JP7007420B2 - ラインのうねりを低減するための方法 - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、概して、マスクレスリソグラフィの分野に関する。より具体的には、本明細書に提示されている実施形態は、マスクレスデジタルリソグラフィ製造プロセスを実施するためのシステム及び方法に関する。
フォトリソグラフィは、半導体デバイス及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などのディスプレイデバイスの製造において、広範に使用される。ＬＣＤの製造では、大面積基板が利用されることが多い。ＬＣＤ又はフラットパネルは、一般的に、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、テレビモニタなどといった、アクティブマトリクスディスプレイに使用される。通常、フラットパネルは、２枚のプレートの間に挟まれたピクセルを形成する液晶材料の層を含みうる。電源からの電力が液晶材料全体に印加されると、液晶材料を通過する光の量がピクセル位置において制御され、画像の生成が可能になりうる。
ピクセルを形成する液晶材料層の一部として組み込まれた電気的特徴を作り出すために、一般的にマイクロリソグラフィ技法が用いられる。この技法により、典型的には、基板の少なくとも１つの表面に感光性フォトレジストが付けられる。次いで、パターン生成装置が、パターンの一部として選択された感光性フォトレジストの領域に光を照射して、選択領域内のフォトレジストに化学変化を引き起こし、これらの選択領域に、電気的特徴を作り出す後続の材料除去及び／又は材料追加のプロセスのための準備を行う。
ディスプレイデバイス及びその他のデバイスを、消費者が求める価格で、消費者に継続的に提供するために、大面積基板などの基板に正確に、かつ良好なコストパフォーマンスでパターンを作り出す、新たな装置、アプローチ、及びシステムが必要とされている。
上記で示しているように、必要なパターンを正確に、かつ良好なコストパフォーマンスで作り出すための改良された技術及びデバイスが必要とされている。
本開示は、概して、製造プロセスにおけるマスクレスリソグラフィパターニング中にエッジ配置誤差を低減するために、その上に適用されるセレーション変更を伴う露光パターンを提供する、ライン波低減ソフトウェアアプリケーションプラットフォームに関する。一実施形態では、露光パターンを変更するための方法が開示される。方法は、ショット分布のパッキングファクタを決定することと、パッキングファクタの対称角を決定することと、対称角のセレーション選択を決定することとを含む。セレーション選択を決定することは、パッキングファクタのミラーショットピッチを決定することと、対称角のセレーション振幅を決定することと、対称角のセレーションピッチを決定することとを含む。方法はまた、セレーション選択を対称角付近の露光パターンに適用することを含む。
別の実施形態では、露光パターンを変更するためのコンピュータシステムが開示される。露光パターンを変更するためのコンピュータシステムは、プロセッサと、命令を記憶するメモリとを備え、命令は、プロセッサによって実行されるときに、コンピュータシステムに、ショット分布のパッキングファクタを決定させ、パッキングファクタの対称角を決定させ、対称角のセレーション選択を決定させる。セレーション選択を決定することは、パッキングファクタのミラーショットピッチを決定することと、対称角のセレーション振幅を決定することと、対称角のセレーションピッチを決定することとを含む。メモリはまた、プロセッサによって実行されるときに、コンピュータシステムに、セレーション選択を対称角付近の露光パターンに適用させる命令を記憶しうる。
更に別の実施形態では、プロセッサによって実行されるときに、コンピュータシステムに露光パターンを変更させる命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体が開示される。プロセッサは、ショット分布のパッキングファクタを決定する工程と、パッキングファクタの対称角を決定する工程と、対称角のセレーション選択を決定する工程とを実行しうる。セレーション選択を決定することは、パッキングファクタのミラーショットピッチを決定することと、対称角のセレーション振幅を決定することと、対称角のセレーションピッチを決定することとを含む。プロセッサはまた、セレーション選択を対称角付近の露光パターンに適用する工程を実行しうる。
本開示の上述の特徴が詳細に理解できるように、上記で概説した本開示のより具体的な説明が実施形態を参照することにより得られ、それら実施形態の幾つかは添付図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態に適用されうることから、添付図面は本開示の例示的な実施形態だけしか示しておらず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
本明細書で開示されている実施形態から恩恵を受けうるシステムの斜視図である。 一実施形態による複数の画像投影システムの概略斜視図である。 一実施形態による、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の２つのミラーによって反射されているビームを概略的に示す。 一実施形態による画像投影装置の斜視図である。 一実施形態による、マスクレスリソグラフィ中の露光パターンのエッジ配置誤差を低減するために露光パターンのセレーション変更を作り出す露光パターン変更アプリケーションを提供するコンピュータシステムを示す。 一実施形態による、図５のサーバのより詳細な図を示す。 一実施形態による、マスクレスリソグラフィ中の露光パターンのエッジ配置誤差を低減するために、露光パターンのセレーション変更を作り出す露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションにアクセスするために使用されるコントローラ演算システムを示す。 一実施形態による、露光パターンを変更するための方法の工程を概略的に示す。 一実施形態による、長いジョグを有する露光パターンを概略的に示す。 一実施形態による、図９Ａの露光パターンの拡大図を概略的に示す。 一実施形態による、対称角で適用されるセレーション選択を概略的に示す。 一実施形態による、図１０Ａのセレーション選択の拡大図を概略的に示す。
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。
本明細書で開示される実施形態は、長いジョグに影響される六方最密配置の対称角に実質的に近い角度のラインを有する露光多角形を操作する露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションに関する。長いジョグは、エッジ配置誤差が高い領域であることを表している。このように、露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションは、影響を受けた角度で多角形エッジを鋸歯状にすることによってライン波低減をもたらし、製造プロセスにおけるマスクレスリソグラフィパターニング中のエッジ配置誤差を低減する。
本明細書で使用される「ユーザ（ｕｓｅｒ）」という用語は、例えば、演算デバイス又は無線デバイスを所有する人又は主体、演算デバイス又は無線デバイスを操作又は利用する人又は主体、そうでなければ演算デバイス又は無線デバイスに関連付けられる人又は主体を含む。「ユーザ」という用語は、限定を意図するものではなく、記載されているものを超えて様々な例を含みうると想定される。
図１は、本明細書で開示されている実施形態から恩恵を受けうるシステム１００の斜視図である。システム１００は、ベースフレーム１１０、板状体（ｓｌａｂ）１２０、２つ以上のステージ１３０、及び処理装置１６０を含む。ある実施形態では、１つのステージ１３０が使用されうる。ベースフレーム１１０は、製造施設のフロアに置かれてよく、かつ、板状体１２０を支持しうる。受動空気アイソレータ１１２が、ベースフレーム１１０と板状体１２０との間に位置付けられうる。板状体１２０は花崗岩の一枚板であってよく、２つ以上のステージ１３０は、板状体１２０の上に配置されうる。基板１４０は、２つ以上のステージ１３０の各々によって支持されうる。複数の孔（図示せず）がステージ１３０に形成されてよく、それにより、複数のリフトピン（図示せず）がそれらの孔を通って延在することが可能になる。リフトピンは、例えば移送ロボット（図示せず）から基板１４０を受容するために、伸長位置に上昇しうる。移送ロボットが基板１４０をリフトピン上に位置付けてよく、リフトピンはその後、基板１４０をステージ１３０上へと徐々に下降させうる。
基板１４０は、例えばガラスで作製され、フラットパネルディスプレイの一部として使用されうる。他の実施形態では、基板１４０は、石英などの他の材料で作製されうる。更に、他の実施形態では、基板１４０はポリマー基板でありうる。いくつかの実施形態では、基板１４０は、その上に形成されたフォトレジスト層を有しうる。フォトレジストは、放射線に敏感であり、ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストでありうる。つまり、放射線に露光されるフォトレジストの部分は、それぞれ、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布されるフォトレジストデベロッパに、可溶性又は不溶性になるだろう。フォトレジストの化学組成により、そのフォトレジストがポジ型フォトレジストになるか、又はネガ型フォトレジストになるかが決まる。例えば、フォトレジストは、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（メチルグルタルイミド）、及びＳＵ－８のうちの少なくとも１つを含みうる。こうして、電子回路を形成するために、パターンが基板１４０の表面上に作り出されうる。
システム１００は、一対の支持体１２２と、一対の軌道１２４とを更に含みうる。一対の支持体１２２は、板状体１２０上に配置され、板状体１２０と一対の支持体１２２は、単一の材料片でありうる。一対の軌道１２４は、一対の支持体１２２によって支持され、２つ以上のステージ１３０は、軌道１２４に沿ってＸ方向に移動しうる。一実施形態では、一対の軌道１２４は、一対の平行な磁気チャネルである。図示しているように、一対の軌道１２４の各軌道１２４は線形である。他の実施形態では、軌道１２４は、非線形の形状を有していてもよい。コントローラ７０２に位置情報を提供するために、エンコーダ１２６が各ステージ１３０に連結されうる（図７参照）。
処理装置１６０は、支持体１６２及び処理ユニット１６４を含みうる。支持体１６２は、板状体１２０の上に配置されてよく、２つ以上のステージ１３０が処理ユニット１６４の下を通るための開口１６６を含みうる。処理ユニット１６４は、支持体１６２によって支持されうる。一実施形態では、処理ユニット１６４は、フォトリソグラフィ処理においてフォトレジストを露光させるよう構成された、パターン生成装置である。いくつかの実施形態では、パターン生成装置は、マスクレスリソグラフィ処理を実施するよう構成されうる。処理ユニット１６４は、筐体１６５内に配置された、複数の画像投影システム（図２に示す）を含みうる。処理装置１６０は、マスクレス直接パターニングを実施するために利用されうる。動作中、２つ以上のステージ１３０のうちの１つは、図１に示す搬入位置から処理位置へと、Ｘ方向に移動する。処理位置は、ステージ１３０が処理ユニット１６４の下を通る際の、ステージ１３０の一又は複数の位置を指しうる。動作中、２つ以上のステージ１３０は、複数の空気軸受（図示せず）によって上昇し、搬入位置から処理位置に、一対の軌道１２４に沿って移動しうる。ステージ１３０の動きを安定させるために、複数の垂直ガイド空気軸受（図示せず）が、各ステージ１３０に連結され、かつ、各支持体１２２の内壁１２８に隣接して位置付けられうる。２つ以上のステージ１３０の各々は、基板１４０の処理及び／又は割り出し（ｉｎｄｅｘ）のために、軌道１５０に沿って移動することによってＹ方向にも移動しうる。各ステージ１３０は、軌道１２４に沿ってステージ１３０を移動させるための、モータコイル（図示せず）も含みうる。温度及び圧力の制御を行うために、２つ以上のステージ１３０及び処理装置１６０は、囲い（図示せず）によって囲まれうる。
図２は、一実施形態による、複数の画像投影システム３０１の概略斜視図である。図２に示しているように、各画像投影システム３０１は、基板１４０の表面３０４に複数の書き込みビーム３０２を生成する。基板１４０がＸ方向及びＹ方向に移動するにつれて、表面３０４の全体が、書き込みビーム３０２によってパターニングされうる。画像投影システム３０１の数は、基板１４０のサイズ及び／又はステージ１３０のスピードに基づいて変動しうる。一実施形態では、処理装置１６０内に２２の画像投影システムが存在する。
更に図２に示すように、画像投影システム３０１は、光源４０２、開孔４０４、レンズ４０６、ミラー４０８、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）４１０、光ダンプ４１２、カメラ４１４、及び投影レンズ４１６を含みうる。光源４０２は、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザであってよく、かつ、所定の波長を有する光を生成することが可能でありうる。一実施形態では、所定の波長とは、約４５０ｎｍ未満などの、青色又は近紫外（ＵＶ）範囲内のものである。ミラー４０８は、球面ミラーでありうる。投影レンズ４１６は、１０倍の対物レンズでありうる。ＤＭＤ４１０は複数のミラーを含んでよく、ミラーの数は、投影される画像の解像度に対応しうる。一実施形態では、ＤＭＤ４１０は、１９２０×１０８０のミラーを含む。
動作中、光源４０２によって、青色範囲内の波長などの所定の波長を有するビーム４０３が生成される。ビーム４０３は、ミラー４０８によってＤＭＤ４１０に反射される。ＤＭＤ４１０は、複数のミラー（例えば、図３に示すミラー５０２、５０４）を含み、それらのミラーの光源４０２及び／又は基板１４０に対する配向又は位置が別個に制御されうる。ＤＭＤ４１０の複数のミラーの各ミラー５０２、５０４は、コントローラ（図示せず）によってＤＭＤ４１０に提供されるマスクデータに基づき、「オン（ｏｎ）」の位置又は「オフ（ｏｆｆ）」の位置にありうる。ビーム４０３がＤＭＤ４１０のミラーに到達すると、投影レンズ４１６に向けて、「オン」の位置にあるミラーがビーム４０３を反射し、すなわち、複数の書き込みビーム３０２を形成する。投影レンズ４１６は次いで、基板１４０の表面３０４に書き込みビーム３０２を投影する。「オフ」の位置にあるミラーは、基板１４０の表面３０４の代わりに、光ダンプ４１２に向けて、ビーム４０３を反射する。
一実施形態では、ＤＭＤ４１０は、２つ以上のミラーを有しうる。各ミラーは、メモリセル上に配置されうる傾斜機構上に配置されうる。メモリセルは、ＣＭＯＳ ＳＲＡＭでありうる。動作中、メモリセルにマスクデータを読み込むことによって、各ミラーが制御される。マスクデータは、ミラーの傾斜を二進法で静電制御する。ミラーがリセットモードであるときか、又は電力が印加されていない場合には、ミラーは、どの二進数にも対応しない平坦な位置に設定されうる。二進法におけるゼロは、「オフ」の位置に対応しうる。つまり、ミラーが、－１０度、－１２度、又は、他の任意の実現可能な負の傾斜度数に傾斜される。二進法における１は、「オン」の位置に対応しうる。つまり、ミラーが、＋１０度、＋１２度、又は、他の任意の実現可能な正の傾斜度で傾斜される。
図３は、ＤＭＤ４１０の２つのミラー５０２、５０４によって反射されているビーム４０３を概略的に示す。図示するように、「オフ」の位置にあるミラー５０２は、光源４０２から発生したビーム４０３を、光ダンプ４１２に反射する。「オン」の位置にあるミラー５０４は、ビーム４０３を投影レンズ４１６に向かって反射することにより、書き込みビーム３０２を形成する。
各システム１００は、任意の数の画像投影システム３０１を含み、画像投影システム３０１の数は、システムによって変更されうる。一実施形態では、８４の画像投影システム３０１が存在する。各画像投影システム３０１は、４０のダイオード、又は任意の数のダイオードを含みうる。このような多数のダイオードを扱うためには、より高い電力が必要となるので、多数のダイオードを維持しようとすると問題が生じる。１つの解決策は、ダイオードを直列に整列させることでありうるが、以下に説明するように、直列に構成された場合、機能していないダイオードを検出する必要がある。
図４は、一実施形態による画像投影装置３９０の斜視図である。画像投影装置３９０は、基板１４０の垂直面上のあるスポットに光を集束させ、最終的にその基板１４０に画像を投影するために使用される。画像投影装置３９０は、２つのサブシステムを含む。画像投影装置３９０は、照明システム及び投影システムを含む。照明システムは、少なくとも光パイプ３９１及び白色光照明デバイス３９２を含む。投影システムは、少なくともＤＭＤ４１０、円錐プリズムアセンブリ２８８、ビームスプリッタ３９５、一又は複数の投影光学系３９６ａ、３９６ｂ、歪み補償器３９７、焦点モータ３９８、及び投影レンズ４１６（前述）を含む。投影レンズ４１６は、フォーカス群４１６ａ及び窓４１６ｂを含む。
光源４０２から画像投影装置３９０に、光が導入される。光源４０２は、化学線光源であってもよい。例えば、光源４０２は、ファイバの束であってもよく、各ファイバは１つのレーザを含む。一実施形態では、光源４０２は、約１００のファイバの束であってもよい。ファイバの束は、レーザダイオードによって照射されてもよい。光源４０２は、光パイプ（又はカレイド）３９１に連結される。一実施形態では、光源４０２は、束のファイバ各々を結合する結合器を介して、光パイプ３９１に連結される。
いったん光源４０２からの光が光パイプ３９１に入ると、光パイプ３９１を出たときに光が均質化され、均一になるように、光パイプ３９１の内部で光が跳ね返る。光は、光パイプ３９１内で最大６回又は７回跳ね返ることがある。言い換えれば、光は、光パイプ３９１内で全部で６～７回の内部反射を経て、均一な光の出力をもたらす。
画像投影装置３９０は、オプションで、様々な反射面（符号なし）を含みうる。様々な反射面は、画像投影装置３９０を通って進む光の一部を捕捉する。一実施形態では、様々な反射面は、いくらかの光を捕捉し、次に光レベルセンサ３９３に光を向けるのを助け、レーザレベルが監視されうる。
白色光照明デバイス３９２は、光パイプ３９１によって均質化された広帯域の可視光を画像投影装置３９０の投影システム内に投影する。特に、白色光照明デバイス３９２は、光を円錐プリズムアセンブリに方向付ける。化学線光源及び広帯域光源は、互いに独立してオン又はオフにされうる。
円錐プリズムアセンブリ２８８は、基板１４０の表面に投影されることになる光をフィルタリングするように機能する。光線は、基板１４０上に投影されることになる光と、基板１４０上に投影されない光とに分離される。円錐プリズムアセンブリ２８８を使用することで、内部の全反射光が集められて送出されるため、エネルギー損失が最小になる。円錐プリズムアセンブリ２８８は、ビームスプリッタ３９５に連結される。
ＤＭＤ４１０は、円錐キューブアセンブリの一部として含まれる。ＤＭＤ４１０は、画像投影装置３９０の撮像デバイスである。ＤＭＤ４１０及び円錐プリズムアセンブリ２８８の使用は、露光照明を生成する光源４０２から基板焦点面までずっと、照明の流れの方向を基板１４０にほぼ垂直に保つことによって、各画像投影装置３９０の設置面積を最小にするのに役立つ。
ビームスプリッタ３９５は、位置合わせに光を更に抽出するために使用される。より具体的には、ビームスプリッタ３９５は、光を２つ以上の別々のビームに分割するために使用される。ビームスプリッタ３９５は、一又は複数の投影光学系３９６に結合される。２つの投影光学系３９６ａ、３９６ｂが、図４に示される。
一実施形態では、焦点センサ及びカメラ２８４がビームスプリッタ３９５に取り付けられる。焦点センサ及びカメラ２８４は、レンズを通した焦点（ｔｈｒｏｕｇｈ ｌｅｎｓ ｆｏｃｕｓ）及び位置合わせ、並びにミラー傾斜角変動を含むがこれに限定されない画像投影装置３９０の様々な態様の撮像品質を監視するように構成されうる。加えて、焦点センサ及びカメラ２８４は、基板１４０に投影される予定の画像を示しうる。更なる実施形態では、焦点センサ及びカメラ２８４は、基板１４０上の画像を捕捉し、それらの画像間での比較を行うために使用されうる。言い換えれば、焦点センサ及びカメラ２８４は、検査機能を実行するために使用されうる。
投影光学系３９６、歪み補償器３９７、焦点モータ３９８、及び投影レンズ４１６は一緒になって、画像を準備し、ＤＭＤ４１０から基板１４０上に最終的に画像を投影する。投影光学系３９６ａは、歪み補償器３９７に結合される。歪み補償器３９７は、投影光学系３９６ｂに結合され、投影光学系３９６ｂは、フォーカスモータ３９８に結合される。フォーカスモータ３９８は、投影レンズ４１６に結合される。投影レンズ４１６は、フォーカス群４１６ａ及び窓４１６ｂを含む。フォーカス群４１６ａは、窓４１６ｂに結合される。窓４１６ｂは、交換可能でありうる。
光パイプ３９１及び白色光照明デバイス３９２は、第１の取付板３４１に連結される。加えて、追加的な様々な反射面（符号なし）及び光レベルセンサ３９３を含む実施形態では、様々な反射面及び光レベルセンサ３９３はまた、第１の取付板３４１に結合されうる。
円錐プリズムアセンブリ２８８、ビームスプリッタ３９５、一又は複数の投影光学系３９６ａ、３９６ｂ及び歪み補償器３９７は、第２の取付板３９９に結合される。第１の取付板３４１及び第２の取付板３９９は、平面であり、画像投影装置３９０の上記構成要素の正確な位置合わせを可能にする。言い換えると、光は、単一の光軸に沿って画像投影装置３９０を通過する。単一の光軸に沿ったこのような正確な位置合わせは、コンパクトな装置をもたらす。例えば、画像投影装置３９０は、約８０ｍｍから約１００ｍｍの間の厚さを有しうる。
いくつかの実施形態では、アレイ形式で光を制御するために、ＤＭＤ４１０の代わりに又はＤＭＤ４１０と組み合わせて、マイクロレンズ又は液晶のような他のハードウェアが利用されうる。
図５は、本開示の実施形態が実施されうる露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションプラットフォームを提供するように構成された演算システム７００を示す。図示されるように、演算システム７００は、複数のサーバ７０８、露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２、及び複数のコントローラ（すなわち、コンピュータ、パーソナルコンピュータ、モバイル／ワイヤレスデバイス）７０２（明瞭にするために、そのうちの２つのみが示されている）を含んでいてもよく、通信ネットワーク７０６（例えば、インターネット）に各々が接続されている。サーバ７０８は、ローカル接続（ストレージエリアネットワーク（ＳＡＮ）、又はネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）など）を介して、又はインターネットを通じて、データベース７１４と通信しうる。サーバ７０８は、データベース７１４に含まれるデータに直接アクセスすること、又は、データベース７１４内に含まれるデータを管理するよう設定されているデータベースマネージャとインターフェース接続することのいずれかを実行するよう、設定される。
各コントローラ７０２は、例えばプロセッサ、システムメモリ、ハードディスクドライブ、バッテリ、マウス及びキーボードなどの入力デバイス、及び／若しくはモニタ又はグラフィックユーザインターフェースなどの出力デバイス、並びに／又は入力を受け取るだけでなく出力の表示も行うタッチスクリーンのような結合型入力／出力デバイスといった、演算デバイスの従来の構成要素を含みうる。各サーバ７０８及び露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２は、プロセッサ及びシステムメモリ（図示せず）を含み、かつ関係データベースソフトウェア及び／又はファイルシステムなどを使用して、データベース７１４に記憶されたコンテンツを管理するよう設定されうる。サーバ７０８は、例えばＴＣＰ／ＩＰプロトコルなどのネットワークプロトコルを使用して、互いに、コントローラ７０２と、及び露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２と通信するようにプログラムされうる。露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２は、通信ネットワーク７０６を通じて、コントローラ７０２と直接通信しうる。コントローラ７０２は、プログラム及び／又はその他のソフトウェアアプリケーションなどのソフトウェア７０４を実行するようプログラムされ、かつ、サーバ７０８によって管理されているアプリケーションにアクセスする。
以下に説明する実施形態では、ユーザは、通信ネットワーク７０６を通じて、サーバ７０８に接続されうるコントローラ７０２をそれぞれ操作しうる。ページ、画像、データ、文書などが、コントローラ７０２を介してユーザに表示されうる。コントローラ７０２と通信可能なディスプレイデバイス及び／又はグラフィカルユーザインターフェースを通じて、情報及び画像が表示されうる。
コントローラ７０２が、パソコン、ラップトップ型携帯演算デバイス、スマートフォン、ビデオゲームの操作器、家庭用デジタルメディアプレイヤー、ネットワーク接続型テレビ、セットトップボックス、並びに／又は、通信ネットワーク７０６との通信に適した構成要素、及び／又は必要なアプリケーション又はソフトウェアを有するその他の演算デバイスでありうることに、留意されたい。コントローラ７０２はまた、露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２からコンテンツ及び情報を受信するように構成された他のソフトウェアアプリケーションを実行してもよい。
図６は、図５の露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２のより詳細な図を示す。露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２は、中央処理装置（ＣＰＵ）８０２、ネットワークインターフェース８０４、メモリ８２０、及び相互接続８０６を介して通信を行うストレージ８３０を含むが、それらに限定されない。露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２は、Ｉ／Ｏデバイス８１０（例えばキーボード、ビデオ、マウス、オーディオ、タッチスクリーンなど）に接続するＩ／Ｏデバイスインターフェース８０８も含みうる。露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２は、通信ネットワーク７０６を介してデータを伝送するよう設定された、ネットワークインターフェース８０４を更に含みうる。
ＣＰＵ８０２は、メモリ８２０に記憶されたプログラミング命令を読み出して実行し、かつ、通常は、他のシステム構成要素の動作を制御し、コーディネートする。同様に、ＣＰＵ８０２は、メモリ８２０にアプリケーションデータを記憶し、メモリ８２０の中にあるアプリケーションデータを読み出す。代表的には、単一のＣＰＵ、複数のＣＰＵ、複数の処理コアを有する単一のＣＰＵなどである、ＣＰＵ８０２が含まれる。相互接続８０６は、ＣＰＵ８０２と、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース８０８と、ストレージ８３０と、ネットワークインターフェース８０４と、メモリ８２０との間でプログラミング命令及びアプリケーションデータを伝送するために、使用される。
代表的にはランダムアクセスメモリである、メモリ８２０が通常含まれ、メモリ８２０は、動作中に、ＣＰＵ８０２によって使用されるソフトウェアアプリケーション及びデータを記憶する。ストレージ８３０は、単一のユニットとして図示しているが、不揮発性のデータを記憶するよう設定された、固定ディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリストレージドライブ、テープドライブ、取り外し可能なメモリカード、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、Ｂｌｕ－Ｒａｙ、ＨＤ－ＤＶＤ、光ストレージ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、クラウドストレージ、又はストレージエリアネットワーク（ＳＡＮ）などの、固定ストレージデバイス及び／又は取り外し可能なストレージデバイスの組み合わせであってもよい。
メモリ８２０は、露光パターン変更ソフトウェア８２８を含むアプリケーションプラットフォーム８２６を実行するための命令及びロジックを格納しうる。ストレージ８３０は、データ８３４及び関連するアプリケーションプラットフォームコンテンツ８３６を記憶するよう設定されたデータベース８３２を含みうる。データベース８３２は、任意の種類のストレージデバイスでありうる。
ネットワークコンピュータは、本明細書に提示している開示内容と併用できる、別の種類のコンピュータシステムである。ネットワークコンピュータは、一般的には、ハードディスク又はその他の大容量ストレージを含まず、実行可能プログラムは、ＣＰＵ８０２によって実行されるよう、ネットワーク接続からメモリ８２０に読み込まれる。典型的なコンピュータシステムは、一般的に、少なくとも、プロセッサ、メモリ、及び、メモリをプロセッサに連結する相互接続を含むことになる。
図７は、露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２にアクセスし、アプリケーションプラットフォーム８２６に関連するデータを検索又は表示するために使用されるコントローラ７０２を示す。コントローラ７０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、ネットワークインターフェース９０４、相互接続９０６、メモリ９２０、ストレージ９３０、及びサポート回路９４０を含みうるが、それらに限定されない。コントローラ７０２はまた、Ｉ／Ｏデバイス９１０（キーボード、ディスプレイ、タッチスクリーン、及びマウスなどのデバイス）をコントローラ７０２に接続する、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース９０８も含みうる。
ＣＰＵ８０２と同様に、代表的には、単一のＣＰＵ、複数のＣＰＵ、複数の処理コアを有する単一のＣＰＵなどである、ＣＰＵ９０２が含まれ、代表的にはランダムアクセスメモリである、メモリ９２０が通常含まれる。相互接続９０６は、ＣＰＵ９０２と、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース９０８と、ストレージ９３０と、ネットワークインターフェース９０４と、メモリ９２０との間でプログラミング命令及びアプリケーションデータを送信するために、使用されうる。ネットワークインターフェース９０４は、例えば、露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２からコンテンツを転送するために、通信ネットワーク７０６を介してデータを送信するように構成されうる。ハードディスクドライブ又は固体ストレージドライブ（ＳＳＤ）などのストレージ９３０は、不揮発性データを記憶しうる。ストレージ９３０は、データベース９３１を包含しうる。データベース９３１は、データ９３２及びその他のコンテンツ９３４を包含しうる。いくつかの実施形態では、データベース９３１は、画像処理ユニット９３６を更に含みうる。画像処理ユニットは、データ９３８及び／又は制御ロジック９３９を含みうる。例示的には、メモリ９２０は、アプリケーションインターフェース９２２を含み、アプリケーションインターフェース９２２自体が、ソフトウェア命令９２４を表示し、及び／又はデータ９２６を記憶し若しくは表示しうる。アプリケーションインターフェース９２２は、コントローラ７０２が、露光パターン変更アプリケーションサーバ７１２によってホストされるデータ及び他のコンテンツにアクセスすることを可能にする、一又は複数のソフトウェアアプリケーションを提供しうる。
コントローラ７０２は、処理装置１６０、ステージ１３０、及びエンコーダ１２６のうちの一又は複数に連結されうるか、又はそれらと通信可能でありうる。処理装置１６０及びステージ１３０は、基板処理及び基板の位置合わせに関して、コントローラ７０２に情報を提供しうる。例えば、処理装置１６０は、コントローラ７０２に基板処理が完了したことを警告するために、コントローラ７０２に情報を提供しうる。エンコーダ１２６は、コントローラ７０２に位置情報を提供可能であり、この位置情報は次いで、ステージ１３０及び処理装置１６０を制御するために使用される。
コントローラ７０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、メモリ９２０、及びサポート回路９４０（又はＩ／Ｏ９０８）を含みうる。ＣＰＵ９０２は、様々な処理を制御するために産業用設定で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサとハードウェア（パターン生成装置、モータ、及びその他のハードウェアなど）のうちの一方であり、プロセス（処理時間や基板位置など）をモニタしうる。メモリ９２０は、図７に示しているように、ＣＰＵ９０２に接続されており、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又はその他の任意の形態のローカル若しくは遠隔のデジタルストレージといった、容易に利用可能なメモリのうちの一又は複数でありうる。ＣＰＵ９０２に指示するために、ソフトウェア命令及びデータは、コード化され、メモリ内に記憶することができる。サポート回路９４０はまた、従来の様態でプロセッサをサポートするように、ＣＰＵ９０２に接続される。サポート回路９４０は、従来型のキャッシュ９４２、電源９４４、クロック回路９４６、入力／出力回路９４８、サブシステム９５０などを含みうる。コントローラ７０２によって可読なプログラム（又はコンピュータ命令）が、どのタスクが基板で実施可能であるかを決定する。このプログラムは、コントローラ７０２による可読ソフトウェアであり、例えば処理時間及び基板位置をモニタし、制御するためのコードを含みうる。
しかしながら、これら全ての用語及び類似の用語は、適切な物理的量に関連付けられるべきであり、これらの量に適用される単なる便宜上の符号にすぎないと留意すべきである。下記検討から明らかであるように、別途特段の記載がない限り、本明細書全体を通じて、「処理する（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」「演算する（ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）」「算出する（ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ）」「決定する（ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ）」、又は「表示する（ｄｉｓｐｌａｙｉｎｇ）」等といった用語を利用した検討は、コンピュータシステムのレジスタ及びメモリ内の物理的（電子）量として表されるデータを操作し、コンピュータシステムのメモリ若しくはレジスタ、又はかかる情報のその他のストレージデバイス、伝送デバイス、又はディスプレイデバイス内の物理的量として同様に表される他のデータに変換する、コンピュータシステム又は類似の電子演算デバイスの作動及びプロセスを指すと認識される。
本実施例はまた、本明細書中の動作を実施するための装置にも関する。この装置は、必要な目的のために特別に構築されうるか、又は、コンピュータに記憶されているコンピュータプログラムによって選択的に作動するか若しくは再構成される、汎用コンピュータを備えうる。かかるコンピュータプログラムは、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、磁気カード若しくは光カード、フロッピーディスクと、光ディスクと、ＣＤ－ＲＯＭと、磁気光ディスクとを含む任意の種類のディスク、又は電子命令を記憶するのに適した任意の種類の媒体などであり（それらに限定されない）、その各々がコンピュータシステムの相互接続に連結される、コンピュータ可読記憶媒体に記憶されうる。
本明細書に提示されるアルゴリズム及びディスプレイは、いかなる特定のコンピュータ又はその他の装置にも本質的に関連していない。様々な汎用システムが、本明細書の教示内容に従ってプログラムと共に使用され、又は、必要な方法工程を実施するために、より特殊化した装置を構築することが便宜にかなうと分かることもある。これらの多種多様なシステムの構造は、本明細書の上記の記載から明白になろう。加えて、本開示の例は、何らかの特定のプログラミング言語に関連して説明されているのではなく、ゆえに、様々な例が多種多様なプログラミング言語を使用して実装されうる。
本明細書内でより詳細に説明するように、本開示の実施形態は、製造プロセスでのマスクレスリソグラフィパターニング中のエッジ配置誤差を低減するために、これらの特徴のエッジを禁制角度でディザー処理することによって、露光多角形のライン波欠陥が禁制角度で補正されるソフトウェアアプリケーションを提供する。
一実施形態では、露光パターンを変更するための方法１０００が開示される。方法１０００は、図７に示し関連して上述したように、コントローラ７０２によって実行されうる。ＣＰＵ９０２は、メモリ８２０に格納された露光パターン変更ソフトウェア８２８を実行するようにプログラムされており、以下の図８に関連して説明した露光パターンを変更する方法１０００を実施する。
図８は、図９Ａから図１０Ｂに示すように、露光パターン１１００を変更する方法１０００の動作を概略的に示す。方法１０００は、一般に、長いジョグ１１０４に影響される、六方最密配置の対称角１１０６に実質的に近い角度のラインを有する露光多角形を操作する露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションに関する。長いジョグ１１０４は、エッジ配置誤差が高い領域であることを表している。このように、露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションは、影響を受けた角度で多角形エッジを鋸歯状にすることによってライン波低減をもたらし、製造プロセスにおけるマスクレスリソグラフィパターニング中のエッジ配置誤差を低減する。
各ミラーから反射された露光ショットが蓄積すると、基板上の感光性フォトレジストに、露光パターンに対応する均一な空間像が形成される。ＤＭＤ、ステップサイズ、及び／又は削られた列（ｃｏｌｕｍｎ）の数に関連するファクタに基づいて、露出パターンの側壁の均一性は、広範に変化する可能性がある。したがって、工程１０１０において、ショット分布のパッキングファクタ１１０２が決定される。パッキングファクタ１１０２は、ショット分布の均一性を決定することができる。ショット分布の均一性は、ほぼ均一なショットランディングパターンを含みうる。
試験では、六方最密（ＨＣＰ）パッキングファクタが均一なショットランディングパターンを維持していることを示す結果が提供された。ある実施形態では、ＨＣＰパッキングファクタは、およそ２のパッキングファクタ１１０２を維持する。
いくつかの実施形態では、パッキングファクタ１１０２のデータベースが作成されうる。パッキングファクタ１１０２のデータベースは、各可能な角度、ショット数、及び／又はシェービング数に関連する情報を記憶しうる。
工程１０２０において、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、パッキングファクタ１１０２の対称角１１０６が決定される。いくつかの実施形態では、ＨＣＰパッキングファクタ１１０２から生じる対称角１１０６が決定される。ＨＣＰ対称角１１０６は、仮想ラインを介して個々のショットランディング点の中心点を結合し、これらのラインを露光パターン１１００まで又はそれを通って延長することによって決定されてもよい。決定された対称角１１０６、プラス又はマイナス約１０度、例えばプラス又はマイナス６度の範囲内で、露光多角形は、長いジョグ１１０４に影響されるＨＣＰ対称角１１０６に近い角度のラインを維持する。長いジョグ１１０４は、図９Ｂに示すように、高いエッジ配置誤差の領域として提示される。
試験が実行され、結果は、第１の試験条件を考慮すると、第１の試験条件で、約－４０度、約１７度、及び約８５度でエッジ配置誤差が存在し、平均エッジ配置誤差がそれぞれ約＋／－１５０ｎｍの間に達することを示している。更に、誤差範囲を考慮すると、試験は、第１の試験条件におけるＨＣＰパッキングファクタの対称角が、約－３４度から約－４６度の間、約１１度から約２３度の間の角度、及び約７９度から約９１度の間の角度を含むことを示した。しかし、選択された条件に応じて、他の角度でエッジ配置誤差が発生することがある。選択された条件は、とりわけ、ショット数、ＤＭＤ角度、及び／又はシェービング数を含みうる。
