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Die
Erfindung betrifft Masken für
mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen, wie sie zur
Herstellung hochintegrierter elektrischer Schaltkreise und anderer
mikrostrukturierter Bauelemente verwendet werden. Die Erfindung
betrifft insbesondere sogenannte Amplitudenmasken mit einem Träger, auf
den ein Muster aus lichtundurchlässigen
Strukturen aufgebracht ist.
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Integrierte
elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente
werden üblicherweise
hergestellt, indem auf ein geeignetes Substrat, bei dem es sich
beispielsweise um einen Silizium-Wafer handeln kann, mehrere strukturierte Schichten
aufgebracht werden. Zur Strukturierung der Schichten werden diese
zunächst
mit einem Photolack bedeckt, der für Licht eines bestimmten Wellenlängenbereiches,
z.B. Licht im tiefen ultravioletten Spektralbereich (DUV, deep ultraviolet),
empfindlich ist. Anschließend
wird der so beschichtete Wafer in einer Projektionsbelichtungsanlage
belichtet. Dabei wird ein Muster aus beugenden Strukturen, das auf einer
Maske angeordnet ist, auf den Photolack mit Hilfe eines Projektionsobjektivs
abgebildet. Da der Abbildungsmaßstab
dabei im allgemeinen kleiner als eins ist, werden derartige Projektionsobjektive
häufig auch
als Reduktionsobjektive bezeichnet.
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Nach
dem Entwickeln des Photolacks wird der Wafer einem Ätzprozeß unterzogen,
wodurch die Schicht entsprechend dem Muster auf der Maske strukturiert
wird. Der noch verbliebene Photolack wird dann von den verbleibenden
Teilen der Schicht entfernt. Dieser Prozeß wird so oft wiederholt, bis
alle Schichten auf dem Wafer aufgebracht sind.
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Eines
der im Vordergrund stehenden Ziele bei der Entwicklung mikrolithographischer
Projektionsbelichtungsanlagen besteht darin, Strukturen mit zunehmend
kleineren Abmessungen auf dem Wafer erzeugen zu können, um
auf diese Weise die Integrationsdichte der herzustellenden Bauelemente
zu erhöhen.
Durch Anwendung unterschiedlichster Maßnahmen ist es inzwischen möglich, Strukturen
auf dem Wafer zu erzeugen, deren Abmessungen kleiner sind als die
Wellenlänge
des eingesetzten Projektionslichts.
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Eine
dieser Maßnahmen
besteht darin, den Polarisationszustand des eingesetzten Projektionslichts
gezielt zu beeinflussen. Es ist beispielsweise bekannt, daß der erzielbare
Kontrast und damit die minimale Größe der zu erzeugenden Strukturen
bei Projektionsobjektiven mit hohen numerischen Aperturen, wie sie
etwa bei Immersionsobjektiven erreicht werden, von der Polarisationsrichtung
des Projektionslichts abhängen.
Dies geht darauf zurück,
daß die gewünschten
Interferenzerscheinungen zwischen unterschiedlichen Beugungsordnungen
um so ausgeprägter
sind, je größer die Übereinstimmung
der Polarisationsrichtungen ist. Eine vollständige destruktive Interferenz
zwischen zwei ebenen Wellen ist nur dann möglich, wenn diese gleich polarisiert
sind.
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Bei
Projektionslicht, das senkrecht zur Einfallsebene des Projektionslichts
polarisiert ist (s-Polarisation), sind deswegen die Interferenzerscheinungen
unabhängig
von dem Winkel, mit dem die unterschiedlichen Beugungsordnungen
auf den Photolack auftreffen. Bei parallel zur Einfallsebene polarisiertem
Projektionslicht (p-Polarisation) hingegen können unterschiedliche Beugungsordnungen
nicht mehr vollständig
interferieren, da die Beugungsordnungen unterschiedliche Polarisationsrichtungen
haben. Die Interferenzerscheinungen werden dabei um so schwächer, je
größer die
Winkel zur optischen Achse sind, unter denen die Beugungsordnungen
auf den Photolack auftreffen. Diese auch als "Vektoreffekt" bekannte Polarisationsabhängigkeit
ist deswegen um so ausgeprägter,
je größer die
auftretenden Winkel sind. Daher besteht insbesondere bei hochaperturigen
Projektionsobjektiven die Notwendigkeit, durch den Vektoreffekt
hervorgerufene unerwünschte
Schwankungen der Strukturbreiten durch gezielte Beeinflussung der
Polarisation des Projektionslichts zu vermeiden.
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Bei
einer aus der
US 6 605 395 B2 bekannten
Projektionsbelichtungsanlage wird die Polarisation des Projektionslichts
zu einem anderen Zweck beeinflußt.
Beschrieben ist dort eine Phasenmaske, auf deren Unterseite bereichsweise
doppelbrechendes Material aufgebracht ist. Durchsetzt li near polarisiertes
Projektionslicht die Phasenmaske, so wird die Polarisationsrichtung
beim Durchtritt durch das doppelbrechende Material um 90° gedreht.
Projektionslicht, das unterschiedliche Bereiche der Phasenmaske durchtreten
hat, unterscheidet sich somit nicht nur hinsichtlich der Phase,
sondern auch hinsichtlich der Polarisation. Aufgrund des zusätzlich gewonnenen Freiheitsgrades
ermöglicht
es die bekannte Phasenmaske, eine größere Klasse von Mustern auf
dem Wafer zu erzeugen; die Verwendung einer zweiten zusätzlichen
Maske kann deswegen entfallen.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, die mikrolithographische Herstellung mikrostrukturierter
Bauelemente derart zu verbessern, daß die Polarisation von Projektionslicht,
das auf den Photolack oder eine sonstige lichtempfindliche Schicht
auftrifft, auf einfache Weise beeinflußt werden kann. Aufgabe der
Erfindung ist es insbesondere, Maßnahmen anzugeben, mit denen
sich unerwünschte
Schwankungen der Strukturbreite infolge des oben erwähnten Vektoreffekts
vermeiden lassen.
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Gelöst wird
diese Aufgabe durch eine Maske, die einen Träger aufweist, auf den ein Muster
aus lichtundurchlässigen
Strukturen aufgebracht ist, wobei mindestens ein zwischen zwei Strukturen
verbleibender Zwischenraum zumindest teilweise mit einem dielektrischen
Material ausgefüllt
ist.
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Die
Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß sich die Polarisationsabhängigkeit
der Beugungseffizienz der Maske beträchtlich erhöhen läßt, wenn Zwischenräume zwischen
den Strukturen mit einem dielektrischen Material aufgefüllt werden.
Der Begriff "Beugungseffizienz" erstreckt sich dabei
auch auf die nullte Beugungsordnung, d.h. auf Licht, das nicht durch
die Strukturen abgelenkt wird. Aufgrund der dadurch erzielten hohen
Polarisationsabhängigkeit der
Beugungseffizienz wirkt die Maske selbst wie ein Polarisator. Je
feiner dabei die Strukturen auf der Maske sind, desto größer ist
dabei deren polarisierende Wirkung. Diese Abhängigkeit von der Strukturgröße ist vorteilhaft,
da feine Strukturen das Projektionslicht stärker beugen, so daß der oben
erwähnte Vektoreffekt
bei kleinen Strukturen besonders hervortritt.
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Die
Verwendung der Maske als Polarisator hat jedoch auch weitere Vorteile.
Die Maske ist nämlich
selbst ein besonders günstiger
Ort, an dem die Polarisation des Projektionslichts beeinflußt werden kann.
So ist die Anordnung eines Polarisators in einer Pupillenebene des
Projektionsobjektivs mit zahlreichen Schwierigkeiten verbunden.
Zum einen beeinflußt
ein solcher Polarisator meist auch die Wellenfront hindurchtretenden
Projektionslichts in unerwünschter
Weise, so daß Korrekturmaßnahmen
ergriffen werden müssen.
Zum anderen befinden sich in der Pupillenebene häufig bereits andere optische Elemente,
so daß für einen
zusätzlichen
Polarisator häufig
nicht genügend
Bauraum zur Verfügung
steht. Außerdem
kann es dann, wenn die Polarisation erst in einer Pupillenebene
des Projektionsobjektivs beeinflußt wird, in vorangehenden optischen
Elementen bereits zu unerwünschten
polarisationsabhängigen Störungen kommen.
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Ein
weiterer wichtiger Vorteil gegenüber
der Anordnung eines Polarisators in einem Projektionsobjektiv oder
auch in einer Beleuchtungseinrichtung besteht darin, daß ein solcher
Polarisator bei einem Wechsel der Maske ebenfalls ausgewechselt
werden müßte, um
stets die strukturabhängig
polarisierende Wirkung der erfindungsgemäßen Maske zu erzielen.
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Da
die Breite und Anordnung der beugenden Strukturen auf der Maske
im allgemeinen durch das Layout der auf dem Wafer herzustellenden
strukturierten Schichten vorgegeben ist, stehen nur relativ wenige
Parameter zur Verfügung,
die im Hinblick auf eine möglichst
große
Polarisationsabhängigkeit
in gewissen Grenzen frei gewählt
werden können.
Hierzu gehören
insbesondere das dielektrische Material, das die Zwischenräume ausfüllt, aber
auch das elektrisch leitfähige
Material, aus dem die lichtundurchlässigen Strukturen bestehen,
sowie in gewissen Grenzen deren Höhe. Die Breiten und Abstände der Strukturen
sind hingegen im allgemeinen vorgegeben. Durch geeignete Wahl der
in gewissen Grenzen frei wählbaren
Parameter läßt sich
erreichen, daß sich
auch mit Strukturen, deren charakteristische Abmessungen in der
Größenordnung
von DUV-Licht (z.B.
193 nm) liegen, die Beugungseffizienzen für orthogonale Polarisationszustände um bis
zu etwa 45% unterscheiden.
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Es
hat sich ferner gezeigt, daß eine
besonders hohe Polarisationsabhängigkeit
der Beugungseffizienz auf Resonanzeffekte zurückgeht. Ähnliche Effekt sind – allerdings
für den
infraroten Spektralbereich – in
einem Aufsatz von H. Tamada et al. mit dem Titel "Al wire-grid polarizer
using the s-polarization resonance effect at the 0.8-μm-wavelength band", Optics Letters,
Vol. 22, Nr. 6, Seiten 419 bis 421, erwähnt. Bei diesem bekannten Gitter
handelt es sich um eine Art Draht-Polarisator, bei dem das Absorptions-
oder Reflexionsvermögen
für parallel
zu den Strukturen polarisiertes Licht größer ist als für senkrecht
dazu polarisiertes Licht der gleichen Wellenlänge.
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Überraschenderweise
kommt es allerdings bei geeignet gewählten Parametern zu einer Umkehr des
klassischen Verhaltens von Draht-Polarisatoren. Dies bedeutet, daß die Strukturen,
anders als bei Draht-Polarisatoren üblich, für parallel zu den Strukturen
polarisiertes Licht einer vorgegebenen Wellenlänge eine höhere Beugungseffizienz haben
als für senkrecht
dazu polarisiertes Licht der gleichen Wellenlänge. Diese Umkehr setzt allerdings
nicht zwingend ein dielektrisches Material in den Zwischenräumen zwischen
den Strukturen voraus. Gegenstand der Erfindung sind deswegen auch
solche Masken oder ganz allgemein polarisierende Gitterstrukturen, bei
denen es zu dieser Umkehr kommt, ohne daß hierzu ein dielektrisches
Material in den Zwischenräumen
zwischen den Strukturen vorhanden ist.
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Um
einen Parametersatz zu ermitteln, bei dem die Strukturen eine solche
im Vergleich zu herkömmlichen
Draht-Polarisatoren
entgegengesetzte Polarisationsabhängigkeit zeigen, kann man zunächst von
einem Ausgangs-Parametersatz ausgehen und auf dessen Grundlage die
Beugungseffizienzen der Strukturen für Projektionslicht unterschiedlicher
Polarisationen berechnen. Hierzu ist es erforderlich, die Maxwell-Gleichungen
unter Zugrundelegen des vorgegebenen Parametersatzes zu lösen. Die
Parameter werden dann so lange variiert, bis die Anordnung für parallel
zu den Strukturen polarisiertes Projektionslicht einer vorgegebenen
Wellenlänge eine
höhere
Beugungseffizienz hat als für
senkrecht dazu polarisiertes Projektionslicht der gleichen Wellenlänge.
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Die
Parameter müssen
dabei nicht über
die gesamte Maske hinweg gleich gewählt werden. So kann es beispielsweise
zweckmäßig sein,
die ohnehin höhere
Polarisationsabhängigkeit
der Beugungseffizienz bei feineren Strukturen durch entsprechende
Parameterwahl noch weiter zu erhöhen,
um den oben erwähnten
Vektoreffekt stärker
zu unterdrücken.
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Weitere
Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
anhand der Zeichnungen. Darin zeigen:
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1 eine
mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer erfindungsgemäßen Maske
in einer stark vereinfachten Seitenansicht;
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2 einen
Ausschnitt aus der in der 1 gezeigten
Maske in einer vergrößerten und
perspektivischen, jedoch nicht maßstäblichen Darstellung;
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3 ein
anderes Ausführungsbeispiel
für eine
erfindungsgemäße Maske
in einer an die 2 angelehnten Darstellung.
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In
der 1 ist in einer stark vereinfachten und nicht maßstäblichen
Seitenansicht eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
gezeigt und insgesamt mit 10 bezeichnet. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 weist
eine Beleuchtungseinrichtung 11 auf, die der Erzeugung
von Projektionslicht 12 dient. Die Beleuchtungseinrichtung 11 umfaßt zu diesem
Zweck eine Lichtquelle 13, die z.B. als Laser ausgeführt sein
kann. Die Wellenlänge
des von der Lichtquelle 13 erzeugten Projektionslichts 12 beträgt bei dem
dargestellten Ausführungsbeispiel
193 nm und liegt damit im tiefen ultravioletten Spektralbereich.
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Die
Beleuchtungseinrichtung 11 enthält außerdem mehrere mit 14 angedeutete
optische Elemente, die das aus der Lichtquelle 13 austretende Projektionslicht
auf verschiedene Weise beeinflussen, z.B. formen, mischen und in
seiner Winkelverteilung verändern.
Da es sich bei der Licht quelle 13 in dem dargestellten
Ausführungsbeispiel
um einen Laser handelt, ist das daraus austretende Projektionslicht
zunächst
linear polarisiert. Bei dem Durchtritt durch die optischen Elemente 14 kann
die lineare Polarisation jedoch verlorengehen, so daß das aus
der Beleuchtungseinrichtung 11 austretende Projektionslicht 12 nur
teilweise polarisiert oder sogar vollständig unpolarisiert ist. Der
Einfachheit halber wird im folgenden angenommen, daß das Projektionslicht 12 vollständig unpolarisiert
aus der Beleuchtungseinrichtung 11 austritt.
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Die
Beleuchtungseinrichtung 10 umfaßt außerdem ein Projektionsobjektiv 16,
in dessen Objektebene 18 eine Maske 20 verfahrbar
angeordnet ist. In einer Bildebene 22 des Projektionsobjektivs 16 befindet
sich eine lichtempfindliche Schicht 24, bei der es sich
z.B. um einen Photolack handeln kann. Die lichtempfindliche Schicht 24 ist
auf einen Träger 26 in Form
eines Silizium-Wafers aufgebracht. Da die Projektionsbelichtungsanlage 10 insoweit
im Stand der Technik bekannt ist, wird auf die Darstellung weiterer Einzelheiten
hierzu verzichtet.
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Im
folgenden wird der Aufbau der Maske 20 anhand der 2 näher erläutert.
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Die 2 zeigt
die Maske 20 ausschnittsweise in einer nicht maßstäblichen
perspektivischen Darstellung. Die Maske 20 weist einen
Träger 28 auf, der
aus einem Material besteht, das für das Projektionslicht 12 mit
der Wel lenlänge
193 nm transparent ist. Als Material kommt bei dieser Wellenlänge insbesondere
Quarzglas in Betracht.
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Auf
einer der Beleuchtungseinrichtung 11 zugewandten Oberfläche 30 des
Trägers 28 ist
ein Muster aus lichtundurchlässigen
Strukturen 32 aufgebracht, das hier nur beispielhaft dargestellt
ist. Die lichtundurchlässigen
Strukturen 32 umfassen bei dem in der 2 gezeigten
Ausschnitt gröbere
großflächige Strukturen 32a, 32b und
feinere stegartige Strukturen 32c, die einen im wesentlichen
rechteckigen Querschnitt haben. Die Strukturen 32 sind
im Wege eines lithographisch definierten Ätzprozesses aus einer Schicht 34 erzeugt,
die aus einem elektrisch leitfähigen
Material, z.B. Chrom, besteht. Zwischen den lichtundurchlässigen Strukturen 32 verbleiben
lichtdurchlässige
Zwischenräume 36,
die mit einem dielektrischen Material 38 gefüllt sind.
Bei diesem Material 38 handelt es sich bei dem dargestellten
Ausführungsbeispiel
um hochreines Wasser, das durch Adhäsionskräfte in den Zwischenräumen 36 gehalten
wird, während
die Maske 20 in der Objektebene 18 verfahren wird.
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Die
Breite b der stegartigen Strukturen 32c beträgt bei dem
dargestellten Ausführungsbeispiel 100
nm, die Höhe
h der Schicht 34 110 nm und der Abstand a zwischen zwei
benachbarten stegartigen Strukturen 32c 200 nm. Die Breite
b der stegartigen Strukturen 32c liegt damit größenordnungsmäßig in der
Nähe der
Wellenlänge
des Projektionslichts 12.
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Die
Brechzahlen der Strukturen 32 und des dielektrischen Materials,
die Höhe
der Schicht 34 sowie die Abmessungen der stegartigen Strukturen 32c sind
so aufeinander abgestimmt, daß die
stegartigen Strukturen 32c für Projektionslicht 12,
das entlang der Längsrichtung
der stegartigen Strukturen 32c polarisiert ist, eine höhere Beugungseffizienz
aufweisen als für
senkrecht dazu polarisiertes Projektionslicht 12. Dies
ist in der 2 durch Polarisationsverteilungen 40 und 42 für das Projektionslicht 12 vor
bzw. das Polarisationslicht 12' nach dem Durchtritt durch die
Maske 20 angedeutet. Wie der Polarisationsverteilung 40 zu
entnehmen ist, weist das Projektionslicht 12 vor dem Durchtritt
durch die Maske 20 eine statistisch variierende Verteilung
der Polarisationsrichtungen über
alle Richtungen senkrecht zu einer Ausbreitungsrichtung 44 des
Projektionslichts 12 auf, wie dies kennzeichnend für unpolarisiertes
Licht ist.
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Da
die Beugungseffizienz der stegartigen Strukturen 32c für Projektionslicht 12,
das senkrecht zu deren Längsausdehnung
polarisiert ist, erheblich kleiner ist als für parallel zu den Strukturen 32c polarisiertes
Projektionslicht, ergibt sich nach dem Durchtritt des Projektionslichts
durch den Bereich zwischen den gröberen Strukturen 32a, 32b die
Polarisationsverteilung 42. Darin ist erkennbar, daß entlang
der Längsrichtung
der stegartigen Strukturen 32c polarisiertes Projektionslicht 12 beim
Durchtritt durch die gitterartige Anordnung der stegartigen Strukturen 32c nur
vergleichsweise gering abge schwächt
wird. Die Beugungseffizienz für
dazu senkrechte Polarisationskomponenten des Projektionslichts 12 ist
hingegen deutlich geringer, so daß diese Komponenten beim Durchtritt
durch die Maske 20 stärker
abgeschwächt
werden.
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Für die Maske 20 mit
den oben aufgeführten Material-
und Strukturparametern läßt sich
auf diese Weise eine über
alle Beugungsordnungen summierte Beugungseffizienz für parallel
zu der Längserstreckung
der Strukturen 32c polarisiertes Projektionslicht von 43%
und eine Beugungseffizienz für
senkrecht dazu polarisiertes Projektionslicht von 6% erzielen.
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Aufgrund
der polarisierenden Wirkung der Maske 20 ist jeder Strahl
des Projektionslichts 12 beim Auftreffen auf die lichtempfindliche
Schicht 24 im wesentlichen s-polarisiert. Die Polarisation des gesamten
Projektionslichtbündels
wird deswegen auch als tangential bezeichnet. Dies hat zur Folge, daß Interferenzerscheinungen
auf und in der lichtempfindlichen Schicht 24 nicht von
dem Winkel zur optischen Achse abhängen, unter dem Projektionslicht
auf die lichtempfindliche Schicht 24 auftrifft. Unerwünschte Kontrastschwankungen
aufgrund des oben erwähnten
Vektoreffekts werden dadurch weitgehend vermieden.
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Es
versteht sich, daß die
vorstehend erläuterte
polarisierende Wirkung nicht nur bei schmalen stegartigen Strukturen 32c entsteht,
sondern auch bei regelmäßigen Anordnungen
gröberer
Strukturen und in gewissen Grenzen sogar bei Einzelstrukturen. Die
polarisierende Wirkung der Maske 20 nimmt jedoch mit zunehmenden
Strukturgrößen ab.
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Außerdem müssen nicht
alle Zwischenräume
zwischen den Strukturen 32 mit einem dielektrischen Material
aufgefüllt
sein. In der 1 ist z.B. rechts neben der
Struktur 32b ein Bereich auf der Oberfläche 30 des Trägers 28 gezeigt,
auf den weder eine lichtundurchlässige
Struktur 32 noch ein dielektrisches Material 38 aufgebracht
ist.
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Um
Struktur- und Materialparameter für eine Maske 20 mit
einer hohen Polarisationsabhängigkeit der
Beugungseffizienzen zu ermitteln, werden vorzugsweise Simulationsrechnungen
durchgeführt.
Da bei kurzwelligem Projektionslicht 12 aus herstellungstechnischen
Gründen
die Abmessungen der Strukturen 32 nicht wesentlich kleiner
als die Wellenlänge
des Projektionslichts 12 sein sollten, kann bei der Berechnung
der Beugungseffizienzen nicht auf Näherungsmodelle zurückgegriffen
werden. Vielmehr müssen
in diesen Fällen
für die
Strukturen 32 die Maxwellschen Gleichungen mit Hilfe numerischer Algorithmen
gelöst
werden, um die polarisationsabhängigen
Beugungseffizienten ermitteln zu können. Derartige Verfahren sind
im Stand der Technik bekannt, so daß auf die Erläuterung
weiterer Einzelheiten hierzu verzichtet werden kann. Durchgeführt wurden
derartige Berechnungen u.a. nach der Rigorous-Coupled-Wave-Theory (RCWA) und mit Hilfe der
FDTD-Methode (FDTD = Finite-Difference-Time-Domain).
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Wird
wie beschrieben als dielektrisches Material 48 eine Flüssigkeit
verwendet, so kann die polarisationsabhängige Wirkung der Maske 20 durch Austausch
der Flüssigkeit
gegen eine Flüssigkeit
mit einer anderen Brechzahl oder durch Veränderung der Temperatur der
Flüssigkeit
verändert
werden. Anstelle eines flüssigen
dielektrischen Materials können
jedoch auch feste Materialien, z.B. Polymere oder Quarzglas, verwendet
werden.
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In
der 3 ist eine Maske gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel
in einer an die 2 angelehnten Darstellung gezeigt
und mit 20' bezeichnet.
Bei der Maske 20' befindet
sich dielektrisches Material 38 nicht nur in den Zwischenräumen 36 zwischen
den stegartigen Strukturen 32c, sondern auch über den
Strukturen 32. Bei diesem überdeckenden Material handelt
es sich um eine Schicht aus einem anderen dielektrischen Material 46,
welche die gesamte der Beleuchtungseinrichtung 11 zugewandte Oberseite
der Maske 20' überdeckt.
Bei dem Material 46 kann es sich z.B. um hochreines Wasser
handeln, während
das dielektrische Material 38 zwischen den Strukturen 36 fest
ist. Bei dem dielektrischen Material in den Zwischenräumen 34 und über den
Strukturen 32 kann es sich jedoch auch um ein und dasselbe Material,
z.B. Wasser oder ein festes dielektrisches Material wie z.B. Quarzglas,
handeln.
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Im
Unterschied zu dem in der 2 gezeigten
Maske 20 weist die Maske 20' nach der 3 außerdem einen
rechts neben der Struktur 32b erkennbaren Zwischenraum 36' auf, der mit
einem dielektrischen Material 38' aufgefüllt ist, das sich von dem Material 38 in
den Zwischenräumen 36 unterscheidet.
Durch eine derartige Wahl unterschiedlicher dielektrischer Materialien
kann die Polarisationsabhängigkeit
der Beugungseffizienz lokal gezielt eingestellt werden.