JP2003167323A - 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光用マスクパターンの光近接効果の補正処
理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能
な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。 【解決手段】 第一の補正精度でマスクパターンの補正
形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よ
りも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正
形状を求める第二の補正手段とを用意し、前記第一の補
正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求
めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補
正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求
め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形
状とする。
理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能
な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。 【解決手段】 第一の補正精度でマスクパターンの補正
形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よ
りも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正
形状を求める第二の補正手段とを用意し、前記第一の補
正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求
めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補
正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求
め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形
状とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光用マスクパタ
ーンの光近接効果を是正するための露光用マスクパター
ンの補正方法等に関する。
ーンの光近接効果を是正するための露光用マスクパター
ンの補正方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＬＳｌ微細化に伴い、様々な露光
技術を用いて通常得られるより微細なパターンを得るこ
とが可能となってきている。例えば、変形照明や位相シ
フトマスクの使用により、いわゆるｋ１値（パターン寸
法を、露光波長λ、投影光学系の開口数ＮＡを用いて規
格化した値：ｋ１＝ＣＤ×ＮＡ／λ）で０．５を大きく
下回るパターンを解像することが可能となってきてい
る。
技術を用いて通常得られるより微細なパターンを得るこ
とが可能となってきている。例えば、変形照明や位相シ
フトマスクの使用により、いわゆるｋ１値（パターン寸
法を、露光波長λ、投影光学系の開口数ＮＡを用いて規
格化した値：ｋ１＝ＣＤ×ＮＡ／λ）で０．５を大きく
下回るパターンを解像することが可能となってきてい
る。
【０００３】このような露光条件下では、設計通りにウ
ェハ上にパターンが転写できなくなる現象、即ち光近接
効果（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅ
ｃｔｓ：ＯＰＥ）も顕在化してきており、補正を加えた
マスクパターンを用いることで転写後形状を所望の設計
パターン通りに仕上げる技術である光近接効果補正（Ｏ
ｐｔｉｃａ１ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉ
ｏｎ：ＯＰＣ）が必要となってきている。
ェハ上にパターンが転写できなくなる現象、即ち光近接
効果（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅ
ｃｔｓ：ＯＰＥ）も顕在化してきており、補正を加えた
マスクパターンを用いることで転写後形状を所望の設計
パターン通りに仕上げる技術である光近接効果補正（Ｏ
ｐｔｉｃａ１ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉ
ｏｎ：ＯＰＣ）が必要となってきている。
【０００４】該技術導入により、ウェハ上のＣＤ（Ｃｒ
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：微小寸法）変動を
抑制することが可能となり、より微細なパターンまでウ
ェハ上に設計通り忠実に仕上げられるようになってきて
いる。この結果、逆にウェハ上での所望パターン形状
（設計値）に対し、実際にマスクパターンとして必要な
形伏は大きく異なって来ている。
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：微小寸法）変動を
抑制することが可能となり、より微細なパターンまでウ
ェハ上に設計通り忠実に仕上げられるようになってきて
いる。この結果、逆にウェハ上での所望パターン形状
（設計値）に対し、実際にマスクパターンとして必要な
形伏は大きく異なって来ている。
【０００５】光近接効果補正技術として、これまで、ル
ールベース補正技術やモデルベース補正技術が提案され
てきている。
ールベース補正技術やモデルベース補正技術が提案され
てきている。
【０００６】ルールベース補正技術は、例えば、Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩＥ（１９９６）ｖｏｌ．
２８８４，ｐｐ．４２５−４３４において、「Ａｄｖａ
ｎｃｅｓ ｉｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｍａｔｃｈｉｎｇ
ｆｏｒ ｒｕｌｅｓ−ｂａｓｅｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐ
ｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ」という題
で、Ｏ．Ｏｔｔｏらが示しているように、マスクパター
ン配置情報を基に、対応するマスクパターン補正量を予
めルールテーブル化しておき、補正時にテーブルを参照
しながら補正していく手法である。ルールテーブル作成
は、通常、実験結果から求める。本補正手法の問題点と
して、実際の半導体回路パターンのバリエーションを全
てルールテーブル化するのが困難な点が挙げられる。
ｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩＥ（１９９６）ｖｏｌ．
２８８４，ｐｐ．４２５−４３４において、「Ａｄｖａ
ｎｃｅｓ ｉｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｍａｔｃｈｉｎｇ
ｆｏｒ ｒｕｌｅｓ−ｂａｓｅｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐ
ｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ」という題
で、Ｏ．Ｏｔｔｏらが示しているように、マスクパター
ン配置情報を基に、対応するマスクパターン補正量を予
めルールテーブル化しておき、補正時にテーブルを参照
しながら補正していく手法である。ルールテーブル作成
は、通常、実験結果から求める。本補正手法の問題点と
して、実際の半導体回路パターンのバリエーションを全
てルールテーブル化するのが困難な点が挙げられる。
【０００７】ルールベース補正手法の内、最も単純な手
法としては、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、マス
クパターン（９１，９２）の隣接スペースまでの距離
（Ｄ１，Ｄ２）に従って補正（Ｚ１，Ｚ２）を行うとい
う手法があり、補正量Ｚ１，Ｚ２は、図１０（ｂ）のよ
うなテーブルによって求められる。
法としては、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、マス
クパターン（９１，９２）の隣接スペースまでの距離
（Ｄ１，Ｄ２）に従って補正（Ｚ１，Ｚ２）を行うとい
う手法があり、補正量Ｚ１，Ｚ２は、図１０（ｂ）のよ
うなテーブルによって求められる。
【０００８】しかし、一般的に光学系では、図１１
（ａ）に示すように同一距離（Ｓ）離れたパターン
（Ｗ，Ｗ１）であっても、図１１（ｂ）のグラフで示す
ように転写時にウェハ上で得られる光強度分布が異なる
ことが理論的に示されている（図１１（ａ），（ｂ）で
は、パターン幅Ｗと距離Ｓを固定とし、パターン幅Ｗ１
を変化させた例を示す）。この点から、少なくとも隣接
スペース距離の一価関数として補正量を対応付けること
は補正精度の点から好ましくないことが分かっている。
（ａ）に示すように同一距離（Ｓ）離れたパターン
（Ｗ，Ｗ１）であっても、図１１（ｂ）のグラフで示す
ように転写時にウェハ上で得られる光強度分布が異なる
ことが理論的に示されている（図１１（ａ），（ｂ）で
は、パターン幅Ｗと距離Ｓを固定とし、パターン幅Ｗ１
を変化させた例を示す）。この点から、少なくとも隣接
スペース距離の一価関数として補正量を対応付けること
は補正精度の点から好ましくないことが分かっている。
【０００９】精度を上げるためにルールを複雑化する手
法も検討されているが、ルールの複雑化によってルール
数そのものが増大することで処理の複雑化、ルールその
ものをどのようにして取得するかという問題が生ずる。
法も検討されているが、ルールの複雑化によってルール
数そのものが増大することで処理の複雑化、ルールその
ものをどのようにして取得するかという問題が生ずる。
【００１０】一方、モデルベース補正技術は、マスクパ
ターン情報、並びにウェハプロセス条件、例えば露光条
件や加工条件を基に、ウェハ上に転写される形状を予測
し、所望値を得られるようにマスクに補正を加えていく
手法である。
ターン情報、並びにウェハプロセス条件、例えば露光条
件や加工条件を基に、ウェハ上に転写される形状を予測
し、所望値を得られるようにマスクに補正を加えていく
手法である。
【００１１】モデルベース補正のアルゴリズムについて
の例を図１２に示す。
の例を図１２に示す。
【００１２】まず、使用モデルであるマスクパターン形
状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ５１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ５２）、エッジ
（図１３（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ５
３）。
状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ５１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ５２）、エッジ
（図１３（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ５
３）。
【００１３】そして、使用モデルを基に所望エッジ位置
からのずれ量を計算すべく、前記各評価点Ｑ近傍におい
ての光強度計算を行う（ステップＳ５４）。次いで、各
エッジＥにおいて、ずれ量に従ってマスクパターン補正
量を求め（ステップＳ５６）、エッジの移動、つまりマ
スクパターンを変形する（ステップＳ５７、図１３
（ｃ）の１０２）。
からのずれ量を計算すべく、前記各評価点Ｑ近傍におい
ての光強度計算を行う（ステップＳ５４）。次いで、各
エッジＥにおいて、ずれ量に従ってマスクパターン補正
量を求め（ステップＳ５６）、エッジの移動、つまりマ
スクパターンを変形する（ステップＳ５７、図１３
（ｃ）の１０２）。
【００１４】変形後のパターンに対してずれ量を評価し
（ステップＳ５５）、また補正を繰り返し、ある一定量
以下にずれ量が追い込めた場合、補正を終了する。
（ステップＳ５５）、また補正を繰り返し、ある一定量
以下にずれ量が追い込めた場合、補正を終了する。
【００１５】ここで、ずれ量に対してマスクパターンを
どの程度移動するか、という点が重要となる。通常、ず
れ量に比例した値だけマスクパターンを移動させるが、
その比例係数を設定するのが容易ではない。
どの程度移動するか、という点が重要となる。通常、ず
れ量に比例した値だけマスクパターンを移動させるが、
その比例係数を設定するのが容易ではない。
【００１６】図１４に、マスクパターンを単位寸法変化
させた場合に、ウェハ上でそれに対応する寸法が幾つ変
動するかを示す指数（ＭＥＦ：Ｍａｓｋ ｅｒｒｏｒ
Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）を計算した結
果を示す。図１４から明らかなようにＭＥＦの値はパタ
ーン毎に異なり、そのため、図１５に示すように一度だ
けの補正で十分な精度が得られることはまれである。こ
こで、図１５において、１１０はターゲットパターンで
あり、１１１は、ターゲットパターン１１０を補正せず
にマスクとして用いた場合の転写形状である。１２０は
補正したマスクパターンの形状であり、１２１は補正し
たマスクパターン１２０をマスクとして用いた場合の転
写形状である。
させた場合に、ウェハ上でそれに対応する寸法が幾つ変
動するかを示す指数（ＭＥＦ：Ｍａｓｋ ｅｒｒｏｒ
Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）を計算した結
果を示す。図１４から明らかなようにＭＥＦの値はパタ
ーン毎に異なり、そのため、図１５に示すように一度だ
けの補正で十分な精度が得られることはまれである。こ
こで、図１５において、１１０はターゲットパターンで
あり、１１１は、ターゲットパターン１１０を補正せず
にマスクとして用いた場合の転写形状である。１２０は
補正したマスクパターンの形状であり、１２１は補正し
たマスクパターン１２０をマスクとして用いた場合の転
写形状である。
【００１７】この点から、補正には通常、数回評価／補
正を繰り返さざるを得ず、その結果、評価に要する時間
を極力抑えることが補正時間を抑えこむためには重要な
要素となっている。
正を繰り返さざるを得ず、その結果、評価に要する時間
を極力抑えることが補正時間を抑えこむためには重要な
要素となっている。
【００１８】しかし一般的には、高速計算を実現するた
めには、ある程度計算精度を犠牲にしていることが多
い。また、より厳密には、レジスト膜厚やベクトル結像
等も考慮する必要がある。
めには、ある程度計算精度を犠牲にしていることが多
い。また、より厳密には、レジスト膜厚やベクトル結像
等も考慮する必要がある。
【００１９】図１６は、レジスト膜厚及び結像モデルと
してベクトルモデルを考慮した場合と空間像＋スカラー
モデルを考慮した場合とにおいてのＯＰＥ予測結果を比
較したグラフである。図中のｄＬと示してあるのは、レ
ジストの解像性能、ＯＰＥ特性に対応するｆｉｔｔｉｎ
ｇパラメータであるが、掲記モデルが異なる場合におい
ては、空間像モデル＋ｄＬでベクトルモデルによるＯＰ
Ｅ予測結果を再現することが困難であることが分かる。
してベクトルモデルを考慮した場合と空間像＋スカラー
モデルを考慮した場合とにおいてのＯＰＥ予測結果を比
較したグラフである。図中のｄＬと示してあるのは、レ
ジストの解像性能、ＯＰＥ特性に対応するｆｉｔｔｉｎ
ｇパラメータであるが、掲記モデルが異なる場合におい
ては、空間像モデル＋ｄＬでベクトルモデルによるＯＰ
Ｅ予測結果を再現することが困難であることが分かる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたように従
来の手法では、高精度補正を行おうとすると、モデルベ
ース補正が必要となるが、その場合に高精度モデルを使
用すると補正計算の回数分予測計算が必要となり、高精
度モデルと低精度モデルでの処理速度の比率分、補正時
間が増大してしまう。その結果、所望の補正精度を実用
的な補正時間で得ることが困難となっている。
来の手法では、高精度補正を行おうとすると、モデルベ
ース補正が必要となるが、その場合に高精度モデルを使
用すると補正計算の回数分予測計算が必要となり、高精
度モデルと低精度モデルでの処理速度の比率分、補正時
間が増大してしまう。その結果、所望の補正精度を実用
的な補正時間で得ることが困難となっている。
【００２１】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、露光用マスク
パターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補
正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターン
の補正方法等を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、露光用マスク
パターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補
正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターン
の補正方法等を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明に係る露光用マスクパターンの補正方法
では、半導体露光装置を用いて半導体基板上にマスクパ
ターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効果を補正
するために、転写形状予測モデルに基づく補正手段によ
り前記マスクパターンの形状に補正を施す露光用マスク
パターンの補正方法において、第一の補正精度で前記マ
スクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前
記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マ
スクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを前
記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により前
記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一
の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前
記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の
補正形状を前記マスクパターンの最終形状とすることを
特徴とする。
に、第１の発明に係る露光用マスクパターンの補正方法
では、半導体露光装置を用いて半導体基板上にマスクパ
ターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効果を補正
するために、転写形状予測モデルに基づく補正手段によ
り前記マスクパターンの形状に補正を施す露光用マスク
パターンの補正方法において、第一の補正精度で前記マ
スクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前
記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マ
スクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを前
記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により前
記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一
の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前
記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の
補正形状を前記マスクパターンの最終形状とすることを
特徴とする。
【００２３】第２の発明に係る露光用マスクパターンの
補正方法では、半導体露光装置を用いて半導体基板上に
マスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効
果を補正するために、補正手段により前記マスクパター
ンの形状に補正を施す露光用マスクパターンの補正方法
において、入力パターン形状に対して補正形状を定めた
テーブルを用いて前記マスクパターンの補正形状を求め
る第一の補正手段と、転写形状予測モデルを用いて前記
マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを
前記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により
第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値
として前記第二の補正手段により所定の補正精度の第二
の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパ
ターンの最終形状とすることを特徴とする。
補正方法では、半導体露光装置を用いて半導体基板上に
マスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効
果を補正するために、補正手段により前記マスクパター
ンの形状に補正を施す露光用マスクパターンの補正方法
において、入力パターン形状に対して補正形状を定めた
テーブルを用いて前記マスクパターンの補正形状を求め
る第一の補正手段と、転写形状予測モデルを用いて前記
マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを
前記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により
第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値
として前記第二の補正手段により所定の補正精度の第二
の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパ
ターンの最終形状とすることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２５】［第一実施形態］
＜パターン形状補正装置＞図１は、本発明の第一実施形
態に係る露光用マスクパターンの補正方法を実現するた
めのパターン形状補正装置を示す図である。
態に係る露光用マスクパターンの補正方法を実現するた
めのパターン形状補正装置を示す図である。
【００２６】このパターン形状補正装置１０は、コンピ
ューター等で構成され、マスクパターンの設計形状デー
タ（ターゲットパターン）を入力し、この設計形状デー
タに対して、後述する図３に示すアルゴリズムに従っ
て、光近接効果を考慮した補正を行い、補正後形状デー
タを出力する構成となっている。
ューター等で構成され、マスクパターンの設計形状デー
タ（ターゲットパターン）を入力し、この設計形状デー
タに対して、後述する図３に示すアルゴリズムに従っ
て、光近接効果を考慮した補正を行い、補正後形状デー
タを出力する構成となっている。
【００２７】また、図３に示すアルゴリズムに従ったプ
ログラムコードを上記パターン形状補正装置１０内の記
憶装置に格納し、該補正装置１０のＣＰＵやＭＰＵが記
憶装置に格納されたプログラムコードを読み出し実行す
ることによって、以下に述べる補正方法を実現させるこ
とが可能となる。
ログラムコードを上記パターン形状補正装置１０内の記
憶装置に格納し、該補正装置１０のＣＰＵやＭＰＵが記
憶装置に格納されたプログラムコードを読み出し実行す
ることによって、以下に述べる補正方法を実現させるこ
とが可能となる。
【００２８】さらに、図３に示すアルゴリズムに従った
プログラムコードが格納された記憶媒体（例えばＣＤ−
ＲＯＭ等）を上記パターン形状補正装置１０に供給し、
該補正装置１０のＣＰＵやＭＰＵが前記記憶媒体に格納
されたプログラムコードを読み出し実行するような構成
であっても、本発明の補正方法を実現することは可能で
ある。
プログラムコードが格納された記憶媒体（例えばＣＤ−
ＲＯＭ等）を上記パターン形状補正装置１０に供給し、
該補正装置１０のＣＰＵやＭＰＵが前記記憶媒体に格納
されたプログラムコードを読み出し実行するような構成
であっても、本発明の補正方法を実現することは可能で
ある。
【００２９】＜マスクパターンの補正方法＞次に、第一
実施形態に係る露光用マスクパターンの補正方法につい
て説明する。
実施形態に係る露光用マスクパターンの補正方法につい
て説明する。
【００３０】本実施形態では、補正後パターンの段差部
分（ジョグ）や膨らみ部分（セリフ）の発生位置、及び
評価点を先に定義し、各評価点において、ラフモデルを
用いて補正計算を実行して補正量を求め（ラフ補正処
理）、その収束条件に達した後、厳密モデルを用いて補
正計算を更に実行する（厳密補正処理）。
分（ジョグ）や膨らみ部分（セリフ）の発生位置、及び
評価点を先に定義し、各評価点において、ラフモデルを
用いて補正計算を実行して補正量を求め（ラフ補正処
理）、その収束条件に達した後、厳密モデルを用いて補
正計算を更に実行する（厳密補正処理）。
【００３１】初めに、厳密補正処理に用いるモデル（厳
密モデル）について説明する。
密モデル）について説明する。
【００３２】厳密モデルとは、例えば、部分コヒーレン
ト光学結像式： I(x,y)=F-1{∫TCC(f,g;f',g')m(f,g)m*(f',g')dfdgdf'dg'}…（１） ここで、Ｆ｛｝はフーリエ変換であり、F-1｛｝はフー
リエ逆変換である。また、ＴＣＣは相互透過係数（Tran
smission Cross Coefficient）であり、ＴＣＣを求める
ための積分領域を図２に示す（図中の斜線部分Ｗが積分
領域）。
ト光学結像式： I(x,y)=F-1{∫TCC(f,g;f',g')m(f,g)m*(f',g')dfdgdf'dg'}…（１） ここで、Ｆ｛｝はフーリエ変換であり、F-1｛｝はフー
リエ逆変換である。また、ＴＣＣは相互透過係数（Tran
smission Cross Coefficient）であり、ＴＣＣを求める
ための積分領域を図２に示す（図中の斜線部分Ｗが積分
領域）。
【００３３】
TCC(f,g:f',g')＝∫S(f",g")P(f+f",g+g")P*(f'+f",g'+g")df"dg"…（２）
ここで、Sは有効光源分布であり、もし、
√（f２,g２）≦σNA/λ，α：コヒーレンスファクタ
であれば、
S(f,g)=1
そうでなければ、
Ｓ(f,g)=0
また、式（２）のPは瞳関数であり、もし、
√（f２+g２）≦NA/λ
であれば、
│P（f,g）│＝１
そうでなければ、
P(f,g)=0
また、式（１）のm(f，g)は、マスクパターンより得ら
れる回折光分布であり、 F-1{m(f,g)}=m(x,y)…（３） となり、m(x,y)はマスクパターンの複素振幅透過率分布
を示している。
れる回折光分布であり、 F-1{m(f,g)}=m(x,y)…（３） となり、m(x,y)はマスクパターンの複素振幅透過率分布
を示している。
【００３４】この式（３）に従ってウェハ上の像強度分
布を求め、得られた像強度分布に従って、現像シミュレ
ーション、エッチングシミュレーションを用いてウェハ
上の仕上がり形状を求めることを指している。
布を求め、得られた像強度分布に従って、現像シミュレ
ーション、エッチングシミュレーションを用いてウェハ
上の仕上がり形状を求めることを指している。
【００３５】ここで示した結像式はスカラー計算式を示
したが、更に厳密性を求める場合には、レジスト中の光
強度を求めるモデルや、ベクトル結像計算を使用するこ
とが必要となる。
したが、更に厳密性を求める場合には、レジスト中の光
強度を求めるモデルや、ベクトル結像計算を使用するこ
とが必要となる。
【００３６】一方、ラフ補正処理に用いるモデル（ラフ
モデル）として、例えば、Journalof Optical Society
of America A/Vol.11,No.9/pl.2438-2452/Sep.(1994)に
て、Y.C.Patiらが「Phase-shifting masks for microli
thography:automateddesign and mask requirements」
の中で説明しているOCA(Optima1 Coherent Assumption)
手法に従って固有値展開して得られた式を利用する手法
等が考えられる。ＯＣＡによる結像式は次のように表さ
れる。
モデル）として、例えば、Journalof Optical Society
of America A/Vol.11,No.9/pl.2438-2452/Sep.(1994)に
て、Y.C.Patiらが「Phase-shifting masks for microli
thography:automateddesign and mask requirements」
の中で説明しているOCA(Optima1 Coherent Assumption)
手法に従って固有値展開して得られた式を利用する手法
等が考えられる。ＯＣＡによる結像式は次のように表さ
れる。
【００３７】I(x，y)≒F-1{Σσk((φk・m（f,g）☆(φ
k・m（f,g))*)} ここで、σkはTCCを固有関数核Φｋ(ｋ=0,l,2．．Ｎ)に
て最適展開した際の固有値であり、φｋはΦｋのフーリ
エ変換であり、☆は相関(correlation)計算を表してい
る。
k・m（f,g))*)} ここで、σkはTCCを固有関数核Φｋ(ｋ=0,l,2．．Ｎ)に
て最適展開した際の固有値であり、φｋはΦｋのフーリ
エ変換であり、☆は相関(correlation)計算を表してい
る。
【００３８】図３は、本発明の第一実施形態に係る露光
用マスクパターンの補正方法のアルゴリズムを示すフロ
ーチャートである。
用マスクパターンの補正方法のアルゴリズムを示すフロ
ーチャートである。
【００３９】まず、ステップＳ１１からステップＳ１３
までの処理は、図１２で説明したステップＳ５１からス
テップＳ５３までの処理と同じである。すなわち、設計
形状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ１１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ１２）、ジョグ
／セリフの発生位置を定義するためにエッジ（図１３
（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ１３）。
までの処理は、図１２で説明したステップＳ５１からス
テップＳ５３までの処理と同じである。すなわち、設計
形状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ１１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ１２）、ジョグ
／セリフの発生位置を定義するためにエッジ（図１３
（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ１３）。
【００４０】次に、ステップＳ１４からステップＳ１７
までは、上述したラフモデルを用いたモデルベース補正
技術によりラフ補正処理を行う。まず、図４（ａ）に示
すように、ターゲットパターン３１を基に所望エッジ位
置から予測転写形状３１ａまでのずれ量Ｔ１を計算すべ
く、各評価点においての光強度計算を行う（ステップＳ
１４）。次いで、各エッジにおいて、ずれ量Ｔ１に従っ
てマスクパターンのラフ補正量を求め（ステップＳ１
５）、エッジの移動、つまりマスクパターンを変形する
（ステップＳ１６、図４（ｂ）の３２）。
までは、上述したラフモデルを用いたモデルベース補正
技術によりラフ補正処理を行う。まず、図４（ａ）に示
すように、ターゲットパターン３１を基に所望エッジ位
置から予測転写形状３１ａまでのずれ量Ｔ１を計算すべ
く、各評価点においての光強度計算を行う（ステップＳ
１４）。次いで、各エッジにおいて、ずれ量Ｔ１に従っ
てマスクパターンのラフ補正量を求め（ステップＳ１
５）、エッジの移動、つまりマスクパターンを変形する
（ステップＳ１６、図４（ｂ）の３２）。
【００４１】さらに、図４（ｂ）に示すように、変形後
のパターン３２に対して、予測転写形状３２ａまでのず
れ量Ｔ２を評価し（ステップＳ１７）、また補正を繰り
返し、ある一定量以下にずれ量を追い込めた場合に、本
ラフ補正処理を終了する。
のパターン３２に対して、予測転写形状３２ａまでのず
れ量Ｔ２を評価し（ステップＳ１７）、また補正を繰り
返し、ある一定量以下にずれ量を追い込めた場合に、本
ラフ補正処理を終了する。
【００４２】その後、ラフ補正処理後に得られたマスク
パターン形状データを初期値として用い、所望エッジ位
置から予測転写形状までのずれ量が無くなるまで、上述
した厳密モデルを用いたモデルベース補正技術で厳密補
正処理を行う（ステップＳ１９からステップＳ２２ま
で）。その結果、図４（ｃ）の３３に示すようにマスク
パターンが変形し、予測転写形状３３ａが所望の設計形
状に忠実に補正される。
パターン形状データを初期値として用い、所望エッジ位
置から予測転写形状までのずれ量が無くなるまで、上述
した厳密モデルを用いたモデルベース補正技術で厳密補
正処理を行う（ステップＳ１９からステップＳ２２ま
で）。その結果、図４（ｃ）の３３に示すようにマスク
パターンが変形し、予測転写形状３３ａが所望の設計形
状に忠実に補正される。
【００４３】ここで、N×β>>N1×α＋N2×β
N：厳密計算単独使用時に必要とする補正イタレーショ
ン回数（補正繰り返し回数） N1，N2：本実施形態の補正手法を用いた場合に必要とす
るイタレーション回数 α：ラフ補正の１回あたりの処理時間 β：厳密補正の１回あたりの処理時間 を達成するためには、 α＜＜β、 Ｎ＞Ｎ2 であることが必要である。Ｎ２は１〜２回であることが
望ましい。
ン回数（補正繰り返し回数） N1，N2：本実施形態の補正手法を用いた場合に必要とす
るイタレーション回数 α：ラフ補正の１回あたりの処理時間 β：厳密補正の１回あたりの処理時間 を達成するためには、 α＜＜β、 Ｎ＞Ｎ2 であることが必要である。Ｎ２は１〜２回であることが
望ましい。
【００４４】また、図３中ステップＳ１４のラフ判定の
判定基準は、所望精度より緩めに設定してあり、且つそ
れ以内で追い込まれたパターンを初期値として厳密モデ
ルによる計算を開始した場合に、上記Ｎ２が１〜２回程
度で補正が完了できる値に設定してあることが望まし
い。例えば、ラフ補正処理中に得られる補正エラー評価
量と、予め設定された許容エラー量に１を超える係数を
乗じた値とを比較して、その比較結果に応じて、ラフ補
正処理の収束判定を行う。
判定基準は、所望精度より緩めに設定してあり、且つそ
れ以内で追い込まれたパターンを初期値として厳密モデ
ルによる計算を開始した場合に、上記Ｎ２が１〜２回程
度で補正が完了できる値に設定してあることが望まし
い。例えば、ラフ補正処理中に得られる補正エラー評価
量と、予め設定された許容エラー量に１を超える係数を
乗じた値とを比較して、その比較結果に応じて、ラフ補
正処理の収束判定を行う。
【００４５】このように本実施形態では、ラフ補正処理
によって補正がある程度進んでいることによって、厳密
補正処理による補正イタレーション回数を大きく低減す
ることが可能である。
によって補正がある程度進んでいることによって、厳密
補正処理による補正イタレーション回数を大きく低減す
ることが可能である。
【００４６】すなわち、従来では、露光用マスクパター
ンの光近接効果補正に関して、高精度な補正を行おうと
した場合、厳密な形状予測モデルを使用せざるを得ず、
その結果、処理時間が増大してしまうという難点があっ
た。これに対して本実施形態では、ラフな補正である程
度補正形伏を追い込んだ上で、最後に厳密な形状予測モ
デルに従った補正を行うので、同じ補正精度を得るのに
必要な処理時間を短縮することが可能となる。
ンの光近接効果補正に関して、高精度な補正を行おうと
した場合、厳密な形状予測モデルを使用せざるを得ず、
その結果、処理時間が増大してしまうという難点があっ
た。これに対して本実施形態では、ラフな補正である程
度補正形伏を追い込んだ上で、最後に厳密な形状予測モ
デルに従った補正を行うので、同じ補正精度を得るのに
必要な処理時間を短縮することが可能となる。
【００４７】＜マスク製作工程＞図５は、本実施形態に
係るマスク製作工程を示すイメージ図である。
係るマスク製作工程を示すイメージ図である。
【００４８】上述した露光用マスクパターンの補正方法
によりパターン形状補正装置１０で作成された補正後形
状データは、描画データとして描画データ格納部４１に
格納され、電子ビーム描画装置４０へ供給される。
によりパターン形状補正装置１０で作成された補正後形
状データは、描画データとして描画データ格納部４１に
格納され、電子ビーム描画装置４０へ供給される。
【００４９】電子ビーム描画装置４０は、前記描画デー
タに従って、電子ビームを用いてマスクブランク４２上
にマスクパターンを描画する。例えばラスタスキャン方
式では、電子ビームを一定方向に走査し、描画データに
応じて電子ビームをオン／オフすることにより、マスク
ブランク４２上にマスクパターンを形成する。
タに従って、電子ビームを用いてマスクブランク４２上
にマスクパターンを描画する。例えばラスタスキャン方
式では、電子ビームを一定方向に走査し、描画データに
応じて電子ビームをオン／オフすることにより、マスク
ブランク４２上にマスクパターンを形成する。
【００５０】＜露光工程＞図６は、本実施形態に係る露
光工程を実施するための露光装置の概略構成図である。
光工程を実施するための露光装置の概略構成図である。
【００５１】この露光装置は、超高圧水銀灯などの光源
５１、絞り５２、照明光学系５３、マスクステージ５
４、投影光学系５５、及びウェハステージ５６で構成さ
れている。マスクステージ５４上には、上述のマスク製
作工程で製作されたマスク４２が搭載され、さらにウェ
ハステージ５６上には、表面にレジストが塗布された半
導体ウェハ６０が搭載されている。
５１、絞り５２、照明光学系５３、マスクステージ５
４、投影光学系５５、及びウェハステージ５６で構成さ
れている。マスクステージ５４上には、上述のマスク製
作工程で製作されたマスク４２が搭載され、さらにウェ
ハステージ５６上には、表面にレジストが塗布された半
導体ウェハ６０が搭載されている。
【００５２】光源５１から発光された光は、絞り５２及
び照明光学系５３を通してマスクステージ５４上のマス
ク４２に照射され、そのマスクパターンの投影像が投影
光学系５５を通して半導体ウェハ６０上に転写される。
び照明光学系５３を通してマスクステージ５４上のマス
ク４２に照射され、そのマスクパターンの投影像が投影
光学系５５を通して半導体ウェハ６０上に転写される。
【００５３】このようにして、半導体ウェハ６０上に塗
布されたレジストに回路パターンが形成されるが、本実
施形態のマスク４２を用いて形成された回路パターン
は、所望の設計形状を、より忠実に反映したものとな
る。
布されたレジストに回路パターンが形成されるが、本実
施形態のマスク４２を用いて形成された回路パターン
は、所望の設計形状を、より忠実に反映したものとな
る。
【００５４】［第二実施形態］本実施形態では、露光用
マスクパターンの補正方法のみが上記第一実施形態と異
なる。上記第一実施形態の露光用マスクパターンの補正
方法では、モデルベース補正技術のみを用いたものであ
ったが、本実施形態の補正方法では、モデルベース補正
技術とルールベース補正技術とを用いて行うものであ
る。本実施形態では、まずルールベース補正技術を用い
てラフ補正処理を行い、その補正終了後、さらにモデル
ベース補正技術を用いて厳密補正処理を行う。
マスクパターンの補正方法のみが上記第一実施形態と異
なる。上記第一実施形態の露光用マスクパターンの補正
方法では、モデルベース補正技術のみを用いたものであ
ったが、本実施形態の補正方法では、モデルベース補正
技術とルールベース補正技術とを用いて行うものであ
る。本実施形態では、まずルールベース補正技術を用い
てラフ補正処理を行い、その補正終了後、さらにモデル
ベース補正技術を用いて厳密補正処理を行う。
【００５５】図７は、本発明の第二実施形態に係る露光
用マスクパターンの補正方法のアルゴリズムを示すフロ
ーチャートである。
用マスクパターンの補正方法のアルゴリズムを示すフロ
ーチャートである。
【００５６】まず、ステップＳ３１からステップＳ３３
までの処理は、図１２で説明したステップＳ５１からス
テップＳ５３までの処理と同じである。すなわち、設計
