CN108885393A - 降低线波度的方法 - Google Patents

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Abstract

本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序，曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度，曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来提供线波减少，从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。

Description

降低线波度的方法
技术领域
本公开内容的实施方式一般涉及无掩模光刻的领域。更具体地，本文提供的实施方式涉及用于执行无掩模数字光刻制造工艺的系统和方法。
背景技术
光刻广泛用于制造半导体器件和显示设备(诸如液晶显示器(LCD))。通常利用大面积基板进行LCD制造。LCD、或平板常常用于有源矩阵显示器，诸如计算机、触摸面板装置、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)、蜂窝电话、电视机监视器和类似装置。一般地，平板可以包括形成像素液晶材料层，所述液晶材料层夹在两个板之间。当将来自电源的电力施加在液晶材料上时，可以在像素位置处控制通过液晶材料的光的量，从而使得图像能够生成。
显微光刻技术一般用来形成作为形成像素的液晶材料层的一部分而并入的电特征。根据此项技术，通常将光敏光刻胶施加到基板的至少一个表面。接着，图案发生器(pattern generator)使用光来曝光作为图案的一部分的光敏光刻胶的选定区域，以导致选定区域中的光刻胶的化学变化，从而使这些选择区域准备好进行后续的材料去除和/或材料添加工艺，以形成电特征。
为了持续向消费者提供符合消费者期望的价格的显示装置和其它装置，需要新的设备、方法和系统以在基板(诸如大面积基板)上精确且成本有效地形成图案。
如前述说明的，需要一种精确且成本有效地形成所需图案的改进的技术和装置。
发明内容
本公开内容总体涉及一种线波减少软件应用程序平台，其提供了一种曝光图案，所述曝光图案上应用了锯齿变更，以减少在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间的边缘放置误差。在一个实施方式中，公开一种用于变更曝光图案的方法。方法包括：确定投射分布(shot distribution)的充填因子(packing factor)；确定充填因子的对称角度；和确定对称角度的锯齿选择。确定锯齿选择包括：确定充填因子的镜子投射间距(mirror shotpitch)；确定对称角度的锯齿幅度；和确定对称角度的锯齿间距。方法还包括将锯齿选择应用于对称角度附近的曝光图案。
在另一实施方式中，公开一种用于变更曝光图案的计算机系统。用于变更曝光图案的计算机系统包括：处理器；和存储有指令的存储器，所述指令在由处理器执行时致使计算机系统执行以下步骤：确定投射分布的充填因子；确定充填因子的对称角度；和确定对称角度的锯齿选择。确定锯齿选择包括：确定充填因子的镜子投射间距；确定对称角度的锯齿幅度；和确定对称角度的锯齿间距。存储器还可以存储指令，指令在由处理器执行时致使计算机系统将锯齿选择应用于对称角度附近的曝光图案。
在又一实施方式中，公开一种存储有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时致使计算机系统变更曝光图案。处理器可以执行以下操作：确定投射分布的充填因子；确定充填因子的对称角度；和确定对称角度的锯齿选择。确定锯齿选择包括：确定充填因子的镜子投射间距；确定对称角度的锯齿幅度；和确定对称角度的锯齿间距。处理器还可以执行以下操作：将锯齿选择应用于对称角度附近的曝光图案。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可以通过参考实施方式来获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述，这些实施方式中的一些示出在随附附图中。然而，将注意，随附附图仅示出了本公开内容的示例性实施方式，并且因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容也可应用于其它等效实施方式。
图1是可受益于本文公开的实施方式的系统的透视图。
图2是根据一个实施方式的多个图像投影系统的示意性透视图。
图3示意性地示出了根据一个实施方式的被数字微镜装置(digital micro-mirror device,DMD)的两个镜反射的束。
图4是根据一个实施方式的图像投影设备的透视图。
图5示出了根据一个实施方式的用于提供曝光图案变更应用程序的计算机系统，所述曝光图案变更应用程序用于在无掩模光刻期间生成用于曝光图案的锯齿变更来减少曝光图案的边缘放置误差。
图6示出了根据一个实施方式的图5的服务器的更详细图。
图7示出了根据一个实施方式的用于访问曝光图案变更软件应用程序的控制器计算机系统，所述曝光图案变更软件应用程序用于在无掩模光刻期间生成用于曝光图案的锯齿变更以减少曝光图案的边缘放置误差。
图8示意性地示出了根据一个实施方式的用于变更曝光图案的操作和方法。
图9A示意性地示出了根据一个实施方式的具有长错位部(long jog)的曝光图案。
图9B示意性地示出了根据一个实施方式的图9A的曝光图案的放大视图。
图10A示意性地示出了根据一个实施方式的在对称角度处应用的锯齿选择。
图10B示意性地示出了根据一个实施方式的图10A的锯齿选择的放大视图。
为了促进理解，已经尽可能地使用相同的元件符号标示各图共有的相同元件。将预期，一个实施方式的元件和特征可有益地并入其它实施方式中，而不再赘述。
具体实施方式
本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序，所述曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度，所述曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来提供线波减少，从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。
如本文所用的术语“用户”包括例如：拥有计算装置或无线装置的个人或实体；操作或利用计算装置或无线装置的个人或实体；与计算装置或无线装置以其它方式相关联的个人或实体。预期的是，术语“用户”不旨在是限制性的，并且可以包括超出所描述的那些的各种示例。
图1是可受益于本文公开的实施方式的系统100的透视图。系统100包括基础框架110、板件120、两个或更多个台架130和处理设备160。在某些实施方式中，可以使用一个台架130。基础框架110可以搁置在制造设施的地面上，并且可以支撑板件120。被动式空气隔离器112可以定位在基础框架110与板件120之间。板件120可以是整块的花岗岩，并且两个或更多个台架130可以设置在板件120上。基板140可以由两个或更多个台架130中的每一个支撑。多个孔洞(未示出)可以形成在台架130中，以允许多个升降杆(未示出)延伸穿过其中。升降杆可以升到延伸位置，以(诸如从传送机器人(未示出)处)接收基板140。传送机器人可以将基板140定位在升降杆上，并且接着升降杆可以将基板140降到台架130上。
基板140可以，例如，由玻璃制成，并且被用作平板显示器的一部分。在其它实施方式中，基板140可以由其它材料(例如，石英)制成。此外，在其它实施方式中，基板140可以是聚合物基板。在一些实施方式中，基板140可以具有形成在其上的光刻胶层。光刻胶对辐射是敏感的，并且可以是正性光刻胶或负性光刻胶，这意味着，在将图案写入光刻胶之后，暴露于辐射的光刻胶的部分将分别可溶于或不可溶于施加到光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学成分确定了光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。例如，光刻胶可包括以下中的至少一种：重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二酰亚胺)和SU-8。以此方式，可以在基板140的表面上形成图案以形成电子电路。
系统100还可包括一对支撑件122和一对轨道124。这一对支撑件122可设置在板件120上，并且板件120和这一对支撑件122可以是整块材料。这一对轨道124可以由这一对支撑件122支撑，并且两个或更多个台架130可以在X方向上沿着轨道124移动。在一个实施方式中，这一对轨道124是一对平行磁性通道。如图所示，这一对轨道124中的每个轨道124是直线的。在其它实施方式中，轨道124可以具有非线性的形状。编码器126可以耦接到每个台架130，以便将位置信息提供到控制器702(参见图7)。
处理设备160可以包括支撑件162和处理单元164。支撑件162可以设置在板件120上，并且支撑件163可以包括用于使两个或更多个台架130穿过处理单元164下方的开口166。处理单元164可以由支撑件162支撑。在一个实施方式中，处理单元164是图案发生器，所述图案发生器经构造以在光刻工艺中暴露光刻胶。在一些实施方式中，图案发生器可经构造以执行无掩模光刻工艺。处理单元164可以包括设置在壳体165中的多个图像投影系统(图2中所示)。处理设备160可以用来执行无掩模直接图案化。在操作期间，两个或更多个台架130中的一者在X方向上从装载位置(如图1所示)移动到处理位置。处理位置可指在台架130穿过处理单元164下方时台架130所处的一个或多个位置。在操作期间，两个或更多个台架130可以由多个空气轴承202(未示出)升降，并且可以沿着这一对轨道124从装载位置移动到处理位置。多个竖直引导空气轴承(未示出)可以耦接到每个台架130并且被定位在每个支撑件122的内壁128附近，以便稳定台架130的移动。两个或更多个台架130中的每一个还可通过沿着轨道150移动来在Y方向上移动，用于处理和/或转位(index)基板140。每个台架130还可以包括用于使得台架130沿着轨道124移动的电机线圈(未示出)。两个或更多个台架130以及处理设备160可以用罩壳封闭(未示出)，以便提供温度和压力控制。
图2是根据一个实施方式的多个图像投影系统301的示意性透视图。如图2所示，每个图像投影系统301产生指向基板140的表面304上的多个写入光束302。当基板140在X方向和Y方向上移动时，整个表面304可以用写入光束302图案化。图像投影系统301数量可以基于基板140的大小和/或台架130的速度而变化。在一个实施方式中，在处理设备160中存在22个图像投影系统164。
如图2中进一步示出，图像投影系统301可以包括光源402、孔隙404、透镜406、镜408、数字微镜装置(digital micro-mirror device,DMD)410、集光器(light dump)412、相机414和投影透镜416。光源402可以是发光二极管(LED)或激光器，并且光源402可以能够产生具有预定波长的光。在一个实施方式中，预定波长在蓝光或近紫外光(UV)范围内，诸如小于约450nm。镜408可以是球面镜。投影透镜416可以是10X物镜。DMD 410可以包括多个镜，并且镜的数量可对应于所投影的图像的分辨率。在一个实施方式中，DMD 410包括1920×1080个镜。
在操作期间，具有预定波长(诸如在蓝光范围内的波长)的束403由光源402产生。束403被镜408反射到DMD 410。DMD 410包括多个镜(例如，镜502、504，如图3所示)，这些镜相对于光源402和/或基板140的取向或位置可被单独地控制。基于由控制器(未示出)提供到DMD 410的掩模数据，DMD 410的多个镜中的每个镜502、504可以处于“打开”位置或“关闭”位置。当束403到达DMD 410的镜时，处于“打开”位置的镜将束403反射(即，形成多个写入光束302)到投影透镜416。接着，投影透镜416将写入光束302投射到基板140的表面304。处于“关闭”位置的镜将束403反射到集光器412，而非基板140的表面304。
