KR20050045871A - 마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크 - Google Patents
마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050045871A KR20050045871A KR1020040091172A KR20040091172A KR20050045871A KR 20050045871 A KR20050045871 A KR 20050045871A KR 1020040091172 A KR1020040091172 A KR 1020040091172A KR 20040091172 A KR20040091172 A KR 20040091172A KR 20050045871 A KR20050045871 A KR 20050045871A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- projection
- exposure apparatus
- dielectric material
- light
- Prior art date
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 239000000411 inducer Substances 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크(20)는 불투명한 패턴의 구조체(32)가 적용된 지지체(28)를 가진다. 구조체(32c)사이의 중간재(36, 36')는 액체 또는 고체의 유전재료로 채워져 있다. 이는 회절능률의 편광 의존성을 증가시켜서, 마스크를 편광기로 사용할 수 있다.
Description
본 발명은 마이크로리소그라피 투영노출장치의 마스크에 관한 것이며, 대규모 집적회로 및 미세구조부품의 제조에 사용된다. 특히 본 발명은 불투명 구조체의 패턴이 있는 지지체를 가진 증폭 마스크에 관한 것이다.
집적회로 및 다른 미세구조부품은 실리콘웨이퍼와 같은 적당한 기질 위에 다수의 구조층으로 만들어진다. 층을 구성하기 위해, 먼저 원자외선(DUV)과 같은 특정 파장의 빛에 민감한 광저항체를 도포한다. 그 다음 도포된 웨이퍼는 투영노출장치에 노출된다. 마스크위에 배열된 회절구조패턴이 투영렌즈를 통하여 저항체에 투영된다. 렌즈의 배율은 대체로 1배이하이고, 투영렌즈는 대개 축소렌즈라고 불린다.
광저항체가 전개된 후, 웨이퍼는 에칭처리되고 층은 마스크의 패턴으로 구성된다. 여분의 광저항체는 층의 나머지부분에서 제거된다. 이 공정은 웨이퍼에 모든 층이 적용될 때까지 반복된다.
웨이퍼에 상대적으로 작은 크기의 구조체를 형성하고 집적도를 높이기 위하여 마이크로리소그라피 투영노출장치가 이용될 수 있다. 여러 방법을 이용하여, 투영광선의 파장보다 작은 크기의 구조체를 웨이퍼에 형성할 수 있다.
이들 중 하나는 투영광선의 편광상태를 제어하는 것이다. 예를 들어, 담금 렌즈로서 얻을 수 있는 대구경 투영렌즈를 사용하면, 얻을 수 있는 대비와 형성되는 최소 크기는 투영광선의 편광방향에 따라서 결정된다. 이는 여러 회절차수사이의 목표간섭현상이 편광방향사이의 일치에 의해 야기되기 때문이다. 동일한 편광상태일 때 두 평면파 사이의 완전한 상쇄간섭이 가능하다.
투영광선의 입사면에 수직으로 편광된 투영광선(s-편광)에서, 간섭현상은 광저항을 만나는 다수의 회절차수의 각도와 독립적이다. 그러나, 입사면에 평행으로 편광된 투영광선(p-편광)에서, 회절차수가 다른 편광방향을 가지므로, 다른 회절차수는 더 이상 완전간섭될 수 없다. 회절이 광저항과 만나는 곳에서, 광학축에 대한 각도를 증가시킬 때 간섭현상은 적당히 약화된다. 편광의존, 즉 "벡터효과"는 각도가 클 때 상대적으로 현저하게 나타난다. 특히 대구경렌즈에서 벡터효과에 의한 구조체폭의 불필요한 변형을 방지하고 투영광선의 편광상태를 제어한다.
투영광선의 편광상태를 제어하여 미국특허 제 6,605,395B2호의 투영노출장치는 다른 목적으로 이용된다. 복굴절 소재로 만든 상마스크가 하면에 부분적으로 적용된다. 선형편광된 투영광선이 상마스크를 통과한다. 편광방향은 90도 회전한다. 상마스크의 다른 부분을 통과한 투영광선은 상이 다를 뿐만 아니라, 편광상태도 다르다. 얻어지는 추가 자유도를 통하여 알려진 상마스크는 웨이퍼에 큰 규모의 패턴을 형성할 수 있고, 제 2의 추가 마스크가 필요없다.
