JP2020122930A - 計測装置、露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 被検物体の位置を計測する計測装置であって、
前記被検物体を照明光で照明する照明系と、
前記被検物体からの検出光を、前記被検物体の像を検出する光電変換素子に結像する結像系と、
前記照明系と前記結像系との間に配置された反射型偏光子及びλ/4板とを含み、前記反射型偏光子及び前記λ/4板を介して前記照明光と前記検出光とを分離する分離系と、
を有し、
前記分離系は、前記反射型偏光子と前記λ/4板との間に配置された少なくとも1つの光学部材を含み、
前記照明系及び前記結像系の少なくとも一方は、偏光子を含むことを特徴とする計測装置。 - 前記偏光子は、透過型偏光子を含むことを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 前記照明系及び前記結像系のそれぞれは、偏光子を含み、
前記反射型偏光子は、S偏光に対する反射率がP偏光に対する反射率よりも高く、
前記照明系に含まれる前記偏光子は、S偏光に対する透過率がP偏光に対する透過率よりも高く、
前記結像系に含まれる前記偏光子は、P偏光に対する透過率がS偏光に対する透過率よりも高いことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。 - 前記照明系に含まれる前記偏光子は、S偏光に対する透過率が100%であり、P偏光に対する透過率が1%であり、
前記結像系に含まれる前記偏光子は、P偏光に対する透過率が100%であり、S偏光に対する透過率が1%であることを特徴とする請求項3に記載の計測装置。 - 前記照明系及び前記結像系のそれぞれは、偏光子を含み、
前記反射型偏光子は、P偏光に対する反射率がS偏光に対する反射率よりも高く、
前記照明系に含まれる前記偏光子は、P偏光に対する透過率がS偏光に対する透過率よりも高く、
前記結像系に含まれる前記偏光子は、S偏光に対する透過率がP偏光に対する透過率よりも高いことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。 - 前記少なくとも1つの光学部材は、前記照明光の反射を抑制する反射防止膜が設けられた透過部材を含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記透過部材は、ダイクロイックプリズムを含むことを特徴とする請求項6に記載の計測装置。
- 前記少なくとも1つの光学部材は、前記照明光の反射を抑制する反射防止膜が設けられた全反射プリズムを含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記照明系は、前記被検物体を前記照明光で暗視野照明することを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記照明系に含まれる前記偏光子は、前記照明系の光軸に対して傾けて配置され、
前記結像系に含まれる前記偏光子は、前記結像系の光軸に対して傾けて配置されていることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の計測装置。 - 前記偏光子は、前記被検物体と光学的に共役な面からシフトした面に配置されていることを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記照明光は、300nm以上の波長帯域の幅を有することを特徴とする請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記光電変換素子で検出された前記被検物体の像に基づいて、前記被検物体の位置を求める制御部を更に有することを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板を保持するステージと、
前記基板の位置を被検物体の位置として計測する請求項1乃至13のうちいずれか1項に記載の計測装置と、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記ステージの位置を制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項14に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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