JP2005141228A - マイクロリソグラフィ投影露光装置に使用されるマスク - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトレジスト入射する投影光の偏光がまっすぐになるように制御されるように、マイクロリソグラフィによる微細構造コンポーネントの製造を改良し、ベクトル効果に起因する構造体の幅の望ましくない変化を避けることができる手段を提供すること。
【解決手段】マイクロリソグラフィ投影露光装置10に使用されるマスク20は、不透光体32のパターンが設けられたマスク20を有する。構造体32c間に残る中間スペース36、36’を液体または固体の誘電体材料38、38’で充填する。これによって、マスクを偏光子として使用できるように、回折効率の偏光依存性が増大する。
【選択図】図2
【解決手段】マイクロリソグラフィ投影露光装置10に使用されるマスク20は、不透光体32のパターンが設けられたマスク20を有する。構造体32c間に残る中間スペース36、36’を液体または固体の誘電体材料38、38’で充填する。これによって、マスクを偏光子として使用できるように、回折効率の偏光依存性が増大する。
【選択図】図2
Description
本発明は、大規模集積回路や他の微細構造コンポーネントを製造するのに使用されるようなマイクロリソグラフィ投影露光装置のマスクに関する。本発明は特に、不透光体のパターンが設けられた支持体を有する、いわゆる、振幅マスクに関する。
一般に、集積回路や他の微細構造コンポーネントは、例えば、シリコン・ウェハなどの適切な基板上に複数の構造化された層を形成させることによって製造される。層を構造化するために、層はまず特定の波長帯の光、例えば、遠紫外線(DUV)のスペクトル域の光に感光性のあるフォトレジストで被覆される。次に、このように被覆されたウェハが投影露光装置内で露光される。マスク上に配置された回折構造体のパターンが投影レンズを用いてフォトレジスト上に投影される。このレンズの倍率は概ね1より小さいので、そのような投影レンズは縮小レンズとも呼ばれることが多い。
フォトレジストが作られた後、マスク上のパターンに従って層が構造化されるようにウェハはエッチング工程を受ける。次に、残りのフォトレジストが層の他の部分から除去される。この工程は層のすべてがウェハに形成されるまで繰り返される。
マイクロリソグラフィ投影露光装置を開発する目的の1つは、製造されるコンポーネントの集積密度を増大させるように、より小さい寸法の構造体をウェハ上に製造できるようにすることにある。ここでは種々の手段を用いることによって、用いられる投影光の波長よりも小さい寸法の構造体がウェハ上に形成される。
これら手段の1つは用いられる投影光の偏光状態を便宜上制御することである。例えば、浸漬レンズを用いて達成されるものと同様の高開口数の投影レンズを用いる場合、達成可能なコントラストや形成される構造体の最小サイズは投影光の偏光方向に依存することが知られている。これは種々の回折次数間の望ましい干渉現象は偏光方向間の適合がよくなるにつれて、比例してより顕著になるという事実に起因している。2つの平面波間の完全な弱め合い干渉は、それらが同じ偏光の場合にのみ可能である。
したがって、投影光の入射面に対して垂直に偏光される投影光(s偏光)を用いれば、干渉は種々の回折次数がフォトレジストに合う角度に左右されない。しかし、入射面に対して平行に偏光される投影光(p偏光)を用いれば、回折次数は異なる偏光方向を有するので、回折次数はもはや完全に干渉しなくなる。したがって、回折次数がフォトレジストに合う角度を光軸に対して大きくすれば、干渉の現象は比例してより弱くなる。したがって、該当する角度がより大きくなれば、「ベクトル効果」とも呼ばれるこの偏光依存性はより顕著になる。このため、特に「高開口投影レンズ」を用いれば、投影光の偏光を便宜的に制御することによってベクトル効果に起因する構造体の幅の望ましくない変化を避ける必要が生じる。
投影光の偏光は、他の目的に対しても、米国特許第6605395B2号から知られている投影露光装置内で制御される。この文書はその下側に局所的に形成される複屈折性材料を有する位相マスクを記載している。直線的に偏光された投影光が位相マスクを通過するとき、この偏光方向は90°回転させられる。したがって、位相マスクの異なる領域を通過した投影光は位相に関してだけでなく、偏光状態に関しても変化するであろう。得られるこの付加的な自由度のために、知られている位相マスクによってより大きなクラスのパターンをウェハ上に形成することが可能となる。つまり、このことにより第2の付加的なマスクを使用する必要性がなくなる。
米国特許第6605395B2号
H.Tamada et al.、「Al wire−grid polarizer using the s−polarization resonance effect at the 0.8−μm wavelength band」、Optics letters、volume 22、No.6、419〜421頁
本発明の目的はフォトレジストあるいは別のフォトレジスト層に入射する投影光の偏光が簡単に制御されるように、マイクロリソグラフィによる微細構造コンポーネントの製造を改良することである。本発明のさらなる目的は上記のベクトル効果に起因する構造体の幅の望ましくない変化を避けることができる手段を提供することにある。
この目的は不透光体のパターンが設けられた支持体を有するマスクによって達成される。2つの構造体間に残っている少なくとも1つの中間スペースが、少なくとも部分的に誘電体材料で充填される。
本発明はマスクの回折効率の偏光依存性が、構造体間の中間スペースが誘電体材料で充填された場合に著しく増大されるという発見に基づいている。また、「回折効率」という言葉はゼロ次回折、すなわち、構造体によって逸れない光を含む。結果的に得られる回折効率の高い偏光依存性によって、マスク自身が偏光子として機能する。マスク上の微細構造体がより小さくなれば、構造体の偏光効果もより大きくなる。微細構造体が投影光をより強力に回折させるので構造体の寸法へのこの依存性は有利であり、したがって、上記のベクトル効果は小さな構造体を用いた場合に特に顕著になる。
マスクを偏光子として使用することには他の利点もある。特に、マスク自身が投影光の偏光を制御するための特に優れた場所である。例えば、投影レンズの瞳孔面に偏光子を配置する場合、それに付随して多くの問題が生じる。一方、通常そのような偏光子は通過する投影光の波面に望ましくない影響も及ぼすので、補正手段を講じる必要がある。他方では、瞳孔面には既に他の光学素子が設けられている場合が多いので、付加的な偏光子を設置する十分なスペースが存在しない場合が多い。さらには、偏光が投影レンズの瞳孔面の上流側で制御されない場合、望ましくない偏光依存性の摂動がレンズのこの部分に設置されている光学素子に既に生じているかもしれない。
投影光内あるいは照射システム内に偏光子を配置することの別の重要な利点は、本発明による構造体依存性のマスクの偏光効果を得るためにマスクを交換する際に、そのような偏光子も交換される必要があるいう点である。
回折構造体の幅と回折構造体がマスク上に配置される方法は、通常ウェハ上に形成される構造化された層の配置によって決定されるので、偏光依存性を最大化するためにある限度内で自由に選択できる利用可能なパラメータは比較的ほんのわずかしかない。特に、これらはある程度の高さまで、中間スペースを充填する誘電体材料だけでなく不透光体が構成される導電性材料も含む。しかし、一般に構造体の幅と間隔は固定されている。ある限度内で自由に選択できる利用可能なパラメータを適切に選ぶことにより、直交偏光状態のための回折効率を最大約45%まで変更することができる。このことは特徴的な寸法がほぼDUV光の波長、例えば、193nmである構造体にも当てはまる。
さらに、共振効果が回折効率の特に高い偏光依存性の一因となっていることもわかっている。赤外線スペクトル域にもかかわらず、同様の効果がOptics letters、volume 22、No.6、419〜421頁の「Al wire−grid polarizer using the s−polarization resonance effect at the 0.8−μm wavelength band」と題されたH.Tamada et al.による記事に記載されている。これらの知られているグリッドは、構造体に対して垂直に偏光される同じ波長の光に比べて、構造体に対して平行に偏光される光の吸収または反射が大きいワイヤ・グリッド偏光子型である。
しかし、驚くことに、ワイヤ・グリッド偏光子の古典的挙動は適切に選択されたパラメータを用いて逆転される。このことは、従来のワイヤ・グリッド偏光子の場合とは異なり、構造体に対して垂直に偏光される同じ波長の光に比べて、構造体に対して平行に偏光される所定波長の光に対して、構造体がより高い回折効率を有していることを意味する。しかし、この逆転は構造体間の中間スペースに誘電体材料が存在していることを必ずしも前提にするものではない。したがって、本発明は、そのようなマスク、すなわち一般にはグリッド偏光構造体にも関するものであり、この逆転は構造体間の中間スペースに誘電体材料を必要とせずに生じる。
従来のワイヤ・グリッド偏光子と比べて、構造体がそのような反対の偏光依存性を呈するパラメータ・セットを見つける1つの方法は、初期値パラメータからスタートして、それに基づいて異なる偏光の投影光に対する構造体の回折効率を算出することである。この目的のためには、所定のパラメータ・セットに基づいてマクスウェル方程式を解くことが必要である。次に、このパラメータは、配置が、構造体に対して垂直に偏光される同じ波長の投影光に対するよりも、構造体に対して平行に偏光される所定波長の投影光に対してより高い回折効率を有するまで変更される。
このパラメータはマスク全体にわたって等しく選択される必要はない。例えば、上記のベクトル効果をより一層押さえるために、より微細な構造体に対しては、対応するパラメータ選択によって回折効率の既に高い偏光依存性をより一層増大させることも便宜的である。
本発明の種々の特徴および利点は、添付図面とともに以下の詳細な説明を参照すれば、より容易に理解されよう。
図1はマイクロリソグラフィ投影露光装置の非常に単純化した原寸大ではない側面図であり、全体を10で示している。この投影露光装置10は投影光12を発生させるのに用いられる照明装置11を備えている。この目的のために、照明装置11は、例えば、レーザであってよい光源13を含んでいる。光源13によって発生される投影光12の波長は、図示の実施形態においては193nmであり、故にその波長は遠赤外線のスペクトル域にある。
照明システム11は、例えば、投影光を整形することによって、投影光を混合することによって、投影光の角度分布を変えることによって光源13から照射される投影光に様々に作用する14で示した複数の光学素子をさらに含んでいる。示されている例示的実施形態では光源13はレーザであるため、そこから照射される投影光は直線的に偏光されている。しかし、光学素子14を通過するとき、この直線的な偏光が失われ、照明装置11から照射される偏光光12はごく部分的に偏光されるか、あるいは完全に非偏光となる。単純化するために、以下では偏光光12は照明システム11から完全に非偏光状態で照射されると仮定する。
投影露光装置10は対物面18を有する投影レンズ16をさらに含んでいる。投影レンズ16の開口数は0.9以上であることが望ましい。対物面18に、マスク20が移動可能に配置されている。投影レンズ16の像平面22には、例えば、フォトレジストなどの感光層24がある。感光層24は支持体26上にシリコン・ウェハの形態で形成される。投影露光装置10はそのようなものとして当該技術において知られているので、その構成要素の大半のさらなる詳細を述べる必要はない。
図2を参照してマスク20の構造を以下により詳細に説明する。
図2はマスク20の詳細を原寸大ではない斜視図として示している。マスク20は193nmの波長を有する投影光12に対して透過性である材料から成る支持体28を有している。特に、石英ガラスがこの波長に対する材料として適している。
ここでは例示目的でのみ示したあるパターンの不透光体32は、照明システム11に面している支持体28の表面30に形成される。図2に示した詳細では、不透光体32は基本的には矩形の断面を有する、より大きな領域の構造体32a、32bとより細かい棒状の構造体32cを含んでいる。構造体32は、導電性材料、例えば、クロムから成る層34をリソグラフィ・エッチング工程によって製造される。透過性の中間スペース36が不透光体32の間に設けられ、これらのスペースは誘電体材料38で充填される。この材料38は示された例示的実施形態では高純度水であり、接着力によって中間スペース36内に保たれているとともにマスク20は対物面18内で変位している。
棒状構造体32cの幅bは図示した実施形態においては100nmで、層34の高さhは110nmで、隣接する棒状構造体32c間の間隔は200nmである。したがって、棒状構造体32cの幅bは、ほぼ投影光12の波長に近い大きさである。
構造体32と誘電体材料の屈折率、層34の高さ、棒状構造体32cの寸法は、棒状構造体32cに対して垂直に偏光される投影光12に対してよりも、棒状構造体32の長さ方向に沿って偏光される投影光12に対してより高い回折効率を棒状構造体32cが有するように相互に適合されている。これについては図2において、マスク20を通過する前の投影光12に対する偏光分布40と、マスク20を通過後の投影光12’に対する偏光分布42としてそれぞれ示している。偏光分布40からわかるように、マスク20を通過する前の投影光12は、非偏光に特徴的なように、投影光12の伝搬方向44に対して垂直な全方向に対して偏光方向の統計学的に変わる分布を有している。屈折率は実数部分が0.4〜1.0の範囲にある複素屈折率を有することが望ましい。また、虚数部分は1.0〜2.0の範囲にあることが望ましい。
棒状構造体32cの回折効率は、構造32cに平行に偏光された投影光に比べて、構造体32cの長手方向に対して垂直に偏光される投影光12に対して著しく低いので、偏光分布42は投影光がより大きい構造32aと32bとの間の領域を通過した後の分布である。ここでは、棒状構造体32cの長さ方向に沿って偏光される投影光12が、棒状構造体32cのグリッド状配置を通過するときに比較的ほんのわずかだけ減衰されるのみであることが理解できよう。しかし、回折効率は棒状構造体32cに対して垂直である投影光12の偏光成分に対しては非常に小さいので、これらの成分はマスク20を通過するときにはより強く減衰される。
上記の材料と構造パラメータを有するマスク20に関して、全回折次数にわたって検討すれば、構造体32cの長手方向に対して平行に偏光される投影光に対しては43%の回折効率が、および構造体32cに対して垂直に偏光される投影光に対しては6%の回折効率が得られる。
マスク20の偏光効果のために、投影光12の任意の光線は感光層24に入射するときには基本的にs偏光されている。このため、全体的な投影光のビームの偏光は正接とも呼ばれる。この結果、感光層24の上および内の干渉は光軸に関して、感光層24上に入射する角度に左右されない。したがって、上記のベクトル効果に起因する望ましくないコントラストの変化は実質的に回避される。
上記に説明した偏光効果は狭い棒状構造体32cだけでなく、より大きい構造体の標準的な配置やある程度までは個々の構造体に関しても生じることを理解すべきである。しかし、マスク20の偏光効果は構造上の寸法が大きくなるにしたがって減少する。
さらに、構造体32間の中間スペースの全部を誘電体材料で充填する必要はない。図2は例えば、構造体32bのすぐ隣の領域には、支持体28の表面30に不透光構造体32も誘電体材料38も形成されていない。
回折効率の高い偏光依存性を有するマスク20の構造パラメータと材料パラメータを見つけるために、シミュレーション計算が行われることが好ましい。製造技術上、短波長の投影光12の場合は構造体32の寸法を投影光12の波長よりも実質的に小さくする必要はないので、回折効率を算出するために近似モデルを使用しなくてよい。それに代わって、偏光依存性の回折効率を見つけることができるように、これらの場合の数値アルゴリズムを用いて構造体32についてマクスウェル方程式を解く必要がある。そのような方法は当該技術においては知られているので、そのさらなる詳細については記載しない。そのような計算は、特に、厳密結合波解析法(Rigorous Coupled Wave Theory:RCWA)やFDTD法(FDTD=Finite Difference Time Domain)を用いて実行される。
上記のように液体が誘電体材料48として使用される場合、マスク20の偏光依存性の効果は、その液体を別の屈折率を有する液体と交換すること、あるいはその液体の温度を変えることによって変えることができる。液体誘電体材料の代わりに、固体材料、例えば、ポリマーまたは石英ガラスを用いてもよい。
図3は図2と同様の図で全体を20’で示した別の実施形態のマスクを示している。マスク20’においては、誘電体材料38が棒状構造体32cの間の中間スペースだけでなく、構造体32上にも設けられている。この被覆材料は照明システム11に面したマスク20’の全表面を被覆する別の誘電体材料46の1枚の層である。例えば、構造体36間の誘電体材料38が固体である一方で、材料46は高純度水であってよい。中間スペース34内と構造体32上の誘電体材料が同じ材料、例えば、水または石英ガラスなどの固体誘電体材料であってもよい。
図2に示したマスク20と異なり、図3のマスク20’は構造体32bのすぐ隣に見える中間スペース36’をさらに有し、これは中間スペース36内の材料38とは異なる誘電体材料38’で充填されている。異なる誘電体材料をそのように選択することによって回折効率の偏光依存性を局所的に調節することができる。
10 マイクロリソグラフィ投影露光装置、11 照明システム、12 投影光、16 投影レンズ、18 対物面、20、20’ マスク、22 像平面、24 感光層、28 支持体、30 表面、32 不透光体、32c 構造体、36、36’ 中間スペース、38、38’ 誘電体材料、46 誘電体材料
Claims (19)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)に使用されるマスクであって、
不透光体(32)のパターンが設けられた支持体(28)と、
2つの構造体(32c)間に残存する少なくとも1つの中間スペース(36、36’)とを備え、前記中間スペースが少なくとも部分的に誘電体材料(38、38’)で充填されたマスク。 - 前記誘電体材料(38)が液体である請求項1に記載のマスク。
- 前記誘電体材料(38)が固体である請求項1に記載のマスク。
- 異なる中間スペース(36、36’)が異なる誘電体材料(38、38’)で少なくとも部分的に充填される請求項1に記載のマスク。
- 前記誘電体材料が少なくとも1つの構造体(32)を被覆する請求項1に記載のマスク。
- 前記構造体(32)が、前記少なくとも1つの中間スペース(36、36’)に位置する前記誘電体材料(38、38’)とは異なる誘電体材料(46)によって被覆される請求項5に記載のマスク。
- 前記不透光体(32)が導電性材料から成る請求項1に記載のマスク。
- 前記導電性材料と前記構造体(32)が、その構造体(32)に対して垂直に偏光される波長の投影光(12)に対してよりも、前記マスクが前記構造体(32)に対して水平に偏光される所定の波長の投影光(12)に対してより高い回折効率を有するように決定された屈折率と高さ(h)を有する請求項7に記載のマスク。
- 前記構造体(32)の前記高さ(h)が、前記誘電体材料内の前記投影項(12)の波長の50%〜150%の間、好適には75%〜125%の間にある請求項7に記載のマスク。
- 前記導電材料が実数部分が0.4〜1.0の範囲にある複素屈折率を有する請求項1から9のいずれか一項に記載のマスク。
- 前記導電材料が虚数部分が1.0〜2.0の範囲にある複素屈折率を有する請求項7に記載のマスク。
- 微細構造コンポーネント製造用のマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
所定の波長を有する投影光(12)を発生させる照明システム(11)と、
前記投影光に露光されるマスクであって、不透光体(32)のパターンが設けられた支持体(28)と2つの構造体(32c)の間にある少なくとも1つの中間スペース(36、36’)とを有し、その中間スペースが少なくとも部分的に誘電体材料(38、38’)で充填されたマスク(20;20’)と、
感光層(24)上に前記マスク(20;20’)を投影する投影レンズ(16)と
を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 前記投影光が200nmより小さい波長を有し、かつ前記投影レンズ(16)が0.9以上の開口数を有する請求項12に記載の投影露光装置。
- 前記マスク(20;20’)が前記照明システム(11)内に偏光器として配置された請求項12に記載の投影露光装置。
- 前記マスク(20;20’)が前記投影レンズ(16)内に偏光器として配置された請求項12に記載の投影露光装置。
- 前記構造体(32)が前記マスク(20;20’)の表面(30)上に規則的に分布された請求項14または15に記載の投影露光装置。
- マイクロリソグラフィを用いた微細構造コンポーネントの製造方法であって、
a)投影レンズ(16)を配置する工程と、
b)前記投影レンズ(16)の対物面(18)内に請求項1に記載のマスク(20;20’)を配置する工程と、
c)前記投影レンズ(16)の像平面(22)内に配置された感光層(24)上に、前記マスク(20;20’)に形成されたパターンを投影する工程とから構成された微細構造コンポーネントの製造方法。 - 請求項17に記載の方法によって製造される微細構造コンポーネント。
- 導電性材料から成る不透光体(32)のパターンが設けられた支持体を有する、マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)に使用されるマスク(20;20’)を製造する方法であって、
a)2つの構造体(32c)の間にある少なくとも1つの中間スペース(36、36’)を誘電体材料(38、38’)で少なくとも部分的に充填する工程と、
b)前記投影露光装置(10)において用いられる投影光(12)の波長、前記導電性材料と誘電体材料(38)の複素屈折率、前記不透光構造体(36)の高さ(h)を少なくとも含むパラメータのセットを特定する工程と、
c)前記特定されたパラメータのセットに基づいてマクスウェル方程式を解くことによって、異なる偏光の投影光(12)に対する前記不透光体の回折効率を厳密に算出する工程と、
d)それによって前記不透光構造体(32)が前記構造体(32)に対して垂直に偏光される投影光(12)に対してよりも、前記構造体(32)に対して水平に偏光される投影光(12)に対してより高い回折効率を有するパラメータのセットが見つかるまで、修正パラメータで工程(c)を繰り返す工程とから構成される方法。
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