工程１０３０において、対称角１１０６のセレーション選択１１１０が決定される。ショット露光パターンのある対称角１１０６は、ラインウェービング欠陥を有することがあり、したがって、エッジ配置誤差が生じる。ラインウェービング欠陥を有する対称角１１０６でショット露光パターンのラインエッジに波形を適用することは、そのような欠陥を補償及び／又は補正する。いくつかの実施形態では、適用される波形は、例えば、とりわけ、正方形の波形又は三角形の波形状などでありうる。更に、いくつかの実施形態では、セレーション選択１１１０を決定するために、アルゴリズムは、影響を受けた角度を探索し、影響を受けた角度に沿ってラインを鋸歯状にしうる。
工程１０３０Ａでかつ図９Ａ及び図１０Ａを参照して示すように、対称角１１０６のセレーション選択１１１０を決定することは、パッキングファクタのミラーショットピッチ１１０８を決定することを含む。各パッキングファクタ１１０２は、図９Ａに示すように、第１のミラーの中心と隣接する第２のミラーの中心との間の距離である測定可能なミラーショットピッチ１１０８を維持する。いくつかの実施形態では、ＨＣＰパッキングファクタのミラーショットピッチ１１０８は、六方最密ピッチとして知られている。
工程１０３０Ｂに示すように、対称角１１０６のセレーション選択１１１０を決定することは、対称角１１０６のセレーション振幅（ＳＡ）１１１２を決定することを更に含む。ＨＣＰパッキングファクタに対するセレーション振幅１１１２は、以下に示すように、方程式１を用いて求められうる。
試験は、エッジ配置誤差に対する鋸歯状のピークピッチ及び振幅の影響を決定するために行った。Ｎは、最大エッジ配置誤差（ピークから谷まで）の値を表す。結果は、ＨＣＰパッキングファクタについて、Ｎが約０．６５から約０．９まで、例えば約０．８であることを示した。このように、セレーション振幅１１１２は、上で説明した、六方最密パッキングファクタについてのミラーショットピッチ１１０８の約５０％から約１２０％までである。
ＳＡ＝（Ｎ）（六方最密ピッチ） 方程式１
工程１０３０Ｃで示すように、対称角１１０６のセレーション選択１１１０を決定することは、対称角１１０６のセレーションピッチ（ＳＰ）１１１４を決定することを更に含む。セレーションピッチ１１１４は、以下に示すように、方程式２を用いて求められうる。
六方最密配置について、セレーションピッチ１１１４のミラーショットピッチ１１０８に対する割合を決定するために試験を行った。結果は、六方最密パッキングファクタについてのセレーションピッチ１１１４のミラーショットピッチ１１０８に対する割合が、約５．０から約６．０の間、例えば約５．５であることを示した。方程式２に示すように、セレーションピッチ１１１４は、六方最密ピッチ（又はミラーショットピッチ１１０８）を乗じた５．５に等しい。
ＳＰ＝（ミラーショットピッチ）＊５．５ 方程式２
工程１０４０において、セレーション選択１１１０は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、対称角１１０６で適用される。いくつかの実施形態では、セレーション選択１１１０は、基板に適用されてもよい。特定の実施形態では、セレーション選択１１１０は、露光パターンが形成される前又は形成された後に適用されうる。セレーション選択１１１０は、波形のような少なくとも１つの湾曲したエッジを有する多角形を含みうる。上述のように、波形は、正方形の波形、三角形の波形、湾曲した波形、又は少なくとも１つの湾曲したエッジを有する他の任意の多角形状を含みうる。
いくつかの実施形態では、方法１０００は、セレーション選択１１１０が上部に適用されたパターンを露光することを更に含みうる。パターンは、セレーション選択１１１０を含む基板上に露光されてもよい。したがって、対称角１１０６のセレーション振幅１１１２及び対称角１１０６のセレーションピッチ１１１４が、露光パターン１１００に適用されて、セレーション選択１１１０を含む露光パターン１１００を提供する。対称角１１０６で露光パターン１１００にセレーション選択１１１０を適用すると、露光パターン１１００で生成された多角形エッジが変更される。更に、更なる試験は、エッジ配置誤差が、対称角１１０６でセレーション選択１１１０を適用すると、少なくとも５０％低減されることを示した。
要約すると、本明細書で開示される実施形態は、長いジョグに影響される六方最密配置の対称角に実質的に近い角度のラインを有する露光多角形を操作する露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションに関する。長いジョグは、高いエッジ配置誤差領域であることを表している。このように、露光パターン変更ソフトウェアアプリケーションは、影響を受けた角度で多角形エッジを鋸歯状にすることによってライン波低減をもたらし、製造プロセスにおけるマスクレスリソグラフィパターニング中のエッジ配置誤差を低減する。
更なる集計では、特徴が露出されており（例えば、ライン）、当該特徴が、基板上に蓄積するすべてのショットの着陸場所のグリッド又はパターンに対してわずかに平行でない（すなわち、場合によっては、行又は列のいずれかに平行である）場合、露光特徴はうねり（ｗａｖｉｎｅｓｓ）を示すことがある。示されたうねりの理由には、グリッドスナッピング（ｇｒｉｄ ｓｎａｐｐｉｎｇ）が含まれることがある。ゆえに、ある実施形態では、露光パターンが設計ルールに従っているかどうかを決定するためにソフトウェアチェックが実行され、露光パターンが最適でない場合及び／又は変更されるべき場合にユーザにフラグを立てることがある。
上記は本明細書に記載の実施形態を対象としているが、これらの実施形態の基本的な範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよい。例えば、本開示の態様は、ハードウェア若しくはソフトウェアにおいて、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにおいて、実装されうる。本明細書に記載の一実施形態は、コンピュータシステムと共に使用されるプログラム製品として、実装されうる。プログラム製品のプログラム（複数可）は、実施形態（本明細書に記載の方法を含む）の機能を定義し、かつ多様なコンピュータ可読記憶媒体に包含することができる。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、（ｉ）情報が永続的に記憶される書込み不能な記憶媒体（例えば、ＣＤ－ＲＯＭドライブ、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、又は任意の種類の固体不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なＣＤ－ＲＯＭディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス）、及び（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ若しくはハードディスクドライブ内のフロッピーディスク又は任意の種類の固体ランダムアクセス半導体メモリ）を含むが、これらに限定されない。かかるコンピュータ可読記憶媒体は、開示された実施形態の機能を指示するコンピュータ可読命令を伴うと、本開示の実施形態となる。
前述の例は、例示的なものであって限定的なものではないことが、当業者には認識されよう。本明細書を読み、図面を精査することで当業者に明らかになる、これらの例の置換例、強化例、均等物、及び改良例は全て、本開示の本質及び範囲に含まれることが意図されている。したがって、以下の付随する特許請求の範囲も、これらの教示の本質及び範囲に内包されるものとして、かかる修正例、置換例、及び均等物の全てを含むことが意図されている。

Claims (17)

  1. 露光パターンを変更するための方法であって、
    デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の複数のミラーの配列を決定することと、
    前記ＤＭＤの複数のミラーの配列の対称角を決定することと、
    前記対称角における鋸歯形状の振幅とピッチを決定することと、
    前記鋸歯形状の振幅とピッチを、前記対称角付近で延びる前記露光パターンに適用することと、
    を含む方法。
  2. 前記鋸歯形状の振幅とピッチをその上に有するパターンを露光すること
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ＤＭＤの複数のミラーの配列が六方最密配置である、請求項１に記載の方法。
  4. 前記鋸歯形状が、方形の波形又は三角形の波形を含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記鋸歯形状の振幅とピッチを決定することが、前記対称角における前記鋸歯形状のピッチを決定することと、前記ＤＭＤの複数のミラーの配列のミラーショットピッチを決定することと、を含み、前記鋸歯形状のピッチの前記ミラーショットピッチに対する割合が、約３．０から約８．０までの間である、請求項１に記載の方法。
  6. 前記鋸歯形状の振幅とピッチを決定することが、前記対称角における前記鋸歯形状の振幅を決定することと、前記ＤＭＤの複数のミラーの配列のミラーショットピッチを決定することと、を含み、前記鋸歯形状の振幅が、前記ミラーショットピッチの約５０％から約１２０％までの間である、請求項１に記載の方法。
  7. 露光パターンを変更するためのコンピュータシステムであって、
    プロセッサと、
    命令を記憶するメモリと
    を備え、前記命令は、前記プロセッサによって実行されるときに、前記コンピュータシステムに、
    デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の複数のミラーの配列を決定させ、
    前記ＤＭＤの複数のミラーの配列の対称角を決定させ、
    前記対称角における鋸歯形状の振幅とピッチを決定させ、
    前記鋸歯形状の振幅とピッチを、前記対称角付近で延びる前記露光パターンに適用させる、
    コンピュータシステム。
  8. 前記鋸歯形状の振幅とピッチをその上に有するパターンを露光すること
    を更に含む、請求項７に記載のコンピュータシステム。
  9. 前記ＤＭＤの複数のミラーの配列が六方最密配置である、請求項７に記載のコンピュータシステム。
  10. 前記鋸歯形状が、方形の波形又は三角形の波形を含む、請求項７に記載のコンピュータシステム。
  11. 前記鋸歯形状の振幅とピッチを決定することが、前記対称角における前記鋸歯形状のピッチを決定することと、前記ＤＭＤの複数のミラーの配列のミラーショットピッチを決定することと、を含み、前記鋸歯形状のピッチの前記ミラーショットピッチに対する割合が、約３．０から約８．０までの間である、請求項７に記載のコンピュータシステム。
  12. 前記鋸歯形状の振幅とピッチを決定することが、前記対称角における前記鋸歯形状の振幅を決定することと、前記ＤＭＤの複数のミラーの配列のミラーショットピッチを決定することと、を含み、前記鋸歯形状の振幅が、前記ミラーショットピッチの約５０％から約１２０％までの間である、請求項７に記載のコンピュータシステム。
  13. 命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、プロセッサによって実行されるときに、
    デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の複数のミラーの配列を決定するステップと、
    前記ＤＭＤの複数のミラーの配列の対称角を決定するステップと、
    前記対称角における鋸歯形状の振幅とピッチを決定するステップと、
    前記鋸歯形状の振幅とピッチを、前記対称角付近で延びる露光パターンに適用するステップと、
    を実行することによって、コンピュータシステムに前記露光パターンを変更させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
  14. 前記鋸歯形状の振幅とピッチをその上に有するパターンを露光すること
    を更に含む、請求項１３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
  15. 前記ＤＭＤの複数のミラーの配列が六方最密配置である、請求項１３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
  16. 前記鋸歯形状が、方形の波形又は三角形の波形を含む、請求項１３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
  17. 前記鋸歯形状の振幅とピッチを決定することが、前記対称角における前記鋸歯形状のピッチを決定することと、前記ＤＭＤの複数のミラーの配列のミラーショットピッチを決定することと、前記対称角における前記鋸歯形状の振幅を決定することと、を含み、前記鋸歯形状のピッチの前記ミラーショットピッチに対する割合が約３．０から約８．０までの間であり、前記鋸歯形状の振幅が前記ミラーショットピッチの約５０％から約１２０％までの間である、請求項１３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
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