JP4538021B2 - 光近接効果の補正方法 - Google Patents
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Description
[第一の実施形態]
図1は本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの補正方法について説明するためのフローチャート、図2は上記補正方法が適用される光学像強度シミュレータの要部を抽出して示す概略構成図、図3はレイアウトパターンと適用される光学モデルとの関係について説明するための平面図である。レイアウトパターン(図示せず)は、半導体集積回路を形成するために設計され、光露光により基板上に転写される。
上述した第一の実施形態では、各サブ領域内に含まれるパターンの最小サイズから、そのサブ領域の像強度計算モデルを決定した。しかしながら、例えばある一つのサブ領域が3Dマスクモデルで計算され、隣接するサブ領域が薄膜マスクモデルで計算されている場合、領域の接続部分においてパターンエッジが一致しないなどの不具合が発生する恐れがある。これは、微細パターンの存在による光の回折状態の(薄膜マスクモデルからの)変化が、領域のサイズ(上記では5μm×5μm)の端まで影響するためと考えられる。このような場合は、微細パターンが存在する箇所から十分離れた場所まで3Dマスクモデルを使用する必要がある。この問題に対応するために、図4に示すように処理手順を修正する。
図7は本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの補正方法について説明するためのフローチャート、図8は上記補正方法が適用される光学像強度シミュレータの要部を抽出して示す概略構成図である。
(1)0次回折光の振幅
(2)1次回折光の振幅
(3)0次・1次回折光の位相差
で特徴を説明することができる。微細なパターンの場合、これらは3Dマスクモデルを用いて近接場計算とフーリエ変換で計算する。一方、これと同じ特徴を持つ回折光を発する薄膜マスクパターンを、複素振幅分布(振幅、位相)で定義することができる。
Claims (4)
- 半導体集積回路を形成するために設計され、光露光により基板上に転写されるマスクパターンの補正方法であって、
レイアウトパターンを複数のサブ領域に分割するステップと、
各々の前記サブ領域に含まれるパターンの微細度と露光光の波長との関係に基づいて、複数の光学モデルの中から前記基板上に形成される像強度を予測する光学モデルを決定するステップと、
前記決定された光学モデルを用いて前記複数のサブ領域のそれぞれの前記基板上の像強度を予測するステップと
を具備し、
前記光学モデルを決定するステップにおいて、マスクにおける光の回折の予測においてマスクの厚みの影響、及び光の入射角に依存する回折光の変化の少なくとも一方を考慮する第一の光学モデル、又は、マスクのパターンを厚みがない2次元形状の物体であって、光の入射角に依存しない透過率と位相誤差の特徴を持つ理想物体と近似的に考えて光の回折を計算する第二の光学モデルを光学モデルとして決定する
ことを特徴とするマスクパターンの補正方法。 - 半導体集積回路を形成するために設計され、光露光により基板上に転写されるマスクパターンの補正方法であって、
レイアウトパターンを複数のサブ領域に分割するステップと、
各々の前記サブ領域に含まれるパターンの最小サイズと露光光の波長との関係に基づいて、精度と速度が異なる複数の光学モデルの中から前記基板上に形成される像強度を予測する光学モデルを選択するステップと、
前記選択された光学モデルを用いて前記複数のサブ領域のそれぞれの前記基板上の像強度を予測するステップとを具備し、
前記サブ領域に含まれるパターンの最小サイズが所定のしきい値を下回る場合に精度の高い光学モデルを選択し、所定のしきい値を上回る場合には速度の速い光学モデルを選択し、
前記精度の高い光学モデルは、マスクにおける光の回折の予測においてマスクの厚みの影響、及び光の入射角に依存する回折光の変化の少なくとも一方を考慮する光学モデルであり、前記速度の速い光学モデルは、マスクのパターンを厚みがない2次元形状の物体であって、光の入射角に依存しない透過率と位相誤差の特徴を持つ理想物体と近似的に考えて光の回折を計算する光学モデルである
ことを特徴とするマスクパターンの補正方法。 - 半導体集積回路を形成するために設計され、光露光により基板上に転写されるマスクパターンの補正方法であって、
レイアウトパターンを複数のサブ領域に分割するステップと、
各々の前記サブ領域に含まれるパターンの最小サイズを露光光の波長で割った値が指定された値を下回る場合に精度の高い第一の光学モデルを選択し、指定された値以上である場合は速度の速い第二の光学モデルを選択するステップと、
前記選択された第一または第二の光学モデルを用いて前記複数のサブ領域のそれぞれの像強度を予測するステップと
を具備し、
前記第一の光学モデルは、マスクにおける光の回折の予測においてマスクの厚みの影響、及び光の入射角に依存する回折光の変化の少なくとも一方を考慮する光学モデルであり、前記第二の光学モデルは、マスクのパターンを厚みがない2次元形状の物体であって、光の入射角に依存しない透過率と位相誤差の特徴を持つ理想物体と近似的に考えて光の回折を計算する光学モデルである
ことを特徴とするマスクパターンの補正方法。 - 半導体集積回路を形成するために設計され、光露光により基板上に転写されるマスクパターンの補正方法であって、
レイアウトパターンを複数のサブ領域に分割するステップと、
各々の前記サブ領域に含まれるパターンの最小サイズを露光光の波長で割った値が指定された値を下回る場合に精度の高い第一の光学モデルを選択し、指定された値以上である場合は速度の速い第二の光学モデルを選択するステップと、
前記選択された第一または第二の光学モデルを用いて前記複数のサブ領域のそれぞれの像強度を予測するステップと
を具備し、
前記光学モデルを選択するステップの後で且つ前記像強度を予測するステップの前に、前記第一の光学モデルを選択したサブ領域から指定された距離内で、且つ前記第二の光学モデルを選択したサブ領域を第一の光学モデルに変更するステップを更に具備する
ことを特徴とするマスクパターンの補正方法。
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