形状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ３１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ３２）、ジョグ
／セリフの発生位置を定義するためにエッジ（図１３
（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ３３）。
までの処理は、図１２で説明したステップＳ５１からス
テップＳ５３までの処理と同じである。すなわち、設計
形状データ（ターゲットパターン：図１３（ａ）の１０
１）を入力し（ステップＳ３１）、評価点（図１３
（ｂ）のＱ）の配置と共に（ステップＳ３２）、ジョグ
／セリフの発生位置を定義するためにエッジ（図１３
（ｂ）のＥ）の分割を行う（ステップＳ３３）。
【００５７】次に、ステップＳ３４とステップＳ３５で
は、ルールベース補正によりラフ補正処理を行う。
は、ルールベース補正によりラフ補正処理を行う。
【００５８】本実施形態のルールベース補正は、図８
（ａ）で示すターゲットパターン４１の線幅Ｗのライン
端に対してライン端方向のスペースＳの場合に、ライン
端に付けるセリフサイズを図９に示すようなルールテー
ブルより選択し、パターン形状を変更する補正を行うも
のである。
（ａ）で示すターゲットパターン４１の線幅Ｗのライン
端に対してライン端方向のスペースＳの場合に、ライン
端に付けるセリフサイズを図９に示すようなルールテー
ブルより選択し、パターン形状を変更する補正を行うも
のである。
【００５９】まずステップＳ３４では、ターゲットパタ
ーン４１のパターンサイズ（線幅Ｗ，スペースＳ）をチ
ェックし、続くステップＳ３５では、このパターンサイ
ズに基づいて上記ルールテーブルより各エッジの補正量
を選択して適用する。
ーン４１のパターンサイズ（線幅Ｗ，スペースＳ）をチ
ェックし、続くステップＳ３５では、このパターンサイ
ズに基づいて上記ルールテーブルより各エッジの補正量
を選択して適用する。
【００６０】こうして、ルールベース補正後のパターン
形状４２（図８（ｂ）参照）を得る（ステップＳ３
６）。
形状４２（図８（ｂ）参照）を得る（ステップＳ３
６）。
【００６１】その後、上記ルールベース補正で得られた
パターン形状データ４２を初期値として用い、所望エッ
ジ位置から予測転写形状までのずれ量が殆ど無くなるま
で、モデルベース補正技術で上述した厳密補正処理を行
う（ステップＳ３７からステップＳ４０まで）。その結
果、図８（ｃ）の４３に示すようにマスクパターンが変
形し、予測転写形状４３ａが所望の設計形状に忠実に補
正される。
パターン形状データ４２を初期値として用い、所望エッ
ジ位置から予測転写形状までのずれ量が殆ど無くなるま
で、モデルベース補正技術で上述した厳密補正処理を行
う（ステップＳ３７からステップＳ４０まで）。その結
果、図８（ｃ）の４３に示すようにマスクパターンが変
形し、予測転写形状４３ａが所望の設計形状に忠実に補
正される。
【００６２】このように本実施形態では、パターンに特
徴的なパラメータの組み合わせで補正量を記述したルー
ルテーブルを適用するルールベース補正を行うことによ
り、ある程度まで補正を行うことは可能となり、ルール
ベース補正を行った後のパターン形状を続いて行うモデ
ルベース補正での初期値として使用することによって、
収束までに必要なイタレーション回数を減らすことが可
能となる。
徴的なパラメータの組み合わせで補正量を記述したルー
ルテーブルを適用するルールベース補正を行うことによ
り、ある程度まで補正を行うことは可能となり、ルール
ベース補正を行った後のパターン形状を続いて行うモデ
ルベース補正での初期値として使用することによって、
収束までに必要なイタレーション回数を減らすことが可
能となる。
【００６３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理にお
いて、高精度な補正形状を高速に得ることが可能にな
る。
ば、露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理にお
いて、高精度な補正形状を高速に得ることが可能にな
る。
【図１】本発明の第一実施形態に係る露光用マスクパタ
ーンの補正方法を実現するためのパターン形状補正装置
を示す図である。
ーンの補正方法を実現するためのパターン形状補正装置
を示す図である。
【図２】ＴＣＣを求めるための積分領域を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の第一実施形態に係る露光用マスクパタ
ーンの補正方法のアルゴリズムを示すフローチャートで
ある。
ーンの補正方法のアルゴリズムを示すフローチャートで
ある。
【図４】第一実施形態に係る露光用マスクパターンの補
正方法を説明するパターン形状図である。
正方法を説明するパターン形状図である。
【図５】マスク製作工程を示すイメージ図である。
【図６】露光工程を実施するための露光装置の概略構成
図である。
図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係る露光用マスクパタ
ーンの補正方法のアルゴリズムを示すフローチャートで
ある。
ーンの補正方法のアルゴリズムを示すフローチャートで
ある。
【図８】第二実施形態に係る露光用マスクパターンの補
正方法を説明するパターン形状図である。
正方法を説明するパターン形状図である。
【図９】第二実施形態に係るルールテーブルを示す図で
ある。
ある。
【図１０】従来のルールベース補正手法を説明する図で
ある。
ある。
【図１１】ルールベース補正での問題点を示す図であ
る。
る。
【図１２】従来のモデルベース補正を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１３】従来の露光用マスクパターンの補正方法を説
明するパターン形状図である。
明するパターン形状図である。
【図１４】パターンサイズ毎のＭＥＦを示す図である。
【図１５】一律ＭＥＦ補正の際の問題を示す図である。
【図１６】スカラー計算とベクトル潜像計算によるＯＰ
Ｅ予測結果比較グラフである。
Ｅ予測結果比較グラフである。
１０ パターン形状補正装置
３１，４１ ターゲットパターン
３１ａ 予測転写形状
３２，４２ 変形後のパターン
３２ａ，４２ａ 予測転写形状
３３ａ，４３ａ 予測転写形状
４２ マスク
６０ 半導体ウェハ
【手続補正書】
【提出日】平成１５年１月１４日（２００３．１．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 露光用マスクパターンの補正方法、プ
ログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の
製造方法
ログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の
