JP4758443B2 - 大域的最適化に基づくマスクレスリソグラフィ・ラスタライゼーション技術の方法、装置およびコンピュータ読取可能媒体 - Google Patents
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Description
(i)フィルタステンシルは必然的に限られた数の隣接するピクセルを必要とするため、フィルタ後のピクセル状態による瞳フィールドのマッチは常に近似されるが、この近似のエラーは、光分解長に比べて小さいピクセル寸法について比較的小さくなり得る。
(ii)OGFアプローチの多くのバリエーションにおいて、ピクセルのフィルタ後の状態は一般に、SLMピクセルデザインによってこれらに課された制約を満たすものではない。1つのオプションは、制約を満たすために必要な程度にイメージ強度を低減するスケーリング係数を導入することである。しかしながら、このオプションは光損失を生じることになり、これは一般に望ましくない。
(iii)OGFアプローチの多くのバリエーションにおいて基礎となる要件とは、被変調ピクセルがグレイトーンスクエアによって良好に近似されなければならないということである。当該近似スクエアのグレイトーンは、実数値でなければならず、かつスクエア全体にわたって一定でなければならない。これらの条件のうち第1の条件はピストンミラーピクセルについては有効ではなく、第2の条件は傾斜ミラーピクセルについて近似されるのみである。
minimize||A(f(p)-g)||2
例として、ピストニングミラーについては、f(p) = exp(i p)(pは位相としてのピストニング変位)である。
以下を条件として、γを最大化する。
(i) A(p)=γR
(ii) (p)へのピクセル変調制約(上述のとおり)
(iii) γ>0
λ=193.375*nm(波長)
M=30/8000(倍率)
NA=0.93*M(オブジェクト側開口数)
照明:σmax=0.89(例えば、C-quasar 0.69<σ<0.89、30 deg b.a.)
結論
Claims (15)
- 所望のパターンをプリントするように構成されたリソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの状態を決定する方法であって、
前記リソグラフィシステムによってプリントされるべきパターンの理想マスクに関連する回折次数を決定することと、
前記所望のパターンに関係する、決定された回折次数にマッチするように、SLMピクセルの状態を構成することと、を有し、
前記マッチは、前記リソグラフィシステムの拡張投影光学素子(PO)内の瞳空間内で達成され、
前記構成は、前記SLMの変調特徴に関連する制約を補う、
方法。 - 前記回折次数は、前記SLMピクセルに関連する特徴を代表するものである、請求項1に記載の方法。
- 前記決定は、前記PO内の瞳フィールドを記述する非線形表現を含む、請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記決定は、線形グレイトーン近似を含む、請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記グレイトーン近似は、ピクセル状態パラメタの関数である、請求項4に記載の方法。
- 前記回折次数は、PO開口数の関数、拡張瞳の座標、および照明波長である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 所望のパターンをラステライズしかつ分解するために、理想マスクの瞳の関数として、リソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの光ラステライゼーションを行う方法であって、
前記所望のパターンに関連する基本オブジェクトに対応する瞳フィールド回折次数を生成し、
前記リソグライフィシステムの基本瞳内で、前記生成された回折次数を最適近似するために、前記SLMピクセルすべてについてグレイトーンを決定することと、
各ピクセルに割り当てられた対応するグレイトーンをエミュレートするために、当該ピクセルの状態を選択することと、
前記決定されるグレイトーンは、前記SLMの変調特徴に関連する制約を満たし、かつ、光損失を最小限に抑えるグレイトーンである、
を有する方法。 - 前記選択は、(i)前記グレイトーンの複素数値分布を決定することと、(ii)前記グレイトーンの複素数値分布を前記基本瞳を介して前記瞳フィールドにマッピングするためにグレイトーンマトリックス値を決定することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記基本オブジェクトはポリゴンの集合を含む、請求項7又は請求項8に記載の方法。
- 前記決定は、複素数値技術の演算を含む、請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記状態は、傾斜角および電圧レベルを含む群のうち少なくとも1つを含む、請求項7〜請求項10に記載の方法。
- 所望のパターンをプリントするように構成されたリソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの状態を決定する装置であって、
前記リソグラフィシステムによってプリントされるべきパターンの理想マスクに関連する回折次数を決定する手段と、
前記所望のパターンに関係する、決定された回折次数にマッチするように、SLMピクセルの状態を構成する手段と、を備え、
前記マッチは、前記リソグラフィシステムの拡張投影光学素子(PO)内の瞳空間内で達成され、
前記構成は、前記SLMの変調特徴に関連する制約を補う、
装置。 - 所望のパターンをラステライズしかつ分解するために、理想マスクの瞳の関数として、リソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの光ラステライゼーションを行う装置であって、
前記所望のパターンに関連する基本オブジェクトに対応する瞳フィールド回折次数を生成する手段と、
前記リソグライフィシステムの基本瞳内で、前記生成された回折次数を最適近似するために、前記SLMピクセルすべてについてグレイトーンを決定する手段と、
各ピクセルに割り当てられた対応するグレイトーンをエミュレートするために、当該ピクセルの状態を選択する手段と
前記決定されるグレイトーンは、前記SLMの変調特徴に関連する制約を満たし、かつ、光損失を最小限に抑えるグレイトーンである、
を備える装置。 - 所望のパターンをプリントするように構成されたリソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの状態を決定する方法を実行するために、1つまたは複数のプロセッサによって実行される1つまたは複数の命令の1つまたは複数のシーケンスを有するコンピュータ読取可能媒体であって、
前記1つまたは複数のプロセッサによって前記命令が実行された場合、前記命令は、前記1つまたは複数のプロセッサに、
前記リソグラフィシステムによってプリントされるべきパターンの理想マスクに関連する回折次数を決定することと、
前記所望のパターンに関係する、決定された回折次数にマッチするように、SLMピクセルの状態を構成することと、を実行させ、
前記マッチは、前記リソグラフィシステムの拡張投影光学素子(PO)内の瞳空間内で達成され、
前記構成は、前記SLMの変調特徴に関連する制約を補う、
コンピュータ読取可能媒体。 - 所望のパターンをラステライズしかつ分解するために、理想マスクの瞳の関数として、リソグラフィシステムにおいて空間光変調器(SLM)ピクセルの光ラステライゼーションを行う方法であって、
前記所望のパターンに関連する基本オブジェクトに対応する瞳フィールド回折次数を生成し、
前記リソグライフィシステムの基本瞳内で、前記生成された回折次数を最適近似するために、前記SLMピクセルについてグレイトーンを決定することと、
各ピクセルに割り当てられた対応するグレイトーンをエミュレートするために、当該ピクセルの状態を選択することと、を有し、
前記グレイトーンは、少なくとも2つ以上の隣接する前記SLMピクセルを用いて実現されるとともに、前記SLMの変調特徴に関連する制約を満たし、かつ、光損失を最小限に抑えるものであり、
前記制約は、前記SLMピクセルの最大可能/使用傾斜角を含む制約と、かつ、必要に応じて、前記SLMピクセルが拡張瞳のフィールドの所望の分布に特定の係数を乗じて得られる値にマッチしなければならない制約とを有する、
方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64745905P | 2005-01-28 | 2005-01-28 | |
US60/647,459 | 2005-01-28 | ||
PCT/US2006/002823 WO2006083685A2 (en) | 2005-01-28 | 2006-01-27 | Method and system for a maskless lithography rasterization tecnique based on global optimization |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008529090A JP2008529090A (ja) | 2008-07-31 |
JP4758443B2 true JP4758443B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=36777779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007553238A Active JP4758443B2 (ja) | 2005-01-28 | 2006-01-27 | 大域的最適化に基づくマスクレスリソグラフィ・ラスタライゼーション技術の方法、装置およびコンピュータ読取可能媒体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7469058B2 (ja) |
EP (1) | EP1856654A2 (ja) |
JP (1) | JP4758443B2 (ja) |
KR (1) | KR20070104444A (ja) |
CN (1) | CN101111850A (ja) |
TW (1) | TW200731124A (ja) |
WO (1) | WO2006083685A2 (ja) |
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- 2006-01-27 CN CNA2006800034285A patent/CN101111850A/zh active Pending
- 2006-01-27 KR KR1020077019598A patent/KR20070104444A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-01-27 JP JP2007553238A patent/JP4758443B2/ja active Active
- 2006-01-27 EP EP06719611A patent/EP1856654A2/en not_active Withdrawn
- 2006-01-27 US US11/340,865 patent/US7469058B2/en active Active
- 2006-01-27 WO PCT/US2006/002823 patent/WO2006083685A2/en active Application Filing
- 2006-02-03 TW TW095103789A patent/TW200731124A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261004A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 照明及びレチクルの最適化により、印刷ラインの形状歪みを最小化するシステム及び方法 |
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WO2004111701A1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-23 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006083685A3 (en) | 2007-05-31 |
KR20070104444A (ko) | 2007-10-25 |
TW200731124A (en) | 2007-08-16 |
US7469058B2 (en) | 2008-12-23 |
EP1856654A2 (en) | 2007-11-21 |
US20060209314A1 (en) | 2006-09-21 |
WO2006083685A2 (en) | 2006-08-10 |
JP2008529090A (ja) | 2008-07-31 |
CN101111850A (zh) | 2008-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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