본 발명의 목적은 광저항체에 충돌하는 투영광선의 편광상태를 제어하여 마이크로리소그라피기술을 개선하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 벡터효과의 구조체폭내의 불필요한 변화를 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
이 목적을 위하여 불투명 패턴의 구조체가 있는 지지체를 갖는 마스크가 제공된다. 두 개의 구조체들사이에 잔류하는 적어도 한 개의 중간공간이 적어도 부분적으로 유전재료에 의해 충진된다.
본 발명은 유전재료로 채워진 구조체사이의 간극에서 마스크의 회절능률의 편광의존이 증대되는 현상에 기초한다. 회절능률은 영차 회절차수를 포함하고, 빛이 구조체에서 일탈하지 않는다. 회절능률의 높은 편광의존에 의해 마스크는 편광기로 작용한다. 마스크위의 상대적으로 미세한 구조체는 큰 편광효과가 있다. 미세구조체는 투영광선을 상대적으로 강하게 회절시켜서, 상기 벡터효과가 작은 구조체에서 현저하므로 구조체의 크기에 의존한다.
마스크를 편광기로 이용하는 것은 다른 이점을 가진다. 마스크는 제어될 투영광선의 편광을 위한 좋은 위치가 된다. 예를 들어, 편광기를 렌즈내에 위치시키기 위한 다수의 어려움이 있다. 한편 이런 편광기는 투영광선의 파면에 좋지 않은 영향을 주므로 보정이 필요하다. 다른 한 편으로, 렌즈내에는 다른 광학요소가 있어서, 편광기를 위한 공간이 불충분하다. 더욱이, 렌즈내의 편광이 제어되지 않으면 불필요한 편광의존섭동이 일어난다.
렌즈내의 편광기에 대한 또 다른 이점에 의하면, 마스크의 구조체의존하는 편광효과를 위해서 마스크를 교환할 때에 편광기도 교환해야 한다.
회절구조의 폭 및 마스크내에 배열된 방법은 생산될 웨이퍼의 구조에 지배된다. 편광의존성을 최대화하기 위해서 특정 제한치내에서 자유롭게 선택할 수 있는 변수는 몇 개 밖에 되지 않는다. 이들은 간극에 채워진 유전재료 및 전기유도재료로 구성된 불투명 구조체를 포함한다. 구조체의 폭과 간격은 고정이다. 변수를 적절히 선택하여 특정제한치내에서 자유롭게 선택된다. 직교 편광을 위한 회절능률은 약 45%까지 다르게 만들 수 있다. 상기 구성에 의하면, 구조체의 특징적 크기가 DUV 광의 파장크기 예를 들어, 193 nm인 구조체에 대해 적용된다.
공진효과는 회절능률의 높은 편광의존특성에 기여한다. 적외선 스펙트럼 범위의 유사효과가 H. Tamada et al.의 "Al wire-grid polarizer using the s-polarization resonance effect at the 0.8-㎛ wavelength band", Optical Letters, 22권, No 6, 419 내지421쪽에 공개된다. 공개된 상기 격자(grid)는 와이어 편광기의 형태로서 편광기내에서 구조체들에 대해 수직으로 편광된 동일파장의 광선을 위한 흡수 또는 반사특성이 구조체에 평행하게 편광된 광선을 위한 흡수 또는 반사특성보다 크다.
그러나, 종래기술을 따르는 와이어 편광기의 거동이 적절히 선택된 파라미터로 전환될 수 있다. 즉 종래기술을 따르는 와이어 편광기와 상이하게 구조체들에 대해 수직으로 편광된 동일파장의 광선보다 구조체에 평행하게 편광되고 정해진 파장의 광선에 대해 상기 구조체들이 상대적으로 더 큰 회절능률을 가진다. 그러나 상기 전환은 구조체사이의 중간공간에 유전재료가 있다는 것을 반드시 전제로 하지 않는다. 따라서 본 발명은 상기 구조체들사이에 유전재료가 불필요하고, 상기 전환이 발생하는 마스크 또는 편광 격자구조에 관련된다.
종래기술의 와이어 편광기들과 비교하여 구조체들이 역편광의존특성을 나타내는 파라미터세트를 구하기 위한 방법은 초기 파라미터세트로 시작하고, 초기파라미터세를 기초하여 서로 다른 편광들의 투영광선을 위한 구조체들의 회절능률을 계산한다. 상기 목적을 위하여, 정해진 파라미터세트를 기초하여 맥스웰 방정식을 풀어야 한다. 구조체에 수직으로 편광된 동일파장의 투영광선보다 구조체들에 평행으로 편광된 정해진 파장의 투영광선을 위해 상대적으로 높은 회절능률을 배열이 가질 때까지 파라미터를 변화시킨다.
파라미터는 마스크 전체에 걸쳐서 동일하게 선택될 필요는 없다. 예를 들어, 상기 벡터효과를 훨씬 더 억제하기 위하여 해당 파라미터의 선택에 의해 상대적으로 미세한 구조체를 위한 회절능률의 편광의존특성이 증가되는 것이 유리하다.
도 1은 마이크로리소그라피 투영노출장치(10)의 개략측면도이다. 투영노출장치(10)는 투영광선(12)을 발생시키는 조광장치(11)를 가진다. 조광장치의 단부에서 조광장치(11)는 레이저 등의 광원(13)을 가지고, 광선의 파장은 원자외선인 193 nm이다.
조광장치(11)는 광선의 형태를 만들고 혼합하고 각도분포를 변화시키는 다수의 광학요소(14)를 갖는다. 실시예의 광원은 레이저이므로, 광선은 처음부터 선형으로 편광되어 있다. 광학요소를 통과할 때, 선형편광은 부분편광되거나 편광이 없어진다. 간단하게 하기 위해, 편광된 빛(12)은 완전히 탈편광된다.
투영노출장치(10)는 대상면(18)을 가진 투영렌즈(16)를 갖는다. 이 대상면(18)에는 마스크(20)가 분리가능하게 위치한다. 웨이퍼 형태의 지지체(26)위에 배열된 영상면(22)에 광저항작용의 수광층(24)이 있다.
마스크(20)의 구조체는 도 2에 상대적으로 자세히 도시된다. 마스크(20)는 193 nm 파장의 투영광선(12)을 위한 투명재료로 구성된 지지체(28)를 가진다. 이 파장을 위하여 수정유리가 적합하다.
하나의 예로서 불투명 구조체(32)의 패턴이 조광장치에 면한 지지체(28)의 면(30)에 적용된다. 도 2에서 불투명구조체(32)는 거칠고 넓은 구조체(32a, 32b) 및 직사각형 단면을 가진 가는 막대구조체(32c)로 구성된다. 구조체(32)는 크롬 등의 전기유도재료로 구성된 층(34)으로부터 에칭에 의해 리소그라피에 의해 제조된다. 투명간극(36)은 불투명 구조체(32)사이에 있고, 구조체들사이에 유전재료(38)가 채워진다. 이 재료는 본 실시예에서 순수한 물이고 점착력으로 간극(36)에서 유지된다.
실시예에서 폭(b)은 100 nm이고, 높이(h)는 110 nm이고 막대구조체(32c) 사이의 간격은 200nm이다. 폭(b)은 투영광선(12)의 파장의 배수에 근사한 값이다.
구조체(32) 및 유전재료의 굴절계수, 층(34)의 높이 및 막대구조체(32c)의 크기는 서로 적합하도록 제공되어, 구조체에 대해 수직으로 편광된 투영광선(12)보다 막대구조체(32c)의 길이방향으로 편광된 투영광선(12)에 대해 막대구조체(32c)가 상대적으로 높은 회절능률을 가진다. 도 2를 참고할 때, 마스크(20)를 통과하고 다음에 편광광선(12') 및 통과전의 편광(12)이 도시된다. 편광분포(40)를 참고할 때, 마스크(20)를 통과하기 전의 투영광선(12)은 탈편광광선의 특성과 같이 투영광선(12)의 전파방향(44)에 대해 수직인 모든 방향에 대해 확률적으로 다양한 편광방향분포를 가진다.
막대구조체(32c)의 회절효율이 구조체(32c)에 대해 평행하게 편광된 투영광선보다 종방향크기로 수직으로 편광된 투영광선(12)을 위해 상대적으로 작기 때문에, 상대적으로 거친 구조체(32a, 32b)들사이의 영역을 통해 투영광선이 통과한 후에 편광부포(42)가 구해진다. 막대구조체(32c)의 길이방향을 따라 편광된 투영광선(12)이 막대구조체(32c)의 격자구조배열을 통과할 때 단지 상대적으로 작게 감쇠된다. 투영광선(12)에 대해 수직인 투영광선(12)의 편광요소들을 위해 상기 회절효율으니 상대적으로 작아서, 상기 요소들이 마스크(20)를 통과할 때, 상대적으로 강하게 감쇠된다.
상기 재료 및 구조적 파라미터를 가진 마스크(20)에 대하여, 마스크(20)가 모든 회절차수에 추가되면, 구조체(32c)의 길이 방향에 평행하게 편광된 투영광선의 회절능률은 43%가 되고 수직으로 편광되면 6%가 된다. 마스크의 편광효과 때문에, 투영광선(12)은 수광층(24)에서 s-편광된다. 전체 투영광선의 편광은 접선방향이다. 수광층은 광학축의 각도에 의존하지 않는다. 벡터효과로 인한 불필요한 대비변화는 회피될 수 있다.
편광효과는 막대구조체(32c) 뿐만 아니라 거친 구조체에서도 발생한다. 구조체의 크기가 증가하면 마스크(20)의 편광효과는 감소한다.
더욱이, 구조체(32) 사이의 모든 간극이 유전재료로 채워지는 것은 아니다. 도 2는 구조체(32b)의 바로 우측을 도시하고, 예를 들어, 지지체(28)의 표면(30)은 불투명 구조체(32)나 유전재료가 적용되지 않는다.
마스크(20)의 높은 회절능률의 편광의존을 위한 구조 및 재료 파라미터를 결정하기 위하여 모의 계산을 한다. 제조기술에 의하여 구조물(32)의 크기는 투영광선의 파장보다 작지 않다. 근사 모형은 회절능률을 계산하기 위하여 채용되지 않는다. 대신에 편광의존특성의 회절능률을 구하기 위하여 상기 경우에서 수치 알고리듬을 이용하여 구조체(32)를 위한 맥스웰 방정식의 해를 구한다. 이 방법은 종래의 기술에서 공개되기 때문에, 자세한 것은 기술하지 않는다. 이런 계산은 Rigorous Coupled Wave Theory(RCWA) 및 Finite Defference Time Domain(FDTD)를 이용하여 수행한다.
상기 설명과 같이, 유전재료(48)를 위해 액체가 이용되면, 액체를 교환하거나 온도를 변화시켜 마스크의 편광의존효과가 변화될 수 있다. 액체 유전재료 대신에, 중합체 또는 수정유리와 같은 고체도 이용된다.
도 3은 다른 실시예의 마스크를 도 2의 방식으로 도시한 것이다. 마스크(20')에 있어서 막대구조체(32c)들사이의 중간 공간(36)뿐만 아니라 구조체(32)위에 유전재료(38)가 존재한다. 상기 덮혀진 재료는 또 다른 유전재료(46)의 층이고 조광장치(11)를 향하는 마스크(20')의 전체 표면을 덮는다. 예를 들어, 재료(46)은 순수한 물이고 유전재료(38)은 고체이다. 간극(34)들사이 및 구조체(32) 위의 유전재료는 물 또는 수정유리 같은 고체 유전재료로 된 동일한 재료이다.
도 2의 마스크(20)와 상이하게 도 3의 마스크(20')는 구조체(32b)의 옆에서 우측에 보이는 간극(36')을 갖고, 간극(36)내에서 재료(38)와 상이한 유전재료(38')가 상기 간극에 충진된다. 회절능률의 편광의존특성이 국소적으로 다른 상기 유전재료를 선택하여 유리하게 조절될 수 있다.
도 1는 본 발명에 따른 마스크를 가진 마이크로리소그라피(microlithography) 투영노출장치를 개략도시한 측면도.
도 2는 도 1의 마스크의 실척이 아닌 확대 상세도.
도 3은 본 발명의 마스크의 또 다른 실시예를, 도 2와 같은 방법으로 도시한 도면.
*부호설명*
10....투영노출장치 14.....광학요소
11....조광장치 16.....방사렌즈
12....투영광선 20.....마스크
13....광원
Claims (19)
- 마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크에 있어서,- 불투명구조체(32)가 적용된 지지체(28)- 구조체(32c) 사이의 적어도 하나의 간극(36,36'), 상기 간극은 적어도 부분적으로 유전재료(38,38)이 채워지는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 1항에 있어서, 유전재료(38)이 액체인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 1항에 있어서, 유전재료(38)이 고체인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 1항에 있어서, 다른 간극(36,36')이 적어도 부분적으로 다른 유전재료(38,38')로 채워진 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 1항에 있어서, 유전재료가 적어도 하나의 구조체(32)를 덮는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 5항에 있어서, 구조체(32)가 적어도 하나의 간극(36, 36')에 위치한 유전재료(38, 38')과 다른 유전재료(46)로 덮인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 1항에 있어서, 불투명 구조체(32)가 전기유도재료로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 7항에 있어서, 전기유도재료 및 구조체(32)가 굴절지표 및 높이(h)를 갖고 마스크의 구조체(32)에 평행으로 편광된 정해진 파장의 투영광선을 위한 회절능률이 수직으로 편광된 경우보다 높은 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 7항에 있어서, 구조체(32)의 높이(h)가 유전재료 내의 투영광선(12)의 파장의 50 내지 150%, 대개 75 내지 125%인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 전 항 중 한 항에 있어서, 유도재료가 0.4 내지 1.0 범위의 실제 부분의 복합 굴절계수를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 7항에 있어서, 유도재료가 1.0 내지 2.0 범위의 가상 부분의 복합 굴절계수를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 미세부품제조를 위한 마이크로리소그라피 투영노츨장치에 있어서,- 정해진 파장을 갖는 투영광선(12)을 발생시키는 조광장치(11),- 마스크(20; 20')는 투영광선에 노출되고 다음으로 구성되고:- 불투명구조체(32)의 패턴 위의 지지체(28),- 적어도 하나의 중간재(36, 36')가 두 구조체(32c) 사이에 있고, 상기 간극이 유전재료(38, 38')로 적어도 부분적으로 채워지고,- 투영렌즈(16)가 마스크(20; 20')에서 수광층(24)으로 돌출한 것을 특징으로 하는 투영노출장치.
- 제 12항에 있어서, 투영광선이 200 nm 보다 작은 파장이고, 투영렌즈(16)가 0.9보다 큰 구경 수치인 것을 특징으로 하는 투영노출장치.
- 제 12항에 있어서, 마스크(20; 20')가 편광기로서 조광장치(11) 내에 설치된 것을 특징으로 하는 투영노출장치.
- 제 12항에 있어서, 마스크(20; 20')가 편광기로서 투영렌즈(16) 내에 설치된 것을 특징으로 하는 투영노출장치.
- 제 14 또는 15항에 있어서, 구조체(32)가 마스크(20; 20')의 표면(30)에 균일하게 분포된 것을 특징으로 하는 투영노출장치.
- 미세부품의 석판인쇄제조를 위한 방법에 있어서,a) 투영렌즈(16)를 제공;b) 투영렌즈(16)의 대상면(18) 내에 제 1항에 따라서 마스크(20; 20')를 설치하고;c) 마스크(20; 20') 위의 패턴을 투영렌즈(16)의 영상면(22) 내에 설치된 수광층(24) 위에 투영하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 17항의 방법으로 생산된 것을 특징으로 하는 미세구조부품.
- 마이크로리소그라피 투영노출장치(10)에 사용되고, 전기유도재료로 구성된 불투명 구조체(32)의 패턴이 있는 지지체가 있는 마스크(20; 20')를 제작하는 방법에 있어서,a) 두 구조체(32c) 사이에 남은 적어도 하나의 간극(36, 36')에 유전재료(38, 38')을 적어도 부분적으로 채우고;b) 적어도 투영노출장치(10)에 사용되는 투영광선(12)의 파장, 전기유도재료 및 유전재료(38)의 복합굴절계수 및 불투명 구조체(36)의 높이(h)로 구성된 파라미터를 정하고;c) 정해진 파라미터세트에 기초하여 맥스웰 방정식을 풀어서 다른 편광의 투영광선(12)을 위한 불투명 구조체의 회절능률을 정확히 계산하고;d)불투명 구조체(32)에 수직으로 편광된 투영광선(12)보다 수평으로 편광된 투영광선(12)의 회절능률이 더 높은 파라미터세트를 발견할 때까지 파라미터세트의 수정을 반복하는 는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US51875003P | 2003-11-10 | 2003-11-10 | |
| US60/518,750 | 2003-11-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050045871A true KR20050045871A (ko) | 2005-05-17 |
Family
ID=34619327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040091172A KR20050045871A (ko) | 2003-11-10 | 2004-11-10 | 마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050123840A1 (ko) |
| JP (1) | JP2005141228A (ko) |
| KR (1) | KR20050045871A (ko) |
| DE (1) | DE102004049735A1 (ko) |
| TW (1) | TW200516358A (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1887390A4 (en) * | 2005-05-27 | 2010-09-15 | Zeon Corp | GRID POLARIZATION FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OPTICAL LAMINATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US20070183025A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-08-09 | Koji Asakawa | Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof |
| JP4538021B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 光近接効果の補正方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645678B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for making an integrated circuit using polarization properties of light |
| US6632576B2 (en) * | 2000-12-30 | 2003-10-14 | Intel Corporation | Optical assist feature for two-mask exposure lithography |
| US6605395B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-12 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for forming a pattern on an integrated circuit using differing exposure characteristics |
-
2004
- 2004-10-13 DE DE102004049735A patent/DE102004049735A1/de not_active Withdrawn
- 2004-10-18 TW TW093131492A patent/TW200516358A/zh unknown
- 2004-11-05 JP JP2004321931A patent/JP2005141228A/ja active Pending
- 2004-11-10 US US10/984,868 patent/US20050123840A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-10 KR KR1020040091172A patent/KR20050045871A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005141228A (ja) | 2005-06-02 |
| DE102004049735A1 (de) | 2005-06-23 |
| US20050123840A1 (en) | 2005-06-09 |
| TW200516358A (en) | 2005-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100549776B1 (ko) | 공간필터링을 통한 이미지향상의 장치 및 방법 | |
| US7084960B2 (en) | Lithography using controlled polarization | |
| US8049866B2 (en) | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system | |
| JP4832477B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及び偏光器デバイス | |
| KR101119723B1 (ko) | 마이크로 리소그래피 투영 노광 | |
| JP4340254B2 (ja) | モザイクタイル波長板のための層構造 | |
| KR100664623B1 (ko) | 패터닝된 격자 소자 편광기 | |
| TWI293696B (en) | Optical system for spatially controlling ligth polarization and method for manufacturing the same | |
| US7629087B2 (en) | Photomask, method of making a photomask and photolithography method and system using the same | |
| JP7250846B2 (ja) | ワイヤグリッド偏光板製造方法 | |
| JP4880915B2 (ja) | マイクロリソグラフィ用投影露光装置の光学システム | |
| US20100208315A1 (en) | Computer generated hologram, generation method, and exposure apparatus | |
| KR20070057185A (ko) | 편광 제어된 일체형 각도 확산기 및 그 제조 방법 | |
| JP2003525471A (ja) | マスクを用いてデバイスを製造する方法およびその方法に用いられる位相シフトマスク | |
| JP2004343079A (ja) | デバイス製造方法 | |
| US8576378B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| TW200921285A (en) | Adjustment method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus | |
| TW200817843A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| CN1645258A (zh) | 高数值孔径光刻成像偏振控制装置 | |
| KR20050045871A (ko) | 마이크로리소그라피 투영노출장치에 사용되는 마스크 | |
| TW201443575A (zh) | 微影投影曝光裝置及其操作方法 | |
| US20060216615A1 (en) | Wavefront engineering with off-focus mask features | |
| KR101324402B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 프로젝션 노광 장치 및 이 장치의 교정방법 | |
| KR100675882B1 (ko) | 다중투과 위상 마스크 및 이를 이용한 노광 방법 | |
| Poutous et al. | Correlation of fabrication tolerances with the performance of guided-mode-resonance micro-optical components |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |