JPS62181431A - 自動整合装置 - Google Patents

自動整合装置

Info

Publication number
JPS62181431A
JPS62181431A JP62014381A JP1438187A JPS62181431A JP S62181431 A JPS62181431 A JP S62181431A JP 62014381 A JP62014381 A JP 62014381A JP 1438187 A JP1438187 A JP 1438187A JP S62181431 A JPS62181431 A JP S62181431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light
reticle
scattered light
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62014381A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiyoshi Suzuki
章義 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62014381A priority Critical patent/JPS62181431A/ja
Publication of JPS62181431A publication Critical patent/JPS62181431A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体へのパターン焼付(露光)装置の自動整
合装置に関する。
半導体チップはSi、  その他の半導体基板の中に複
雑な回路パターンを何重にも重ね合わせる事によって作
製される。微細化に当っての問題点の1つは如何に細か
いパターンを半導体基板上に焼きつけられるかというこ
とであり、もう1つは何層にも重ね合わされる回路パタ
ーン同志に如何に正確に位置合わせできるかという事で
ある。一般に位置合わせの精度は回路パターンの最小線
幅のI15〜1710以下の酷しい値が要求される。従
って現実には位置合せ(アライメント)の精度がチップ
製作の場合の制約になっている事も少なく無い。近年、
このアライメント作業を自動的に行う機能、所謂オート
アライメント機能を持った装置が登場してきたのはこの
様な背景によっている。オートアライメントは位置合わ
せ作業という単純な繰り返し作業から人間を解放し、作
業の高速化、均質化。
高精度化をもたらした。
オートアライメントの装置を設計する際の問題点は、処
理すべき信号を如何にうま(検出するかという事である
。電気の信号処理は人間が直接口で見て判断し、アライ
メント作業を行う程フレキシビリティに富んでいるわけ
ではない。従って信号をS/N比良(検出してやる為の
特別な工夫が焼き付け、或いは観察光学系に対して要求
される。位置合わせの対象となるレチクル(マスク)は
硝子基板に対し、クロム又はクロム−酸化クロムの薄膜
が付着し、それがパターニングされているといった単純
な構造をしている。然し乍らもう一方の対象物であるウ
ェハは何重もの回路の重ね焼き、それに伴う不純物拡散
その他の処理を受け、表面状態が千変万化する。又ウェ
ハの上には焼き付けを行う為、必ずフォトレジストの薄
膜が塗布されており、そのフォトレジストの膜厚の絶対
値、膜厚のムラ等もウェハ信号の検出に際して大きな影
響を与える。
対象物としてこの様に多様な性質を持ったウェハに対処
し、S/N比の良い信号を検知する為には従来種々の方
法が知られている。代表的なものとして本出願人になる
レーザ光で走査する方法(特開昭52−132851)
がある。この出願では輝度の高い光源としてレーザを用
いて物体面にレーザスポット又はスリットを結像し、そ
れを走査する。更にこの出願ではS/N比を光学的に向
上させる為、光電的に検出する信号を散乱光のみとする
事を特徴としている。この方法をそのままレチクルを通
してウェハを観察するアライメントスコープに適用した
場合には、レーザ光の干渉性が問題となる。
特にレチクルからの信号はレチクルから直接散乱して(
る“光と、散乱した後ウェハを介して戻ってくる光とが
干渉して、時間的に揺動し、測定の不安定性を招く原因
となる。この干渉現象を除く為偏光を利用する方法が特
開昭56−24504に示されている。この出願ではレ
チクルとウェハの間の光学系の中にλ/4板に相当する
様な素子を配置してレチクルからの直接散乱光と、そう
でない光とを偏光的に分離する事を特徴としている。光
学系の中にλ/4板相当の素子を入れなければならない
事は設計上大きな制約となる。この為、従来は焼き付は
時とアライメント時にレンズの一部を切り換えてアライ
メント用のレンズにλ/4板を配置したり、光学系のミ
ラーに特殊なコーティングを施したりする事により、こ
の条件を満足させていた。
本発明は従来の焼き付は光束の通る空間の中にλ/4板
相当のものを配置するという制約を取り除き、新しい方
式でレチクルとウェハの信号を検知する事を目的とする
。本発明では、更にその検知信号に基いてレチクルとウ
ェハの相対的な自動位置合せが行われる。
更に本発明では露光光学系の色収差の影響を受けず、露
光光学系の色に対する制約、即ち焼き付は波長とアライ
メント波長の違いによる問題を解決することを目的とす
る。
更に本発明では露光光学系の性質に合致した方式をとる
事により、レチクル及びウェハ信号を効率良く取り出す
ことを目的とする。この為、本発明ではレチクルとウェ
ハの間にアライメント波長に対応した偏光ビームスプリ
ッタを用いる事を特徴としている。
本発明の詳細を以下の実施例に示す。
本発明に関連した実施例をステップ・アンド・リピート
方式の露光装置、所謂ステッパに応用した場合の例を第
1図に示す。図中1はレチクル又はマスク、2はウェハ
、3はウェハを載置するステージである。4はレチクル
(マスク)のP4Qウニハトに縮小又は等倍で露光する
露光光学系を示し、4−1が該光学系の前群、4−2が
後群を示す。本実施例では露光光学系の一部として4−
1と4−2の間にビームスプリッタ5が配置されている
。ビームスプリッタ5はアライメント用の波長と露光用
の波長が異なる場合、アライメント光には偏光ビームス
プリッタ、露光光には単なる平行平面板として働く。
アライメント光と露光光の波長が同一と見做せる様な場
合にはビームスプリッタとしての作用が優先される。ビ
ームスプリッタ5は、例えば露光光学系4の瞳の位置に
配置されると都合が良い。第1図では瞳の位置にビーム
スプリッタ5が配置された場合を示している。
レーザ源14を出たレーザ光は集光レンズ13を通って
回転多面鏡】2に入る。回転多面鏡12の回転に伴って
走査されるビームはリレーレンズ10を通過後ビームス
プリッタ5に入射する。ビームスプリッタ5で光は2分
されるわけであるが、偏光型のレーザを用いる際には予
めレーザの偏光方向を定めておくか、又は第1図の9の
様にλ/4板、又はλ/2板の様な偏光状態を調整する
素子を入れても差し支えない。12とIOの間には光電
検出系へ導く為のビームスプリッタ11が設けられてい
るが、IIとして偏光ビームスプリッタを用いれば、リ
レーレンズ10に入る光の偏光方向が自然と定まってし
まう。その場合には9としてλ/4板を用いて偏光状態
を調整すると便利である。ビームスプリッタ5はレンズ
の瞳位置に置かれているとしたが、回転多面鏡の反射点
と瞳位置とは互いに共範関係となっている。スプリッタ
5で反射したビームは光学系4−2を通すウエハ2の上
に結像し、鏡12の回転に伴ってウェハ2上のアライメ
ントマーク部分を走査する。
リレーレンズ10は光学系4−2を介してウェハ2の上
面にレーザスポット光が結像する様に収差補正が為され
る。ウェハ2で反射した光は再び偏光ビームスプリッタ
で反射し、リレーレンズ10に戻ってから、15〜17
の光電検出系に入る。15は暗視野時検出を行う為の空
間周波数フィルタ、16はコンデンサーレンズ、17は
フォトディテクタである。
暗視野フィルタ15はポリコンの反射点と共範の位置に
ある。レーザスポット光がウェハ2上を走査しても鏡1
2の反射点は空間的な不動点であり、従って空間周波数
フィルタ15上でもウェハ2而で正反射して戻って来る
光の位置は不動である。鏡12から投射される光は図中
斜線を引いて示しである。
光電検出系では散乱光のみの出力が検知される。
即ち、ウェハ2で反射される光のうち散乱されない光は
投光する斜線部内の光束に再び入ってしまい、結局空間
周波数フィルタ15でブロックされる。一方、アライメ
ントマークのパターンエツジでの散乱光は正反射に従わ
ない為、斜線部以外の部分の光路を通る。空間周波数フ
ィルタ15の位置では、従って散乱光と非散乱光が空間
的に分離した形であられれる。フィルタ15の効果で散
乱光のみが透過し、フォトディテクタエフに入る。
一方、偏光ビームスプリッタ5を透過した光はレチクル
のアライメントマーク情報を検知する為に用いられる。
この原理について説明する。スプリッタ5を透過した光
はλ/4板6に入射する。6の作用はミラー8で反射し
て戻ってくる光の偏光方向を変える役目を果たす。偏光
方向が変った光は、今度は偏光ビームスプリッタ5で反
射して露光光学系の前群4−1に入り、レチクル1の下
面のアライメントマーク部分に到達する。
レーザスポット走査の原理からしてレーザ光14からの
光はレチクルlの下面でスポットを結ばなければならな
い。その役目を担うのがレンズ7とミラー8である。そ
の為ビームスプリッタ5が光学系の瞳位置にある場合、
レンズ7はテレセントリックレンズである必要がある。
レチクル1の下面にスポットを結像させる為にはレンズ
7の光軸方向にミラー8の位置を調整すれば良い。レチ
クルlの下面で反射、或いは散乱して戻ってきた光は先
ずスプリッタ5で反射してλ/4板6を通り、ミラー8
で反射し再びλ/4板6を通る。この時偏光方向が回転
する為、今度はスプリッタ5を通過する偏光方向となっ
てリレーレンズ系10からフォトディテクタ17へ導か
れて行(。
一般に瞳の位置へ偏光ビームスプリッタを入れた構成を
とると、ミラー8の位置はレンズ7の焦点位置近傍にあ
る。7から8に至る系は一種のキャッツアイ光学系を構
成している。このキャッツアイ光学系は一方で露光光学
系4−1を通してレチクル下面にレーザスポットを結ば
せている。即ち、レーザスポットをレチクル下面にもウ
ェハ上面にも同時に結像させる事が可能となったのであ
る。露光光学系4が焼き付は用の波長、例えばg線(4
36nm)に対して設計された時、レーザ源14の波長
としてHe −N eの633nmの光を選ぶと、一般
には両者の値に大きな色収差が発生する。g線でレチク
ルlとウェハ2のピントを合わせたとすると、633n
mではウェハ上でレチクル像が太き(デフォーカスして
しまう。しかし、本実施例では7以下の補助光学系を用
いる事により、g線でピントの合った状態で、レチクル
とウェハ双方に633nmのスポットを形成する事がで
きる。
レチクルからの信号も同じ様に散乱光で捉えられる。こ
の様子は第1図のマスク側の斜線を引いた光束の振舞い
から明らかである。回転多面鏡12の回転に伴ってウェ
ハ上面、及びマスク下面を走査した時に得られる散乱光
信号はフォトディテクタ17で検知され、増幅器18.
パルス整形回路19を通った後、信号処理系20に入る
。処理系20から得られる信号に基づいてウェハ駆動装
置21でマスク1とウェハ2の相対位置の調整を行う。
ウェハの代りにマスク1を駆動しても同じ効果が得られ
る。
その場合にはマスク側は露光光学系の倍率分だけ駆動の
精度が緩くなる。
ここで注目すべき事はマスクとウェハをそれぞれ独立に
検知しているので、マスクとウェハ間の光の干渉が全く
起こらないという事である。この為得られる信号は極め
て安定しており、繰り返し精度の良い、精度の高い計測
を行う事ができる。この安定性は本実施例の特徴であり
、以下の実施例にもすべて当てはまる。
アライメントマークとしては従来第2図の様なものが公
知である。図中25がレチクル上のマーク、26の点線
がウェハ上のマーク、そして一点鎖線で示した線27が
レーザの走査線を示している。リレーレンズ10を通し
て観察されるレチクルとウェハの像はこの様に両者が重
なって観察される。散乱光は走査線がマークに当った時
に検知され、電気的なパルス波の列に変換される。パル
ス間の相互の時間間隔を測定する事によりレチクルとウ
ェハの相対位置を検知する事ができる。
第3図に本発明に係る実施例を示した。第1図との違い
は回転多面鏡12に入射するレーザビームの状態を異な
えた為、新たにリレーレンズ31が配置された事と、光
電検出系の構成の違いである。第3図の系はレンズ31
,10.4−2を通してウェハを、又31. 10.7
.7.4−1を通してレチクル上を走査するが、双方と
もトータルとしてf−θ特性即ち走査スポットが物体面
上を等速で動(様に収差補正をする事が望ましい。第3
図中に示しであるのは走査スポットの結像関係であり、
斜線を施しである部分が入射レーザ光の有効径である。
この関係は第1図と同一である。
本実施例の最も特徴的なことは、ビームスプリッタ11
で分割された後の光電検出系である。図中32は瞳結像
レンズ、33は偏光ビームスプリッタ、]5は空間周波
数フィルタ、16はコンデンサーレンズ、17はフォト
ディテクタである。33の偏光ビームスプリッタを用い
たのは、ウェハ及びレチクルで反射して再び偏光ビーム
スプリッタで統合された2つの光の偏光方向がお互いに
直交している事実に着目したち、のである。
偏光ビームスプリッタ5に入射する光の偏光状態は、ウ
ェハ側とレチクル側に光が分れる様P、S両成分成分れ
ばならない。偏光型のレーザを用いる場合には、レーザ
光の偏光方向を予め所定の方向にしておけば良いが、例
えば9の位置にλ/4板を入れてP、S両成分を作る様
な配置も可能である。その場合には9′ の位置にもう
一つλ/4板を入れてやる必要がある。いずれにせよス
プリッタ5で再統合された光には一方の偏光方向にウェ
ハ、それと直交する偏光方向にレチクルという偏光面分
離の形で2つの情報が含まれている。これを再び分離し
て電気的に取り出し、信号処理を行うのが第3図の光電
検出系以降である。この際レチクル1からの信号は対象
物が硝子とクロム(又は酸化クロム)という反射率のか
なり異なるものなので検出は明視野で行っても良い。明
視野にするには空間周波数フィルタ15の代りに素通し
の硝子34を設けるか、又はフィルタ15を取り除いて
も良い。ウェハの信号はS/N比からして暗視野でとら
ねばならないが、暗視野で検出できる光量は明視野より
一桁近く小さくなってしまう。従って、レチクルの信号
を明視野で取る事ができれば、最初に偏光ビームスプリ
ッタに入射するP成分とS成分の比を、例えばレーザの
偏光方向を変える事によりコントロールし、その結果ウ
ェハ側により多くの光を分配する事も可能である。ウェ
ハの明視野出力がレジスト厚などの為変化しても、偏光
で分離されている為レチクルの明視野出力は安定してS
/N比を良く取り出す事ができる。
又、第3図中の35はエレクタ、36は接眼レンズを示
し、レチクルとウェハの観察光学系を示す。
観察光学系は装置の操作上必要なものであるが、第1図
と第4図では図が繁雑になる為省略し、第3図にのみ示
した。
第4図はウェハ2と露光光学系40の間に観察用光学系
41,5.42を挿入する光学系の例である。
41〜・12に至る光学系は倍率1の挿入光学系で、挿
入しても投影像の倍率及びピントを不変に保つ。この場
合にも偏光ビームスプリッタ5を活用すると良い。λ/
4仮6.補正レンズ459反射ミラー8の役割は第1図
、3図と同じである。
本実施例では露光光学系40を介さずにウエノ1を直接
観察する事ができる点でメリットがある。露光光学系の
開口数NAが小さい場合でも高いアライメント精度が要
求される事がある。その場合にはウェハを如何に分解能
良く観察できるかが問題となる。レチクルはエツジもは
っきりしていて観察し易いのに対して、ウェハは構造が
複雑だからである。本実施例では露光光学系の開口数N
Aに関係なく観察光学系の開口数NAを設定する事がで
きるので、走査スポット径を露光光学系を通した場合よ
りも小さくする事ができる。走査スポット径を小さくす
るという事は走査スポットの開口数NAを大きくする事
に対応する。露光光学系で全系としての開口数NAが定
まっているので、走査スポットの開口数NAを太き(す
ると散乱光を取り出す全系がなくなり、検出する光電検
出出力が減少する。第4図で言えば全系の通る光束のう
ち、斜線部の占める割合が大きくなって散乱光を検出す
る部分が少なくなってしまう事に相当する。従って、ウ
ェハを直接観察するシステムは露光光学系の開口数NA
より大きい開口数NAで光を検出できる為、露光光学系
を介する方式に比べ有利である。
第4図の様な系は又、露光光学系40の透過率が悪い場
合に有利である。何故ならば、検出の難しい対象である
ウェハを直接しかも露光光学系の透過率による劣化を考
慮せずに検出する事ができるからである。一方レチクル
の方の信号は一旦ミラー8で反射した後、λ/4板6の
効果で偏光ビームスプリッタ5で反射する。然る後に露
光光学系40を通って不図示のレチクルlで反射散乱し
、再び元来た道を出る。第4図では瞳結像レンズ44.
空間周波数フィルタ15等を配置し、第1図に似た構成
をとっているが、勿論第3図の様な構成も可能である。
レチクルからの散乱光はS/N比が良いので、第4図の
様な方式でも十分良い信号がとれる。
この他変形例としては、レチクルと露光光学系側に偏光
ビームスプリッタを配置する例もあるが、第4図の系を
そのまま適用できるので、図示は省略する。
又、本発明はレーザ走査方式に限らず、他のオートアラ
イメントの手法、例えばTVやイメージセンサを用いる
方式にも容易に適用できる。
本発明により焼き付は光で互いに共範であるレチクルと
ウェハをそのままの状態で、アライメント光でピントを
合わせて検出が可能である。又、アライメント波長も任
意に選ぶ事ができる。
又、本発明はレチクルとウェハ間の干渉を無くし、両者
の信号を独立にとり出す事を可能とした。
この為安定した計測が可能となり、測定精度が向上した
本発明の別の効果はウェハを直接観察し、ウェハを高い
開口数N八で検出てきる事である。即ち、検出の分解能
を高め、オートアライメント精度の向上に寄与している
本発明の更に別の効果は、露光光学系の透過率に合わせ
た配置をとる事を可能にした事である。この為、アライ
メント波長に対して露光光学系の透過率が低い場合でも
、本発明は充分に対処し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に関連した実施例の自動整合装置を露光
装置に応用した場合の配置図、 第2図はアライメントマークを示す図、  ・′第3図
は本発明に係る実施例を示す図で複数のディテクタの側
口、 第4図は第1図の他の実施例を示す図で露光光学系とウ
ェハの間に検出光学系を置く側口である。 図中1はレチクル、2はウェハ、3はウェハ載置台、4
,40は投影光学系、5は偏光ビームスプリッタ、6は
λ/4板、7は補正レンズ、8はミラー、10はレンズ
、12は回転多面鏡、14はレーザ、15は空間周波数
フィルター、I7は)第1・ディテクタ、20は信号処
理回路、25.26はオートアライメントマーク、;3
3は偏光ビームスプリッタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の基板のパターンを第2の基板上に露光するための
    露光手段と、前記第1基板に関連した第1のアライメン
    トマーク情報を明視野にて光電変換する第1の光電変換
    手段と、前記第2基板に関連した第2のアライメントマ
    ーク情報を暗視野にて光電変換する第2の光電変換手段
    と、前記第1、第2光電変換手段から出力信号に基づい
    て前記第1、第2の基板を相対的の整合する手段とを備
    えたことを特徴とする露光装置の自動整合装置。
JP62014381A 1987-01-23 1987-01-23 自動整合装置 Pending JPS62181431A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62014381A JPS62181431A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 自動整合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62014381A JPS62181431A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 自動整合装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57184000A Division JPS5972728A (ja) 1982-10-20 1982-10-20 自動整合装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62181431A true JPS62181431A (ja) 1987-08-08

Family

ID=11859466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62014381A Pending JPS62181431A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 自動整合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62181431A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020122930A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 キヤノン株式会社 計測装置、露光装置及び物品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020122930A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 キヤノン株式会社 計測装置、露光装置及び物品の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0121614B2 (ja)
JP2514037B2 (ja) 検知光学系
JP3033135B2 (ja) 投影露光装置及び方法
US5721605A (en) Alignment device and method with focus detection system
JPH03155112A (ja) 露光条件測定方法
CN101114134A (zh) 用于投影扫描光刻机的对准方法及微器件制造方法
JPS6337321B2 (ja)
JPH0785466B2 (ja) 位置合せ装置
US4614432A (en) Pattern detector
JP2897330B2 (ja) マーク検出装置及び露光装置
JPS63220521A (ja) 焦点合せ装置
GB2105860A (en) Projection printing
JPH10172898A (ja) 観察装置、位置検出装置および該位置検出装置を備えた露光装置
JPS638402B2 (ja)
US4710029A (en) Projection type exposing apparatus
JPH035651B2 (ja)
JPS62181431A (ja) 自動整合装置
JPH08213306A (ja) 位置検出装置及び該装置を備えた投影露光装置
JPS62181432A (ja) 自動整合装置
US6313916B1 (en) Position detecting system and projection exposure apparatus with the same
JPH0762604B2 (ja) アライメント装置
JPS649606B2 (ja)
JPS58213207A (ja) アライメントマーク検出方法
JP7418112B2 (ja) パターン形成装置、及び物品の製造方法
JP2771136B2 (ja) 投影露光装置