TWI716903B - 用於測試投影系統的方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

揭露一種測試一投影系統的方法,此方法通過具有一光瞳面及一影像面的一成像系統來投影一照明圖案,並且使一相機聚焦在此影像面上。一單獨的光學系統與此投影系統對準,此光學系統使投影光的方向反轉,並將此光瞳成像到此影像面上,從而將光瞳面的一影像提供給相機。

Description

用於測試投影系統的方法及裝置
本揭露的方面係有關於影像投影系統。進一步來說,方面係有關於用於觀看一影像投影系統的一光瞳面的影像的系統及方法。
光學系統通常存在著與正確地成像有關的問題。光學系統問題的正確診斷有時取決於獲得在成像系統的光瞳中出現的光分佈的視圖,這會嚴重影響成像的結果。如果被觀看的物體具有一周期性結構且照明系統有些相關,則尤其如此。
投影系統的大小及所用的組件的內容可能有所不同。微影投影系統的一個例子中可具有德州儀器(Texas Instruments)的數位光投影機(Digital Light Projector,DLP)晶片,其中使用在405nm光譜區域發射的多個雷射二極體來照明數位光投影機。在此數位光投影機的一1080p模型中,大約有200萬個鏡子排列在一矩形晶格上,相鄰鏡子之間的間隔為10.6μm。鏡子之間的規則間隔與雷射二極體的窄光譜頻寬相結合,導致了光瞳中的能量分佈,此能量分佈係取決於「開」的鏡子的模式、及照明的入射角、及波長。為了定義,「開」的鏡子是具有穿過投 影系統的一反射的鏡子,而「關」的鏡子則產生不穿過投影系統的一反射。如本領域技術人員將理解的,在投影系統的示例類型中,鏡子可以從「關」位置旋轉大約±12度至「開」位置。
一般來說,微影投影系統被設計成具有非常嚴格的標準。此系統雖然可以變化,但通常在物體和影像空間中都是遠心的,因此物體或影像面的軸向位置的變化不會改變一期望的放大倍率。在這樣的系統中,由於忽略了繞射效果,每個「開」的鏡子的反射照明錐與一物平面垂直。這確保了使投影系統的光瞳被對稱地照明,並且入射光與要曝光的基板垂直(90度)。如果數位光投影機晶片的光柵性質在光瞳中產生非對稱的分佈,則放大倍率將隨焦點位置而變化,並且最終的重疊及對準精度將會遭受精確度損失。
因此,期望確保使數位微影系統光瞳上的照明盡可能位居中央。為了確保適當的照明,可以將光學系統添加到傳統成像系統中,以執行對光瞳處的光分佈的量測。然而,在傳統方式中,增加將用於觀看光瞳中的照明分佈的光學系統,具有許多缺點。增加一單獨的光學系統以查看光瞳中的照明輪廓是很昂貴的,並且在一缺乏空間的區域中需要一相對大量的空間。這種增加的光學系統還具有缺點,此缺點為需要單獨的照相機來記錄及顯示光瞳影像。一般來說,執行這種功能需要在光瞳光欄(pupil stop)及影像面之間添加一個光束分離器或翻轉鏡以提取光瞳圖像,以及一個相當複雜的成像系統,以將光瞳成像至增加的相機上。從額外的光學元件(包括光束分離器及相機)反射的光,會向投影的影像提供雜散光,從而產生模糊但不適宜的影像瑕疵。
與設計的系統相關的這種複雜性及成本,還具有其他缺點。當需要一光瞳成像系統時,此光瞳成像系統僅是偶爾地用於故障排除。舉例來說,當一震動導致投影系統未對準時,或者當數位微鏡裝置上的一特定圖案與數位微鏡裝置的鏡子的周期性排列及照明的窄光譜範圍結合而無法產生基板上的期望圖案時,將使用一光瞳成像系統。這樣的系統還可用於定位具有由日曬所造成的塗層受損或透射率降低的一組件。
許多投影系統在一物平面及光瞳之間包含有一光束分離器,其中此光束分離器用於將投影的影像與基板上已投影影像的預先存在的圖案,一起重新成像到相機上。然後,相機影像可以使用於將投影的影像與預先存在的圖案對齊。
需要提供一種用於將光瞳成像至影像面上的方法,此方法可以將光瞳成像回到用於對準的相機上,從而減輕了對於額外相機、光束分離器、及額外光學系統的需求。
進一步需要提供一種具備成本效益的系統,此系統將允許在操作條件的期間對一光瞳進行評估,從而允許操作員快速地檢查一數位微影系統以獲得最佳性能。
還進一步需要提供一種具備成本效益的系統,此系統將易於移動、或可移動以提供對光瞳照明效果的評估,從而使處理正常運行的時間不受執行機器組件的檢查或校準所花費的時間所影響。
提出了一非限制性的內容。如下所提供的詳細的描述中所見,此內容不應被認為是對於可能的實施例的限制。
在一非限制性的實施例中,揭露一種用於測試的方法,包括圖案化來自一光源的一照明光束;此圖案化光束通過至少一成像系統,此成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,圖案化光束通過此光瞳面;在第二種情況下,將此圖案化光束從一裝置反射回去,此裝置切換此光瞳面及一影像面位置且反轉此光束的方向,使得此圖案化光束通過成像系統的此光瞳並返回至一相機,其中此光瞳面在此相機上成像。
在另一非限制性的實施例中,揭露一種用於測試的裝置,此裝置包括至少一光學元件,具有配置成用以放置在一影像面附近的一第一折射表面及一第二反射表面,此至少一光學元件係配置成用以使通過一成像系統傳播的光的方向反轉,並將一光瞳成像至此影像面上;及一安裝系統係配置成用以將此至少一光學元件支撐至一投影系統,其中此安裝系統允許此至少一光學元件從此影像面中的一第一活動位置移動到遠離此影像面的一第二非活動位置。
在另一非限制性的實施例中,提供一種用於測試的裝置,此裝置包括至少一光學元件,具有配置成用以放置在一成像系統的一影像面附近的一第一凸表面及一第二凸表面,此至少一光學元件係配置成用以使通過此成像系統傳播的光的方向反轉,並將此成像系統的一光瞳成像在該影像面上,其中此第二凸表面係配置有一反射塗層;一安裝系統係配置成用以將此至少一光學元件支撐至一投影系統,其中此安裝系統允許此至少一光學元件從此影像面中的一第一活動位置移動到遠離此影像面的一第二非 活動位置;及至少一個馬達,配置成用以將此安裝系統從此第一活動位置移動到此第二非活動位置。
在另一非限制性的實施例中,揭露一種用於測試的裝置,此裝置包括至少一光學元件具有一反射表面此此反射表面係配置成用以被放置在一成像系統的一影像面附近,此至少一光學元件係配置成用以使通過此成像系統傳播的光的方向反轉,並將一投影系統的一光瞳成像到一影像面上;及一運動安裝裝置係配置成用以相對於此投影系統定位此至少一光學元件。
在另一非限制性的實施例中,揭露一種用以測試一投影系統的方法,包括照明一影像轉換器、或包括有由一照明光束照明的一圖案之一遮罩之其中一者;使圖案化的此照明光束通過至少一成像系統,此至少一成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,此照明光束通過此光瞳面;將一透鏡裝置移入穿過此光瞳面的此照明光束中;這切換影像及此光瞳面的位置並反射此照明光束,使得在第二種情況下,此照明光束通過此光瞳面,以在一相機處成像此光瞳面,及分析在此相機處所接收到的此照明光束。
100:投影系統
102:數位光投影機
106:受抑立方體
108:偏軸照明光束
110:第一45度棱鏡
111:45度光束分離器
112:第二45度棱鏡
114:間隙
116:相機焦平面
118:光瞳
190:相機
192:馬達
200:組件
203:第一彎曲表面
204:第二彎曲表面
206:光束
208:窗口
209:影像面
301:光束
400:方法
402、403、404、406、408、410、412:步驟
為了能夠理解本揭露上述特徵的細節,可參照實施例,得到對於簡單總括於上之本揭露更詳細的敘述,實施例的一部分係繪示於所附圖式中。然而需注意,所附的圖式僅繪示出本揭露的典型實施例,因此其並不會被認為對本揭露的範圍造成限制,因為本揭露可允許其他等效的實施例。
第1圖係具有一3:1的縮減比的一微影投影系統的一剖面圖,此圖亦示出允許觀看光瞳的光學系統的位置。
第2圖係具有射入射線的光瞳成像系統的一剖面圖。
第3圖係具有射出射線的光瞳成像系統的一剖面圖。
第4圖係提供觀看一數位微影系統的光瞳的方法的流程圖。為使其容易理解,已盡可能地採用一致的元件符號,來標記圖中所共有的相同元件。可預期的是,揭露於一實施例的元件可以有利地適用於其他實施例中,而不再次闡述。
在以下描述中,參考本揭露的實施例。然而,應理解的是,本揭露不限於特別描述的實施例。相反的,可以利用以下特徵和元素的任何組合,無論是否與不同的實施例相關,都可以用以實施及實踐本揭露。此外,儘管本揭露的實施例可以達成優於其他可能的解決方案及/或相對於現有技術的優勢,不論通過給定的實施例是否實現特定的優勢,這並不限制本揭露。因此,以下方面、特徵、實施例及優點僅是示例性的,並且不被認為是所附申請專利範圍的元素或限制,除非在申請專利範圍中被明確敘述。同樣地,對於「本揭露」的引用不應被解釋為本文所揭露的發明主題的概括,並且除非是在申請專利範圍中明確地敘述,否則不應被認為是所附申請專利範圍的元素或限制。
現在將參考附圖描述一些實施例。為了一致性,在多個附圖中,相同的元件將用相同的標記表示。在以下描述中,闡述了許多細節以提供對於多個實施例及/或特徵的理解。然而,本領域技術人員應理解的是,可以在沒有許多的這些細節的情況 下實踐一些實施例,並且可以對所描述的實施例進行多種變化或修改。此處所使用的術語「在...上(above)」及「在...下(below)」、「往上(up)」及「往下(down)」、「向上(upwardly)」及「向下(downwardly)」、及其他表示在給定的點或元素的上方或下方的相對位置的類似的術語,是用於此說明書中,以更清楚地描述特定實施例。
所揭露的實施例提供了一種裝置,此裝置允許一使用者通過觀看投影系統光瞳面處的照明分佈,以診斷光學系統問題。可以使用在一個表面上提供有一反射塗層的一透鏡、或一凸鏡,以使光瞳面能夠與一投影系統內提供的現有組件一起成像。用於這種診斷能力的光學系統可以是一可移動的裝置,如果需要,可以用電動及計算機控制此可移動的裝置。這樣的裝置減輕了對於提供光束分離器(beam-splitters),繼光鏡組(optical relays)、及相機,以進行這種診斷的單獨配置的需求。可以提供不同類型的光學系統裝置,以允許對光瞳的照明進行分析。光瞳影像可以是由一相機接收,並且隨後根據需求進行分析。可以通過拍攝相機所接收的影像,並將此影像與一參考影像進行比較,來完成這種分析。在另一示例性實施例中,可以分析相機影像的對稱性。
微影(Photolithography)係廣泛用於半導體裝置及顯示裝置的製造中。這種裝置可以包括,舉例來說,液晶顯示器(Liquid Crystal Displays,LCDs)。為了創建這些顯示器,必須在許多步驟中準備及處理基板,以使顯示器如預期地作用。這些顯示器的大小可以變化,從可攜式消費電子產品上使用的小型液晶顯示器螢幕,到大型電視機中使用的大型平板顯示器,以及電 腦、個人數位助理、手機、及類似的電子產品。
平板可以被構造成多種配置。一種這樣的配置包括形成夾在兩個板之間的像素的液晶材料層。當在液晶材料上施加一電場時,可以控制穿過液晶材料的光量。藉由選擇哪些像素是光線通過的、和哪些像素是不透明的,可以在顯示器上產生影像。
利用微影製程來創建電子特性,此電子特性係被併入作為形成像素之液晶材料層的一部分。在微影中,將稱為「光阻劑」的感光材料均勻地塗佈在一基板表面上,此基板表面包含需要被圖案化的材料層。固化之後,將具有光阻劑層的基板曝露於一圖案化光源,這會導致光阻劑層曝露於光的部分的化學變化。隨後,將基板浸入顯影劑中,選擇性地去除抗蝕劑層的已曝露部分或未曝露的部分,這取決於抗蝕劑是正作用還是負作用。通常在這之後進行蝕刻步驟,此蝕刻步驟去除未被抗蝕劑塗層保護的任何下面的材料。此時,去除剩餘的抗蝕劑,添加另一層,然後添加一抗蝕劑層,並重複此製程。
顯而易見的是,短波長的光必定會在光阻劑層上創造非常精細的細節。較長的波長在光阻劑層中提供較低的解析度。在大多數的數位微影系統中,使用小於408nm的波長。另外,特定類型的光阻劑對於特定波長的反應更強烈,因此,微影成像系統中所使用的光源光譜、與所用光阻劑的敏感度光譜最為匹配。
為了用微影技術產生這些更精細的細節,將復雜的微影系統保持在最佳性能水平變得越來越重要。
第1圖是通過一3:1微影投影系統100的剖面圖,此微影投影系統100用於將一德州儀器數位光投影機102的一影 像,投影到塗佈有光阻劑的基板上。數位光投影機102是一數位微鏡裝置,此數位微鏡裝置控制小的鏡陣列,以投影必要的光。此鏡陣列可以連接至一散熱器,以移除鏡面上所產生的多餘的熱。根據需要,數位光投影機102可以是單晶片或多晶片單元。
相鄰於數位光投影機102的受抑立方體(frustrated cube)106係用於通過一偏軸(off-axis)照明光束108來有效地照明數位光投影機102,並將數位光投影機102中的「上」反射鏡反射的照明,沿投影系統的軸線通過一透鏡系統。作為非限制性的示例性實施例,透鏡系統可包括,舉例來說,具有雙凸、平凸、凹凸(positive meniscus)、平凹、雙凹、及凸凹(negative meniscus)的構造的透鏡。
一特定系統係由一第一45度棱鏡110、一第二45度棱鏡112、及分隔棱鏡的一間隙114所組成。此第一45度棱鏡110及此第二45度棱鏡112將偏軸照明光束108透射至數位光投影機表面上。在數位光投影機上的反射鏡上,將偏軸角度改為同軸角度,然後光束的這個組分接著通過投影系統的軸。第1圖中提供的剖面圖重複了數位光投影機102及投影系統100之間的路徑。一45度光束分離器111收集從基板反射的一些能量,並將此能量成像在與數位光投影機焦平面共軛的一相機焦平面116上。
光瞳118具有如第1圖所示的位置。當從物體或影像空間觀看時,光瞳118看起來位於無窮遠處,這是遠心必要條件的直接結果。因此,對一數位光投影機像素進行成像的各個光束的中心射線都垂直於物體及影像面,並忽略了數位光投影機鏡的規則的間隔所產生的光柵效應。一光學組件200係放置在成像 系統的末端,以進行投影系統100的期望的測試。光學組件200可以放置在一安裝系統(當前不在圖1中)上,此安裝系統能夠將組件從第一「活動」位置移動到第二「不活動」位置。在第一「活動位置」中,組件200係正確地對準,以將光束反射回相機190,使得光束可以通過光瞳118並最終被相機190偵測到。馬達192可以連接到光學組件200,以將組件移動至適當的對準。可以根據需要,通過使用一計算機來啟動馬達192。
參照第2圖,組件200被插入在投影系統100中的最後一個光學元件(也就是一窗口208)及影像面209之間,或稍微超出影像面。組件200的許多可能形式中的一種是包含兩個彎曲表面的一玻璃元件,第一彎曲表面203係用作折射透鏡,且第二彎曲表面204係用作球面鏡。此第二彎曲表面204可以覆蓋有高反射率塗層或薄膜,以產生光譜選擇性。
在另一示例實施例中,組件200可具有位於組件200的後側上的介電反射鏡。介電反射鏡可以是由多個不同的層配置而成,各個層具有對於預期的反射光的反射特性。結果是,如果利用多發射譜線光源,則組件200可以具有多個層以反射必要的發射線顏色。在另一實施例中,如果利用單個發射譜線源,則可以在組件200的背面上創建最小數量的層,以反射單色光。在使用介電反射鏡裝置的例子中,光反射能力可以是大於99%。第一彎曲表面203可以是配置成具有抗反射(Anti-Reflective,AR)塗層,此抗反射塗層將防止返回至相機190的非預期的反射。可以使用的抗反射塗層的典型類型,包括單層干涉塗層、多層干涉塗層、及折射率匹配塗層。儘管描述為一塗層,但是明顯的是,薄 膜也可以用於執行作業,此作業例如是提供反射消除。然而,在其他情況下,塗層或薄膜都應該被配置成使得組件200具有一耐熱性,此耐熱性係根據來自所使用的照明源的預期功率吸收。這樣的照明源可以是雷射、軟x射線、傳統光、或其他合適的照明源。
組件200從投影系統100接收光束206。第一彎曲表面203係配置成用以使影像面稍微向右移動,並且第二彎曲表面204,也就是鏡面,將光瞳118成像到已移動的焦平面表面上。在通過折射表面(第一彎曲表面203)之後,在返回鏡頭的途中,光瞳118係位於原始焦平面,因此光瞳118在數位光投影機102及對準相機190上成像。對準相機190接著可以用於一另外的目的,也就是用於接收光瞳118的影像。組件200可以是由多種材料配置而成,此些材料係包括冕玻璃(crown glass)、鋇冕玻璃(barium crown glass)、重燧石玻璃(heavy flint glass)、硼矽酸鹽(borosilicate)、及鋇燧石(barium flint)的玻璃材料。組件200也可以由塑料化合物所製成。
第3圖中繪示通過光瞳118成像組件的反射光束301的返回路徑。在返回路徑上,在通過第一彎曲表面203之後,光瞳118係位於投影系統100的原始影像面上,且光瞳118因此在對準相機190及數位光投影機102上重新成像。
在通過投影系統100的反向路徑上,影像面變成一光瞳面,原始光瞳面變成一影像面,而物平面變成光瞳的一影像。由於對準照相機190也對原始影像面成像,光瞳的影像也顯示在相機190上。
僅偶爾地使用光瞳成像系統(具有組件200),例如是用於測試。如果在大量的重複使用後,成像系統未對准或退化,則將用於測試用途。如果懷疑光學成像系統是影像缺陷的來源,則組件200可以通過運動安裝系統連接到成像系統,從而消除了對準的需求,且便於使用。
參照第4圖,提出了一種用於觀看光瞳的數位微影系統的一方法400。方法400中,在步驟403,需要用步驟402處的一光源照明一影像轉換器。影像轉換器可以是以如上所述的反射方式操作的一數位光投影機系統。在步驟404,圖案化的光束接著穿過一成像系統。光束通過的透鏡數量可以是根據系統的需求而變化。在繪示的實施例中,示出了在影像面上將物體減小到其尺寸的1/3的一成像系統,然而,其他配置也是有可能的。在一個替代實施例中,穿過透鏡的光在影像面附近被攔截,在影像面附近,像差得到了很好的校正,且光瞳的一影像可以保真度高地被傳回至物平面及相機平面。
在此區域中,可以使用一凹面鏡、一厚透鏡/鏡子組合、或一更精巧的光學系統來反轉光的方向,並互換影像及光瞳面的位置,從而在相機組件200處獲得一合理良好的影像。在步驟406處,可以使用以計算機控制的馬達來定位組件200,此組件200係執行反轉及互換。以上被描述為凹面鏡或替代的實施例的組件200,係配置成用以在步驟408反射入射光,使得此光傳回且穿過光瞳118,其中相機在步驟410處接收光瞳影像,且可以在步驟412處對光瞳影像進行分析。組件200有許多可能的光學設計,光學設計的選擇取決於光瞳影像的品質需求及投影系統 的設計。
儘管上述投影系統採用一3:1縮小類型的成像系統,但是可以使用其他類型的成像系統,包括較小或較大的縮小類型。另外,儘管所選擇的例子是用作一微影系統,但是本領域技術人員將認知到,所描述的方法同樣適用於其他影像投影系統,此影像投影系統包括非限制性的極短紫外光(EUV)微影系統、平面微影系統、及明場顯微鏡,以作為非限制性實施方案。
在一非限制性的實施例中,揭露一種用於測試的方法,此方法包括從具有一圖案的一物體,投影一照明光束;此照明光束通過至少一成像系統,此成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,圖案化的此照明光束通過此光瞳面;在第二種情況下,將此照明光束從一裝置反射回並通過此光瞳面至一相機,其中切換此光瞳面及一影像面位置,且其中將此光瞳面而非此物體成像在此相機上。
在另一非限制性的實施例中,此方法可進一步包括將在此相機處所接收到的一光瞳影像,與理想及期望強度分佈的一影像進行比較。
在另一非限制性的實施例中,此方法可進一步包括利用至少一影像轉換器圖案,來檢查在此相機處所接收到的此照明光束的一對稱性,以確定多種圖案如何影響此光瞳面中的一光分佈。
在另一非限制性的實施例中,此方法可進一步包括在使圖案化的此照明光束通過此投影系統之前,先使此照明光束通過一受抑稜鏡組件。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中將此照明光束從此裝置反射回並通過此光瞳面,包括:使此照明光束通過一折射透鏡,及從一彎曲鏡反射此照明光束。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中此折射透鏡移動一像平面,以創建此照明光束的一偏移焦平面。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中此裝置的一彎曲鏡將此光瞳面成像至此偏移焦平面上。
在一進一步的實施例中,可揭露一裝置,此裝置包括:至少一光學元件,具有配置成用以放置在一影像面附近的一第一折射表面及一第二反射表面,此至少一光學元件係配置成用以使通過一成像系統傳播的光的方向反轉,並將一光瞳成像至此影像面上;及一安裝系統係配置成用以將此至少一光學元件支撐至一數位微影系統,其中此安裝系統允許此至少一光學元件從此影像面中的一第一活動位置移動到遠離此影像面的一第二非活動位置。
在另一非限制性的實施例中,此裝置可進一步包括一馬達,配置成用以放置此至少一光學元件。
在另一非限制性的實施例中,揭露一裝置,此裝置包括至少一光學元件,具有配置成用以放置在一成像系統的一影像面附近的一第一凸表面及一第二凸表面,此至少一光學元件係配置成用以使通過此成像系統傳播的光的方向反轉,並將此成像系統的一光瞳成像在該影像面上,其中此第二凸表面係配置有一反射塗層;一安裝系統係配置成用以將此至少一光學元件支撐至一數位微影系統,其中此安裝系統允許此至少一光學元件從此影 像面中的一第一活動位置移動到遠離此影像面的一第二非活動位置;及至少一個馬達,配置成用以將此安裝系統從此第一活動位置移動到此第二非活動位置。
在另一非限制性的實施例中,可提供此裝置,其中此至少一馬達是計算機控制的。
在另一非限制性的實施例中,此裝置可配置成用以包括至少一光學元件具有一反射表面,此反射表面係配置成用以被放置在一成像系統的一影像面附近,此至少一光學元件係配置成用以使通過此成像系統傳播的光的方向反轉,並將一投影系統的一光瞳成像到一影像面上;及一運動安裝裝置係配置成用以相對於此投影系統定位此至少一光學元件。
在另一非限制性的實施例中,可配置此裝置,其中此反射表面是凹的。
在一非限制性的實施例中,揭露用以測試一投影系統的一方法,包括照明一影像轉換器、或包含有由一照明光束照明的一圖案之一遮罩之其中一者,從而產生圖案化的此照明光束;使圖案化的此照明光束通過至少一成像系統,此至少一成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,此照明光束通過此光瞳面;將一透鏡裝置移入穿過此光瞳面的此照明光束中;在第二種情況下,將圖案化的此照明光束反射離開此透鏡裝置以通過此光瞳面,以對此光瞳面成像,其中藉由此透鏡裝置切換一影像面及此光瞳面的位置;在一相機處接收圖案化的此照明光束;及分析在此相機處所接收到的圖案化的此照明光束的此光瞳面。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中 將此透鏡裝置移入此照明光束是通過一馬達進行的。
在另一非限制性的實施例中,此方法可更包括移動一運動安裝裝置,以相對於此投影系統定位此透鏡裝置。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中此分析需要將在相機處所接收到的一圖像與期望的強度分佈進行比較。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中此分析需要利用多種影像來確定在此相機所接收到的一圖像的非對稱性,以確定是如何的非對稱,以及所導致的對準精度如何隨焦點位置及影像組成而變化。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中此相機係整合到此投影系統中。
在另一非限制性的實施例中,可執行此方法,其中將此照明光束反射離開此透鏡裝置,需要將此照明光束反射離開一凹形反射表面。
儘管本文已經描述了實施例,但是受益於本揭露的本領域技術人員將理解,設想了不脫離本申請的發明範圍的其他實施例。據此,本申請專利範圍或任何隨後的相關申請專利範圍的範圍不應受到本文所述實施例所描述的不當的限制。
100:投影系統
102:數位光投影機
106:受抑立方體
108:偏軸照明光束
110:第一45度棱鏡
111:45度光束分離器
112:第二45度棱鏡
114:間隙
116:相機焦平面
118:光瞳
190:相機
192:馬達
200:組件
208:窗口
209:影像面

Claims (20)

  1. 一種用於測試一投影系統的方法,包括:從具有一圖案的一物體,投影一照明光束;該照明光束通過至少一成像系統,該成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,圖案化的該照明光束通過該光瞳面;及在第二種情況下,將該照明光束從一透鏡裝置反射回並通過該光瞳面至一相機,其中切換該光瞳面及一影像面位置,且其中將該光瞳面而非該物體成像在該相機上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:將在該相機處所接收到的一光瞳影像,與理想及期望強度分佈的一影像進行比較。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:利用至少一影像轉換器圖案,來檢查在該相機處所接收到的該照明光束的一對稱性,以確定多種圖案如何影響該光瞳面中的一光分佈。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:在使圖案化的該照明光束通過該投影系統之前,先使該照明光束通過一受抑稜鏡組件。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中將該照明光束從該透鏡裝置反射回並通過該光瞳面,包括:使該照明光束通過一折射透鏡;及從一彎曲鏡反射該照明光束。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該折射透鏡移動一像平面,以創建該照明光束的一偏移焦平面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中該透鏡裝置的一彎曲鏡將該光瞳面成像至該偏移焦平面上。
  8. 一種用於測試一投影系統的裝置,包括:至少一光學元件,具有配置成用以放置在一影像面附近的一第一折射表面及一第二反射表面,該至少一光學元件係配置成用以使通過一成像系統傳播的光的方向反轉,並將一光瞳成像至該影像面上;及一安裝系統係配置成用以將該至少一光學元件支撐至一數位微影系統,其中該安裝系統允許該至少一光學元件從該影像面中的一第一活動位置移動到遠離該影像面的一第二非活動位置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之裝置,更包括一馬達,配置成用以放置該至少一光學元件。
  10. 一種用於測試一投影系統的裝置,包括:至少一光學元件,具有配置成用以放置在一成像系統的一影像面附近的一第一凸表面及一第二凸表面,該至少一光學元件係配置成用以使通過該成像系統傳播的光的方向反轉,並將該成像系統的一光瞳成像在該影像面上,其中該第二凸表面係配置有一反射塗層;一安裝系統係配置成用以將該至少一光學元件支撐至一數位微影系統,其中該安裝系統允許該至少一光學元件從該影像面中的一第一活動位置移動到遠離該影像面的一第二非活動位置;及至少一個馬達,配置成用以將該安裝系統從該第一活動位置移動到該第二非活動位置。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之裝置,其中該至少一馬達是計算機控制的。
  12. 一種用於測試一投影系統的裝置,包括:至少一光學元件具有一反射表面,該反射表面係配置成用以被放置在一成像系統的一影像面附近,該至少一光學元件係配置成用以使通過該成像系統傳播的光的方向反轉,並將該投影系統的一光瞳成像到該影像面上;及一運動安裝裝置係配置成用以相對於該投影系統定位該至少一光學元件。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之裝置,其中該反射表面是凹的。
  14. 一種用於測試一投影系統的方法,包括:照明一影像轉換器、或包含有由一照明光束照明的一圖案之一遮罩之其中一者,從而產生一圖案化的該照明光束;使圖案化的該照明光束通過至少一成像系統,該至少一成像系統具有一光瞳面,在第一種情況下,該照明光束通過該光瞳面;將一透鏡裝置移入穿過該光瞳面的該照明光束中;在第二種情況下,將圖案化的該照明光束反射離開該透鏡裝置以通過該光瞳面,以對該光瞳面成像,其中藉由該透鏡裝置切換一影像面及該光瞳面的位置;在一相機處接收圖案化的該照明光束;及分析在該相機處所接收到的圖案化的該照明光束的該光瞳面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中將該透鏡裝置移入該照明光束是通過一馬達進行的。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法,更包括:移動一運動安裝裝置,以相對於該投影系統定位該透鏡裝置。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該分析需要將在相機處所接收到的一圖像與期望的強度分佈進行比較。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該分析需要利用多種影像來確定在該相機所接收到的一圖像的非對稱性,以確定是如何的非對稱,以及所導致的對準精度如何隨焦點位置及影像組成而變化。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該相機係整合到該投影系統中。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中將該照明光束反射離開該透鏡裝置,需要將該照明光束反射離開一凹形反射表面。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4309005A1 (en) * 2022-04-19 2024-01-24 Applied Materials, Inc. Digital lithography apparatus with autofocus position control and methods of use thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009129974A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method of measuring a property of a substrate
KR101119723B1 (ko) * 2003-09-26 2012-03-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래피 투영 노광
US20120092636A1 (en) * 2009-04-30 2012-04-19 Asml Netherlands B.V. Metrology Apparatus, Lithography Apparatus and Method of Measuring a Property of a Substrate
TW201413400A (zh) * 2008-09-22 2014-04-01 Asml Netherlands Bv 微影裝置、可程式化圖案化器件及微影方法
KR20140141660A (ko) * 2012-06-08 2014-12-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101738288B1 (ko) * 2013-03-14 2017-05-19 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투영 노광 장치의 광학 대칭 특성 측정

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101653514B1 (ko) * 2005-06-02 2016-09-01 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 대물 렌즈
US10216096B2 (en) * 2015-08-14 2019-02-26 Kla-Tencor Corporation Process-sensitive metrology systems and methods

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101119723B1 (ko) * 2003-09-26 2012-03-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래피 투영 노광
WO2009129974A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method of measuring a property of a substrate
TW201413400A (zh) * 2008-09-22 2014-04-01 Asml Netherlands Bv 微影裝置、可程式化圖案化器件及微影方法
US20120092636A1 (en) * 2009-04-30 2012-04-19 Asml Netherlands B.V. Metrology Apparatus, Lithography Apparatus and Method of Measuring a Property of a Substrate
KR20140141660A (ko) * 2012-06-08 2014-12-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101738288B1 (ko) * 2013-03-14 2017-05-19 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투영 노광 장치의 광학 대칭 특성 측정

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