在一个实施方式中，DMD 410可以具有两个或更多个镜。每个镜可以设置在倾斜机构上，所述倾斜机构可以设置在存储器单元上。存储器单元可以是CMOS SRAM。在操作期间，每个镜502、504通过将掩模数据加载到存储器单元中而被控制。掩模数据以二进制方式静电地控制镜的倾斜。当镜处于复位模式或未被施加电力时，镜可以被设定到平坦位置，而不对应于任何二进制数。二进制中的零(0)可对应于“关闭”位置，其意味着镜以-10度、-12度或任何其它可行的负倾斜度倾斜。二进制中的一(1)可对应于“打开”位置，其意味着镜以+10度、+12度或任何其它可行的正倾斜度倾斜。
图3示意性地示出了束403被DMD 410的两个镜502、504反射。如图所示，处于“关闭”位置的镜502将从光源402产生的束403反射到集光器412。处于“打开”位置的镜504通过将束403反射到投影透镜416来形成写入射束302。
每个系统100可以包含任何数量的图像投影系统301，并且图像投影系统301的数量可以根据系统而变化。在一个实施方式，存在84个图像投影系统301。每个图像投影系统301可以包括40个二极管或任何数量的二极管。在试图维持大量的二极管时就会出现问题，因为需要更高的功率来处置如此大量的二极管。一种解决方案可以是以串联的方式排列二极管；然而，当如下所述的以串联方式组织时，存在进行无功能二极管检测的需求。
图4是根据一个实施方式的图像投影设备390的透视图。图像投影设备390用于将光聚焦到基板140的竖直平面上的特定点并最终地将图像投影到基板140上。图像投影设备390包括两个子系统。图像投影设备390包括照明系统和投影系统。照明系统至少包括光管391和白光照明装置392。投影系统至少包括DMD 410、截头锥形(frustum)棱镜组件288、分束器395、一个或多个投影光学器件396a、396b、失真补偿器397、聚焦电机398和投影透镜416(如上所述)。投影透镜416包括聚焦分组416a和窗口416b。
光从光源402引入到图像投影设备390。光源402可以是光化(actinic)光源。例如，光源402可以是一束光纤，每个光纤包含一个激光器。在一个实施方式，光源402可以是约100根光纤的束。光纤束可以由激光二极管照射。光源402耦接到光管(或万花筒(Kaleido))391。在一个实施方式，光源402通过组合器耦接到光管391，所述组合器组合束中的光纤的每一个。
一旦来自光源402的光进入光管391，光就会在光管391内反弹，使得光在其离开光管391时是均一且均匀的。光可以在光管391中反弹多至六到七次。换句话说，光在光管391内经历六到七次全内反射，这产生了均匀光的输出。
图像投影设备390可以可选地包括各种反射表面(未标记)。各种反射表面捕获行进通过图像投影设备390的光中的一些。在一个实施方式中，各种反射表面可以捕获一些光，并且然后有助于将光引导到光级传感器393，使得可以监视激光等级。
白光照明装置392将已经由光管391均一化的宽带可见光投射到图像投影设备390的投影系统中。具体地，白光照明装置392将光引导到截头锥形棱镜组件。光化的且宽带的光源可以彼此独立地打开和关闭。
截头锥形棱镜组件288用作过滤将投射到基板140的表面上的光。光束被分成将被投射到基板140上的光和不被投射到基板140上的光。截头锥形棱镜组件288的使用使能量损失最小化，因为全内反射光被收集并转移出。截头锥形棱镜组件288耦接到分束器395。
DMD 410作为截头锥形立方体组件的一部分而被包括。DMD 410是图像投影设备390的成像装置。DMD 410和截头锥形棱镜组件288的使用通过保持照明流的方向大致上垂直于基板140而有助于将从产生曝光照明的光源402一直到基板聚焦平面的每个图像投影设备390的占用面积最小化。
分束器395用于进一步提取光以用于对准。更具体地，分束器395用于将光分成两个或更多个单独光束。分束器395耦接到一个或多个投影光学器件396。图4中示出了两个投影光学器件396a、396b。
在一个实施方式，聚焦传感器和相机284附接到分束器395。聚焦传感器和相机284可以经构造以监视图像投影设备390的成像质量的各个方面，包括但不限于，通过透镜聚焦和对准，以及镜倾斜角度的变化。另外，聚焦传感器和相机284可以显示将要投影到基板140上的图像。在另外的实施方式中，聚焦传感器和相机284可以用于捕获在基板140上的图像并在那些图像之间进行比较。换句话说，聚焦传感器和相机284可以用于执行检查功能。
投影光学器件396、失真补偿器397、聚焦电机398和投影透镜416一起准备用于并最终地将图像从DMD 410投影到基板140上。投影光学器件396a耦接到失真补偿器397。失真补偿器397耦接到投影光学器件396b，投影光学器件396b耦接到聚焦电机398。聚焦电机398耦接到投影透镜416。投影透镜416包括聚焦分组416a和窗口416b。聚焦分组416a耦接到窗口416b。窗口416b可以是可替换的。
光管391和白光照明装置392耦接到第一安装板341。另外，在包括各种附加反射表面(未标记)和光等级传感器393的实施方式中，各种反射表面和光等级传感器393也可以耦接到第一安装板341。
截头锥形棱镜组件288、分束器395、一个或多个投影光学器件396a、396b和失真补偿器397耦接到第二安装板399。第一安装板341和第二安装板399是平面的，这允许了图像投影设备390的前述部件的精确对准。换句话说，光沿着单个光轴行进通过图像投影设备390。这种沿着单个光轴的精确对准导致设备紧凑。例如，图像投影设备390可以具有在约80mm与约100mm之间的厚度。
在一些实施方式，可以使用诸如微透镜或液晶的其它硬件来代替DMD410或与DMD410进行组合而以阵列方式控制光。
图5示出了被构造为提供曝光图案变更软件应用程序平台的计算系统700，可在其中实践本公开内容的实施方式。如图所示，计算系统700可以包括多个服务器708、曝光图案变更应用程序服务器712和多个控制器(即，计算机、个人计算机、移动/无线装置)702(为了清楚起见，仅示出了其中两个)，它们都连接到通信网络706(例如，互联网)。服务器708可以经由本地连接(例如，存储区域网络(Storage Area Network,SAN)或网络附属存储(Network Attached Storage,NAS))或通过互联网与数据库714通信。服务器708经构造以直接访问包括在数据库714中的数据或与数据库管理器对接，所述数据库管理器经构造以管理包括在数据库714内的数据。
每个控制器702可以包括计算装置的常规部件，例如，处理器、系统存储器、硬盘驱动器、电池、输入装置(诸如鼠标和键盘)和/或输出装置(诸如监视器或图形用户界面)、和/或不仅接收输入而且显示输出的组合的输入/输出装置(诸如触摸屏)。每个服务器708和曝光图案变更应用程序服务器712可包括处理器和系统存储器(未示出)，并且可经构造以使用例如关系数据库软件和/或文件系统来管理存储在数据库714中的内容。服务器708可被编程为使用网络协议(诸如像TCP/IP协议)与另一个服务器708、控制器702和曝光图案变更应用程序服务器712通信。曝光图案变更应用程序服务器712可通过通信网络702直接与控制器706通信。控制器702被编程为执行软件704，诸如程序和/或其它软件应用程序，并且访问由服务器708管理的应用程序。
在下面描述的实施方式中，用户可以分别操作可通过通信网络706连接到服务器708的控制器702。页面、图像、数据、文档和类似内容可经由控制器702显示给用户。信息和图像可通过与控制器702通信的显示装置和/或图形用户界面来显示。
注意的是，控制器702可以是个人计算机、膝上型移动计算装置、智能电话、视频游戏机、家庭数字媒体播放器、联网的电视机、机顶盒和/或具有适于与通信网络706和/或必要的应用程序或软件通信的部件的其它计算装置。控制器702还可执行经构造以从曝光图案变更应用程序服务器712接收内容和信息的其它软件应用程序。
图6示出了图5的曝光图案变更应用程序服务器712的更详细图。曝光图案变更应用程序服务器712包括但不限于中央处理单元(CPU)802、网络接口804、存储器820和存储装置830，它们经由互连806通信。曝光图案变更应用程序服务器712还可包括连接I/O装置810(例如，键盘、视频、鼠标、音频、触摸屏等)的I/O装置接口808。曝光图案变更应用程序服务器712还可包括网络接口804，网络接口804经构造以经由通信网络706传输数据。
CPU 802检索和执行存储在存储器820中的编程指令，并且通常控制和协调其它系统部件的操作。类似地，CPU 802存储和检索驻留在存储器820中的应用程序数据。CPU 802被包括来表示单个CPU、多个CPU、具有多个处理核心的单个CPU和类似形式。互连806可以用于在CPU 802、I/O装置接口808、存储装置830、网络接口804和存储器820之间传输编程指令和应用程序数据。
存储器820一般被包括以表示随机存取存储器，并且在操作中存储软件应用程序和数据以供CPU 802使用。虽然被示出为单个单元，但是存储装置830可以是固定和/或移动存储装置的组合，诸如固定磁盘驱动器、软盘驱动器、硬盘驱动器、闪存存储器存储驱动器、磁带驱动器、可移除存储卡、CD-ROM、DVD-ROM、蓝光光盘、HD-DVD、光学存储装置、网络附属存储(NAS)、云存储装置、或经构造以存储非易失性数据的存储区域网络(SAN)。
存储器820可以存储用于执行应用程序平台826的指令和逻辑，应用程序平台826可以包括曝光图案变更软件828。存储装置830可以包括数据库832，数据库832经构造以存储数据834和关联的应用程序平台内容836。数据库832可以是任何类型的存储装置。
网络计算机是可与本文提供的公开内容结合使用的另一类型的计算机系统。网络计算机通常不包括硬盘或其它大容量存储装置，并且可执行程序从网络连接加载到存储器820中以供CPU 802执行。典型的计算机系统将通常包括至少一个处理器、存储器和将存储器连接到处理器的互连。
图7示出了用于访问曝光图案变更应用程序服务器712并检索或显示与应用程序平台826相关联的数据的控制器702。控制器702可以包括但不限于中央处理单元(CPU)902、网络接口904、互连906、存储器920、存储装置930和支持电路940。控制器702还可以包括将I/O装置910(例如，键盘、显示器、触摸屏和鼠标装置)连接到控制器702的I/O装置接口908。
像CPU 802一样，CPU 902被包括来表示单个CPU、多个CPU、具有多个处理核心的单个CPU等，并且存储器920一般被包括来表示随机存取存储器。互连906可以用于在CPU 902、I/O装置接口908、存储装置930、网络接口904和存储器920之间传输编程指令和应用程序数据。网络接口904可以经构造以经由通信网络706传输数据，例如，来传送来自曝光图案变更应用程序服务器712的内容。存储装置930(诸如硬盘驱动器或固态存储驱动器(solid-state storage drive,SSD))可存储非易失性数据。存储装置930可以包含数据库931。数据库931可以包含数据932和其它内容934。在一些实施方式中，数据库931还可以包括图像处理单元936。图像处理单元可以包括数据938和/或控制逻辑939。说明性地，存储器920可以包括应用程序接口922，应用程序接口922本身可以显示软件指令924和/或存储或显示数据926。应用程序接口922可以提供一个或多个软件应用程序，所述一个或多个软件应用程序允许控制器702访问由曝光图案变更应用程序服务器712托管的数据和其它内容。
控制器702可以耦接到处理设备160、台架130和编码器126中的一个或多个，或与处理设备160、台架130和编码器126中的一个或多个通信。处理设备160和台架130可以向控制器702提供关于基板处理和基板对准的信息。例如，处理设备160可以向控制器702提供信息以提醒控制器基板处理已经完成。编码器126可以向控制器702提供位置信息，并且位置信息随后用于控制台架130和处理设备160。
控制器702可以包括中央处理单元(CPU)902、存储器920和支持电路940(或I/O908)。CPU 902可以是用于工业环境的以控制各种工艺和硬件(例如，图案发生器、电机和其它硬件)并监视工艺(例如，处理时间和基板位置)的任一形式的计算机处理器。存储器920(如图7所示)连接到CPU 902，并且可以是容易获得的存储器中的一种或多种，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其它形式的数字存储装置，无论本地还是远程。软件指令和数据可以被编码并存储在存储器内以指示CPU 902。支持电路940也连接到CPU 902来以常规的方式支持处理器。支持电路940可以包括常规的高速缓存942、电源944、时钟电路946、输入/输出电路948、子系统950和类似者。可由控制器702读取的程序(或计算机指令)决定可在基板上执行何种任务。程序可以是可由控制器702读取的软件并可以包括代码以用于监视和控制，例如，处理时间和基板位置。
然而，应记住，所有这些和类似的术语都将与适当的物理量相关联并仅是适用于这些量的方便标签。除非另外特别表示，否则从以下的讨论中可清楚看出，将了解在说明书的全文中，利用诸如“处理”或“计算”或“运算”或“确定”或“显示”或类似术语的讨论是指计算机系统的动作和进程、或类似电子计算装置的动作和进程，所述电子计算装置将表示为计算机系统寄存器和存储器内的物理(电子)量的数据操纵和变换为类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储、传输或显示装置内的物理量的其它数据。
本示例还涉及用于执行本文的操作的设备。此设备可以被特殊地构造以用于必要目的，或此设备可以包括由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新构造的通用计算机。这样的计算机程序可以存储在计算机可读存储介质中，诸如但不限于只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、闪存存储器、磁性或光学存储卡、任何类型的盘(包括软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘)、或适于存储电子指令的任何类型的介质，它们都耦接到计算机系统互连。
本文呈现的算法和显示并非固有地与任何特定的计算机或其它设备相关。各种通用系统可以根据本文的教导来与程序一起使用，或其可证明构造更专用的设备来执行必要的方法操作可能是方便的。从以上的描述可以明显看出各种这些系统的结构。另外，本示例未参考任何特定的编程语言来描述，因此可以使用各种编程语言来实施各种示例。
如在本中更详细地描述，本公开内容的实施方式提供一种软件应用程序，通过所述软件应用程序，通过在禁止角度处抖动那些特征边缘来在禁止角度处校正曝光多边形的线波缺陷，从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。
在一个实施方式中，公开一种用于变更曝光图案的方法1000。方法1000可以由控制器702执行，如上文关于图7所示和讨论的。CPU 902被编程为执行存储在存储器820中的曝光图案变更软件828，曝光图案变更软件828实施用于变更下文结合图8描述的曝光图案的方法1000。
图8示意性地示出了用于变更曝光图案1100(如图9A-10B所示)的方法1000的操作。方法1000总体涉及一种曝光图案变更软件应用程序，所述曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线条的曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度1106，曝光多边形具有长错位部1104。长错位部1104其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差，从而提供线波减少。
随着投射积聚，形成均匀拍图像。基于与DMD、步长和/或剪切列数相关的因子，暴露图案的侧壁均匀性可以广泛地变化。因此，在操作1010处，确定投射分布的充填因子1102。充填因子1102可以确定投射分布的均匀度。投射分布的均匀度可以包括近似均匀的投射着陆图案。
测试提供了结果，所述结果指示六边形密集体(hex close pack,HCP)充填因子保持了均匀投射着陆图案。在某些实施方案中，HCP充填因子保持约2的充填因子1102。
在一些实施方式中，可以创建充填因子1102的数据库。充填因子1102的数据库可以存储与每个可能的角度、投射数量和/或剪切数量有关的信息。
在操作1020处，确定充填因子1102的对称角度1106，如图9A和9B所示。在一些实施方式中，确定由HCP充填因子1102产生的对称角度1106。HCP对称角度1106可以通过经由虚线连接单独的投射着陆点的中心点并将这些线延伸到或穿过曝光图案1100来确定。在所确定的对称角度1106内(加或减约十度，例如加或减6度)，曝光多边形保持具有接近HCP对称角度1106的角度的线，所述曝光多边形具有长错位部1104。长错位部1104被呈现为高边缘放置误差区域，如图9B所示
已经执行测试并且结果表明，在第一测试条件下，在约-40度、约17度和约85度处存在边缘放置误差，其中在给定的第一测试条件下，每者的平均边缘放置误差达到约+/-150nm之间。此外，鉴于误差范围，测试表明在第一测试条件下的HCP充填因子的对称角度包括在约-34度与约-46度之间、在约11度与约23度之间，和在约79度与约91度之间的角度。然而，取决于选定条件，边缘放置错误可能会在其它角度上发生。选定条件可以包括投射数量、DMD角度和/或剪切数量等。
在操作1030处，确定对称角度1106的锯齿选择1110。投射曝光图案的某些对称角度1106可以具有线波缺陷，由此形成边缘放置误差。在具有线波缺陷的对称角度1106处将波形应用于投射曝光图案的线边缘补偿和/或校正此类缺陷。在一些实施方式中，所应用的波形可以是例如方波形或三角波形等。此外，在一些实施方式中，为了确定锯齿选择1110，算法可以搜索受影响角度并沿着影响角度将线锯齿化。
如在操作1030A处所示，并参考图9A和10A，确定对称角度1106的锯齿选择1110包括确定充填因子的镜子投射间距1108。每个充填因子1102保持可测量的镜子投射间距1108，可测量的镜子投射间距是第一镜的中心与相邻的第二镜的中心之间的距离，如图9A所示。在一些实施方式中，HCP充填因子的镜子投射间距1108称为六边形密集体体间距。
如在操作1030B处所示，确定对称角度1106的锯齿选择1110还包括确定对称角度1106的锯齿幅度(serration amplitude,SA)1112。可以利用等式1找出HCP充填因子的锯齿幅度1112，如下所示。
执行测试以确定锯齿状的峰值间距和幅度对边缘放置误差的影响。N表示最大边缘放置误差(峰到谷)的值。结果表明，对于HCP充填因子，N在约0.65与约0.9之间，例如，约0.8。因此，如上讨论，对于如上所述的六边形密集体充填因子，锯齿幅度1112在镜子投射间距1108的约50％与约120％之间，
SA＝(N)(六边形密集体间距)
等式1
如在操作1030C处所示，确定对称角度1106的锯齿选择1110还包括对称角度1106的锯齿间距(serration pitch,SP)1114。可以利用等式2找出锯齿间距1114，如下所示。
执行测试以确定六边形密集体布置的锯齿间距1114与镜子投射间距1108的比率。结果表明，针对六边形密集体充填因子，锯齿间距1114与镜子投射间距1108的比率在约5.0与约6.0之间，例如，约5.5。如等式2所示，锯齿间距1114等于5.5乘以六边形密集体间距(或镜子投射间距1108)。
SP＝(镜子投射间距)*5.5
等式2
在操作1040处，在对称角度1106处施加锯齿选择1110，如图10A和10B所示。在一些实施方式中，可以将锯齿选择1110应用于基板。在某些实施方式中，可以在形成曝光图案之前或之后施加锯齿选择1110。锯齿选择1110可以包括具有至少一个弯曲边缘(诸如波形形状)的多边形。如上所述，波形可以包括方波形、三角波形、弯曲波形或具有至少一个弯曲边缘的任何其它多边形。
在一些实施方式中，方法1000还可包括曝光在其上应用了锯齿选择1110的图案。可以在包括锯齿选择1110的基板上曝光图案。由此，将对称角度1106的锯齿幅度1112和对称角度1106的锯齿间距1114被应用到曝光图案1100以提供包括锯齿选择1110的曝光图案1110。在对称角度1106处将锯齿选择1110应用到曝光图案1100变更曝光图案1100中产生的多边形边缘。此外，另外测试表明，当在对称角度1106处应用锯齿选择1110时，边缘放置误差减少至少50％。
总之，本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序，所述曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度，曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度将多边形边缘锯齿化来提供线波减少，从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。
更概括地，当特征被曝光(例如，线)并且所述特征略微不平行于积聚在基板上的所有投射的着陆位置的栅格或图案(即，平行于行或列，视情况而定)时，曝光特征可以呈现波度。关于所呈现的波度的原因可以包括栅格捕捉(gridsnapping)。因此，在某些实施方式中，可以执行软件检查以确定曝光图案是否符合设计规则，并且因此，如果曝光图案并不是最佳的和/或应当改变，那么可以标记用户。
尽管前述内容针对本文所述的实施方式，但是也可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计其它和进一步实施方式。例如，本公开内容的方面可以实施在硬件或软件中或实施在硬件和软件的组合中。一个本文所述的实施方式可实施为用于与计算机系统一起使用的程序产品。程序产品的(多个)程序限定实施方式的功能(包括本文所述的方法)并且可以包含在各种计算机可读存储介质上。说明性计算机可读存储介质包括但不限于：(i)在其上永久存储信息的不可写入存储介质(例如，计算机内的只读存储器装置，诸如可由CD-ROM驱动器读出的CD-ROM盘、闪存存储器、ROM芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)；和(ii)在其上存储可变更的信息的可写入的存储介质(例如，软盘驱动器内的软盘或硬盘驱动器或任何类型的固态随机存取半导体存储器)。当这些计算机可读存储介质实施涉及所公开的实施方式的功能的计算机可读指令时，这些计算机可读存储介质是本公开内容的实施方式。
本领域的技术人员将会了解，前述示例仅是示例性的，而非限制性的。预期的是，在阅读本说明书并研究了随附附图之后，所有置换、增补、等效内容及其改进均被包括在本公开内容的真实精神和范围内对于本领域的技术人员而言是显而易见的。因此，预期的是，随附权利要求包括落入这些教导的真实精神和范围内的所有此类修改、置换和等效内容。

Claims (15)

1.一种用于变更曝光图案的方法，包括：
确定投射分布的充填因子；
确定所述充填因子的对称角度；
确定所述对称角度的锯齿选择，其中所述确定锯齿选择包括：
确定所述充填因子的镜子投射间距；
确定所述对称角度的锯齿幅度；和
确定所述对称角度的锯齿间距；和
将所述锯齿选择应用于所述对称角度附近的所述曝光图案。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
曝光在其上具有所述锯齿选择的图案，其中所述充填因子是六边形密集体充填因子。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述锯齿选择包括方波形状或三角波形状。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述锯齿选择包括多边形。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述锯齿间距与所述镜子投射间距的比率在约3.0与约8.0之间，并且其中所述锯齿幅度在所述镜子投射间距的约50％与约120％之间。
6.一种用于变更曝光图案的计算机系统，包括：
处理器；和
存储器，所述存储器存储有指令，所述指令在由所述处理器执行时致使所述计算机系统执行以下步骤：
确定投射分布的充填因子；
确定所述充填因子的对称角度；
确定所述对称角度的锯齿选择，其中所述确定锯齿选择包括：
确定所述充填因子的镜子投射间距；
确定所述对称角度的锯齿幅度；和
确定所述对称角度的锯齿间距；和
将所述锯齿选择应用于所述对称角度附近的所述曝光图案。
7.如权利要求6所述的计算机系统，还包括：
曝光在其上具有所述锯齿选择的图案，其中所述充填因子是六边形密集体充填因子。
8.如权利要求6所述的计算机系统，其中所述锯齿选择包括方波形状或三角波形状。
9.如权利要求6所述的计算机系统，其中所述锯齿选择包括多边形。
10.如权利要求6所述的计算机系统，其中所述锯齿间距与所述镜子投射间距的比率在约3.0与约8.0之间，并且其中所述锯齿幅度在所述镜子投射间距的约50％与约120％之间。
11.一种存储有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时致使计算机系统通过执行以下步骤来变更曝光图案：
确定投射分布的充填因子；
确定所述充填因子的对称角度；
确定所述对称角度的锯齿选择，其中所述确定锯齿选择包括：
确定所述充填因子的镜子投射间距；
确定所述对称角度的锯齿幅度；和
确定所述对称角度的锯齿间距；和
将所述锯齿选择应用于接近所述对称角度的所述曝光图案。
12.如权利要求11所述的非暂时性计算机可读介质，还包括：
曝光在其上具有所述锯齿选择的图案，其中所述充填因子是六边形密集体充填因子。
13.如权利要求11所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述锯齿选择包括方波形状或三角波形状。
14.如权利要求11所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述锯齿选择包括多边形。
15.如权利要求11所述的非暂时计算机可读介质，其中所述锯齿间距与所述镜子投射间距的比率在约3.0与约8.0之间，并且其中所述锯齿幅度在所述镜子投射间距的约50％与约120％之间。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113454537A (zh) * 2019-02-19 2021-09-28 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案
CN113454536A (zh) * 2019-02-19 2021-09-28 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9791786B1 (en) * 2016-04-08 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Method to reduce line waviness
US10591815B2 (en) * 2018-06-28 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Shifting of patterns to reduce line waviness
US10761430B2 (en) 2018-09-13 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast
US10788762B2 (en) * 2019-02-25 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Dynamic cooling control for thermal stabilization for lithography system
US11822253B2 (en) 2021-05-10 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Decreasing distortion by modifying pixel spacing
US11815818B2 (en) * 2021-05-10 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Method to achieve non-crystalline evenly distributed shot pattern for digital lithography

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1467254A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1916765A (zh) * 2005-07-28 2007-02-21 台湾积体电路制造股份有限公司 用以制造半导体元件的最佳化模组的近接校正
JP2007334156A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp パターン形成方法及び薄膜トランジスタアレイ基板並びに液晶表示素子
CN101228480A (zh) * 2005-07-19 2008-07-23 富士胶片株式会社 图案形成方法
US20090066942A1 (en) * 2007-07-12 2009-03-12 Shmuel Mangan Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern
EP2133755A2 (en) * 2008-06-10 2009-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Computer generated hologram, exposure apparatus and device fabrication method
WO2011076500A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103235489A (zh) * 2013-05-15 2013-08-07 中国科学院光电技术研究所 可变周期多光束干涉光刻的方法
CN103424996A (zh) * 2013-09-03 2013-12-04 苏州大学 一种光学加工系统和方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1730596B1 (en) * 2004-03-30 2011-02-16 Carl Zeiss SMT AG Projection objective and projection exposure apparatus
US7856606B2 (en) 2004-03-31 2010-12-21 Asml Masktools B.V. Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems
JP4638826B2 (ja) * 2005-02-04 2011-02-23 富士フイルム株式会社 描画装置及び描画方法
TW200640245A (en) * 2005-02-04 2006-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd Rendering device and rendering method
US7391554B2 (en) * 2006-08-25 2008-06-24 Spatial Photonics, Inc. High fill-ratio mirror-based spatial light modulator
KR100946247B1 (ko) * 2008-01-09 2010-03-09 주식회사 프로텍 빔 이동에 의해 다중 노광을 수행하는 다중 노광시스템
JP2011180297A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US9791786B1 (en) 2016-04-08 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Method to reduce line waviness
CN206848690U (zh) * 2017-01-21 2018-01-05 南京新趋势光电有限公司 一种高均匀性led平行光曝光机光源系统

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1467254A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101228480A (zh) * 2005-07-19 2008-07-23 富士胶片株式会社 图案形成方法
CN1916765A (zh) * 2005-07-28 2007-02-21 台湾积体电路制造股份有限公司 用以制造半导体元件的最佳化模组的近接校正
JP2007334156A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp パターン形成方法及び薄膜トランジスタアレイ基板並びに液晶表示素子
US20090066942A1 (en) * 2007-07-12 2009-03-12 Shmuel Mangan Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern
EP2133755A2 (en) * 2008-06-10 2009-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Computer generated hologram, exposure apparatus and device fabrication method
WO2011076500A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103235489A (zh) * 2013-05-15 2013-08-07 中国科学院光电技术研究所 可变周期多光束干涉光刻的方法
CN103424996A (zh) * 2013-09-03 2013-12-04 苏州大学 一种光学加工系统和方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113454537A (zh) * 2019-02-19 2021-09-28 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案
CN113454536A (zh) * 2019-02-19 2021-09-28 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案
CN113454537B (zh) * 2019-02-19 2023-09-15 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案
CN113454536B (zh) * 2019-02-19 2023-11-21 应用材料公司 用于无掩模光刻技术的半色调方案

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