KR101294915B1 - 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법, 마이크로 미러 디바이스 선별 장치 및 마스크리스 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 마스크리스 노광 장치에서, 폭 방향으로도 두께 방향으로도 오목부가 없는 직선성이 좋은 묘화 패턴을 얻기 위한 마이크로 미러 디바이스 선별 장치를 제공한다. 마이크로 미러 디바이스 선별 장치에서, 마이크로 미러 디바이스(2)의 마이크로 미러(21)에 조명광을 조사하는 조명계와, 마이크로 미러(21)에서 발생한 회절광을 촬상 소자(79)에 입사시키는 광학계와, 촬상 소자(79)에서 촬상된 회절광 분포 화상을 처리하고, 마이크로 미러 디바이스(2)의 양품 또는 불량품의 판정을 행하는 처리계(9)를 구비하였다.

Description

마이크로 미러 디바이스의 선별 방법, 마이크로 미러 디바이스 선별 장치 및 마스크리스 노광 장치{MICRO-MIRROR DEVICE SORTING METHOD, MICRO-MIRROR DEVICE SORTING APPARATUS, AND MASKLESS EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은, 표시 기기용 패널이나 반도체 마스크 등에, 패턴을 전사 소부하는 마스크리스 노광 장치에 탑재하는 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법 및 마이크로 미러 디바이스 선별 장치에 관한 것으로, 특히, 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러의 평탄성의 검출에 관한 것이다.
액정이나 유기 EL(Electro Luminescence) 등의 패널은, 마스크에 묘화된 회로 패턴을 기판에 소부함으로써 제조된다. 공정으로서는, 글래스 기판 상에 박막을 퇴적시킨 후, 포토레지스트를 도포, 회로 패턴을 노광하고, 현상한다. 다음으로 포토레지스트 패턴을 통하여 기초의 박막을 에칭하고, 박막 패턴을 형성한다. 이 공정을 복수회 반복하여, 박막 패턴을 적층함으로써, 각 화소의 명암이 제어 가능한 회로 패턴이 만들어진다.
컬러 표시를 위해 컬러 필터는, 회로 패턴의 글래스 기판과는 다른 글래스 기판에 만들어진다. 우선, 적색, 녹색, 청색의 영역을 구획하는 블랙 매트릭스라고 불리어지는 차광대가 최초로 형성된다. 다음으로, 적색의 안료를 포함한 포토레지스트를 도포, 노광, 현상함으로써 적색의 컬러 필터가 만들어진다.
녹색, 청색도 마찬가지의 공정이 반복된다. 마지막으로 공통의 투명 전극 패턴이, 박막 퇴적, 레지스트 도포, 노광ㆍ현상, 에칭에 의해 형성됨으로써, 적녹청(RGB)의 컬러 필터가 제조된다. 액정 패널에서는, 회로 패턴이 형성된 글래스 기판과 컬러 필터 사이에 액정을 끼우고, 조명측에 광원과 편광판, 출사측에는, 광원과 직교하는 방향의 편광판을 부가하여, 액정 표시 패널이 완성된다.
상기한 바와 같이, 제조 공정에서는, 포토레지스트 상에 패턴을 소부하는 노광이 빈번하게 사용된다. 노광에는 마스크가 사용되지만, 신표시 장치의 개발 시에는 마스크의 납기가 단기 개발의 네크로 된다. 또한, 대형 텔레비전용 패널 제조 시에는, 폐기하게 되는 여분의 스페이스에, 시황(市況)에 따라서 소형 패널을 편집 배정할 수 있으면, 자원의 유효 이용이 가능하다.
이들에는, 마스크를 사용하지 않는 마스크리스 노광 장치이면 대응할 수 있다. 마스크리스 노광 장치는, 예를 들면, 미국 특허 제6,493,867호 명세서(특허 문헌 1)에 개시되어 있다.
마스크리스 노광 장치에서는, 마스크 대신에 마이크로 미러 디바이스(이하, MMD라고 부름)에 의해 패턴이 형성된다. 2차원 배열된 미러군의 개개의 경사각을 트랜지스터로 제어함으로써, 반사광의 각도의 절환을 행한다.
MMD는 투영 렌즈를 통하여 기판 상에 결상되지만, 투영 렌즈를 투과하는 반사각의 화소가 백색, 투과할 수 없는 반사각의 화소가 흑색의 패턴을 형성한다. MMD의 각 마이크로 미러의 경사각은, 기판이 탑재된 스테이지의 이동과 연동하여, 제어됨으로써, 기판 상에 패턴이 전사된다. MMD를 스테이지 이동 방향에 대하여 1/M 라디안 경사져 설치함으로써, 화소 피치의 1/M의 분해능으로, 패턴 전사 위치를 제어할 수 있다.
또한, 마스크의 전사 패턴상의 시뮬레이션에 관해서는, 예를 들면, Y. Yoshitake et al, "Multispot scanning exposure system for excimer laser stepper", SPIE, 1463, (1991)678(비특허 문헌 1)에 개시되어 있다.
[특허 문헌 1] 미국 특허 제6,493,867호 명세서
[비특허 문헌 1] Y. Yoshitake et al, "Multispot scanning exposure system for excimer laser stepper", SPIE, 1463, (1991)678
상기의 마스크리스 노광 장치에서는, 화소에 대응하는 마이크로 미러상을 기판에 전사함으로써 패턴을 형성한다. 여기서, 우선, 도 11 및 도 12를 이용하여 MMD의 기능을 설명한다. 도 11은 MMD의 마이크로 미러의 ON 상태를 나타내는 단면도, 도 12는 MMD의 마이크로 미러의 OFF 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 마이크로 미러(21)는 요크(22)에 고정되어 있고, 요크(22)는 전극(24)의 정전력에 의해, 힌지(23)가 비틀어짐으로써 경사지고, 결과로서 마이크로 미러(21)는 각도 α만큼 경사진다.
조명광(110)을 기판면(26)의 법선 방향에 대해 2α의 각도로 입사시키면, 반사광(111)은 MMD의 기판면(26)의 법선 방향으로 반사된다.
한편, 전극(25)을 ON으로 하면, 도 12에 도시한 바와 같이, 도 11과는 역방향으로 마이크로 미러(21)가 경사진다. 이 결과, 반사광(111)은, MMD의 기판면(26)의 법선 방향에 대하여, 4α의 방향으로 반사된다.
즉, 전극(25)이 OFF일 때의 마이크로 미러(21)의 경사각 α가 12도인 경우, 전극(25)을 ON으로 하였을 때에는, MMD의 기판면(26)의 법선 방향에 대하여 48도의 방향으로 반사된다. OFF 상태의 반사광은 도시하지 않은 차광대에 의해 차광된다.
도 13에 의해, 마스크리스 노광 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 13은 마스크리스 노광 장치의 구성을 도시하는 구성도이다.
도 13에서, 광원(11)으로부터 출사한 조명광(110)을 절첩 미러(12)에 의해 소정의 각도로 MMD(2)에 조사한다. MMD(2)에서 반사한 광은 투영 렌즈(3)에 의해, 투영 렌즈 동공(31)을 통하여 기판(5) 상에 MMD(2)의 투영상(4)이 결상된다. 기판(5)은 스테이지(6)에 탑재되어 있고, 스테이지(6)가 이동함으로써 기판(5) 전체면에 투영상(4)이 겹침 노광된다.
도 14에 의해, 겹침 노광의 방법에 대해서 설명한다. 도 14는 MMD의 각 마이크로 미러에 의한 겹침 노광 방법을 설명하는 도면이다.
도 14에 도시한 바와 같이, MMD(2)는 스테이지(6)의 이동 방향(50)에 대하여 각도 θ만큼 경사져 설치되어 있다. MMD(2)의 각 마이크로 미러상(401∼406)은 스테이지(6)의 이동과 연동하여, ON/OFF 상태가 절환된다. ON/OFF 상태의 절환 주기의 동안에 스테이지(6)가 진행하는 이동량을 플롯 피치 PP로 하고, PP를 마이크로 미러상의 피치 P보다 크게 선택하면 기판 상의 화소 영역(51)에는, 마이크로 미러상이 약간 어긋나면서 겹침 노광된다.
여기서, 도 15∼도 17에 의해, 겹침 노광 시의 각 마이크로 미러상의 X 방향의 광 강도 분포에 대해서 설명한다. 도 15는 겹침 노광 시의 각 마이크로 미러상의 X 방향의 광 강도 분포를 도시하는 도면, 도 16은 도 15에 도시한 광 강도 분포의 가산 광 강도 분포를 도시하는 도면, 도 17은 3화소×1화소 패턴의 광 강도 분포를 도시하는 도면이다.
마이크로 미러상(401∼406)에 대응하는, 스테이지(6)의 이동 방향(50)과 직교하는 방향 X의 광 강도 분포는, 도 15의 참조 부호 4001∼4006으로 나타내는 분포로 되고, 그것을 가산한 광 강도 분포는, 도 16의 참조 부호 4011에 나타낸 바와 같다.
그리고, 도 17에 도시한 바와 같이, X 방향으로 3화소, 스테이지 이동 방향 Y로 1화소의 묘화 패턴으로 하고, 각 화소의 광 강도 분포(4011∼4013)가 가산되면, 광 강도 분포(4100)가 얻어진다. 각 화소의 광 강도 분포(4011∼4013)의 경사부는, 인접하는 광 강도 분포를 가산함으로써 평탄하게 되어 있다. 이 결과 얻어지는, 2차원 패턴(4110)은 직선성이 좋은 패턴이 얻어진다.
이상은, 마이크로 미러상의 광 강도 분포가 사각 형상으로 되는 이상 상태에서의 설명이었지만, 여기서, 도 18∼도 20에 의해, 가우스 분포 형상으로 되는 경우에 대해서 설명한다. 도 18은 겹침 노광 시의 각 마이크로 미러상의 가우스 분포 형상 광 강도 분포를 도시하는 도면, 도 19는 도 18에 도시한 광 강도 분포의 가산 광 강도 분포를 도시하는 도면, 도 20은 가우스 분포 형상 마이크로 미러상에서 생성되는 3화소×1화소 패턴의 광 강도 분포를 도시하는 도면이다.
도 18에 도시한 바와 같이, 광 강도 분포(4021∼4026)는, 마이크로 미러상(401∼406)에 대응한다. 도 18에 도시한 광 강도 분포를 가산한 광 강도 분포는, 도 19의 참조 부호 4031에 나타낸 바와 같다. 도 19에서, 사각 형상의 마이크로 미러상(4001∼4006)을 가산하여 생긴 광 강도 분포(4011)에 대하여, 경사부의 폭이 좁아져 있다.
그리고, 도 20에 도시한 바와 같이, X 방향으로 3화소, Y 방향으로 1화소의 묘화 패턴으로 하고, 각 화소의 광 강도 분포(4031∼4033)가 가산되면, 광 강도 분포(4031∼4033)의 경사부의 폭이 좁기 때문에, 각 화소를 가산한 광 강도 분포(4200)의 화소 경계부의 광 강도가 약하다.
이 결과, XY 평면에서의 2차원 패턴(4210)의 화소 경계에는 폭 방향의 오목부(4211)와 두께 방향의 오목부(4212)가 발생한다. 패턴을 트랜지스터의 게이트로서 사용하는 경우, 폭 방향의 오목부(4211)는, 트랜지스터의 특성 변화를 발생시킨다. 또한, 컬러 필터에서는 포토레지스트 그 자체가 패턴으로서 남기 때문에, 두께 방향의 오목부(4212)가 화소의 명도 변화를 야기할 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 마스크리스 노광 장치에서, 폭 방향으로도 두께 방향으로도 오목부가 없는 직선성이 좋은 묘화 패턴을 얻기 위한 MMD의 선별 방법 및 MMD 선별 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 신규의 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백해질 것이다.
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 다음과 같다.
즉, 대표적인 것의 개요는, MMD의 마이크로 미러에 조명광을 조사하는 조명계와, 마이크로 미러에서 발생한 회절광을 촬상 소자에 입사시키는 광학계와, 촬상 소자에 의해 촬상된 회절광 분포 화상을 처리하고, MMD의 양품 또는 불량품의 판정을 행하는 처리계를 구비하였다.
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것에 의해서 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 이하와 같다.
즉, 대표적인 것에 의해서 얻어지는 효과는, 간편하고 신속하게 평탄성이 좋은 MMD를 선별할 수 있으므로, MMD를 이용한 마스크리스 노광 장치에서, 폭 방향으로도 두께 방향으로도 오목부가 없는, 직선성이 좋은 전사 패턴을 얻을 수 있어, 마스크리스 노광 장치의 품질ㆍ신뢰성을 높일 수 있다.
또한, 마스크리스 노광 장치에 탑재된 MMD의 평탄성의 경시 열화를 모니터할 수 있으므로, 전사 패턴의 직선성의 열화를 미연에 방지하는 것이 가능하게 되어, 액정이나 유기 EL 등의 패널이나 반도체 마스크의 제조에서, 수율을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 마이크로 미러 디바이스(MMD) 선별 장치의 구성을 도시하는 구성도.
도 2는 마이크로 미러의 평탄성이 좋은 MMD를 이용하는 필요성을 설명하기 위한 설명도.
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 마이크로 미러 중심과 주변의 높이의 차이인 Zh를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 Zh를 파라미터로 한 마이크로 미러 요면화 시의 노광 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 쐐기형 글래스, 직각 프리즘, 마이크로 미러부의 확대도.
도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 마이크로 미러 평탄성 판정 처리의 플로우를 나타내는 플로우차트.
도 7은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 회절광 분포 화상의 영역 분할을 도시하는 도면.
도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 마이크로 미러 중심과 주변의 높이의 차이인 Zh와 평가값 S의 관계를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 실시 형태 2에 따른 마스크리스 노광 장치의 구성을 도시하는 구성도.
도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 따른 마스크리스 노광 장치의 조명계의 회전식 애퍼처를 도시하는 도면.
도 11은 MMD의 마이크로 미러의 ON 상태를 나타내는 단면도.
도 12는 MMD의 마이크로 미러의 OFF 상태를 나타내는 단면도.
도 13은 마스크리스 노광 장치의 구성을 도시하는 구성도.
도 14는 MMD의 각 마이크로 미러에 의한 겹침 노광 방법을 설명하는 도면.
도 15는 겹침 노광 시의 각 마이크로 미러상의 X 방향의 광 강도 분포를 도시하는 도면.
도 16은 도 15에 도시한 광 강도 분포의 가산 광 강도 분포를 도시하는 도면.
도 17은 3화소×1화소 패턴의 광 강도 분포를 도시하는 도면.
도 18은 겹침 노광 시의 각 마이크로 미러상의 가우스 분포 형상 광 강도 분포를 도시하는 도면.
도 19는 도 18에 도시한 광 강도 분포의 가산 광 강도 분포를 도시하는 도면.
도 20은 가우스 분포 형상 마이크로 미러상에서 생성되는 3화소×1화소 패턴의 광 강도 분포를 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 실시 형태를 설명하기 위한 전체 도면에서, 동일한 부재에는 원칙으로서 동일한 부호를 붙이고, 그 반복된 설명은 생략한다.
<실시 형태 1>
도 1에 의해, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 마이크로 미러 디바이스(이하, MMD라고 부름) 선별 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 구성을 도시하는 구성도이다.
도 1에서, MMD 선별 장치는, MMD(2), 처리계(9), 조명계인 광원(70) 및 광 파이버(71), 광학계인 콜리메이트 렌즈(72), 쐐기형 글래스(73), 직각 프리즘(74), 렌즈(75, 77, 78), 및 조리개(76), 촬상 소자(79), 표시계(900)로 구성되어 있다. MMD(2)는, 마이크로 미러(21)로 구성되어 있다.
본 실시 형태에서는, MMD(2)에 평행광을 소정의 각도로 조사하고, 반사한 회절광을 렌즈에 의해 콜리메이트하고, 렌즈계에서 회절광 분포를 촬상 소자에 축소 결상하고, 처리계(9)에서 화상 처리를 행하고, 회절광 분포의 특징을 정량화하고, 마이크로 미러(21)의 평탄성을 검출하고 있다.
우선, 도 2에 의해, 마이크로 미러(21)의 평탄성이 좋은 MMD(2)를 이용할 필요성에 대해서 설명한다. 도 2는 마이크로 미러(21)의 평탄성이 좋은 MMD(2)를 이용할 필요성을 설명하기 위한 설명도이며, 평탄성이 나쁜 마이크로 미러(21)의 작용에 대해서 도시하고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 마이크로 미러(21)는, MMD(2)의 제작 시의 열 응력이나, 조명광 조사에 의한 열 응력에 의해서 요면 형상으로 만곡하고 있다. 이 때문에, 마이크로 미러(21)는, 평행광(110)을 집광광(112)으로 변환하는 작용을 갖고, 마이크로 미러(21)의 기판(5) 상에서의 상(像)은, 광 강도 분포(4021)와 같이 가우스 분포 형상으로 된다.
이것이, 도 20에서 설명한 바와 같이, 패턴 내 화소 경계부에서의 오목부를 발생시키는 원인으로 된다. 이 때문에, 우선, 평탄성이 좋은 마이크로 미러(21)를 갖는 MMD(2)를 선별하여 사용할 필요가 있다. 평탄성의 측정은, 레이저 공초점 현미경으로 행할 수 있지만, 측정에 수고와 시간이 걸리므로, 본 실시 형태에서는, 회절광 분포의 특성을 이용하였다.
다음으로, 도 3 및 도 4에 의해, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 평탄성이 좋은 마이크로 미러의 검출의 원리에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 마이크로 미러 중심과 주변의 높이의 차이인 Zh를 나타내는 도면, 도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 Zh를 파라미터로 한 마이크로 미러 요면화 시의 노광 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
본 실시 형태에서는, 마이크로 미러(21)가 요면화하였을 때의 회절광 분포의 특성에 주목하였다. 요면화 시에는 평면에 대하여 주변부에서의 위상 괴리가 커지고, 이에 수반하여, 고차의 회절광 강도가 커진다고 하는 성질이 있다. 여기서, 도 3에 도시한 바와 같이, 마이크로 미러의 요면화를 포물면에 근사하였을 때의, 중심과 주변의 높이의 차이를 Zh로 한다.
도 4에 도시한 노광 시뮬레이션 결과는, 마이크로 미러의 사이즈가 13.7㎛×13.7㎛인 경우에 대해, 나타내고 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, Zh가 커짐에 따라, 동공 상에서 고차 회절광이 발생하고, 기판 상의 마이크로 미러상은 요면의 집광 작용을 위해 둥글게 되어 있다. 동공 상의 회절광 분포를 촬상하고, 고차 회절광 위치의 휘도를 평가값으로 정량화하면, 요면화의 정도를 정량화할 수 있고, 이 평가값에 의해 평탄성이 좋은 마이크로 미러를 갖는 MMD를 선별하는 것이 가능하게 된다.
다음으로, 도 1, 및 도 5∼도 8에 의해, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 동작에 대해서 설명한다. 도 5∼도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 MMD 선별 장치의 동작을 설명하기 위한 설명도이며, 도 5는 MMD 선별 장치의 쐐기형 글래스, 직각 프리즘, 마이크로 미러부의 확대도, 도 6은 마이크로 미러 평탄성 판정 처리의 플로우를 나타내는 플로우차트, 도 7은 회절광 분포 화상의 영역 분할을 도시하는 도면, 도 8은 마이크로 미러 중심과 주변의 높이의 차이인 Zh와 평가값 S의 관계를 나타내는 도면이다.
우선, 도 1에 도시한 바와 같이, 광원(70)에서 발생한 조명광은, 광 파이버(71)로부터 출사되고, 콜리메이트 렌즈(72)에 의해 평행광으로 되고, 쐐기형 글래스(73)에서 각도 θ1만큼 편향된다. 각도 θ1과 쐐기형 글래스(73)의 각도 β의 관계는, 쐐기형 글래스(73)의 굴절률을 n1로 하면, 이하의 (수학식 1)의 식으로 주어진다.
Figure 112011003178791-pat00001
쐐기형 글래스(73)를 출사한 조명광(710)은 직각 프리즘(74)에 입사하고, MMD(2)의 마이크로 미러(21)에 입사하고, 반사광은 직각 프리즘(74)의 사면에서 전반사된다.
여기서, 직각 프리즘(74)의 내부에서의 조명광(710)의 중심광선(711)의 광로를 도 5를 이용하여 설명한다.
이하에서는, 마이크로 미러의 경사각 α가 12도인 경우에 대해서 도시한다. θ1∼θ5는 이하의 (수학식 2)∼(수학식 5)에 따라, α의 값에 수반하여 변화하는 것에 유의하길 바란다. 반사광을 직각 프리즘에 수직 입사시키기 위해서는, 입사각 θ5는 24도로 할 필요가 있다. 이 때, θ5와 θ4의 관계는, 직각 프리즘의 굴절률을 n2로 하면, 이하의 (수학식 2)의 식으로 주어진다.
Figure 112011003178791-pat00002
n2=1.5로 하면, θ5=24도이므로 θ4는 15.73도로 된다. 한편, θ4와 θ3의 관계는, 이하의 (수학식 3)의 식으로 되므로, θ3은 29.27도로 된다.
Figure 112011003178791-pat00003
또한, 직각 프리즘(74)의 사변에서의 굴절은, 이하의 (수학식 4)의 식으로 주어진다.
Figure 112011003178791-pat00004
이에 의해, θ2는 47.17도로 정해진다. θ1과 θ2의 관계는, 이하의 (수학식 5)의 식으로 되므로, θ1은 2.17도로 된다.
Figure 112011003178791-pat00005
이를 실현하는 쐐기형 글래스(21)의 각도 β는 (수학식 1)의 식으로부터, n1=1.5로 하면, 1.09도로 된다.
여기서, 다시 도 1에 의해, 마이크로 미러(21)에서 발생한 회절광(712)의 광로에 대해서 설명한다. 회절광(712)은 렌즈(75)에 의해 콜리메이트된 후, 렌즈(75)의 초점 거리 f1의 위치에 설치된 조리개(76)에 의해, 측정에 불필요한 부분이 커트된다.
조리개(76)의 위치가 마이크로 미러(21)의 푸리에 변환면이며, 회절광 분포가 가장 분리하기 좋게 검출되는 위치이다. 조리개(76)는 촬상 소자(79)의 시야보다 크다.
따라서, 릴레이 축소 광학계를 렌즈(77)와 렌즈(78)로 구성한다. 조리개(76)는 렌즈(77)의 초점 거리 f2와 렌즈(78)의 초점 거리의 비, f3/f2배로 축소되어, 촬상 소자(79) 상에 결상된다.
여기서, 렌즈(77)와 렌즈(78)의 거리는 초점 거리의 합, f2+f3으로 한다. 촬상 소자(79)에 의해 촬상된 회절광 분포 화상(80)은 처리계(9)에 의해, 화상 처리가 실시되어, 마이크로 미러(21)의 요면성이 판정된다.
다음으로, 도 6에 나타내는 플로우차트에 의해, 처리계(9)에 의한, 마이크로 미러(21)의 요면성 판정 방법에 대해서 설명을 한다.
우선, 스텝 901에서 촬상 소자(79)에 의해 회절광 분포를 촬상한다. 다음으로, 스텝 902에서 각 회절광 영역으로 분할한다.
도 4에 도시한 시뮬레이션 결과에 따르면, 마이크로 미러(21)의 평탄성이 좋을 때에는, 회절광 강도는 중심 부근의 4개가 강하지만, 요면화함에 따라, 주변의 회절광 강도가 강해져 오는 것을 알 수 있다.
따라서, 도 7에 도시한 바와 같이, 회절광 분포 화상(80)의 조리개 윤곽상(760) 내의 영역을, 중심부(801∼804)와 주변부(811∼822)로 분할한다.
다음으로, 스텝 903에서 각 영역의 휘도 평균값을 산출한다. 이를 이용하여 스텝 904에서 평가값 S를 산출한다. 평가값 S는, 중심부(801∼804)의 평균 휘도를 I1∼I4, I1∼I4의 평균값을 m1, 주변부의 평균 휘도를 I11∼I22, I11∼I22의 평균값을 m2로 하고, 이하의 (수학식 6)의 식으로 표현된다.
Figure 112011003178791-pat00006
S는 I1∼I4의 평균값과 표준편차의 비를 I11∼I22의 평균값과 표준편차의 비로 나눈 값이며, I1∼I4에의 회절광의 집중이 높을수록, 즉, 평탄성이 좋을수록, 큰 값으로 된다.
(수학식 6)의 식에 의해 산출되는 평가값과 마이크로 미러(21)의 중심과 주변의 높이의 차이인 Zh와의 관계는, 도 8에 도시된 바와 같다. 도 8에 도시한 관계에서, Zh에 대해, 평가값 S는 단조 감소하고 있고, Zh가 평가값 S에 의해 모니터 가능한 것을 알 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, Zh의 허용값을 75㎚로 설정하면, 대응하는 평가값 S의 임계값은 3.42로 된다.
도 8에 도시한 예에서는, 영역(830)이 평탄성이 좋은 양품의 범위로 된다. 도 6의 스텝 905에서는, 이 임계값을 이용하고, 평가값 S가 임계값보다 큰 경우에는, 스텝 907에서 「양품」 및 회절광 분포 화상을 표시계(900)에 표시하고, 임계값 이하의 경우는, 스텝 906에서 「불량품」 및 회절광 분포 화상을 표시계(900)에 표시한다.
이상의 처리에 의해, 본 실시 형태에서는, 마이크로 미러(21)의 평탄성이 좋은 MMD를 선별하는 것이 가능하게 된다.
<실시 형태 2>
본 실시 형태는, 실시 형태 1의 MMD 선별 장치를 마스크리스 노광 장치 상에 탑재한 것이다.
도 9 및 도 10에 의해, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 마스크리스 노광 장치의 구성 및 동작에 대해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시 형태 2에 따른 마스크리스 노광 장치의 구성을 도시하는 구성도, 도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 따른 마스크리스 노광 장치의 조명계의 회전식 애퍼처를 도시하는 도면이다.
본 실시 형태에서는, 회절광 분포를 마스크리스 노광 장치 상에서 모니터하는 구성으로 되어 있다.
도 9에서, 마스크리스 노광 장치는, 도 1에 도시한 MMD 선별 장치와 마찬가지로, MMD(2), 처리계(9), 광원(70), 광 파이버(71), 콜리메이트 렌즈(72), 쐐기형 글래스(73), 직각 프리즘(74), 렌즈(75, 77, 78), 조리개(76), 촬상 소자(79), 표시계(900)를 갖고 있다. 렌즈(75, 77) 및 조리개(76)로 마스크리스 노광 장치의 투영 렌즈(3)를 구성하고 있다. 또한, 기판(5)을 탑재하는 스테이지(6), 제어계(91), 애퍼처(100), 애퍼처 구동부(103)를 구비하고 있다.
도 10에서, 애퍼처(100)는, 회절광용 애퍼처(101) 및 노광용 애퍼처(102)로 구성되어 있다.
우선, 통상의 마스크리스 노광 장치로서의 사용 상태로부터, 제어계(91)는 스테이지(6)를 구동하고, 기판(5)을 대피시켜, 렌즈(78)와 촬상 소자(79)가 투영 렌즈(3)의 광축(300) 상에 오도록 이동시킨다.
또한, 제어계(91)는, 애퍼처 구동부(103)를 회전하고, 도 10에 도시한 노광용 애퍼처(102)로부터 회절광 모니터용 애퍼처(101)로 절환한다. 회절광용 애퍼처(101)의 반경 rA는, 이하의 (수학식 7)의 식에 의해서 결정된다. 또한, 반경 rA는, 이 값보다 작으면 된다.
Figure 112011003178791-pat00007
여기에, f0은 콜리메이트 렌즈(172)의 초점 거리, λ는 조명광의 파장, P는 마이크로 미러(21)의 경사 방향의 피치이다. 이 식에서 rA를 결정함으로써, 회절광 분포를 서로 중첩하지 않고 검출할 수 있다.
광원(70)에서 발생한 조명광(710)은, 광 파이버(71)로부터 출사되고, 애퍼처(100)를 통하여 콜리메이트 렌즈(172)에 의해 평행광으로 되고, 쐐기형 글래스(173)에서 편향되고, 직각 프리즘(174)에 입사, 투과하고, MMD(2)의 마이크로 미러(21)를 조명한다.
중심광선(711)은 조명광(710)의 중심의 광로를 나타낸다. 마이크로 미러(21)에서 발생한 회절광(712)은, 렌즈(75), 렌즈(77), 조리개(76)로 구성되는 투영 렌즈(3)에 의해서, 기판(5)의 표면(55)의 위치에서 결상하고, 렌즈(78)에 의해 콜리메이트된 후, 촬상 소자(79)에서 촬상된다.
렌즈(78)는, 기판 표면(55)으로부터 초점 거리 f4의 거리에 설치되고, 촬상 소자(79)는 렌즈(78)의 후방, 초점 거리 f2의 위치에 설치된다. 이에 의해, 렌즈(77)와 렌즈(78)로, 조리개(76)를 촬상 소자(79) 상에 결상한다. 촬상 소자(79)에서 촬상된 회절광 분포(80)는 처리계(9)에 의해, 실시 형태 1과 마찬가지의 처리가 이루어져, 판정 결과 및 회절광 분포 화상이 표시계(900)에 표시된다.
판정 결과는 제어계(91)에 보내져, 「불량품」이라고 판정된 경우, 제어계는, 경고음이나 화면 표시, 전자 메일 송신 등의 수단으로 알람을 발생하고, 경고 로그로서 도시하지 않은 제어계(91)의 기록부에 기록한다.
이상의 구성에 의해, 마이크로 미러(21)가 마스크리스 노광 장치 탑재 후에 요면화한 것인지의 여부의 평가가 가능하게 된다. 임계값을 초과하여 요면화한 경우는, MMD(2)의 교환 등의 대책을 신속하게 행함으로써, 허용값을 초과한 전사 패턴의 직선성의 열화를 미연에 방지할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시 형태에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들면, 실시 형태 1, 2에서는, (수학식 6)의 식을 이용하여, 평가값을 산출하여 「양품」,「불량품」을 판단하고 있지만, 도 4에 도시한 바와 같은, 노광 시뮬레이션 결과의 회절광 분포의 화상을, 복수 준비하고, 화상 그 자체를 비교하는 등으로 하여, 「양품」,「불량품」을 판단하도록 하여도 된다.
본 발명은, 표시 기기용 패널이나 반도체 마스크 등에, 패턴을 전사 소부하는 마스크리스 노광 장치나 투영 노광 장치 등에, 널리 적용 가능하다.
2 : 마이크로 미러 디바이스(MMD)
3 : 투영 렌즈
4 : 투영상
5 : 기판
6 : 스테이지
9 : 처리계
21 : 마이크로 미러
22 : 요크
23 : 힌지
24, 25 : 전극
26 : MMD의 기판면
31 : 투영 렌즈 동공
55 : 기판의 표면
70 : 광원
71 : 광 파이버
72 : 콜리메이트 렌즈
73 : 쐐기형 글래스
74 : 직각 프리즘
75, 77, 78 : 렌즈
76 : 조리개
79 : 촬상 소자
80 : 회절광 분포 화상
91 : 제어계
900 : 표시계

Claims (8)

  1. 마스크리스 노광을 행하기 위한 전사 패턴을 생성하는 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법으로서,
    상기 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러에 조명광을 조사하고, 상기 마이크로 미러로부터의 회절광 분포를 촬상하는 스텝과,
    노광 시뮬레이션 결과에 기초한 복수의 회절광 분포의 정보와, 상기 마이크로 미러로부터의 회절광 분포의 정보를 비교하는 스텝과,
    상기 비교하는 스텝으로부터 얻은 결과에 기초하여, 상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 정보, 및 상기 회절광 분포의 화상을 표시하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법.
  2. 마스크리스 노광을 행하기 위한 전사 패턴을 생성하는 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법으로서,
    상기 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러에 조명광을 조사하고, 상기 마이크로 미러로부터의 회절광 분포를 촬상하는 스텝과,
    상기 회절광 분포의 영역별의 휘도 평균값을 산출하는 스텝과,
    상기 휘도 평균값으로부터 상기 마이크로 미러의 평가값을 산출하는 스텝과,
    상기 평가값과 임계값을 비교하는 스텝과,
    상기 비교하는 스텝으로부터 얻은 결과에 기초하여, 상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 정보, 및 상기 회절광 분포의 화상을 표시하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 미러 디바이스의 선별 방법.
  3. 마스크리스 노광을 행하기 위한 전사 패턴을 생성하는 마이크로 미러 디바이스를 선별하는 마이크로 미러 디바이스 선별 장치로서,
    상기 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러에 조명광을 조사하는 조명계와,
    상기 마이크로 미러에서 발생한 회절광을 촬상 소자에 입사시키는 광학계와,
    상기 촬상 소자에서 촬상된 회절광 분포 화상을 처리하고, 상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 판정을 행하는 처리계를 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로 미러 디바이스 선별 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 회절광 분포 화상과 상기 처리계에 의해 행해진 판정의 결과를 표시하는 표시계를 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로 미러 디바이스 선별 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 조명계는, 쐐기형 글래스와 직각 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 미러 디바이스 선별 장치.
  6. 마이크로 미러 디바이스에 의해 생성한 패턴을 투영 렌즈로 기판 상에 투영하는 마스크리스 노광 장치로서,
    상기 마이크로 미러 디바이스에 조명광을 조사하는 조명계와,
    촬상 소자와,
    상기 기판 및 상기 촬상 소자를 이동시키는 스테이지와,
    상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 판정을 행할 때, 상기 스테이지를 이동시키고, 상기 촬상 소자에 상기 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러로부터의 회절광을 입사시키고, 상기 조명계의 조리개의 크기를 제어하는 제어계와,
    상기 촬상 소자에 의해서 촬상된 회절광 분포 화상을 처리하고, 상기 회절광 분포 화상의 처리 결과에 기초하여, 상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 판정을 행하는 처리계를 구비한 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 회절광 분포 화상 및 상기 처리계에 의해 행해진 판정의 결과를 표시하는 표시계를 구비한 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 마이크로 미러 디바이스의 양품 또는 불량품의 판정을 행할 때의 상기 조명계의 조리개의 반경은, 상기 조명계의 콜리메이트 렌즈의 초점 거리를 f, 상기 조명광의 파장을 λ, 상기 마이크로 미러 디바이스의 마이크로 미러의 피치를 P로 하였을 때, λㆍf/P보다 작은 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광 장치.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2972556B1 (en) 2013-03-15 2021-06-02 Imax Theatres International Limited Method for testing and sorting a plurality of micro mirror array optical modulators
JP6173862B2 (ja) * 2013-09-30 2017-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡
JP6484853B2 (ja) * 2014-04-17 2019-03-20 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置用反射鏡ユニット及び露光装置
JP6536185B2 (ja) * 2014-06-13 2019-07-03 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
JP6457845B2 (ja) * 2015-03-10 2019-01-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査方法及び検査装置
JP6637938B2 (ja) * 2017-10-04 2020-01-29 アイマックス シアターズ インターナショナル リミテッド 変調器回折効果に最適化された投影器
CN109158337B (zh) * 2018-10-29 2024-02-23 宁波舜宇仪器有限公司 镜头缺陷自动化检测设备
CN109513621B (zh) * 2018-11-14 2020-12-22 上海正菏智能设备制造股份有限公司 光纤器件上下料模组和光纤器件测试设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250411A (ja) * 1994-12-27 1996-09-27 Toshiba Corp レジストの吸収光量分布評価方法及びシステム
JP2002328462A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Toshiba Corp 露光用マスクパターンの検査方法
JP2004259388A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Teijin Chem Ltd 光ディスク基板の検査方法
JP2009204388A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Toppan Printing Co Ltd 欠陥検査方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3519853B2 (ja) * 1996-02-28 2004-04-19 富士写真フイルム株式会社 マイクロミラー式画像形成装置及びその管理方法
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JP4208045B2 (ja) * 2002-03-07 2009-01-14 株式会社ユメックス ダイレクト露光装置
JP2003337427A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
CN1325960C (zh) * 2002-10-01 2007-07-11 麦克罗尼克激光系统公司 改善边界对比度的方法和系统
CN1723384A (zh) * 2003-01-15 2006-01-18 麦克罗尼克激光系统公司 检测缺陷像素的方法
US6775049B1 (en) * 2003-01-20 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Optical digital signal processing system and method
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4929444B2 (ja) * 2004-09-27 2012-05-09 国立大学法人東北大学 パターン描画装置および方法
WO2009145048A1 (ja) * 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250411A (ja) * 1994-12-27 1996-09-27 Toshiba Corp レジストの吸収光量分布評価方法及びシステム
JP2002328462A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Toshiba Corp 露光用マスクパターンの検査方法
JP2004259388A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Teijin Chem Ltd 光ディスク基板の検査方法
JP2009204388A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Toppan Printing Co Ltd 欠陥検査方法

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