製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体露光装置を用いて半導体基板上に
マスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効
果を補正するために、転写形状予測モデルに基づく補正
手段により前記マスクパターンの形状に補正を施す露光
用マスクパターンの補正方法において、 第一の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求め
る第一の補正手段と、前記第一の補正精度よりも厳密な
第二の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求め
る第二の補正手段とを前記補正手段として用意し、 前記第一の補正手段により前記第一の補正精度の第一の
補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値として
前記第二の補正手段により前記第二の補正精度の第二の
補正形状を求め、 この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状と
することを特徴とする露光用マスクパターンの補正方
法。 - 【請求項２】 前記補正手段は、入力パターン形状に対
して転写後の形状を予測し、設計形状に対する当該予測
転写形状のずれ量を小さくするように補正を行う手法を
用いることを特徴とする請求項１記載の露光用マスクパ
ターンの補正方法。 - 【請求項３】 前記第一の補正手段は、前記第二の補正
手段よりも補正処理時間が短時間の手法を用いることを
特徴とする請求項１または２記載の露光用マスクパター
ンの補正方法。 - 【請求項４】 前記第一の補正手段による補正処理中に
得られる補正エラー評価量と、所定の許容エラー量に１
を超える係数を乗じた値とを比較し、その比較結果に応
じて、前記第一の補正手段で実行される補正処理の収束
判定を行うことを特徴とする請求項１乃至３記載の露光
用マスクパターンの補正方法。 - 【請求項５】 半導体露光装置を用いて半導体基板上に
マスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効
果を補正するために、補正手段により前記マスクパター
ンの形状に補正を施す露光用マスクパターンの補正方法
において、 入力パターン形状に対して補正形状を定めたテーブルを
用いて前記マスクパターンの補正形状を求める第一の補
正手段と、転写形状予測モデルを用いて前記マスクパタ
ーンの補正形状を求める第二の補正手段とを前記補正手
段として用意し、 前記第一の補正手段により第一の補正形状を求めた後、 該第一の補正形状を初期値として前記第二の補正手段に
より所定の補正精度の第二の補正形状を求め、 この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状と
することを特徴とする露光用マスクパターンの補正方
法。 - 【請求項６】 前記第二の補正手段は、入力パターン形
状に対して転写後の形状を予測し、設計形状に対する当
該予測転写形状のずれ量を小さくするように補正を行う
手法を用いることを特徴とする請求項５記載の露光用マ
スクパターンの補正方法。 - 【請求項７】 前記第一の補正手段は、前記第二の補正
手段よりも補正処理時間が短時間の手法を用いることを
特徴とする請求項５または６記載の露光用マスクパター
ンの補正方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７に記載の露光用マスクパ
ターンの補正方法を実行するための制御プログラムを記
録したことを特徴とする記録媒体。 - 【請求項９】 請求項１乃至７に記載の露光用マスクパ
ターンの補正方法を実行して得られたマスクパターン形
状を用いて作成することを特徴とするマスク。 - 【請求項１０】 請求項９記載のマスクを搭載した半導
体露光装置を用い、前記マスクのパターン形状に対応し
たパターンを半導体基板上に形成することを特徴とする
パターン形成方法。 - 【請求項１１】 請求項９記載のマスクを搭載した半導
体露光装置を用い、前記マスクのパターン形状に対応し
た回路パターンを半導体ウェハ上に形成し、前記回路パ
ターンの形成された半導体ウェハを用いて、半導体装置
を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370365A JP3592666B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US10/307,968 US7353145B2 (en) | 2001-12-04 | 2002-12-03 | Method for correcting a mask pattern, a computer program product, a method for producing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| KR10-2002-0076135A KR100507249B1 (ko) | 2001-12-04 | 2002-12-03 | 마스크 패턴 형성 방법, 마스크 패턴 형성 프로그램을 기록한 기록 매체, 포토마스크 작성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| CNB021538794A CN1212644C (zh) | 2001-12-04 | 2002-12-04 | 掩模图形形成方法、计算机程序产品和光掩模制作方法 |
| TW091135147A TW567396B (en) | 2001-12-04 | 2002-12-04 | Method for fabricating mask pattern, computer program product, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370365A JP3592666B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003167323A true JP2003167323A (ja) | 2003-06-13 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US7353145B2 (ja) |
| JP (1) | JP3592666B2 (ja) |
| KR (1) | KR100507249B1 (ja) |
| CN (1) | CN1212644C (ja) |
| TW (1) | TW567396B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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