JPH0836253A - 位相シフトレチクル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の製造工程、特に回路パターンな
どを転写するリソグラフィー工程に利用する半透過膜を
用いた位相シフトレチクルに関し、遮光膜を設けること
なくデバイス領域の多重露光を阻止すると共に、安定し
て位置検出信号を得ることができる位相シフトレチクル
を提供する。 【構成】 透明なガラス基板１０上に、入射光の位相を
シフトする半透過膜１２によるパターン２０が形成され
た位相シフトレチクルにおいて、パターン２０におけ
る、入射光を阻止すべき遮光部は、半透過膜１２の形成
されていない領域と半透過膜１２の形成された領域が繰
り返して配列された繰り返しパターンにより形成されて
おり、繰り返しパターンが配列された周期と、半透過膜
１２の形成されていない領域と半透過膜１２の形成され
た領域との面積比が、入射光を遮光するように定められ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工
程、特に回路パターンなどを転写するリソグラフィー工
程に利用する位相シフトレチクルに関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の微細化にともない、光リソグ
ラフィーによるパターニングは露光波長を短波長化して
解像度を改善してきた。しかし、短波長化だけではパタ
ーンの解像度を向上することが難しくなってきた。この
ため、パターンの原版であるレチクルに光の位相を変化
するシフターを設け、シフターを透過する光に位相差を
もたせることにより解像度を向上できる位相シフトレチ
クルが提案されている。

【０００３】位相シフトレチクルは、クロム（Ｃｒ）等
により形成された遮光領域とシフター領域の配置によ
り、様々なパターンが提案されている。例えば、ホール
のような孤立パターンに対して有効な方法としては、遮
光領域の周辺にシフターを設けるエッジ強調型レチクル
や、透過領域の５〜２０％程度の光透過率を有する半透
過領域によりパターンを形成するハーフトーンレチクル
等がある。

【０００４】ハーフトーンレチクルは、光を透過する透
過領域と、光透過率が５〜２０％程度で、透過した光の
位相が反転する半透過部から構成されている。例えば、
ガラス基板１０上に単層の半透過膜１２が形成されてお
り、この半透過膜１２により光透過率を減少し、位相を
反転する構造（図１（ａ））や、遮光薄膜１４と透明膜
１６の２重構造により半透過膜１２が形成され、遮光薄
膜１４により透過率を制御し、透明膜１６により位相を
反転する構造（図１（ｂ））がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】通常のレチクルは、デ
バイスパターンの存在する領域以外の領域は遮光部にな
っている。これは、ステッパーを用いてウェーハ上に露
光する際に、デバイスパターンの領域以外に透過部があ
ると、隣あうチップのデバイス領域が多重露光されてし
まうためである。

【０００６】しかしながら、上記従来の半透過膜１２を
用いたハーフトーン型の位相シフトレチクルでは、半透
過膜１２の他に遮光膜を設けることは製造工程上難しい
ため、現状ではデバイスパターンの存在する領域Ｄ以外
の領域も半透過部１８としている（図８（ａ））。この
ため、半透過部の光透過率が５〜２０％程度であったと
しても、隣あうチップを露光する際に本来露光されるべ
きでない場所が露光されたり、多重露光されることによ
りレジストが変成するといった問題があった（図８
（ｂ））。

【０００７】また、ハーフトーン型の位相シフトレチク
ルでは、下地のパターンと露光するパターンとをアライ
メントするための位置合わせマークも半透過膜１２によ
り形成される。このため、位置合わせする際の検出光の
信号のコントラストが弱くなり、検出感度が劣化すると
いった問題があった。本発明の目的は、半透過膜を用い
た位相シフトレチクルにおいて、遮光膜を設けることな
く多重露光を阻止すると共に、従来のレチクル製造プロ
セスを変更する必要がない位相シフトレチクルを提供す
ることにある。

【０００８】また、本発明の目的は、上記の位相シフト
レチクルを用いた際に、安定して位置検出信号を得るこ
とができる位相シフトレチクルを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、透明なガラ
ス基板上に、入射光の位相をシフトする半透過膜による
パターンが形成された位相シフトレチクルにおいて、前
記パターンにおける、前記入射光を阻止すべき遮光部
は、前記半透過膜の形成されていない領域と前記半透過
膜の形成された領域が繰り返して配列された繰り返しパ
ターンにより形成されており、前記繰り返しパターンが
配列された周期と、前記半透過膜の形成されていない領
域と前記半透過膜の形成された領域との面積比が、前記
入射光を遮光するように定められていることを特徴とす
る位相シフトレチクルにより達成される。

【００１０】また、上記の位相シフトレチクルにおい
て、前記遮光部は、デバイスパターンの存在しない前記
位相シフトレチクルの周辺部であることを特徴とする位
相シフトレチクルにより達成される。また、上記の位相
シフトレチクルにおいて、前記遮光部は、前記位相シフ
トレチクルを位置合わせするための位置合わせマークで
あることを特徴とする位相シフトレチクルにより達成さ
れる。

【００１１】また、上記の位相シフトレチクルにおい
て、前記位置合わせマークは、少なくとも３周期の前記
繰り返しパターンにより形成されていることを特徴とす
る位相シフトレチクルにより達成される。また、上記の
位相シフトレチクルにおいて、前記半透過膜は、前記入
射光の位相をほぼ反転する半透過膜であり、露光装置の
光源の波長をλ、前記露光装置における投影レンズの開
口数をＮＡ、前記光源の大きさの前記投影レンズの占め
る割合をσ、前記半透過膜の光強度透過率をＴとしたと
きに、前記繰り返しパターンは、λ／ＮＡ（１＋σ）以
下の周期をもって形成され、前記遮光部において、前記
半透過膜の形成されていない領域の面積が、前記半透過
膜の形成された領域の面積のほぼ√Ｔ倍であることを特
徴とする位相シフトレチクルにより達成される。

【００１２】また、上記の位相シフトレチクルにおい
て、前記半透過膜は、前記入射光の位相をほぼ反転する
半透過膜であり、前記位相シフトレチクルの位置合わせ
を行うための位置合わせ光学系の光源の波長をλ、前記
位置合わせ光学系の投影レンズの開口数をＮＡ、前記半
透過膜の光強度透過率をＴとしたときに、前記繰り返し
パターンは、λ／２ＮＡ以下の周期をもって形成され、
前記遮光部において、前記半透過膜の形成されていない
領域の面積が、前記半透過膜の形成された領域の面積の
ほぼ√Ｔ倍であることを特徴とする位相シフトレチクル
により達成される。

【００１３】また、上記の位相シフトレチクルにおい
て、前期繰り返しパターンは、前記半透過膜により形成
された複数の直線状パターンが一定の間隔をもって平行
に配置されているラインアンドスペースパターンである
ことを特徴とする位相シフトレチクルにより達成され
る。また、上記の位相シフトレチクルにおいて、前記繰
り返しパターンは、四角形状の開口部が前記半透過膜に
設けられた矩形開口パターンであることを特徴とする位
相シフトレチクルにより達成される。

【００１４】

【作用】本発明によれば、レチクル上に形成するパター
ンの繰り返し周期を、パターンにより回折される回折光
がウェーハに入射しないように設定し、また、ウェーハ
に入射する０次光の光強度が０になるように透過部と半
透過部の面積を設定したので、ウェーハに入射する光を
遮光することができる。これにより、上記パターンをデ
バイス領域外のレチクル周辺部に形成した場合には、遮
光膜をもたないハーフトーン型の位相シフトレチクルを
用いた際にも周辺のチップの多重露光を防ぐことができ
る。

【００１５】また、レチクルの位置合わせマークを、パ
ターンにより回折される回折光がウェーハに入射しない
ピッチをもつ繰り返しパターンにより形成し、また、ウ
ェーハに入射する０次光の光強度が０になるように透過
部と半透過部の面積を設定したので、半透過膜により位
置合わせマークを形成した場合にも安定して位置検出を
行うことができる。

【００１６】さらに、レチクルの位置合わせマークを、
３周期以上の繰り返しパターンにより形成したので、露
光装置のデフォーカス等による検出信号のコントラスト
への影響が少なくなり、安定して位置検出を行うことが
できる。

【００１７】

【実施例】本発明の第１の実施例による位相シフトレチ
クルを、図１乃至図４を用いて説明する。図１は位相シ
フトレチクルの構造を示す概略図、図２はレチクル上に
形成されたパターンをウェーハに転写する際の光学系の
模式図、図３は本実施例における０次光の光強度を０に
する方法を説明する図、図４は本実施例による位相シフ
トレチクルのパターン例を示す図である。

【００１８】本実施例の原理は、半透過膜により回折さ
れた光が投影レンズに入射しないようなパターンを形成
するとともに、回折せずに入射する０次光を打ち消すこ
とにより、遮光部を形成するものである。はじめに、本
実施例による位相シフトレチクルの原理を説明する。ハ
ーフトーン型の位相シフトレチクルは、ガラス基板１０
上に単層の半透過膜１２が形成されており、この半透過
膜１２により光透過率を減少し、位相を反転する構造
（図１（ａ））や、遮光薄膜１４と透明膜１６の２重構
造により半透過膜１２が形成され、遮光薄膜１４により
透過率を制御し、透明膜１６により位相を反転する構造
（図１（ｂ））がある。

【００１９】これらの位相シフトレチクルを用いてウェ
ーハ２４上にパターンを転写するには、図２に示すよう
に、光源から発した光をレチクル１８に入射し、レチク
ル１８上に形成されたパターン２０により回折された光
を投影レンズ２２により集光し、ウェーハ２４上に結像
する。このとき、レチクル１８上に形成されたパターン
２０がピッチＰの繰り返し周期をもつ場合、パターン２
０によって回折される光はその回折角度の小さい順に０
次光、１次光、２次光、…、となるが、投影レンズ２２
に入射できないほど大きな回折角を有する高次の回折光
はウェーハ２４には到達せず、結像には寄与しない。例
えば図２では、３次以上の回折光はウェーハ２４には到
達しない。

【００２０】パターン２０によって回折された各回折光
間の角度θは、 ｓｉｎθ＝λ／Ｐ …（１） で与えられる。ここで、λは露光装置の光源波長であ
る。式（１）から判るように、ピッチＰが小さければ小
さいほど回折角は大きくなる。ここでステッパーの光源
を点光源と仮定し、光学系の開口数をＮＡとして式
（１）を書き換えると、 Ｐ≦λ／ＮＡ …（２） となり、ピッチＰがλ／ＮＡ以下になると回折光は投影
レンズ２２に入射できなくなる。

【００２１】ところで、ステッパーの光源は大きさをも
ち、通常、ＮＡに対する光源の大きさの割合であるσを
用いて記述されるので、σを用いて式（２）を一般化す
ると、 Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ）） …（３） のように書き換えることができる。

【００２２】このようにして、レチクル１８上のパター
ン２０のピッチＰが式（３）の条件を満たすように配置
することにより、１次以上の回折光の入射を阻止するこ
とができる。次に、パターン２０によって回折せずにウ
ェーハ２４に入射する０次光の光強度を０にする方法を
説明する。

【００２３】図３（ａ）に示すような、透過部２６と、
透過部２６に対して１０％の光強度透過率Ｔを有する半
透過部２８の線幅が１：１であるラインアンドスペース
パターンをもつレチクル１８を用いてウェーハ２４に露
光する。このとき、レチクル１８の振幅透過率は図３
（ｂ）に示すような形状となる。パターン２０のピッチ
Ｐが式（３）を満たすとき、ウェーハ２４に入射する光
は回折せずに入射する０次光のみとなる。即ち、光源か
ら発した光の振幅を１とすると、透過部２６を通過した
光は振幅が変化せずに１のままであるが、半透過部２８
を通過した光は位相が反転し、また、振幅透過率は強度
透過率Ｔの平方根であるので、振幅は約０．３１６（＝
√０．１）となる。

【００２４】ここで、０次光の光強度は振幅を積分した
ものであるので、この積分値を０にすることができれば
０次光の光強度は０にすることができる。即ち、図３
（ｃ）に示すように、領域Ａと領域Ｂの面積が等しくな
るような繰り返しパターンをレチクル１８上に形成すれ
ばよい。従って、透過部２６の面積をＡ、半透過部２８
の面積をＢとすると、 Ａ：Ｂ＝１：１／（√Ｔ） …（４） を満足するパターンをレチクル１８上に形成すればよ
い。

【００２５】以下に例を挙げて詳細に説明する。 ［実施例１］投影レンズ２２の開口数ＮＡが０．５７、
ＮＡに対する光源の大きさの割合σが０．３のステッパ
ーで、光源波長３６５ｎｍのｉ線を露光する。このと
き、式（３）よりパターンのピッチＰを、 Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ））＝０．３６５／０．５７
（１＋０．３）≦０．４９２［μｍ］ とすれば、１次以上の回折光を入射を阻止することがで
きる。

【００２６】また、式（４）より、半透過部２８におけ
る光強度透過率Ｔを１０％とすると、半透過部２８にお
ける振幅透過率は約０．３１６（＝√０．１）となるの
で、レチクル１８上の透過部２６の面積Ａと半透過部２
８の面積Ｂとの関係を、 Ａ：Ｂ＝１：１／０．３１６＝１：３．１６ とすればよい。

【００２７】レチクル１８上のパターンとして、図４
（ａ）に示すようなラインアンドスペースを用いた場合
には、透過部２６の線幅Ｓと半透過部２８の線幅Ｌとの
比は、 Ｓ：Ｌ＝１：３．１６ となるので、繰り返し周期であるピッチＰを０．４９２
μｍとすると、 Ｓ＝０．３７４μｍ、 Ｌ＝０．１１８μｍ とすることにより、ウェーハ２４に入射する０次光の光
強度を０にすることができる。

【００２８】上記の光学系及びパターンを用い、光強度
シミュレーションを行った結果、相対的な光強度値は約
０．０００００６であり、入射光は上記パターンにより
遮光することができた。 ［実施例２］実施例１と同様の光学系のステッパーを用
い、図４（ｂ）に示すような矩形開口のパターンをもつ
レチクル１８を露光する。実施例１と同様に、レチクル
１８上の透過部２６の面積Ａと半透過部２８の面積Ｂの
比を、Ａ：Ｂ＝１：３．１６、とすればよいので、繰り
返し周期であるピッチＰを０．４９２μｍとすると、 Ａ＝０．１８４μｍ² Ｂ＝０．０５８μｍ² とするために、一辺の長さが０．１７μｍの矩形開口部
３０を図４（ｂ）のように配置すればよい。

【００２９】上記の光学系及びパターンを用い、光強度
シミュレーションを行った結果、相対的な光強度値は約
０．００００２７であり、入射光は上記のパターンによ
り遮光できた。このように、本実施例によれば、レチク
ル１８上に形成するパターン２０の繰り返し周期である
ピッチＰを、パターン２０により回折される回折光がウ
ェーハ２４に入射しないように設定し、また、ウェーハ
２４に入射する０次光の光強度が０になるように透過部
２６と半透過部２８の面積を設定したので、ウェーハ２
４に入射する光を遮光することができる。これにより、
上記パターンをデバイス領域外のレチクル周辺部に形成
した場合には、遮光膜をもたないハーフトーン型の位相
シフトレチクルを用いた際にも周辺のチップの多重露光
を防ぐことができる。

【００３０】なお、本実施例では、レチクル１８上に形
成するパターンは、ラインアンドスペースパターン及び
矩形開口パターンとしたが、式（３）を満足する繰り返
し周期をもち、透過部２６と半透過部２８との面積比が
式（４）を満足するパターンであれば同様の効果を得る
ことができるので、上記パターンに限定されるものでは
ない。但し、複雑なパターンを形成するとデータ変換や
電子ビーム露光の際に多量の時間を必要とするので、簡
単なパターンであるラインアンドスペースや矩形開口パ
ターンが望ましい。

【００３１】また、上記パターンは、デバイス領域外の
レチクル周辺に用いる他に、デバイスパターンにおける
遮光領域に用いてもよい。次に、本発明の第２の実施例
による位相シフトレチクルを、図５乃至図７を用いて説
明する。図５は本実施例による位置合わせマークの概略
図、図６は本実施例による位置合わせマークにおける２
次元光強度シミュレーション結果、図７は位置合わせマ
ークの欠陥を説明する図である。

【００３２】本実施例による位相シフトレチクルは、位
置合わせマークが所定のピッチをもつラインアンドスペ
ースパターンにより形成されていることに特徴がある。
即ち、図５に示すように、レチクルの両端に設けられた
十字型の位置合わせマーク３２は、ラインアンドスペー
スパターンにより形成されている。また、その方向は、
位置合わせ用光学系の位置検出方向に対して垂直になる
ように配置されている。

【００３３】以下に例を挙げて詳細に説明する。レチク
ル１８の位置合わせ用光学系のレンズの開口数ＮＡが
０．５０であるときに、光源波長３６５ｎｍのｉ線を用
いて位置合わせをする。このとき、位置合わせマーク３
２をラインアンドスペースパターンにより形成し、その
繰り返し周期であるピッチＰを、第１の実施例における
式（３）の条件を満たすように設定する。即ち、 Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ）） …（３） とする。ここで、位置合わせ用光学系におけるσは通常
１であるので、 Ｐ≦λ／２ＮＡ＝０．３６５／（０．５×２）＝０．３
６５μｍ となり、０．３６５μｍ以下のピッチでラインアンドス
ペースパターンを形成すればよい。

【００３４】さらに、第１の実施例における式（４）を
満たすように、透過部２６と半透過部２８の線幅を設定
する。即ち、半透過部２８における光強度透過率Ｔを１
０％とすると、レチクル上の透過部２６の線幅Ｓと半透
過部２８の線幅Ｌとの関係を、 Ｓ：Ｌ＝１：１／０．３１６＝１：３．１６ とする。ピッチＰを０．３６５μｍとすると、 Ｓ＝０．０８８μｍ、 Ｌ＝０．２７７μｍ であるラインアンドスペースパターンをレチクル１８上
に形成する。

【００３５】図６は、上記のラインアンドスペースパタ
ーンにより形成した位置合わせマーク３２における２次
元光強度シミュレーションの結果である。図６（ａ）〜
（ｅ）は、半透過部３２により形成されるラインの本数
を１本から５本まで増加したときの結果である。それぞ
れの図に３本づつの曲線が描かれているが、これはフォ
ーカスを振った結果である。

【００３６】図６から判るように、ラインの本数が２本
以下では信号強度のコントラストが小さく、また、フォ
ーカスに対する信号強度の変化が大きい。しかし、ライ
ンを３本以上にすることにより信号強度のコントラスト
は改善し、フォーカスに対する信号強度のコントラスト
の劣化も小さくすることができる。また、本実施例で
は、ラインアンドスペースパターンの方向を位置合わせ
用光学系の位置検出方向に対して垂直になるように配置
したが、これは次の理由による。即ち、位置合わせマー
クに図７に示すような欠陥３４があった場合に、パター
ンのエッジがぎざつき、検出の際に悪影響が発生するの
を防ぐためである。

【００３７】このように、本実施例によれば、レチクル
の位置合わせマーク３２を、パターンにより回折される
回折光がウェーハ２４に入射しないピッチをもつライン
アンドスペースパターンにより形成し、また、ウェーハ
２４に入射する０次光の光強度が０になるように透過部
２６と半透過部２８の面積を設定したので、半透過膜に
より位置合わせマーク３２を形成した場合にも安定して
位置検出を行うことができる。

【００３８】なお、本実施例では、レチクル１８上に形
成するパターンは、ラインアンドスペースパターンとし
たが、式（３）を満足する繰り返し周期をもち、透過部
２６と半透過部２８との面積比が式（４）を満足するパ
ターンであれば同様の効果を得ることができるので、上
記パターンに限定されるものではない。例えば、矩形開
口パターンを用いて位置合わせマークを構成しても同様
の効果を得ることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、レチクル
上に形成するパターンの繰り返し周期を、パターンによ
り回折される回折光がウェーハに入射しないように設定
し、また、ウェーハに入射する０次光の光強度が０にな
るように透過部と半透過部の面積を設定したので、ウェ
ーハに入射する光を遮光することができる。これによ
り、上記パターンをデバイス領域外のレチクル周辺部に
形成した場合には、遮光膜をもたないハーフトーン型の
位相シフトレチクルを用いた際にも周辺のチップの多重
露光を防ぐことができる。

【００４０】また、レチクルの位置合わせマークを、パ
ターンにより回折される回折光がウェーハに入射しない
ピッチをもつ繰り返しパターンにより形成し、また、ウ
ェーハに入射する０次光の光強度が０になるように透過
部と半透過部の面積を設定したので、半透過膜により位
置合わせマークを形成した場合にも安定して位置検出を
行うことができる。

【００４１】さらに、レチクルの位置合わせマークを、
３周期以上の繰り返しパターンにより形成したので、露
光装置のデフォーカス等による検出信号のコントラスト
への影響が少なくなり、安定して位置検出を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】位相シフトレチクルの構造を示す概略図であ
る。

【図２】レチクル上に形成されたパターンをウェーハに
転写する際の光学系の模式図である。

【図３】本発明の第１の実施例における０次光の光強度
を０にする方法を説明する図である。

【図４】本発明の第２の実施例による位相シフトレチク
ルのパターン例を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施例による位置合わせマーク
の概略図である。

【図６】本発明の第２の実施例による位置合わせマーク
における２次元光強度シミュレーション結果である。

【図７】位置合わせマークの欠陥を説明する図である。

【図８】従来のハーフトーンレチクル及びハーフトーン
レチクルにより露光したパターンを説明する図である。

【符号の説明】

１０…ガラス基板 １２…半透過膜 １４…遮光薄膜 １６…透明膜 １８…レチクル ２０…パターン ２２…投影レンズ ２４…ウェーハ ２６…透過部 ２８…半透過部 ３０…矩形開口部 ３２…位置合わせマーク ３４…欠陥 ３６…多重露光領域

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明なガラス基板上に、入射光の位相を
   シフトする半透過膜によるパターンが形成された位相シ
   フトレチクルにおいて、 前記パターンにおける、前記入射光を阻止すべき遮光部
   は、前記半透過膜の形成されていない領域と前記半透過
   膜の形成された領域が繰り返して配列された繰り返しパ
   ターンにより形成されており、 前記繰り返しパターンが配列された周期と、前記半透過
   膜の形成されていない領域と前記半透過膜の形成された
   領域との面積比が、前記入射光を遮光するように定めら
   れていることを特徴とする位相シフトレチクル。
2. 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトレチクルにお
   いて、 前記遮光部は、デバイスパターンの存在しない前記位相
   シフトレチクルの周辺部であることを特徴とする位相シ
   フトレチクル。
3. 【請求項３】 請求項１記載の位相シフトレチクルにお
   いて、 前記遮光部は、前記位相シフトレチクルを位置合わせす
   るための位置合わせマークであることを特徴とする位相
   シフトレチクル。
4. 【請求項４】 請求項３記載の位相シフトレチクルにお
   いて、 前記位置合わせマークは、少なくとも３周期の前記繰り
   返しパターンにより形成されていることを特徴とする位
   相シフトレチクル。
5. 【請求項５】 請求項１又は２に記載の位相シフトレチ
   クルにおいて、 前記半透過膜は、前記入射光の位相をほぼ反転する半透
   過膜であり、 露光装置の光源の波長をλ、前記露光装置における投影
   レンズの開口数をＮＡ、前記光源の大きさの前記投影レ
   ンズの占める割合をσ、前記半透過膜の光強度透過率を
   Ｔとしたときに、 前記繰り返しパターンは、λ／ＮＡ（１＋σ）以下の周
   期をもって形成され、 前記遮光部において、前記半透過膜の形成されていない
   領域の面積が、前記半透過膜の形成された領域の面積の
   ほぼ√Ｔ倍であることを特徴とする位相シフトレチク
   ル。
6. 【請求項６】 請求項３又は４に記載の位相シフトレチ
   クルにおいて、 前記半透過膜は、前記入射光の位相をほぼ反転する半透
   過膜であり、 前記位相シフトレチクルの位置合わせを行うための位置
   合わせ光学系の光源の波長をλ、前記位置合わせ光学系
   の投影レンズの開口数をＮＡ、前記半透過膜の光強度透
   過率をＴとしたときに、 前記繰り返しパターンは、λ／２ＮＡ以下の周期をもっ
   て形成され、 前記遮光部において、前記半透過膜の形成されていない
   領域の面積が、前記半透過膜の形成された領域の面積の
   ほぼ√Ｔ倍であることを特徴とする位相シフトレチク
   ル。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６記載の位相シフトレチク
   ルにおいて、 前期繰り返しパターンは、前記半透過膜により形成され
   た複数の直線状パターンが一定の間隔をもって平行に配
   置されているラインアンドスペースパターンであること
   を特徴とする位相シフトレチクル。
8. 【請求項８】 請求項１乃至６記載の位相シフトレチク
   ルにおいて、 前記繰り返しパターンは、四角形状の開口部が前記半透
   過膜に設けられた矩形開口パターンであることを特徴と
   する位相シフトレチクル。