과 정렬시키는 방법(1000)의 실시예를 도시한다. 블록(1002)에서, 참조 마크들(304, 308)의 이미지들이 척(130)으로부터 캡처된다. 블록(1004)에서, 척(130) 상의 참조 마크들의 초기 위치들이 결정된다. 블록(1006)에서, 참조 마크들(304, 308)의 초기 위치들이 메모리(704)에 저장된다.
[0058] 블록(1008)에서, 참조 플레이트(300) 상의 정렬 마크들(310)의 이미지들이 캡처된다. 블록(1010)에서, 프로세싱 유닛(164)에 의해, 정렬 마크들(310)의 위치들이 결정된다. 그 후에, 블록(1012)에서, 정렬 마크들(310)의 위치들이 메모리(704)에 저장된다.
[0059] 방법들(800, 900, 및 1000)의 대안적인 실시예들은, 프로세싱 유닛(164)에 의해 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 위치들을 나중에 결정하기 위해, 참조 마크들(304, 308) 및 정렬 마크들(310)의 이미지들을 메모리(704)에 저장하는 단계를 포함할 수 있다. 게다가, 본원의 실시예들은, 정렬 마크들(310)의 위치들을 결정하기 전에, 참조 마크들(304, 308)의 초기 위치들을 결정하는 것을 포함하는 것으로 설명되었다. 그러나, 다른 실시예들은, 참조 마크들((304 308)의 위치들을 결정하기 전에, 정렬 마크들(310)의 초기 위치들을 결정하는 것을 포함한다.
[0060] 본원에서 사용된 바와 같이, "갖는", "함유하는", "구비하는", "포함하는" 등의 용어들은, 언급된 엘리먼트들 또는 특징들의 존재를 표시하지만 추가의 엘리먼트들 또는 특징들을 배제하지 않는 개방형 용어들이다. 단수 표현들은, 문맥상 명백하게 다르게 표시하지 않는 한, 단수뿐만 아니라 복수를 포함하도록 의도된다.
[0061] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 구상될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 척(chuck) 상의 참조 마크(reference mark)들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    상기 척 상의 참조 마크들의 초기 위치들을 결정하는 단계;
    상기 참조 마크들의 초기 위치들로부터 참조 모델을 생성하는 단계;
    참조 플레이트 상의 정렬 마크(alignment mark)들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    상기 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 위치들을 결정하는 단계;
    상기 정렬 마크들의 위치들로부터 참조 플레이트 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 참조 모델 및 상기 참조 플레이트 모델로부터 맵핑 모델을 생성하는 단계를 포함하는,
    방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 맵핑 모델을 생성하는 단계는,
    참조 마크 포지션들에서의 시프트의 역(inverse)을 적용하는 단계; 및
    상기 참조 플레이트 모델에 기반하여 상기 참조 플레이트에서 시프트를 적용하는 단계를 포함하는,
    방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 맵핑 모델을 사용하여 적어도 하나의 블랭크 플레이트 상에 제1 층을 프린팅하는 단계;
    상기 참조 마크들의 이미지들을 재캡처하는 단계;
    상기 참조 마크들의 후속적인 위치들을 결정하는 단계; 및
    상기 후속적인 위치들과 상기 참조 마크들의 초기 위치들을 비교하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 참조 마크들은 상기 척으로부터 제거가능한,
    방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    활성 참조 마크 포지션들을 결정하기 위해, 상기 척 상의 제2 참조 플레이트 상의 정렬 마크들을 캡처하는 단계 ― 상기 제2 참조 플레이트는 제2 디바이스 상에서의 사용을 위해 지정됨 ―;
    상기 활성 참조 마크 포지션들과 초기 참조 마크 위치들 사이의 차이들에 기반하여 변동 모델(variation model)을 생성하는 단계;
    상기 변동 모델 및 상기 맵핑 모델에 기반하여 활성 정렬 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 활성 정렬 모델의 역을 정정 모델(correction model)로서 적용하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  6. 척 상의 참조 마크들의 초기 위치들로부터 참조 모델을 생성하는 단계;
    제1 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 위치들로부터 참조 플레이트 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 참조 모델 및 상기 참조 플레이트 모델로부터 맵핑 모델을 생성하는 단계를 포함하는,
    방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    활성 참조 마크 위치들을 결정하기 위해, 상기 척 상의 제2 참조 플레이트 상의 정렬 마크들을 캡처하는 단계 ― 상기 제2 참조 플레이트는 제2 디바이스 상에서의 사용을 위해 지정됨 ―;
    상기 활성 참조 마크 위치들과 초기 참조 마크 위치들 사이의 차이들에 기반하여 변동 모델을 생성하는 단계;
    상기 변동 모델 및 상기 맵핑 모델에 기반하여 활성 정렬 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 활성 정렬 모델의 역을 정정 모델로서 적용하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 참조 모델을 생성하는 단계는,
    상기 척 상의 참조 마크들의 이미지들을 캡처하는 단계, 및
    상기 척 상의 참조 마크들의 초기 위치들을 결정하는 단계를 포함하고; 그리고
    상기 참조 플레이트 모델을 생성하는 단계는,
    참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    상기 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 위치들을 결정하는 단계를 포함하는,
    방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    활성 참조 마크 위치들을 결정하기 위해, 상기 척 상의 제2 참조 플레이트 상의 정렬 마크들을 캡처하는 단계 ― 상기 제2 참조 플레이트는 제2 디바이스 상에서의 사용을 위해 지정됨 ―; 및
    상기 제2 참조 플레이트로부터의 정렬 마크들을 메모리에 저장하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 참조 마크들의 초기 위치들로부터 참조 모델을 생성하는 단계는,
    상기 척을 X 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 참조 마크들의 이미지들을 재캡처하는 단계;
    이웃하는 눈(neighboring eye)으로 이동하는 단계;
    상기 참조 마크들의 모든 이미지들이 캡처될 때까지, 상기 스캐닝 및 상기 이동을 반복하는 단계;
    상기 참조 마크들의 위치들을 계산하는 단계; 및
    상기 참조 마크들의 위치들을 메모리에 저장하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 정렬 마크들의 위치들로부터 참조 플레이트 모델을 생성하는 단계는,
    상기 제1 참조 플레이트를 X 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 정렬 마크들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    이웃하는 눈으로 이동하는 단계;
    상기 정렬 마크들의 모든 이미지들이 캡처될 때까지, 상기 스캐닝 및 상기 이동을 반복하는 단계;
    상기 정렬 마크들의 위치들을 계산하는 단계; 및
    상기 정렬 마크들의 위치들을 메모리에 저장하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  12. 제6 항에 있어서,
    활성 참조 마크 위치들을 결정하기 위해, 상기 척 상의 제2 참조 플레이트 상의 정렬 마크들을 캡처하는 단계 ― 상기 제2 참조 플레이트는 제2 디바이스 상에서의 사용을 위해 지정됨 ―;
    활성 참조 마크 포지션들과 초기 참조 마크 포지션들 사이의 차이들에 기반하여 변동 모델을 생성하는 단계;
    상기 변동 모델 및 상기 맵핑 모델에 기반하여 활성 정렬 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 활성 정렬 모델의 역을 정정 모델로서 적용하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  13. 척 상의 참조 마크들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    상기 척 상의 참조 마크들의 초기 위치들을 결정하는 단계;
    상기 참조 마크들의 초기 위치들을 메모리에 저장하는 단계;
    참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 이미지들을 캡처하는 단계;
    상기 참조 플레이트 상의 정렬 마크들의 위치들을 결정하는 단계; 및
    상기 정렬 마크들의 위치들을 메모리에 저장하는 단계를 포함하는,
    방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    적어도 하나의 블랭크 플레이트 상에 프린팅하는 단계;
    상기 척 상의 참조 마크들의 이미지들을 재캡처하는 단계;
    상기 참조 마크들의 후속적인 위치들을 결정하는 단계; 및
    상기 참조 마크들의 후속적인 위치들과 상기 참조 마크들의 초기 위치들을 비교하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 참조 마크들의 포지션들 및 상기 정렬 마크들의 포지션들에 기반하여 참조 툴 모델을 생성하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
KR1020207007825A 2017-08-25 2018-08-10 노광 시스템 정렬 및 교정 방법 KR102377041B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/686,815 US10585360B2 (en) 2017-08-25 2017-08-25 Exposure system alignment and calibration method
US15/686,815 2017-08-25
PCT/US2018/046319 WO2019040299A1 (en) 2017-08-25 2018-08-10 EXPOSURE SYSTEM ALIGNMENT AND CALIBRATION METHOD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200032260A true KR20200032260A (ko) 2020-03-25
KR102377041B1 KR102377041B1 (ko) 2022-03-18

Family

ID=65437619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207007825A KR102377041B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-10 노광 시스템 정렬 및 교정 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10585360B2 (ko)
JP (2) JP7362594B2 (ko)
KR (1) KR102377041B1 (ko)
CN (1) CN111033386B (ko)
TW (1) TWI791041B (ko)
WO (1) WO2019040299A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10684561B2 (en) * 2018-10-29 2020-06-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography method
US10809637B1 (en) * 2019-05-30 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Learning based digital corrections to compensate variations on lithography systems with multiple imaging units
JP7317579B2 (ja) * 2019-06-07 2023-07-31 キヤノン株式会社 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および、物品の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166483A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nikon Corp グリッドマッチング方法、及び露光システム
US20100271229A1 (en) * 2007-12-27 2010-10-28 Christine Allen-Blanchette Systems and methods for calibrating end effector alignment in a plasma processing system
JP2014212332A (ja) * 2009-08-25 2014-11-13 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2015233107A (ja) * 2014-06-11 2015-12-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812661A (en) * 1986-08-20 1989-03-14 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for hybrid I.C. lithography
US6151122A (en) * 1995-02-21 2000-11-21 Nikon Corporation Inspection method and apparatus for projection optical systems
AU5067898A (en) * 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
WO1999054922A1 (fr) * 1998-04-22 1999-10-28 Nikon Corporation Methode et systeme d'exposition
JP2000124114A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Nikon Corp 荷電粒子線投影露光方法、荷電粒子線投影露光装置及びそれに用いるレチクル
JP2001332490A (ja) * 2000-03-14 2001-11-30 Nikon Corp 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001274080A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Canon Inc 走査型投影露光装置及びその位置合わせ方法
JP4666747B2 (ja) * 2000-11-06 2011-04-06 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US6699627B2 (en) * 2000-12-08 2004-03-02 Adlai Smith Reference wafer and process for manufacturing same
US7261983B2 (en) * 2000-12-08 2007-08-28 Litel Instruments Reference wafer and process for manufacturing same
US6768539B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4803901B2 (ja) * 2001-05-22 2011-10-26 キヤノン株式会社 位置合わせ方法、露光装置、および半導体デバイス製造方法
JP2002353099A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
JP2003197504A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
TW594431B (en) 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
US7363099B2 (en) * 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
JP2005166785A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置
EP1804278A4 (en) * 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
US7251018B2 (en) * 2004-11-29 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Substrate table, method of measuring a position of a substrate and a lithographic apparatus
US7442476B2 (en) * 2004-12-27 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Method and system for 3D alignment in wafer scale integration
JP2006259153A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd アラインメント精度評価方法及び装置
US8605248B2 (en) * 2005-05-25 2013-12-10 Nikon Corporation Exposure method and lithography system
JP2007103658A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7463337B2 (en) * 2005-12-30 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table with windows, method of measuring a position of a substrate and a lithographic apparatus
JP4984038B2 (ja) * 2006-07-27 2012-07-25 株式会社ニコン 管理方法
JP4850643B2 (ja) * 2006-09-11 2012-01-11 キヤノン株式会社 露光装置
US7916275B2 (en) 2007-09-19 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Methods of characterizing similarity or consistency in a set of entities
KR101045370B1 (ko) 2009-08-21 2011-06-30 주식회사 나래나노텍 롤과 인쇄 대상물 간의 실시간 얼라인 확인 장치 및 방법, 및 이를 구비한 패턴 형성용 롤 인쇄 장치
AU2009230797B2 (en) * 2009-10-28 2011-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Focus finding and alignment using a split linear mask
US9196509B2 (en) 2010-02-16 2015-11-24 Deca Technologies Inc Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging
KR101420223B1 (ko) 2011-11-29 2014-07-17 주식회사 나래나노텍 인쇄 패턴 얼라인 확인 장치 및 방법, 및 이를 구비한 인쇄 장치 및 방법
WO2013132064A2 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle lithography system with alignment sensor and beam measurement sensor
JP6219320B2 (ja) 2012-03-08 2017-10-25 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法
US9606442B2 (en) * 2012-07-30 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Position measuring apparatus, position measuring method, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2912521A1 (en) 2012-10-26 2015-09-02 Mapper Lithography IP B.V. Determining a position of a substrate in lithography
JP2015043390A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
CN105659166B (zh) 2013-10-22 2019-01-29 应用材料公司 用于基于网的处理的无掩模平版印刷

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166483A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nikon Corp グリッドマッチング方法、及び露光システム
US20100271229A1 (en) * 2007-12-27 2010-10-28 Christine Allen-Blanchette Systems and methods for calibrating end effector alignment in a plasma processing system
JP2014212332A (ja) * 2009-08-25 2014-11-13 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2015233107A (ja) * 2014-06-11 2015-12-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111033386A (zh) 2020-04-17
JP7362594B2 (ja) 2023-10-17
TWI791041B (zh) 2023-02-01
JP2020531900A (ja) 2020-11-05
JP2022078075A (ja) 2022-05-24
WO2019040299A1 (en) 2019-02-28
TW201921142A (zh) 2019-06-01
US20190064683A1 (en) 2019-02-28
KR102377041B1 (ko) 2022-03-18
CN111033386B (zh) 2022-10-28
US10585360B2 (en) 2020-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10379450B2 (en) Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification
JP2022078075A (ja) 露光システムアライメントおよび較正方法
US11899379B2 (en) Dynamic generation of layout adaptive packaging
JP2023162226A (ja) リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法
JP2022115887A (ja) 自由形状歪み補正
US10459341B2 (en) Multi-configuration digital lithography system
CN113544594B (zh) 用于数字光刻工具的基于模型的动态位置校正
US10114297B2 (en) Active eye-to-eye with alignment by X-Y capacitance measurement
KR102333943B1 (ko) 노광장치, 스테이지 교정 시스템, 및 스테이지 교정방법
JPH07183205A (ja) 位置合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant