JP2002328462A - 露光用マスクパターンの検査方法 - Google Patents

露光用マスクパターンの検査方法

Info

Publication number
JP2002328462A
JP2002328462A JP2001129246A JP2001129246A JP2002328462A JP 2002328462 A JP2002328462 A JP 2002328462A JP 2001129246 A JP2001129246 A JP 2001129246A JP 2001129246 A JP2001129246 A JP 2001129246A JP 2002328462 A JP2002328462 A JP 2002328462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
mask pattern
inspection
optical system
image data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001129246A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4266082B2 (ja
Inventor
Satoshi Tanaka
聡 田中
Soichi Inoue
壮一 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001129246A priority Critical patent/JP4266082B2/ja
Priority to US10/131,036 priority patent/US6990225B2/en
Publication of JP2002328462A publication Critical patent/JP2002328462A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4266082B2 publication Critical patent/JP4266082B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 より厳密に欠陥の転写性をマスク像から直接
求めることが可能となり、許容欠陥サイズをより厳密に
求められることからスペックを緩和することが可能とな
る半導体装置製造用の露光マスクパターンの検査方法を
提供する。 【解決手段】 マスクパターン２の検査像から直接露光
転写シミュレーションを行う。露光用マスクパターンの
画像データ３を作成するステップと、この画像データか
ら検出光学系の情報を基に露光用マスクパターンより得
られる回折光分布の低次項を求めるステップ４と、得ら
れた回折光分布の低次項から露光装置１の光学系での転
写シミュレーションを用いてウェハ上に得られる像強度
分布を求めるステップを備え、この像強度分布を基に前
記画像データと比較して検査の合否判定を行う。マスク
パターンの検査像から直接露光転写シミュレーションを
行うことにより、高精度な判断を下すことが可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる露光用のマスクの検査方法に関し、とくに
検査により発見された欠陥が許容可能かどうかの判定を
より厳密に行うマスクパターンの検査方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】近年のＬＳＩなどの半導体装置の微細化に
伴い、この製造に用いられる露光用マスクに形成された
マスクパターン寸法も１μｍを下回るサイズのものが必
要となってきている。また、設計通りにウェハ上にパタ
ーンが転写できなくなる現象、すなわち、光近接効果
（ＯＰＥ：Optical Proximity Effects ）も顕在化して
きており、補正を加えたマスクパターンを用いることに
より、転写後の形状を所望の設計パターン通りに仕上げ
る技術、すなわち、光近接効果補正（ＯＰＥ：Optical
Proximity Correction）が必要となってきている。この
技術を導入することにより、ウェハ上のＣＤ変動を抑制
することが可能となり、より微細なパターンまでウェハ
上に設計通り忠実に仕上げられるようになってきてい
る。この結果、逆に、ウェハ上での所望パターン形状
（設計値）に対し、実際にマスクパターンとして必要な
形状は、大きく異なって来ている。このようなマスクに
対して欠陥検査が困難になってきている。
【０００３】マスク欠陥検査装置の測定方式としては光
学式とＥＢ式の２方式が一般に行われている。検査手法
としては、複数のチップ間の差を検出する方式（ｄｉｅ
−ｔｏ−ｄｉｅ）、マスクパターンデータとの差を検出
する方式（ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ（ＤＢ））
が行われている。現在問題となっているのは、差をどこ
まで許容するか、そのスペックを明確化するのが非常に
困難となってきていることにある。つまり、マスク作成
の観点から、ある許容値以下の欠陥については修正を行
わずそのまま払い出すことでマスク供給のｙｉｅｌｄを
向上させることが可能であるが、その許容値を如何に設
定するかが困難な状況となってきている。このような問
題に対し、従来はプログラム欠陥と呼ばれる、欠陥寸法
や欠陥発生位置を複数準備したデータを用いて作成した
マスクを準備し、欠陥の種類別に転写テストを行ってＯ
Ｋ、ＮＧを判定するサイズを決定するという手法を用い
ていた。最近でも、プログラム欠陥マスクを作成して転
写テストを行った結果の報告がなされている（Proc．
SPIE Vol.3677 pl.722-733、J.Fung Chun等）。ま
た、近年ではこれを補完する形で、リソグラフィーシミ
ュレーション技術を導入し、シミュレーション上で欠陥
寸法や発生位置等を振ったデータに対して転写テストを
行うことによりマスク上の許容欠陥寸法等を求めてきて
いた。
【０００４】また、最近検査装置で得られたマスク像を
直接転写シミュレーションに流用することにより、ＯＫ
／ＮＧを判定する手法に関しても報告がなされている
（Proc． SPIE Vol.3677 pl.711-720, Donald Petti
bone、Wafer Printability Simulation Accuracy Based
on UV Optical Inspection Images of Reticle Defect
s ）。さらに、マスクを露光光学系と同等の解像特性を
有する装置にて観察し、欠陥転写特性を調べる手法も提
案されている（Proc. SPIE Vol.3236 pl.136-141, Frit
z Ganz等）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらには幾
つかの問題点が存在する。プログラム欠陥マスクを作成
して転写テストを行い評価する手法に関しては、欠陥の
種類が限られることにより、一般化することが困難であ
る。また、どの程度の欠陥サイズまで検出するかとい
う、いわゆる検査感度に関しても欠陥の種類毎に設定す
る必要があり、極めて煩雑且つ特殊化したものとなって
しまう。また、シミュレーションにより転写特性を判定
する手法については、とくにマスクパターンから輪郭を
抽出して行う手法であったとしても、微小パターンによ
るトポグラフィ効果の影響やグレイトーン（gray tone
）の位相透過率欠陥に対する精度を確保するのは困難
である。図３乃至図１１を参照して以上のことを具体的
に説明する。図３は、マスクパターンの平面図である。
図３に示すように、ハーフトーン部がライン状に形成さ
れた０．１５μｍラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パタ
ーン（ウェハ上寸法換算、４倍体マスク想定）に欠陥が
Ａ領域に存在するとする。図４乃至図７は、Ａ領域の欠
陥の透過率、位相、サイズを振ったときに検出光学系で
得られる像強度分布を二値化して示す拡大図である。想
定した検出光学系の光学条件及び被測定対象となるマス
クの条件は、以下のように示される。
【０００６】（条件） 検査波長＝２４８ｎｍ、開口数
（ＮＡ）＝０．９、コヒーレンスファクタ（σ）＝０．
８、ハーフトーン位相シフトマスク使用、二値化に使用
した閾値＝０．１７６９（マスク基板（非ハーフトーン
部）大開口部通過光を１に規格化した時の値） 但し、図４乃至図７の欠陥は、サイズが１００ｎｍ、２
００ｎｍ、３００ｎｍの黒欠陥であり、図４は、位相差
１８０度、図５は、位相差９０度、図６は、透過率０
％、図７は、透過率１２％である。図８は、検査光学系
による欠陥検出サイズ（縦軸）（μｍ）とマスクの欠陥
寸法（横軸）（μｍ）との関係を示す特性図であり、検
出光学系より得られる欠陥のサイズと実際のレチクル
（マスク）上の欠陥サイズとの関係を示している。図８
において、−×−が図４に対応し、−○−が図５に対応
し、−■−が図６に対応し、−△−が図７に対応してい
る。
【０００７】図９乃至図１１は、焦点深度（ＤＯＦ）
（縦軸）（μｍ）と共通露光裕度（横軸）（％）との関
係を示す特性図であり、マスク上の欠陥に対してウェハ
上のレジスト寸法の共通裕度がどのように劣化するかを
示している。図において、図８と同様に、−×−が図４
に対応し、−○−が図５に対応し、−■−が図６に対応
し、−△−が図７に対応している。また、図９のマスク
上欠陥サイズは、０．１μｍ、図１０のマスク上欠陥サ
イズは、０．１５μｍ、図１１のマスク上欠陥サイズ
は、０．２μｍである。以下にウェハ上の転写シミュレ
ーションの際に用いた露光条件を示す。図１２は、本発
明及び従来の露光装置の概略斜視図である。
【０００８】（条件） 露光波長＝２４８ｎｍ、開口数
（ＮＡ）＝０．６８、コヒーレンスファクタ（σ）＝
０．７５、輪帯照明（遮蔽率＝２／３） ここでレジスト寸法を求めるモデルとして、光学像Ｉ
（ｘ）に対してガウス関数を畳み込み積分し、露光量に
対応する閾値で寸法を定義する手法を用いた。 Ｉｇ（ｘ）＝Ｉ（ｘ）（×）ｇ（ｘ）＝１／（√（π）・ΔＬ）∫Ｉ（ｘ −ｘ′）ｅｘｐ（−ｘ′2 ／ΔＬ2 ）ｄｘ′ ・・・（７） ここではΔＬ＝６０ｎｍとして計算した。（×）は、畳
み込み積分（cnvolution）を表わしている（実際の記号
は、○の中に×を記すことで表わされる）。
【０００９】例えば、必要裕度として、露光量余裕度１
０％＠０．５μｍＤＯＦ（Depth OfFocus：焦点深度）
とした場合、図９（ｂ）に示すようにマスク上寸法で
０．１５μｍの欠陥では透過率０％、９０度位相６％透
過率欠陥についてはＯＫであるが、その他についてはＮ
Ｇとなっている。図８に示すように、対応する検査装置
で得られる欠陥サイズは、ＯＫパターンに関しては０で
あるのに対し、ＮＧパターンでは０．０８〜０．１μｍ
程度となっている。図９（ｃ）に示す０．２μｍ欠陥の
場合、全てＮＧとなるが、露光裕度の観点からみると、
０％透過率欠陥と６％９０度位相欠陥の両者はあまり変
わらないのに、その検出光学系での検出される欠陥サイ
ズは２０ｎｍ程度異なって検出される。このように透過
率や位相が異なると許容欠陥サイズとその検出光学系で
得られるサイズとの相関が劣化することによって、許容
欠陥サイズそのものを厳しい方向に設定せざるを得なく
なってしまう。この結果本来、出荷可能なマスクについ
てもＮＧと判定してしまい、結果マスク製造の生産効率
を落してしまうことが考えられる。
【００１０】露光装置と同等の解像特性（ＮＡ／λ／
σ）を有する装置を用いることに関しては、実際の露光
装置固有の特性（収差等）が異なることが多く、その影
響を除去するのが困難である。以上のように、従来の検
査手法では許容欠陥寸法に関してかなり余裕をみたスペ
ックにせざるを得ず、結果としてスペックインしたマス
ク供給が困難となってくる。本発明は、このような事情
によりなされたものであり、より厳密に欠陥の転写性を
マスク像から直接求めることが可能となり、許容欠陥サ
イズをより厳密に求められることからスペックを緩和す
ることが可能となる露光用マスクパターンの検査方法を
提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置を
製造するための露光用マスクの検査方法において、マス
クパターンの検査像から直接露光転写シミュレーション
を行うことを特徴としている。従来手法であるｄｉｅ−
ｔｏ−ＤＢ手法では、マスク上に存在する欠陥が許容さ
れるかどうかの判定が困難であるのに比較し、マスクパ
ターンの検査像から直接露光転写シミュレーションを行
うことにより、高精度な判断を下すことが可能となり、
マスク作成のｙｉｅｌｄ向上を達成することが可能とな
る。すなわち、本発明の露光用マスクの検査方法は、半
導体装置を製造するための露光装置に用いる露光用マス
クパターンの検査方法において、前記露光装置の露光波
長と実質的に同一の検査波長を使用し、露光装置の投影
光学系の開口数より大なる開口数を有する検査装置の検
出光学系を用いて前記露光用マスクパターンの画像デー
タを作成するステップと、得られた前記露光用マスクパ
ターンの画像データから、前記検出光学系の情報を基に
前記露光用マスクパターンより得られる回折光分布の低
次項を求めるステップと、得られた前記回折光分布の低
次項から、前記露光装置光学系での転写シミュレーショ
ンを用いてウェハ上に得られる像強度分布を求めるステ
ップと、得られた前記像強度分布を基に前記画像データ
と比較して検査の合否判定を行うステップとを備えたこ
とを特徴としている。
【００１２】前記検査波長（λins ）は、前記露光波長
（λ）使用時の光学特性と前記検査波長使用時の光学特
性とが実質的に変化しない範囲内で設定されるようにし
ても良い。前記検査波長（λins ）は、露光波長（λ）
に対して、次式（１）の範囲のものを使用するようにし
ても良い。 ０．９λ≦λins ≦１．１λ ・・・（１） また、前記露光用マスクパターンの前記画像データは、
画像データの被検査マスク上で換算した画素間隔（Ｄ）
が、少なくとも（２）式の条件を満たしているようにし
ても良い。 Ｄ≦λins ／（２（１＋σins ）ＮＡins ） ・・・（２） 但し、λins は、前記検査波長、ＮＡins は、検査光学
系の対物側開口数、σ、ins は、検査光学系のコヒーレ
ンスファクタを表している。
【００１３】また、前記回折光分布は、マスクパターン
回折光分布（ｍ（ｆ，ｇ）の内、次式（３）、（４）の
範囲に存在する回折光分布のみを前記低次項として用い
るようにしても良い。 −（１＋σ）ＮＡ／λ≦ｆ≦（１＋σ）ＮＡ／λ・・・（３） −（１＋σ）ＮＡ／λ≦ｇ≦（１＋σ）ＮＡ／λ・・・（４） 但し、σは、前記露光装置のコヒーレンスファクタ、Ｎ
Ａは、前記露光装置の投影光学系開口数、λは、前記露
光波長、ｆ、ｇは、前記露光装置の投影光学系瞳座標を
表している。
【００１４】また、前記マスクパターン回折光分布は、
次式（５）で定めＲの値を最小にするように、マスクパ
ターン設計値より得られる回折光分布初期値（ｍ０
（ｆ，ｇ））より、摂動を加えてｍ（ｆ，ｇ）の値を求
めるようにしても良い。 Ｒ（ｍ）＝∫［Ｉ（ｘ，ｙ）−Ｆ-1｛∫ＴＣＣ（ｆ，ｇ；ｆ′，ｇ′ ）ｍ（ｆ、ｇ）ｍ＊（ｆ′、ｇ′）ｄｆｄｇｄｆ′ｄｇ′｝］ｄｘｄｙ ・・・（５） 但し、Ｆ-1{ ｝は、フーリエ逆変換、ＴＣＣは、相互透
過係数を表している。また、前記マスクパターン回折光
分布（ｍ（ｆ、ｇ））は、得られた前記画像データを前
記検出光学系の検出装置面での光強度分布に校正したデ
ータ（Ｉ（ｘ，ｙ））より、次式（６）で定められるＲ
の値を最小にするようにして得られるようにしても良
い。
【００１５】 Ｒ（ｍ）＝∫［Ｉ（ｘ，ｙ）−Ｆ-1｛Σσｋ（（φｋ・ｍ（ｆ，ｇ） ）★（φｋ・ｍ（ｆ，ｇ）＊｝］ｄｙｄｘ ・・・（６） 但し、Ｆ-1{ ｝は、フーリエ逆変換、φｋは、相互透過
係数（ＴＣＣ）をＯＣＡ（Optimal Coherent Assumptio
n ）により固有値展開した関数核、σｋは、固有値、★
は、相関（correlation ）計算を表している。また、前
記検査の合否判定を行うステップは、予め定められた露
光時のフォーカシング精度や露光量ばらつきを想定し
て、その条件下でウェハ上で得られる加工形状を求め、
その寸法精度が予め定められた基準を満足するかどうか
で判定するようにしても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１、図２及び図１２乃至図
１５を参照して実施例を説明する。図１は、本発明の半
導体装置の製造に用いる露光用フォトマスクのパターン
検査方法を説明する工程図、図２は、本発明に用いるサ
ンプリング定理を説明する特性図、図１２は、本発明の
半導体装置の製造に用いる露光装置の斜視図、図１３
は、検査光学系により得られたマスクパターン像を表す
（８）式のＴＣＣを求めるための積分領域を示す特性
図、図１４は、本発明のＴＣＣ（ｆ，０；ｆ′，０）の
帯域を示す特性図、図１５は、本発明の検査方法を説明
するフローチャートである。本発明では光学式検査装置
によって形成されたマスクパターン像を用いる。
【００１７】図１により本発明の半導体装置の製造に用
いる露光用フォトマスクのパターン検査方法を説明す
る。露光装置の露光波長と実質的に同一の検査波長を使
用し、露光装置の投影光学系の開口数より大なる開口数
を有する検査装置１の検出光学系に露光用マスク２を配
置し、この検出光学系により露光用マスクパターンの画
像データ３を作成する。このようにして得られた露光用
マスクパターンの画像データ３から、検出光学系の情報
を基にして再構成手法（deconvolution ）４により露光
用マスクパターンから得られた回折光分布の低次項５を
求める。得られた回折光分布の低次項から、露光装置の
光学系での転写シミュレーション(OpticalSimulation)
を用いてウェハ上に得られる像強度分布を求める。その
後、この像強度分布を基に前記画像データと比較して検
査の合否判定を行う、すなわち、像強度分布 (wafer im
age)でのマージンをチェック(check) して画像データと
の差を調べる。
【００１８】図１５は、図１に示す検査方法によりマス
クパターンを修正する方法を説明するフローチャートで
ある。図１に示すように、マスクパターンを検査装置に
搭載して画像データを形成し、画像データから検出光学
系の情報を基にして再構成手法によりマスクパターンか
ら得られた回折光分布の低次項を求め、この低次項か
ら、露光装置の光学系での露光シミュレーションを用い
てウェハ上に得られる像強度分布を求め、この像強度分
布を基に画像データと比較して、像強度分布でのマージ
ンをチェックして画像データとの差を調べる。マスクパ
ターンの欠陥が認められなかったり、所定の基準に達し
ない大きさの場合には判定はＯＫとなって露光装置にマ
スクを装着して半導体装置の製造工程における露光処理
を行う。マスクパターンの欠陥が認められた場合には判
定はＮＧとなって欠陥を修正してから露光装置に装着す
るか、もしくは再描画する。
【００１９】図１２は、本発明の半導体装置の製造工程
に用いる露光装置の概略図である。露光光源１０からの
光は、σ絞り１１をかけられて、本発明の検査方法でＯ
Ｋとなったマスク１２を通過する。マスク１２を通過し
た光は、所定の値を有するＮＡ絞り１４を備えた投影光
学系１３を通ってフォトレジストが形成されたウェハ１
５に照射されて露光される。その後現像工程などの後工
程が行われて半導体装置が形成される。一般に光学式検
査装置の開口数（ＮＡins ）は、露光装置で用いるＮＡ
に比較して大きい。また検査波長に関しても、露光波長
とほぼ同一のものを用いるものが増えてきている。これ
は検査装置の解像力向上を狙ったものである。検査光学
系により得られる像は、露光装置に用いられている投影
光学系と同様に、部分コヒーレント結像理論を用いて、
以下のような式で表わされる。 Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｆ-1｛∫ＴＣＣ（ｆ，ｇ；ｆ′，ｇ′）ｍ（ｆ，ｇ）ｍ＊（ｆ ′，ｇ′）ｄｆｄｇｄｆ′ｄｇ′｝ ・・・（８） 但し、Ｆ｛｝は、フーリエ変換であり、Ｆ-1｛｝は、フ
ーリエ逆変換、ＴＣＣは、相互透過係数（Transmission
Cross Coefficient）である。
【００２０】図１３にこの式の積分領域を示す。 ＴＣＣ（ｆ，ｇ；ｆ′，ｇ′）＝∫Ｓ（ｆ″，ｇ″）Ｐ（ｆ＋ｆ″，ｇ＋ｇ″ ）Ｐ＊（ｆ′＋ｆ″，ｇ′＋ｇ″）ｄｆ″ｄｇ″ ・・・（９） 但し、Ｓは、有効光源分布を表し、ｉｆ√（ｆ2 ＋
ｇ2 ）≦σins ＮＡins ／λins 、Ｓ（ｆ，ｇ）＝１，
Ｅｌｓｅ Ｓ（ｆ，ｇ）＝０である。但し、σinsは、
コヒーレンスファクタを表している。また、Ｐは、瞳関
数を表し、ｉｆ√（ｆ2 ＋ｇ2 ）≦ＮＡins ／λins 、
｜Ｐ（ｆ，ｇ）｜＝１，Ｅｌｓｅ Ｐ（ｆ，ｇ）＝０で
ある。ｍ（ｆ，ｇ）は、マスクパターンより得られる回
折光分布であり、Ｆ-1｛ｍ（ｆ，ｇ）｝＝ｍ（ｘ，ｙ）
で表される。また、ｍ（ｘ，ｙ）は、マスクパターンの
複素振幅透過率分布を表している。得られたマスクパタ
ーン像Ｉ（ｘ，ｙ）は、マスクパターンを透過する回折
光のうち、実際の露光時に使用される成分を全て含んだ
ものとなっている。ここで得られたマスクパターン像か
ら再構成手法（deconvolution ）を用いることでマスク
パターンの回折光分布を再構成することは原理的に可能
である。
【００２１】以下に再構成手法の詳細について述べる。
（９）式で表されるＴＣＣは、部分コヒーレント光学系
の伝達特性を示し、その式から得られる伝達特性は、帯
域制限（ｂａｎｄ ｌｉｍｉｔ）されているため、実際
に転写に使用される回折光分布の内、結像に寄与するの
は低次成分のみとなる。図１４は、ＴＣＣ（ｆ，０；
ｆ′，０）の帯域を示す特性図である。上記部分コヒー
レント結像式から分かるように、ＴＣＣが帯域制限受け
ているためその帯域外の回折光成分の影響を像強度Ｉ
（ｘ，ｙ）が受けないことは明白である。即ち、露光波
長λ、露光装置の投影光学系の開口数ＮＡ、コヒーレン
スファクタσとすると、図１に記載されているように、
露光時に使用されるマスクパターンからの回折光分布
は、その回折角をθとすると、次式（１０）の回折光の
み露光時に寄与する。 −（１＋σ）ＮＡ／λ≦Ｍｓｉｎθ≦（１＋σ）ＮＡ／λ・・・（１０） 但し、１／Ｍは、マスク縮小率を表している。
【００２２】ｍ（ｆ，ｇ）を求めるには、例えば、設計
データより初期値ｍ０（ｆ，ｇ）を求め、これを（１
０）式に代入して得られる光学像Ｉ０（ｘ，ｙ）と、得
られた検査光学像Ｉ（ｘ，ｙ）の差分を最小化するよう
にｍ（ｆ，ｇ）を摂動させて求める手法や、上記式（１
０）を、Journal of Optical Society of America A/ V
ol.11, No.9/ pl.2438-2452/ Sep.(1994) で、Y.C.Pati
等が“Phase-shifting masks for microlithography: a
utomated design and mask requirements ”の中で説明
しているＯＣＡ（Optimal Coherent Assumption ）手法
に従って固有値展開して得られた式を利用する手法等が
考えられる。ＯＣＡによる結像式Ｉ（ｘ，ｙ）は、略以
下のように表される。 Ｉ（ｘ，ｙ）〜Ｆ-1｛Σσｋ（（φｋ・ｍ（ｆ，ｇ））★（φｋ・ｍ（ｆ，ｇ ）＊｝］ ・・・（１１） 但し、σｋは、ＴＣＣを固有関数核Φｋ（ｋ＝０，１，
１，２，・・・，Ｎ）で最適展開した際の固有値、φｋ
は、Φｋのフーリエ変換、★は、相関（correlation ）
計算を表している。
【００２３】この式を利用することにより光学像計算部
が高速化されるため、より速く回折光分布を求めること
が可能となる。このようにして得られた回折光分布よ
り、露光装置のＮＡ、σ等及びレジストのパラメータ等
を適宜与えてウェハ上転写シミュレーションを行う。こ
のシミュレーションによって、より厳密な判定を行うこ
とが可能となる。従来のマスクパターンの輪郭を抽出し
てシミュレーションを行う手法と比較すると、本発明の
手法を用いた場合、輪郭情報ではなくマスクパターンの
回折光分布情報を直接求めるため、スカラー回折理論か
らのずれは回避可能であり、且つグレイトーン（ｇｒａ
ｙ ｔｏｎｅ）欠陥による影響も考慮することが可能と
なっている。本発明において、マスク全面に対し上記チ
ェック（check ）を行わず、先にフィルタリング（filt
ering ）してエラー箇所候補を絞った上で実施すること
により、高速な検査処理を達成することが可能となる。
この際、フィルタリング手法として、従来の検査手法と
適宜組み合わせることが望ましい。即ち、ｄｉｅ ｔｏ
ＤＢやｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ手法において、その検出
感度を厳しく設定した上で上記発明に従った手法を適用
することにより、シミュレーション回数を削減でき、よ
り高速な処理が可能となる。なお、本発明の好ましい実
施形態であるが、検査装置に用いる検査波長は、露光波
長と略同じであることが望ましい。もしくはマスクに使
用する光学部材（基板、遮光部材等）、欠陥要因となる
マスクパターンプロセス用材料（マスクパターニング用
レジスト等）の光学特性が露光波長使用時とそれほど変
化しない、もしくは換算可能な範囲内に検査波長を設定
することが望ましい。
【００２４】また、本発明に用いる検出光学系の像強度
モニター素子の分解能（素子サイズ）に関して、少なく
とも、検査光学装置のＮＡins 、λins より決定される
ｃｕｔｏｆｆ周波数（νｃ≦（１＋σins ）ＮＡins ／
λins ）の逆数の１／２より小さいことが必要である。
露光装置は、光学的に見て一種のローパスフィルタ（ｌ
ｏｗｐａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ）として機能するため、検
出光学系を介して得られた像は、空間周波数的に帯域制
限（ｂａｎｄｌｉｍｉｔ）されている。図２に示す標本
化定理（Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｔｈｅｏｒｅｍ）より、ｃ
ｕｔｏｆｆ周波数の逆数の１／２倍より細かくサンプリ
ングされたデータから任意の空間座標位置での像を再構
成することが可能となる。また、像強度モニター素子の
性能に関して、できるだけ広範囲、多階調、且つリニア
リティに優れたものを用いることが望ましい。測定時に
サチュレーション（saturation）を起こさない範囲で、
少なくとも２５６階調以上の強度方向分解力を有する素
子が望ましい。また、検査後の合否判定を行う手段とし
ては、図９にて説明したような露光量余裕度、焦点深度
を計算より求めた上で、必要マージンを確保できている
かどうかでもって判定することが望ましい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、露光に使用する露光波
長とほぼ同等の検査波長を用いることにより、マスクの
透過率分布を正確に反映した像が得られ、且つ検査装置
の対物光学系のＮＡとして露光光学系の投影光学系のＮ
Ａより大なるものを使用することにより、得られる像に
は露光時に使用される回折光分布の成分が全て含まれる
こととなる。よって検査光学系より得られる像強度分布
に対して再構成手法を行うことによって、マスクパター
ンより得られる回折光分布を再構成することが可能とな
り、この分布を用いて露光シミュレーションを実行する
ことにより高精度の欠陥転写特性を得ることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造に用いる露光用フォ
トマスクのパターン検査方法を説明する工程図。
【図２】本発明に用いる標本化（サンプリング）定理を
説明する特性図。
【図３】マスクパターンの平面図。
【図４】図３のＡ領域の拡大平面図。
【図５】図３のＡ領域の拡大平面図。
【図６】図３のＡ領域の拡大平面図。
【図７】図３のＡ領域の拡大平面図。
【図８】検査光学系による欠陥検出サイズ（縦軸）（μ
ｍ）とマスクの欠陥寸法（横軸）（μｍ）との関係を示
す特性図。
【図９】焦点深度（ＤＯＦ）（縦軸）（μｍ）と共通露
光裕度（横軸）（％）との関係を示す特性図。
【図１０】焦点深度（ＤＯＦ）（縦軸）（μｍ）と共通
露光裕度（横軸）（％）との関係を示す特性図。
【図１１】焦点深度（ＤＯＦ）（縦軸）（μｍ）と共通
露光裕度（横軸）（％）との関係を示す特性図。
【図１２】本発明及び従来の露光装置の概略斜視図。
【図１３】本発明の検査光学系により得られたマスクパ
ターン像を表す（８）式のＴＣＣを求めるための積分領
域を示す特性図。
【図１４】本発明のＴＣＣ（ｆ，０；ｆ′，０）の帯域
を示す特性図。
【図１５】本発明の検査方法を説明するフローチャー
ト。
【符号の説明】
１・・・検査装置、 ２・・・マスク、 ３・・・
画像データ、４・・・再構成、 ５・・・回折項分布
の低次項、１０・・・露光光源、 １１・・・σ絞
り、 １２・・・マスク、１３・・・投影光学系、
１４・・・ＮＡ絞り、 １５・・・ウェハ。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月２２日（２００２．４．２
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置を
製造するための露光用マスクの検査方法において、マス
クパターンの検査像から直接露光転写シミュレーション
を行うことを特徴としている。従来手法であるｄｉｅ−
ｔｏ−ＤＢ手法では、マスク上に存在する欠陥が許容さ
れるかどうかの判定が困難であるのに比較し、マスクパ
ターンの検査像から直接露光転写シミュレーションを行
うことにより、高精度な判断を下すことが可能となり、
マスク作成のｙｉｅｌｄ向上を達成することが可能とな
る。すなわち、本発明の露光用マスクの検査方法は、半
導体装置を製造するための露光装置に用いる露光用マス
クパターンの検査方法において、前記露光装置の露光波
長と実質的に同一の検査波長を使用し、露光装置の投影
光学系の開口数より大なる開口数を有する検査装置の検
出光学系を用いて前記露光用マスクパターンの画像デー
タを作成するステップと、得られた前記露光用マスクパ
ターンの画像データから、前記検出光学系の情報を基に
前記露光用マスクパターンより得られる回折光分布の低
次項を求めるステップと、得られた前記回折光分布の低
次項から、前記露光装置光学系での転写シミュレーショ
ンを用いてウェハ上に得られる像強度分布を求めるステ
ップと、得られた前記像強度分布を基に検査の合否判定
を行うステップとを備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図１により本発明の半導体装置の製造に用
いる露光用フォトマスクのパターン検査方法を説明す
る。露光装置の露光波長と実質的に同一の検査波長を使
用し、露光装置の投影光学系の開口数より大なる開口数
を有する検査装置１の検出光学系に露光用マスク２を配
置し、この検出光学系により露光用マスクパターンの画
像データ３を作成する。このようにして得られた露光用
マスクパターンの画像データ３から、検出光学系の情報
を基にして再構成手法（deconvolution ）４により露光
用マスクパターンから得られた回折光分布の低次項５を
求める。得られた回折光分布の低次項から、露光装置の
光学系での転写シミュレーション(OpticalSimulation)
を用いてウェハ上に得られる像強度分布を求める。その
後、この像強度分布を基に検査の合否判定を行う、すな
わち、像強度分布 (wafer image)でのマージンをチェッ
ク(check) して所定の予め定められた基準と比較する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】図１５は、図１に示す検査方法によりマス
クパターンを修正する方法を説明するフローチャートで
ある。図１に示すように、マスクパターンを検査装置に
搭載して画像データを形成し、画像データから検出光学
系の情報を基にして再構成手法によりマスクパターンか
ら得られた回折光分布の低次項を求め、この低次項か
ら、露光装置の光学系での露光シミュレーションを用い
てウェハ上に得られる像強度分布を求める。この像強度
分布からシミュレーションを用いて、ウェハ上転写後パ
ターンのリソマージンを求める。得られたリソマージン
が所定の基準を超える大きさの場合には判定はＯＫとな
って露光装置にマスクを装着して半導体装置の製造工程
における露光処理を行う。マスクパターンの欠陥起因等
で所定の基準以下となっている場合には判定はＮＧとな
って欠陥を修正してから露光装置に装着するか、もしく
は再描画する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BD02 BD03 BD09 BD11 BD20 5F046 AA18 AA25 AA28

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置を製造するための露光装置に
    用いる露光用マスクパターンの検査方法において、 前記露光装置の露光波長と実質的に同一の検査波長を使
    用し、露光装置の投影光学系の開口数より大なる開口数
    を有する検査装置の検出光学系を用いて前記露光用マス
    クパターンの画像データを作成するステップと、 得られた前記露光用マスクパターンの画像データから、
    前記検出光学系の情報を基に前記露光用マスクパターン
    より得られる回折光分布の低次項を求めるステップと、 得られた前記回折光分布の低次項から、前記露光装置光
    学系での転写シミュレーションを用いてウェハ上に得ら
    れる像強度分布を求めるステップと、 得られた前記像強度分布を基に前記画像データと比較し
    て検査の合否判定を行うステップとを備えたことを特徴
    とする露光用マスクパターンの検査方法。
  2. 【請求項２】 前記検査波長（λins ）は、前記露光波
    長（λ）使用時の光学特性と前記検査波長使用時の光学
    特性とが実質的に変化しない範囲内で設定されることを
    特徴とする請求項１に記載の露光用マスクパターンの検
    査方法。
  3. 【請求項３】 前記検査波長（λins ）は、露光波長
    （λ）に対して、次式（１）の範囲のものを使用するこ
    とを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクパターン
    の検査方法。 ０．９λ≦λins ≦１．１λ ・・・（１）
  4. 【請求項４】 前記露光用マスクパターンの前記画像デ
    ータは、画像データの被検査マスク上で換算した画素間
    隔（Ｄ）が、少なくとも（２）式の条件を満たしている
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
    載の露光用マスクパターンの検査方法。 Ｄ≦λins ／（２（１＋σins ）ＮＡins ） ・・・（２） 但し、λins は、前記検査波長、ＮＡins は、検査光学
    系の対物側開口数、σins は、検査光学系のコヒーレン
    スファクタを表している。
  5. 【請求項５】 前記回折光分布は、マスクパターン回折
    光分布（ｍ（ｆ，ｇ））の内、次式（３）、（４）の範
    囲に存在する回折光分布のみを前記低次項として用いる
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記
    載の露光用マスクパターンの検査方法。 −（１＋σ）ＮＡ／λ≦ｆ≦（１＋σ）ＮＡ／λ・・・（３） −（１＋σ）ＮＡ／λ≦ｇ≦（１＋σ）ＮＡ／λ・・・（４） 但し、σは、前記露光装置のコヒーレンスファクタ、Ｎ
    Ａは、前記露光装置の投影光学系開口数、λは、前記露
    光波長、ｆ，ｇは、前記露光装置の投影光学系瞳座標を
    表している。
  6. 【請求項６】 前記マスクパターン回折光分布は、次式
    （５）で定められるＲの値を最小にするように、マスク
    パターン設計値より得られる回折光分布初期値（ｍ０
    （ｆ，ｇ））より、摂動を加えてｍ（ｆ，ｇ）の値を求
    めることを特徴とする請求項５に記載の露光用マスクパ
    ターンの検査方法。 Ｒ（ｍ）＝∫［Ｉ（ｘ，ｙ）−Ｆ-1｛∫ＴＣＣ（ｆ，ｇ；ｆ′，ｇ′）ｍ （ｆ、ｇ）ｍ＊（ｆ′，ｇ′）ｄｆｄｇｄｆ′ｄｇ′｝］ｄｘｄｙ ・・・（５） 但し、Ｆ-1{ ｝は、フーリエ逆変換、ＴＣＣは、相互透
    過係数を表している。
  7. 【請求項７】 前記マスクパターン回折光分布（ｍ
    （ｆ，ｇ））は、得られた前記画像データを前記検出光
    学系の検出装置面での光強度分布に校正したデータ（Ｉ
    （ｘ，ｙ））より、次式（６）で定められるＲの値を最
    小にするようにして得られることを特徴とする請求項５
    に記載の露光用マスクパターンの検査方法。 Ｒ（ｍ）＝∫［Ｉ（ｘ，ｙ）−Ｆ-1｛Σσｋ（（φｋ・ｍ（ｆ，ｇ））★ （φｋ・ｍ（ｆ，ｇ）＊｝］ｄｘｄｙ ・・・（６） 但し、Ｆ-1{ ｝は、フーリエ逆変換、φｋは、相互透過
    係数（ＴＣＣ）をＯＣＡ（Optimal Coherent Assumptio
    n ）により固有値展開した関数核、σｋは、固有値、★
    は、相関（correlation ）計算を表している。
  8. 【請求項８】 前記検査の合否判定を行うステップは、
    予め定められた露光時のフォーカシング精度や露光量ば
    らつきを想定して、その条件下でウェハ上で得られる加
    工形状を求め、その寸法精度が予め定められた基準を満
    足するかどうかで判定することを特徴とする請求項１乃
    至請求項７のいずれかに記載の露光用マスクパターンの
    検査方法。
JP2001129246A 2001-04-26 2001-04-26 露光用マスクパターンの検査方法 Expired - Fee Related JP4266082B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001129246A JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2001-04-26 露光用マスクパターンの検査方法
US10/131,036 US6990225B2 (en) 2001-04-26 2002-04-25 Inspection method of photo mask for use in manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001129246A JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2001-04-26 露光用マスクパターンの検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002328462A true JP2002328462A (ja) 2002-11-15
JP4266082B2 JP4266082B2 (ja) 2009-05-20

Family

ID=18977801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001129246A Expired - Fee Related JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2001-04-26 露光用マスクパターンの検査方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6990225B2 (ja)
JP (1) JP4266082B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699899B1 (ko) 2006-05-08 2007-03-28 삼성전자주식회사 집적회로 장치 제조용 마스크 검사 장치 및 그 검사 방법
JP2007142275A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Toshiba Corp フォトマスクの判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2007536560A (ja) * 2003-07-03 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
JP2008262148A (ja) * 2007-03-15 2008-10-30 Kla-Tencor Technologies Corp リソグラフィマスク用の検査方法及び装置
JP2010021586A (ja) * 2009-10-26 2010-01-28 Canon Inc プログラム及び算出方法
JP2010515952A (ja) * 2007-01-11 2010-05-13 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル上のリソグラフィにおいて有意な欠陥を検出する方法
JP2010191398A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの検査方法
JP2010197800A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Hoya Corp 多階調フォトマスクの評価方法
JP2011058931A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Toshiba Corp フォトマスクの特性検出装置およびフォトマスクの特性検出方法
KR101294915B1 (ko) * 2010-01-15 2013-08-08 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법, 마이크로 미러 디바이스 선별 장치 및 마스크리스 노광 장치
US8611637B2 (en) 2007-01-11 2013-12-17 Kla-Tencor Corporation Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects
US9031313B2 (en) 2009-08-18 2015-05-12 Nuflare Technology, Inc. Inspection system
JP2020129060A (ja) * 2019-02-08 2020-08-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス モデルデータ生成方法、パターン測定方法、補正パターンデータ生成方法およびモデルデータ生成装置

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3992688B2 (ja) * 2003-01-14 2007-10-17 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． コンタクト・ホール・マスクの光学的近接補正設計の方法
JP2005189655A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Nec Electronics Corp マスク検査方法
JP4758358B2 (ja) 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
DE102004010363B4 (de) * 2004-03-03 2012-11-15 Qimonda Ag Verfahren zur Bestimmung einer örtlichen Variation des Reflektions- oder Transmissionsverhaltens über die Oberfläche einer Maske
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
KR100674973B1 (ko) * 2005-05-25 2007-01-29 삼성전자주식회사 투과율이 다른 복수의 다이들을 갖는 포토마스크의 결함검사 방법
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US20070120807A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Shwang-Shi Bai Display system with high motion picture quality and luminance control thereof
JP4771871B2 (ja) * 2006-06-15 2011-09-14 Ｈｏｙａ株式会社 パターン欠陥検査方法、パターン欠陥検査用テストパターン基板、及びパターン欠陥検査装置、並びにフォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法
US7738692B2 (en) 2006-07-20 2010-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of determining quality of a light source
US7961975B2 (en) * 2006-07-31 2011-06-14 Stc. Unm System and method for reduction of speckle noise in an image
US8184927B2 (en) * 2006-07-31 2012-05-22 Stc.Unm System and method for reduction of speckle noise in an image
US8331645B2 (en) * 2006-09-20 2012-12-11 Luminescent Technologies, Inc. Photo-mask and wafer image reconstruction
WO2008039674A2 (en) * 2006-09-20 2008-04-03 Luminescent Technologies, Inc. Photo-mask and wafer image reconstruction
JP4295818B2 (ja) 2006-12-14 2009-07-15 パナソニック株式会社 回折光学素子の光学特性測定方法および回折光学素子の光学特性測定装置
JP5427609B2 (ja) 2006-12-19 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 検査レシピ作成システムおよびその方法
WO2008086282A2 (en) 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US8103086B2 (en) 2007-01-11 2012-01-24 Kla-Tencor Corporation Reticle defect inspection with model-based thin line approaches
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
TWI469235B (zh) 2007-08-20 2015-01-11 Kla Tencor Corp 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
JP2010002772A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Toshiba Corp パターン検証・検査方法、光学像強度分布取得方法および光学像強度分布取得プログラム
WO2010014609A2 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Kla-Tencor Corporation Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
NL2003696A (en) * 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Scanner model representation with transmission cross coefficients.
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
US8463016B2 (en) * 2010-02-05 2013-06-11 Luminescent Technologies, Inc. Extending the field of view of a mask-inspection image
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US8555214B2 (en) 2010-09-14 2013-10-08 Luminescent Technologies, Inc. Technique for analyzing a reflective photo-mask
US8612903B2 (en) 2010-09-14 2013-12-17 Luminescent Technologies, Inc. Technique for repairing a reflective photo-mask
US8458622B2 (en) 2010-11-29 2013-06-04 Luminescent Technologies, Inc. Photo-mask acceptance technique
JP5593209B2 (ja) * 2010-11-30 2014-09-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US9005852B2 (en) 2012-09-10 2015-04-14 Dino Technology Acquisition Llc Technique for repairing a reflective photo-mask
JP5566928B2 (ja) * 2011-03-04 2014-08-06 株式会社東芝 マスク検査方法およびその装置
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US8653454B2 (en) 2011-07-13 2014-02-18 Luminescent Technologies, Inc. Electron-beam image reconstruction
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
CN102929105A (zh) * 2012-11-13 2013-02-13 美迪亚印刷设备（杭州）有限公司 曝光质量检测方法
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
US9092846B2 (en) 2013-02-01 2015-07-28 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9091935B2 (en) 2013-03-11 2015-07-28 Kla-Tencor Corporation Multistage extreme ultra-violet mask qualification
US9494854B2 (en) 2013-03-14 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Technique for repairing an EUV photo-mask
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
KR102222149B1 (ko) * 2016-07-26 2021-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레벨 센서 장치, 기판에 걸친 토포그래피 변동을 측정하는 방법, 리소그래피 프로세스에 관련된 물리적 파라미터의 변동을 측정하는 방법, 및 리소그래피 장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6471122A (en) * 1987-05-15 1989-03-16 Kla Instr Corp Method of inspecting quality of reticle mask pattern and the like, its object for monitor and method of inspecting object
JPH04321047A (ja) * 1991-01-21 1992-11-11 Nikon Corp フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法
JPH07220995A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nec Corp 光強度分布シミュレーション方法
JPH0836253A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Fujitsu Ltd 位相シフトレチクル
JPH0876359A (ja) * 1994-07-13 1996-03-22 Kla Instr Corp 自動フォトマスク検査装置及び方法
JPH09297109A (ja) * 1996-05-07 1997-11-18 Nec Corp レチクル外観検査装置
JPH10293393A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法
JP2000003848A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Nec Corp 光強度分布解析方法
JP2000243690A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Nec Corp 光強度分布シミュレーションシステムと方法、及び記録媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4871257A (en) * 1982-12-01 1989-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus for observing patterned article
JP2000122265A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク外観検査装置
JP3302965B2 (ja) * 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6471122A (en) * 1987-05-15 1989-03-16 Kla Instr Corp Method of inspecting quality of reticle mask pattern and the like, its object for monitor and method of inspecting object
JPH04321047A (ja) * 1991-01-21 1992-11-11 Nikon Corp フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法
JPH07220995A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nec Corp 光強度分布シミュレーション方法
JPH0876359A (ja) * 1994-07-13 1996-03-22 Kla Instr Corp 自動フォトマスク検査装置及び方法
JPH0836253A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Fujitsu Ltd 位相シフトレチクル
JPH09297109A (ja) * 1996-05-07 1997-11-18 Nec Corp レチクル外観検査装置
JPH10293393A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法
JP2000003848A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Nec Corp 光強度分布解析方法
JP2000243690A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Nec Corp 光強度分布シミュレーションシステムと方法、及び記録媒体

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071552A (ja) * 2003-07-03 2011-04-07 Kla-Tencor Corp デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
JP2007536560A (ja) * 2003-07-03 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
JP4758343B2 (ja) * 2003-07-03 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
JP2007142275A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Toshiba Corp フォトマスクの判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
US7925090B2 (en) 2005-11-21 2011-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of determining photo mask, method of manufacturing semiconductor device, and computer program product
KR100699899B1 (ko) 2006-05-08 2007-03-28 삼성전자주식회사 집적회로 장치 제조용 마스크 검사 장치 및 그 검사 방법
JP2010515952A (ja) * 2007-01-11 2010-05-13 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル上のリソグラフィにおいて有意な欠陥を検出する方法
US8611637B2 (en) 2007-01-11 2013-12-17 Kla-Tencor Corporation Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects
JP2008262148A (ja) * 2007-03-15 2008-10-30 Kla-Tencor Technologies Corp リソグラフィマスク用の検査方法及び装置
JP2010191398A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの検査方法
JP2010197800A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Hoya Corp 多階調フォトマスクの評価方法
US9031313B2 (en) 2009-08-18 2015-05-12 Nuflare Technology, Inc. Inspection system
JP2011058931A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Toshiba Corp フォトマスクの特性検出装置およびフォトマスクの特性検出方法
US9841385B2 (en) 2009-09-09 2017-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern characteristic-detection apparatus for photomask and pattern characteristic-detection method for photomask
JP2010021586A (ja) * 2009-10-26 2010-01-28 Canon Inc プログラム及び算出方法
KR101294915B1 (ko) * 2010-01-15 2013-08-08 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법, 마이크로 미러 디바이스 선별 장치 및 마스크리스 노광 장치
JP2020129060A (ja) * 2019-02-08 2020-08-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス モデルデータ生成方法、パターン測定方法、補正パターンデータ生成方法およびモデルデータ生成装置
JP7128756B2 (ja) 2019-02-08 2022-08-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス モデルデータ生成方法、パターン測定方法、補正パターンデータ生成方法およびモデルデータ生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6990225B2 (en) 2006-01-24
US20020192578A1 (en) 2002-12-19
JP4266082B2 (ja) 2009-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4266082B2 (ja) 露光用マスクパターンの検査方法
JP5008681B2 (ja) リソグラフィシミュレーションのための装置
KR100596760B1 (ko) 시각 검사 및 검증 시스템
JP4940056B2 (ja) リソグラフィマスク用の検査方法及び装置
JP6594876B2 (ja) フォトリソグラフィレチクル認定方法及びシステム
JP4758358B2 (ja) レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
JP4904034B2 (ja) レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
JP5436487B2 (ja) フォトリソグラフィマスクの検出方法
US20040052411A1 (en) Soft defect printability simulation and analysis for masks
KR20130111548A (ko) 모델-기반 세선 접근법에 의한 레티클 결함 검사 방법 및 시스템
JP2006250845A (ja) パターン欠陥検査方法とその装置
TW201218293A (en) Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects
US7665060B2 (en) Approximating wafer intensity change to provide fast mask defect scoring
US7930654B2 (en) System and method of correcting errors in SEM-measurements
CN111443567B (zh) 光学邻近修正模型、光学邻近修正方法
CN111929980A (zh) 增强二维图形opc模型精度的方法
US20060206853A1 (en) Method of producing mask inspection data, method of manufacturing a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device
US7422828B1 (en) Mask CD measurement monitor outside of the pellicle area
US7262850B2 (en) Method for inspection of periodic grating structures on lithography masks
US20230132893A1 (en) Mask layout correction methods based on machine learning, and mask manufacturing methods including the correction methods
Luo et al. An innovative method to retain optical kernels by keeping Bossung curves smoothness
KR20230081361A (ko) 풀-칩 셀 cd 보정 방법, 및 그 보정 방법을 포함한 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050907

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080822

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090210

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090213

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees